CN110829980A - 高频钇铁石榴石振荡器以及制造高频钇铁石榴石振荡器的方法 - Google Patents

Abstract

描述了一种高频钇铁石榴石振荡器(10)，其包括共面钇铁石榴石谐振器(12)。共面钇铁石榴石谐振器(12)具有钇铁石榴石球体(28)、共面耦合结构(22)和共面波导(24)。共面耦合结构(22)与共面波导(24)集成在一起。共面耦合结构(22)被耦合到钇铁石榴石球体(28)。此外，描述了制造高频钇铁石榴石振荡器的方法。

Description

高频钇铁石榴石振荡器以及制造高频钇铁石榴石振荡器的 方法

技术领域

本发明涉及一种高频钇铁石榴石(YIG)振荡器以及一种制造高频YIG振荡器的方法。

背景技术

从现有技术中已知YIG振荡器用作参考源，以用于生成可用于信号发生器和/或频谱分析仪中的本地振荡器的信号。YIG振荡器具有钇铁石榴石谐振器(YIG谐振器)，其具有被分配给耦合结构的钇铁石榴石球体(YIG球体)。耦合结构由以金制成的传导带(conduction band)建立。传导带形成为如同基本上围绕YIG球体的小环，使得传导带能够适当地以电磁方式激发YIG球体。耦合结构也称为耦合环，并且由于其相应形状而在电气上较长。另外，提供了强频率依赖的耦合强度，其与耦合结构的电气长度相关联。

因此，由于耦合结构的自然谐振，特别是传导带的自然谐振，YIG振荡器可用的频率范围通常限于约20GHz。

因此，需要技术修改以获得较高的输出频率，这导致关于所使用硬件的高努力。例如，必须使用倍频器、滤波器组和/或放大器以获得较高的输出频率。

然而，这些附加的硬件组件导致了关于相位噪声的性能降低，这是因为在使用附加硬件组件时发生较高的相位噪声或者更确切地说相位抖动，以便获得较高的输出频率。这种相位噪声是不希望的，这是因为它降低了振荡器的整体性能。

在现有技术中，一旦希望较高的输出频率(即高于20GHz的输出频率)，就需要在输出频率和相位噪声之间进行权衡，这是因为耦合结构的自然谐振限制了振荡器的可用的频率范围。

因此，需要一种YIG振荡器，其在确保关于相位噪声的良好性能的同时可用于高输出频率。

发明内容

本发明提供了一种高频钇铁石榴石振荡器，其具有共面钇铁石榴石谐振器，其中共面钇铁石榴石谐振器包括钇铁石榴石球体、共面耦合结构和共面波导，其中共面耦合结构与共面波导集成在一起，并且其中共面耦合结构被耦合到钇铁石榴石球体。

此外，本发明提供了一种制造高频钇铁石榴石振荡器的方法，包括以下步骤：

-提供基板；

-通过使用薄膜技术在第一基板的至少一部分上施加共面耦合结构，以及

-将钇铁石榴石球体放置在共面耦合结构附近，使得获得钇铁石榴石球体和共面耦合结构之间的电磁耦合。

因此，本发明提供一种高频钇铁石榴石振荡器，由于相比于已知的钇铁石榴石振荡器，共面耦合结构具有减少的反射损耗或者更确切地说反向衰减(returnattentuation)，以及高自然谐振频率或者更确切地说自谐振频率的事实，其在提供低相位噪声的同时可用于高频应用。因此，根据本发明的YIG振荡器可用于高频(即高于30GHz的频率，特别是高于35GHz的频率)应用。这种高频信号可以在确保低相位噪声的同时由高频YIG振荡器生成。这是可以确保的，因为限制可用频率范围的自然谐振频率由于耦合结构的较小电气长度而被移位到较高频率(诸如高于30GHz的频率)。由于耦合结构以共面方式提供，因此共面耦合结构是电气短路的。因此，耦合强度在相应频率范围内保持基本相同。实际上，耦合强度独立于频率。

