CN110780626A - 用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，它的控制器通过现场测试总线接通控制器与MCU之间的状态监测线；控制器通过现场测试总线向MOSFET驱动模块输送MOSFET接通的控制信号；MOSFET驱动模块的源极电压输出端连接MOSFET管的源极，MOSFET驱动模块的栅极电压输出端连接MOSFET管的栅极，MOSFET管的漏极向现场测试总线功能模块供电，输出电压监测模块监测现场测试总线功能模块的供电电压，并反馈给MCU，输入电流监测模块检测通过现场测试总线输入到MOSFET管源极的输入电流，并反馈给MCU。本发明较传统的热插拔方法具有参数设定灵活、体积小、成本低、安全稳定性好等优点。

Description

用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法

技术领域

本发明涉及现场自动测试技术领域，具体地指一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法。

背景技术

测试总线作为自动测试关键技术之一，其性能在一定程度上决定了测试结果的优劣。而热插拔是测试总线的一项重要功能，其主要实现功能模块的保护和识别。

热插拔技术允许在不停机或很少需要操作人员参与的情况下，实现系统保护、故障恢复和系统重新配置。一般情况下，无热插拔设计的模块不支持带电插拔。因为模块电路中存在电感和电容，带电插拔会给电路带来很大的浪涌电流、瞬间电压、静电等危害，这些危害很可能会损坏模块主板，造成整个系统崩溃或损坏；同时，模块带电插拔时在信号线上产生的瞬变电压，也可能会导致模块主板上的处理器复位或中断，系统通信异常。除了硬件上的保护功能，软件上的热插拔可实现参数自动配置、硬件驱动自动装载等初始化功能。通过合适的热插拔设计，可提高系统的正常运行时间。

目前，多家公司(如TI、LINEAR、ADI、MAXIM、CYPRESS、National Semiconductor)都针对热插拔技术推出了各自的热插拔控制器和多种热插拔芯片。国内外热插拔电路多使用热插拔控制器芯片和MOSFET组合的方式。虽然当前市场上的热插拔控制芯片种类多，但是参数固定的热插拔控制芯片应用于具体的电路时，并不能完全满足需求，或者性能过高，资源浪费，并且成本高。

发明内容

本发明的目的就是要提供一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法，本发明较传统的热插拔方法具有参数设定灵活、体积小、成本低、安全稳定性好等优点。

为实现此目的，本发明所设计的一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，它包括控制器和现场测试总线功能模块的热插拔单元，所述现场测试总线功能模块的热插拔单元包括MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)、输出电压监测模块、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化层半导体场效晶体管)驱动模块、输入电流监测模块和MOSFET管，控制器用于通过现场测试总线接通控制器与MCU之间的状态监测线v_sm，使控制器与MCU之间进行MCU接入状态信息通信及MCU身份识别；

控制器还用于通过现场测试总线向MOSFET驱动模块输送MOSFET接通的控制信号；

MOSFET驱动模块的源极电压输出端连接MOSFET管的源极，MOSFET驱动模块的栅极电压输出端连接MOSFET管的栅极，MOSFET管的漏极用于向现场测试总线功能模块供电，输出电压监测模块用于监测现场测试总线功能模块的供电电压，并将该供电电压反馈给MCU，输入电流监测模块用于检测通过现场测试总线输入到MOSFET管源极的输入电流，并将该输入电流反馈给MCU。

一种上述系统的用于现场测试总线功能模块的热插拔方法，它包括如下步骤：

步骤1：将现场测试总线功能模块的热插拔单元插入机箱插槽中的现场测试总线中，控制器的热插拔单元在位检测接口v_sb2被拉低到地，此时控制器监测到有现场测试总线功能模块的热插拔单元插入，控制器接收现场测试总线功能模块的热插拔单元插入的信号后，等待与MCU通信，按下非自锁开关K1，MCU的输入电源电压v_sb1将被拉低，MCU接收已成功接入的信号，并将已成功接入的信号传送给控制器，MCU通过状态监测线v_sm与控制器进行信息交换，实现MCU接入状态信息通信及MCU身份识别；

步骤2：MCU成功识别后，控制器将发送MOSFET导通的控制信号v_mosdrv；

步骤3：MOSFET驱动电路接收控制器发送的MOSFET导通的控制信号v_mosdrv，得到驱动MOSFET导通命令，向MOSFET管的源极和栅极输出对应的源极电压v_s和栅极电压v_g；