因此，共面耦合结构可以被配置为在高频(特别是高于20GHz的频率)下具有低损耗，这是由于耦合结构的较小电气长度。

通常，由于不需要附加的硬件组件，因此可以降低制造确保了高输出频率(即高于30GHz的频率)的高频钇铁石榴石振荡器的成本。因此，不再需要诸如倍频器、滤波器，滤波器组和/或放大器等的附加硬件组件。此外，高频钇铁石榴石振荡器在提供如此高频率的信号的同时确保低相位噪声。在现有技术中，由于相位噪声增加，因此附加硬件组件降低了振荡器的整体性能。

共面耦合结构以电磁方式耦合到钇铁石榴石球体，使得特别是通过生成的磁场提供了电磁耦合。这意味着在共面耦合结构和钇铁石榴石球体之间提供距离或者更确切地说间隙。距离或者更确切地说间隙可以被电磁桥接，使得共面耦合结构被配置为激发钇铁石榴石球体。

因此，谐振器确保了钇铁石榴石球体可以经由共面耦合结构被激发，其中被激发的球体转而激发共面耦合结构，以便发射期望频率的射频信号。

整个共面耦合结构被提供在平面中。实际上，共面耦合结构和共面波导被提供在同一平面中。可以适当地减小钇铁石榴石振荡器的整体尺寸。因此，现有技术中已知的耦合回路不再必要，并且由布置在平面中的共面耦合结构代替。

钇铁石榴石球体具有球体形形状。因此，钇铁石榴石球体被成形为如同球，如同是圆形的。

因此，钇铁石榴石谐振器被称为共面，因为它包括共面耦合结构。然而，钇铁石榴石谐振器还包括三维钇铁石榴石球体。

实际上，共面钇铁石榴石谐振器的共面耦合结构可以在与共面波导连接的共面耦合结构的端部相对的一端被短路。

由于共面耦合结构与共面波导集成在一起，因此共面钇铁石榴石谐振器的两个组件，即共面耦合结构和共面波导，以信号传输方式相互连接。实际上，共面耦合结构和共面波导可以形成为单件。

通常，可以由根据本发明的YIG振荡器建立的本地振荡器提供高频下具有低相位噪声的信号。

根据一个方面，共面耦合结构基本上是环形的。因此，YIG球体中的特定模式可以通过共面耦合结构在共面耦合结构和YIG球体之间较低距离下以改进的方式激发。

因此，可以保持钇铁石榴石振荡器的品质因数。与此相反，平面或盘形耦合结构将激发YIG球体中的若干模式，这将导致钇铁石榴石振荡器的品质因数降低。

换句话说，相位噪声可以保持较低。

另一方面提供了环形共面耦合结构的直径与钇铁石榴石球体的直径之比在0.7至1.4之间。因此，共面钇铁石榴石谐振器的两个组件的直径具有基本相同的尺寸，使得改善了电磁耦合，导致了高品质因数或者更确切地说低相位噪声。

例如，环形共面耦合结构的直径对应于钇铁石榴石球体的直径。因此，谐振器的两个组件(即球体和环形共面耦合结构)具有相同的直径。因此，YIG球体在共面耦合结构上或者更确切地说在其中提供了共面耦合结构的平面上的投影对应于共面耦合结构的外边缘围绕的区域。

根据另一方面，共面钇铁石榴石谐振器具有被分配给共面耦合结构的凹入部分。凹入部分可以与共面耦合结构相对，使得共面耦合结构放置在钇铁石榴石球体特别是面向共面耦合结构的一侧和共面YIG谐振器的凹入部分之间。凹入部分确保了共面耦合结构基本上不存在可能干扰YIG球体和共面耦合结构之间的电磁耦合的围绕材料。