步骤4：MOSFET管在源极电压v_s和栅极电压v_g的控制下，将被导通，电流I将经现场测试总线输入MOSFET管的源极，通过MOSFET开关后，给现场测试总线功能模块供电；

步骤5：现场测试总线功能模块供电后，现场测试总线功能模块的热插拔单元进入持续工作状态，输入电流监测模块实时监测输入到MOSFET管源极的输入电流，并发出输入电流监测值v_OCP；输出电压监测模块实时监测现场测试总线功能模块的供电电压，并发出现场测试总线功能模块的供电电压监测值v_OS；

所述MCU将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块的供电电压监测值v_OS分别与MCU内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU将把异常信息传送给控制器，从而使控制器发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管关闭，断开对现场测试总线功能模块的供电；

步骤6：当需要拔出现场测试总线功能模块的热插拔单元时，将现场测试总线功能模块的热插拔单元的非自锁开关K1断开，控制器接收到MCU中断信号后，发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管关闭，断开对现场测试总线功能模块的供电，现场测试总线功能模块的热插拔单元断电，可从机箱插槽中的现场测试总线中拔出。

本发明由于采用以上技术特点，因而有以下优点：

软件定义热插拔的方式，以分立元器件组合而成的热插拔控制电路取代热插拔控制器芯片，输入电流和输出电压等参数设定灵活，并且降低了成本。

软件定义热插拔的方式是说明热插拔的参数设定由软件上定义，区别于传统上的由硬件设定。典型的热插拔电路多采用热插拔芯片，热插拔芯片通过内部基准电压对电压或电流实现监测，由于内部基准电压为固定值，芯片的过压监测电压、欠压监测电压等参数也为固定值。现有热插拔控制器芯片参数固定，并不能完全满足现实需要或性能过高、价格昂贵，造成资源浪费。

本热插拔方案，由MCU根据软件设定的阈值与采集到的电压比较，实现监测功能。因此，本方案中软件设定热插拔的方式，可根据实际需求，灵活设定输入电流和输出电压等参数。

另外，本发明允许测试系统在不停机或很少需要操作人员参与的情况下，实现系统保护、故障恢复和系统重新配置。

当功能模块带电插拔时，由于模块电路中存在电感和电容，带电插拔会给电源线带来很大的浪涌电流、瞬间电压、静电等危害，这些危害很可能会损坏模块主板，造成整个系统崩溃或损坏；同时，模块带电插拔时在信号线上产生的瞬变电压，也可能会导致模块主板上的处理器复位或中断，系统通信异常。本方案通过延迟上电的方式，避开插拔瞬间的浪涌电流和瞬时电压，对于MOSFET和MCU的冲击。

当各项参数初始化完毕，功能模块进入持续工作状态。本热插拔电路可对输入电流和输出电压进行实时监测。一旦出现输入电流过流或者输出电压欠压或过压，上位机MCU将关闭MOSFET，断开功能模块的电源，实现对功能模块的保护。

功能模块持续工作时，v_sb2持续监测着功能模块的状态。当v_sb2监测到由低电平变为高电平时，即功能模块出现故障或需要脱离系统，主机MCU将通知从机MCU关闭MOSFET，断开功能模块供电。此时，功能模块便可从槽位拔出。

可实现即插即用功能，参数自动配置、硬件驱动自动装载。

当功能模块插入插槽后，控制器通过监测状态反馈电压v_sb1，可判断是否有现场测试总线功能模块的热插拔单元插入。而后，控制器将通过MOSFET控制信号v_mosdrv开启MOSFET管，使现场测试总线功能模块的热插拔单元供电，并与MCU通过状态监测线进行信息交互。控制器发出模块识别符请求，MCU做出反馈。若控制器可识别该功能模块，则进行参数初始化、地址配置等操作。整个过程不需要停机，并且由系统自动配置完成。

本发明可解决现场测试总线功能模块带电插拔时热冲击问题，可隔离故障的功能模块，以实现对系统的保护；同时，软件上可实现参数自动配置、硬件驱动自动装载等功能。

附图说明

图1为本发明的原理框图。

其中，1—控制器、2—现场测试总线、2.1—控制器接口、2.2—功能模块接口、3—现场测试总线功能模块的热插拔单元、3.1—MCU、3.2—输出电压监测模块、3.3—MOSFET驱动模块、3.4—输入电流监测模块、3.5—MOSFET管、3.6—现场测试总线功能模块。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明：