特别地，凹入部分具有彼此合并的两个凹入区域，其中第一凹入区域被分配给共面耦合结构和/或其中第二凹入区域被分配给共面波导。因此，凹入部分包括两个区域，其被分配给谐振器的传导部分，即与YIG球体相互作用的共面耦合结构和连接到共面耦合结构的共面波导。

例如，共面钇铁石榴石谐振器具有基板，特别是陶瓷基板，其具有第一表面，共面耦合结构和/或共面波导被提供在第一表面上，特别是被直接提供在第一表面上。共面耦合结构以及共面波导可以位于由基板的第一表面限定的相同平面中。通常，基板可以由介电材料建立。共面耦合结构和/或共面波导可以被直接提供在基板上，即其第一表面上。因此，在共面耦合结构和/或共面波导与基板之间可以不提供中间材料。

特别地，至少所述基板的第一表面被部分地提供有导电材料。导电材料可以在第一表面上限定第一接地区域，其影响共面耦合结构和YIG球体之间的电磁耦合，使得可以减小谐振器的辐射损耗。紧邻共面耦合结构施加的导电材料可以建立共面耦合结构的短路。

特别地，基板具有与第一表面相对的第二表面，该第二表面也被部分地提供有导电材料。第二表面上的导电材料可以在第二表面上限定第二接地区域，其也影响共面耦合结构和YIG球体之间的电磁耦合。例如，相同的导电材料用于两个接地区域。相应导电材料可以彼此连接。

此外，凹入部分可以被提供在导电材料内，特别地其中除了凹入部分之外，基板的第一表面基本上完全被导电材料覆盖。因此，凹入部分在第一表面上限定了没有导电材料的区域，使得共面耦合结构和/或共面波导可以被提供在凹入部分中。

实际上，共面耦合结构和/或共面波导可以由薄膜建立，特别是由以金制成的沉积薄膜建立。例如，共面耦合结构和/或共面波导可以通过适当地涂覆或者更确切地说蒸发基板的第一表面来建立。因此，共面耦合结构和/或共面波导可以分别对应于涂覆的或者更确切地说蒸发的共面耦合结构和涂覆的或者更确切地说蒸发的共面波导。因此，可以以有成本效益的方式建立共面耦合结构和/或共面波导。例如，共面耦合结构和共面波导被同时提供在基板上，特别是其第一表面上。

相应的导电材料可以在共面耦合结构和/或共面波导之前沉积在基板上。可替选地，在将共面耦合结构和/或共面波导施加在基板上，特别是其第一表面上之后，将相应的导电材料施加在基板上。此外，在一个处理步骤中将导电材料、共面耦合结构和/或共面波导施加在基板上。

另一方面提供了钇铁石榴石球体和共面耦合结构之间的最小距离在100μm和150μm之间。共面耦合结构被布置在与钇铁石榴石球体间隔开的平面中。钇铁石榴石球体和共面耦合结构或者更确切地说相应平面之间的最小距离被建立在直接面对共面耦合结构的钇铁石榴石球体的一侧(即钇铁石榴石球体的下侧)之间。100μm至150μm的最小距离确保了获得共面耦合结构与钇铁石榴石球体之间的良好电磁耦合，使得可以适当地减少辐射损失。

此外，可以提供保持钇铁石榴石球体的保持件。因此，钇铁石榴石球体被保持件悬挂，使得它位于相对于共面耦合结构的预定位置。保持件可以由例如陶瓷的介电材料制成。

另外，可以提供容纳共面钇铁石榴石谐振器的屏蔽罩，特别地其中屏蔽罩由金属和/或镀金制成。屏蔽罩确保了可以进一步减少辐射损失。实际上，屏蔽罩可以放置在导电材料上，使得导电屏蔽罩被连接到导电材料。

例如，屏蔽罩至少涂覆有被用作导电材料的相同材料。

通常，相应的导电材料可以提供地块(mass)或者更确切地说地(ground)。

因此，屏蔽罩被连接到地块或者更确切地说地。

共面耦合结构和/或共面波导可以由带状线建立。由于YIG谐振器的相应组件可以通过涂覆或者更确切地说蒸发基板来建立，因此YIG谐振器的组件可以以有成本效益的方式建立。因此，整个YIG谐振器可以以有成本效益的方式制造。

此外，共面波导也可以被施加在基板的第一表面的部分上，特别地其中共面耦合结构和共面波导被同时形成。因此，整个钇铁石榴石谐振器可以以有成本效益的方式建立，这是因为诸如共面波导和共面耦合结构的导电材料可以在相同的处理步骤中施加。

上述进一步的特征也适用于该方法，使得在制造高频钇铁石榴石振荡器期间可以以环形方式施加共面耦合结构。环形共面耦合结构可以关于其直径适于钇铁石榴石球体中的一个。

此外，可以在制造高频钇铁石榴石振荡器期间(例如当导电材料被沉积在基板的第一表面上时)提供凹入部分，使得共面耦合结构和/或共面波导可以被直接施加在基板上。

在共面耦合结构、共面波导和/或导电材料已经被施加在基板上之后，屏蔽罩可以被放置在共面钇铁石榴石谐振器之上，使得屏蔽罩容纳共面钇铁石榴石谐振器。屏蔽罩可以以电气方式与放置在基板上的导电材料接触，使得屏蔽罩本身被分配给地或者更确切地说地块。

通常，可以通过使用与YIG球体相互作用的外部磁场来调整YIG振荡器的频率。例如由电磁铁生成的外部磁场改变了YIG球体的谐振频率，因此改变YIG振荡器的总体特性。

实际上，YIG球体可以充当针对微波频率(即高频)的YIG振荡器的可调谐频率确定构件。

另外，可以例如通过镓掺杂YIG球体以便调节可用的频率范围。

除了低相位噪声之外，YIG振荡器还可以具有高线性度，以便提供整体良好的性能。

通常，由YIG谐振器反射的信号用于进一步处理。为此目的，YIG谐振器，特别是共面耦合结构被短路。

YIG球体可以由合成的钇铁石榴石晶体结构制成，其中球体形状通过切割和翻滚获得。

附图说明

如通过参考以下详细描述所要求保护的主题的前述方面和许多伴随的优点变得更好理解，当结合附图时，所要求保护的主题的前述方面和许多伴随的优点将变得更容易理解，其中：

-图1示出了根据本发明的钇铁石榴石振荡器的透视图，

-图2以另一透视图示出了根据图1的钇铁石榴石振荡器的细节，

-图3示出了根据现有技术的钇铁石榴石振荡器使用的与图2的相同细节，

-图4示意性地示出了根据图1的钇铁石榴石振荡器的上侧的俯视图，

-图5示出了根据图1的钇铁石榴石振荡器的下侧的俯视图，

-图6示出了沿着线A-A的图4的截面，并且

-图7示出了图1的钇铁石榴石振荡器，其具有附加的壳体和其他组件。

具体实施方式

以下结合附图阐述的详细描述旨在作为对所公开主题的各种实施例的描述，而不旨在表示仅有的实施例，在附图中相同的附图标记表示相同的元件。本公开中描述的每个实施例仅作为示例或说明提供，并且不应该被解释为比其他实施例更优选或更有利。本文所提供的说明性示例并不旨在是穷举性的或者将本发明的主题局限至所公开的精确形式。

在图1中，示出了高频钇铁石榴石振荡器10，其具有共面钇铁石榴石谐振器12。

共面钇铁石榴石谐振器12包括具有第一表面16和与第一表面16相对的第二表面18的基板14。通常，基板14可以是陶瓷基板或由任何其他介电材料制成。

基板14的第一表面16覆盖有导电材料，该导电材料提供YIG谐振器12的第一接地区域20。YIG谐振器12还包括共面耦合结构22以及共面波导24，它们彼此连接。换句话说，共面耦合结构22与共面波导24集成在一起。