如图1所示的一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，它包括控制器1(控制器1由单片机系统构成)和现场测试总线功能模块的热插拔单元3，所述现场测试总线功能模块的热插拔单元3包括MCU3.1、输出电压监测模块3.2、MOSFET驱动模块3.3、输入电流监测模块3.4和MOSFET管3.5，控制器1用于通过现场测试总线2接通控制器1与MCU3.1之间的状态监测线v_sm，使控制器1与MCU3.1之间进行MCU3.1接入状态信息通信及MCU3.1身份识别；

控制器1还用于通过现场测试总线2向MOSFET驱动模块3.3输送MOSFET接通的控制信号；

MOSFET驱动模块3.3的源极电压输出端连接MOSFET管3.5的源极，MOSFET驱动模块3.3的栅极电压输出端连接MOSFET管3.5的栅极，MOSFET管3.5的漏极用于向现场测试总线功能模块3.6供电，输出电压监测模块3.2用于监测现场测试总线功能模块3.6的供电电压，并将该供电电压反馈给MCU3.1，输入电流监测模块3.4用于检测通过现场测试总线2输入到MOSFET管3.5源极的输入电流，并将该输入电流反馈给MCU3.1。

上述技术方案中，现场测试总线功能模块3.6可以是电流源模块、电压源模块、电流源模块、频率源等多种模块。

上述技术方案中，所述MCU3.1的电源输入端连接上拉电阻R1的一端，上拉电阻R1的另一端连接在位检测电源，非自锁开关K1的一端连接上拉电阻R1的一端，非自锁开关K1的另一端通过现场测试总线2连接控制器1的电源输入端。

上述技术方案中，输入电流监测电路3.4通过采样电阻R_SNS两端的电压值v_sns+和v_sns-监测MOSFET管3.5源极的输入电流。

上述技术方案中，所述MOSFET管3.5的源极连接二极管D1的负极，MOSFET管3.5的漏极连接二极管D1的正极。二极管D1的作用是续流、保护MOSFET管3.5。防止高压击穿MOSFET管3.5；MOSFET管3.5截止时，减缓电流的变化，避免电流突变。

上述技术方案中，所述MCU3.1用于将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块3.6的供电电压监测值v_OS分别与MCU3.1内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块3.6的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU3.1将把异常信息传送给控制器1，从而使控制器1发送MOSFET断开的MOSFET控制信号v_mosdrv，MOSFET驱动模块3.3接收到MOSFET断开信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管3.5关闭，断开对现场测试总线功能模块3.6的供电，以实现对现场测试总线功能模块的热插拔单元的保护。上述电压阈值和电流阈值根据具体的功能模块设定。比如电阻源模块输入电流不超过10mA、输入电压在17±2V。

上述技术方案中，输入电流监测模块3.4为由运算放大器和电阻组成的放大电路。输出电压监测模块3.2为由电阻组成的分压器。过压或欠压阈值由分压器中电阻比值决定，电阻比值可根据不同功能模块电压需求进行设定。

上述技术方案中，所述MOSFET管3.5为采用P沟道MOSFET管。型号选择需要满足MOSFET中SOA安全区的限制。MOSFET驱动模块3.3采用NPN晶体管和电阻组合。

上述技术方案中，所述控制器1的热插拔单元在位检测接口v_sb2通过现场测试总线2连接非自锁开关K1的另一端，热插拔单元在位检测接口v_sb2还通过上拉电阻R2接入在位检测电源(5V)，非自锁开关K1的另一端还通过现场测试总线2接地GND，控制器模块的接地端也接地GND。控制器1通过v_sb2监测现场测试总线功能模块的热插拔单元3是否插入现场测试总线2中。现场测试总线2的控制器接口2.1和功能模块接口2.2均采用高可靠的尾插。

控制器1的状态反馈信号v_sb2通过现场测试总线2与功能模块热插拔电路3的GND相连，用于控制器1监测是否有功能模块插入插槽中。

所述功能模块热插拔电路3的状态反馈v_sb1用于MCU监测功能模块是否接入测试总线2中。当非自锁开关K1闭合时，即状态反馈v_sb1接地时，告知MCU3.1功能模块接入测试总线2中，开始工作。