共面耦合结构22以及共面波导24也提供在基板14的第一表面16上，其中相应的共面耦合结构22和共面波导24被分配给第一接地区域20中的凹入部分26。

凹入部分26包括被分配给共面耦合结构22的第一凹入区域26a和被分配给共面波导24的第二凹入区域26b。

这意味着被分配给第一接地区域20的导电材料没有被提供在第一表面16的对应于凹入部分26的区域中，使得共面耦合结构22和共面波导24可以直接施加在基板14的第一表面16上。

另外，共面钇铁石榴石谐振器12包括由保持件30保持的钇铁石榴石球体28。保持件30可以由诸如陶瓷的介电材料制成。

YIG球体28被分配给共面耦合结构22，使得在钇铁石榴石球体28和共面耦合结构22之间建立电磁耦合。

因此，在钇铁石榴石球体28和共面耦合结构22之间提供间隙。

通常，钇铁石榴石球体28和共面耦合结构22的尺寸彼此适配。

因此，共面耦合结构22是环形的，这意味着共面耦合结构22具有至少两个臂32和34，其限制凹入部分26的基本上圆形的区域38。

钇铁石榴石球体28可以具有对应于环形共面耦合结构22的直径，特别是环形共面耦合结构22的外边缘的直径的直径。

例如，直径比在0.7至1.4的范围内。特别地，环形共面耦合结构22的直径对应于钇铁石榴石球体28的直径，使得两个直径相同。

因此，钇铁石榴石球体28在共面耦合结构22被提供在其上的基板14的第一表面16上的投影导致了完美匹配，使得共面耦合结构22的外边缘与钇铁石榴石球体28重合。

实际上，直径可以在250μm至300μm的范围内。

通常，共面钇铁石榴石谐振器12确保了共面耦合结构22被提供在平面E中。实际上，共面耦合结构22和共面波导24被提供在同一平面E中。此外，导电材料也被施加在该平面E中。可以适当地减小钇铁石榴石谐振器12的整体尺寸。实际上，平面E由基板14的第一表面16提供。

与此相反，图3示出了根据现有技术的钇铁石榴石振荡器110使用的钇铁石榴石谐振器112未被分配给平面。实际上，提供了由金制成的传导带，其与耦合结构122有关。传导带被形成为如同基本上围绕YIG球体128的小环。具有相同功能的相应组件被分配给对应于图2中使用的附图标记的附图标记，但是增加了100。

比较图2和图3显示根据本发明减小了耦合结构的电气长度。这导致了使耦合结构的自然谐振频率移位，其将可用的频率范围限制到较高的频率，诸如高于30GHz的频率。

在图4至6中，以不同视图示出了由根据本发明的共面钇铁石榴石振荡器10使用的共面钇铁石榴石谐振器12。

图4中示出了谐振器12的上侧的俯视图，而图5显示了谐振器12的相对侧(即下侧)的俯视图。在图6中，提供了沿图4中所示的线A-A的截面。

图4至图6显示共面耦合结构22的臂34、36在共面耦合结构22的一个端部40处短路，其中共面耦合结构22经由其相对端42连接到共面波导24。

如图4所示，共面耦合结构22被完全提供在凹入部分26，特别是第一凹入区域26a内，其不含导电材料。

此外，导电材料也从被分配给共面波导24的第二凹入区域26b中排除，使得共面波导24也直接提供在基板14的第一表面16上。

因此，除了凹入部分26，特别是第一凹入区域26a和第二凹入区域26之外，限定第一接地区域20的导电材料可以提供在基板14的整个第一表面16上。

因此，共面波导24以及共面耦合结构22被直接提供在基板14的第一表面16上。这从示出了沿图4中的线AA的截面的图6中也变得明显。

图6还显示了共面耦合结构22，特别是其围绕圆形区域38的臂34、36，具有与限定了第一接地区域20的导电材料基本相同的高度。

进一步示出了钇铁石榴石球体28和共面耦合结构22之间的最小距离d为约100μm至150μm。最小距离对应于共面耦合结构22与钇铁石榴石球体28的面向共面耦合结构22的一侧(即其面向基板14的下侧)之间的距离。

在图6中进一步示出的是，基板14的第二表面18还提供有导电材料，该导电材料在第二表面18上限定第二接地区域44。

这在图5中更详细地示出，其示出了钇铁石榴石谐振器12的下侧，特别是其上提供有第二接地区域44的基板14的第二表面18。

变得显然的是，基本上整个第二表面18被导电材料覆盖，这是因为只有表面区域46被排除在导电材料之外。表面区域46对应于被分配给第一表面16的第一凹入区域26a。

因此，确保了YIG球体28仅与共面耦合结构22耦合，这是因为在YIG球体28的关于基板14的投影区域中没有提供其他导电材料。

换句话说，不管表面16、18如何，YIG球体28在基板14上的投影都不与接地区域20、44的导电材料相交。

实际上，表面区域46和/或第一凹入区域26a具有基本上矩形的形状。

在图1中进一步示出的是，高频钇铁石榴石振荡器10包括屏蔽罩48，其以透明方式示出，以便提供关于被屏蔽罩48容纳或者更确切地说被封装在屏蔽罩48的共面钇铁石榴石谐振器12的更好的视图。

实际上，屏蔽罩48电磁屏蔽YIG球体28，使得防止了YIG球体28与其它非预期组件的不期望的电磁耦合。

屏蔽罩48可以由金属和/或镀金制成，使得在屏蔽罩和与屏蔽罩48所耦合的接地区域20、44之间获得电连接。

特别地，屏蔽罩48被连接到第一表面16上的接地区域20，如图1所示。

然而，在图7中，钇铁石榴石振荡器10被示出在应用中。因此，YIG振荡器10被安装在壳体50中，壳体50包括经由连接线54连接到共面波导24的射频(RF)连接器52。连接线54可以建立在基板，特别是基板14上。

在图7中更详细地示出了相应的屏蔽罩48，其中屏蔽罩48从被适当示出的共面钇铁石榴石谐振器12中拆卸下来。

变得显然的是，屏蔽罩48被配置为容纳共面钇铁石榴石谐振器12，这是因为它可以在基板14的外部区域中与基板14耦合。因此，钇铁石榴石球体28由屏蔽罩48和被分配给钇铁石榴石球体28的共面耦合结构22容纳。

另外，提供调节杆56以用于调节YIG振荡器10的组件在壳体50内的一个或多个相对位置。特别地，具有共面耦合结构22的基板14可以经由调节杆56相对于YIG球体28被定位。

实际上，钇铁石榴石振荡器10可以通过提供基板14来制造，其中导电材料沉积在一个或多个相应表面16、18上，以便形成接地区域20、44。

另外，共面耦合结构22和/或共面波导24被施加在基板14的第一表面16的未被导电材料覆盖的区域中。共面耦合结构22以及共面波导24可以通过使用薄膜技术来施加，使得相应的材料可以以有成本效益的方式沉积在基板14的第一表面16上。

也可以通过使用薄膜技术施加相应的导电材料。

通常，导电材料、共面耦合结构22和/或共面波导24可以被同时施加在基板14上。

然后，将具有钇铁石榴石谐振器12的组件的基板14放置在钇铁石榴石球体28附近，使得获得钇铁石榴石球体28和共面耦合结构22之间的电磁耦合。实际上，共面耦合结构22被放置在钇铁石榴石球体28下方，使得YIG球体28在关于基板14的第一表面16的顶视图中覆盖共面耦合结构22的外边缘。