一种上述系统的用于现场测试总线功能模块的热插拔方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：将现场测试总线功能模块的热插拔单元3插入机箱插槽中的现场测试总线2中，控制器1的热插拔单元在位检测接口v_sb2被拉低到地，此时控制器1感应到有现场测试总线功能模块的热插拔单元3插入，控制器1接收到现场测试总线功能模块的热插拔单元3插入的信号后，等待与MCU3.1通信，按下非自锁开关K1，MCU3.1的输入电源电压v_sb1将被拉低，MCU3.1接收已成功接入的信号，并将已成功接入的信号传送控制器1，MCU3.1通过状态监测线v_sm与控制器1进行信息交换，实现MCU3.1接入状态信息通信及MCU3.1身份识别；

步骤2：MCU3.1成功识别后，控制器1将发送MOSFET导通的控制信号v_mosdrv；

步骤3：MOSFET驱动电路3.3接收控制器1发送的MOSFET导通的控制信号v_mosdrv，得到驱动MOSFET导通命令，向MOSFET管3.5的源极和栅极输出对应的源极电压v_s和栅极电压v_g；

步骤4：MOSFET管3.5在源极电压v_s和栅极电压v_g的控制下，将被导通，电流I经现场测试总线2输入MOSFET管3.5源极，通过MOSFET开关3.5后，给现场测试总线功能模块3.6供电；

步骤5：现场测试总线功能模块3.6供电后，现场测试总线功能模块的热插拔单元3进入持续工作状态，输入电流监测模块3.4实时监测输入到MOSFET管3.5源极的输入电流，并发出输入电流监测值v_OCP；输出电压监测模块3.2实时监测现场测试总线功能模块3.6的供电电压，并发出现场测试总线功能模块3.6的供电电压监测值v_OS；

所述MCU3.1将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块3.6的供电电压监测值v_OS分别与MCU3.1内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块3.6的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU3.1将把异常信息传送给控制器1，从而使控制器1发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块3.3接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管3.5关闭，断开对现场测试总线功能模块3.6的供电；

步骤6：当需要拔出现场测试总线功能模块的热插拔单元3时，将现场测试总线功能模块的热插拔单元3的非自锁开关K1断开，控制器1接收到MCU3.1中断信号后，发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块3.3接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管3.5关闭，断开对现场测试总线功能模块3.6的供电，现场测试总线功能模块的热插拔单元3断电，可从机箱插槽中的现场测试总线2中拔出。上述设计能减少浪涌电流、瞬间电压等危害，实现保护电路的作用。

上述技术方案的步骤1中，若控制器1可识别MCU3.1，则进行参数初始化、地址配置等操作，若无法识别，将最多进行三次请求，三次尝试失败，将结束本次操作，继续等待，直到下一次低电平的到来。

上述技术方案的步骤1中，所述步骤1中，每个现场测试总线功能模块的热插拔单元3的MCU3.1中，都存有唯一的身份识别符和对应的现场测试总线功能模块身份识别符；

控制器1中预存有该身份识别符对应的定义，根据该定义可对MCU3.1发送的身份识别符进行解析，识别出插入的现场测试总线功能模块3.6的类型，而后进行控制器1软件资源的配置，使控制器1能向现场测试总线功能模块3.6输出驱动信号。

本发明通过采用分立元器件实现对MOSFET的驱动与控制，采用MCU实现对输入电流与输出电压实时监测，使得监测参数设定灵活，适用范围广，而且成本降低。

本说明书未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (10)

1.一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：它包括控制器(1)和现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)，所述现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)包括MCU(3.1)、输出电压监测模块(3.2)、MOSFET驱动模块(3.3)、输入电流监测模块(3.4)和MOSFET管(3.5)，控制器(1)用于通过现场测试总线(2)接通控制器(1)与MCU(3.1)之间的状态监测线v_sm，使控制器(1)与MCU(3.1)之间进行MCU(3.1)接入状态信息通信及MCU(3.1)身份识别；

控制器(1)还用于通过现场测试总线(2)向MOSFET驱动模块(3.3)输送MOSFET接通的控制信号；

MOSFET驱动模块(3.3)的源极电压输出端连接MOSFET管(3.5)的源极，MOSFET驱动模块(3.3)的栅极电压输出端连接MOSFET管(3.5)的栅极，MOSFET管(3.5)的漏极用于向现场测试总线功能模块(3.6)供电，输出电压监测模块(3.2)用于监测现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压，并将该供电电压反馈给MCU(3.1)，输入电流监测模块(3.4)用于检测通过现场测试总线(2)输入到MOSFET管(3.5)源极的输入电流，并将该输入电流反馈给MCU(3.1)。