然后，将屏蔽罩48放置在YIG谐振器12上，使得YIG球体28被屏蔽罩48覆盖或者更确切地说被屏蔽罩48屏蔽。

由于基板14可以由介电材料制成，因此相应的共面耦合结构22和/或共面波导24可以对应于被提供在基板14的第一表面16上的带状线。

如已经提到的，共面耦合结构22和/或共面波导24可以由金制成，特别是薄膜涂覆的金制成。

此外，导电材料也可以由金提供，特别是薄膜涂覆的金提供。

通常，与现有技术中使用的耦合结构相比，共面耦合结构22的电气长度减小，使得限制可用频率范围的自然谐振频率被移位到较高频率，即高于30GHz的频率。

因此，本发明提供了具有低相位噪声的高频YIG振荡器10。

Claims (15)

1.一种高频钇铁石榴石振荡器(10)，其具有共面钇铁石榴石谐振器(12)，其中所述共面钇铁石榴石谐振器(12)包括钇铁石榴石球体(28)、共面耦合结构(22)和共面波导(24)，其中所述共面耦合结构(22)与所述共面波导(24)集成在一起，并且其中所述共面耦合结构(22)被耦合到所述钇铁石榴石球体(28)。

2.根据权利要求1所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述共面耦合结构(22)基本上是环形的。

3.根据权利要求2所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，环形共面耦合结构(22)的直径与所述钇铁石榴石球体(28)的直径之比在0.7至1.4之间，特别地其中所述环形共面耦合结构(22)的直径对应于所述钇铁石榴石球体(28)的直径。

4.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述共面钇铁石榴石谐振器(12)具有被分配给所述共面耦合结构(22)的凹入部分(26)。

5.根据权利要求4所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述凹入部分(26)具有彼此合并的两个凹入区域(26a，26b)，其中第一凹入区域(26a)被分配给所述共面耦合结构(22)和/或其中第二凹入区域(26b)被分配给所述共面波导(24)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述共面钇铁石榴石谐振器(12)具有基板(14)，特别是陶瓷基板，其具有第一表面(16)，所述共面耦合结构(22)和/或所述共面波导(24)被提供在所述第一表面(16)上，特别是被直接提供在所述第一表面(16)上。

7.根据权利要求6所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，至少所述基板(14)的所述第一表面(16)被部分地提供有导电材料，特别地其中所述基板(14)具有与所述第一表面(16)相对的第二表面(18)，其也被部分地提供有导电材料。

8.根据权利要求5和7的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述凹入部分(26)被提供在所述导电材料内，特别地其中除了所述凹入部分(26)之外，所述基板(14)的所述第一表面(16)基本上完全被导电材料覆盖。

9.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述共面耦合结构(22)和/或所述共面波导(24)由薄膜建立，特别是由以金制成的沉积薄膜建立。

10.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述钇铁石榴石球体(28)和所述共面耦合结构(22)之间的最小距离在100μm和150μm之间。

11.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，提供保持件(30)，其保持所述钇铁石榴石球体(28)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，提供屏蔽罩(48)，其容纳所述共面钇铁石榴石谐振器(12)，特别地其中所述屏蔽罩(48)由金属和/或镀金制成。

13.根据前述权利要求中任一项所述的钇铁石榴石振荡器(10)，其中，所述共面耦合结构(22)和/或所述共面波导(24)由带状线建立。

14.一种制造高频钇铁石榴石振荡器(10)的方法，包括以下步骤：

-提供基板(14)；

-通过使用薄膜技术在所述基板的第一表面(16)的至少一部分上施加共面耦合结构(22)，以及

-将钇铁石榴石球体(28)放置在所述共面耦合结构(22)附近，使得获得所述钇铁石榴石球体(28)和所述共面耦合结构(22)之间的电磁耦合。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，共面波导(24)也被施加在所述基板(14)的所述第一表面(16)的部分上，特别地其中所述共面耦合结构(22)和所述共面波导(24)被同时形成。

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