2.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MCU(3.1)的电源输入端连接上拉电阻R1的一端，上拉电阻R1的另一端连接在位检测电源，非自锁开关K1的一端连接上拉电阻R1的一端。

3.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：输入电流监测模块(3.4)通过采样电阻R_SNS监测MOSFET管(3.5)源极的输入电流。

4.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)的源极连接二极管D1的负极，MOSFET管(3.5)的漏极连接二极管D1的正极。

5.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MCU(3.1)用于将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS分别与MCU(3.1)内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU(3.1)将把异常信息传送给控制器(1)，从而使控制器(1)发送MOSFET断开的MOSFET控制信号v_mosdrv，MOSFET驱动模块(3.3)接收到MOSFET断开信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管(3.5)关闭，断开对现场测试总线功能模块(3.6)的供电。

6.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)为采用P沟道MOSFET管。

7.根据权利要求2所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述控制器(1)的热插拔单元在位检测接口v_sb2通过现场测试总线(2)连接非自锁开关K1的另一端，热插拔单元在位检测接口v_sb2还通过上拉电阻R2接入在位检测电源，非自锁开关K1的另一端还通过现场测试总线(2)接地GND，控制器模块的接地端也接地GND。

8.一种权利要求1所述系统的用于现场测试总线功能模块的热插方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：将现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)插入机箱插槽中的现场测试总线(2)中，控制器(1)的热插拔单元在位检测接口v_sb2被拉低到地，此时控制器(1)感应到有现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)插入，控制器(1)接收到现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)插入的信号后，等待与MCU(3.1)通信，按下非自锁开关K1，MCU(3.1)的输入电源电压v_sb1将被拉低，MCU(3.1)接收已成功接入的信号，并将已成功接入的信号传送控制器(1)，MCU(3.1)通过状态监测线v_sm与控制器1进行信息交换，实现MCU(3.1)接入状态信息通信及MCU(3.1)身份识别；

步骤2：MCU(3.1)成功识别后，控制器(1)将发送MOSFET导通的控制信号v_mosdrv；

步骤3：MOSFET驱动电路(3.3)接收控制器(1)发送的MOSFET导通的控制信号v_mosdrv，得到驱动MOSFET导通命令，向MOSFET管(3.5)的源极和栅极输出对应的源极电压v_s和栅极电压v_g；

步骤4：MOSFET管(3.5)在源极电压v_s和栅极电压v_g的控制下，将被导通，电流I将由现场测试总线(2)输入MOSFET管(3.5)源极，通过MOSFET开关(3.5)后，给现场测试总线功能模块(3.6)供电；

步骤5：现场测试总线功能模块(3.6)供电后，现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)进入持续工作状态，输入电流监测模块(3.4)实时监测输入到MOSFET管(3.5)源极的输入电流，并发出输入电流监测值v_OCP；输出电压监测模块(3.2)实时监测现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压，并发出现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS；

所述MCU(3.1)将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS分别与MCU(3.1)内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU(3.1)将把异常信息传送给控制器(1)，从而使控制器(1)发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块(3.3)接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管(3.5)关闭，断开对现场测试总线功能模块(3.6)的供电；

步骤6：当需要拔出现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)时，将现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)的非自锁开关K1断开，控制器(1)接收到MCU(3.1)中断信号后，发送MOSFET断开控制信号，MOSFET驱动模块(3.3)接收到MOSFET断开控制信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管(3.5)关闭，断开对现场测试总线功能模块(3.6)的供电，现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)断电，可从机箱插槽中的现场测试总线(2)中拔出。

9.根据权利要求8所述的用于现场测试总线功能模块的热插方法，其特征在于：所述步骤1中，若控制器(1)可识别MCU(3.1)，则进行参数初始化、地址配置操作，若无法识别，将最多进行三次请求，三次尝试失败，将结束本次操作，继续等待，直到下一次低电平的到来。

10.根据权利要求8所述的用于现场测试总线功能模块的热插方法，其特征在于：所述步骤1中，每个现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)的MCU(3.1)中，都存有唯一的身份识别符和对应的现场测试总线功能模块身份识别符；

控制器(1)中预存有该身份识别符对应的定义，根据该定义可对MCU(3.1)发送的身份识别符进行解析，识别出插入的现场测试总线功能模块(3.6)的类型，而后进行控制器(1)软件资源的配置，使控制器(1)能向现场测试总线功能模块(3.6)输出驱动信号。

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