CN110767564A - 一种晶圆检测方法 - Google Patents

一种晶圆检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110767564A
CN110767564A CN201911031236.0A CN201911031236A CN110767564A CN 110767564 A CN110767564 A CN 110767564A CN 201911031236 A CN201911031236 A CN 201911031236A CN 110767564 A CN110767564 A CN 110767564A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
image
detection
region
wafer image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911031236.0A
Other languages
English (en)
Inventor
闫一方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Jingjie Photoelectric Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Su Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute Pizhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Su Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute Pizhou Co Ltd filed Critical Su Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute Pizhou Co Ltd
Priority to CN201911031236.0A priority Critical patent/CN110767564A/zh
Publication of CN110767564A publication Critical patent/CN110767564A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶圆检测方法,涉及电气元件检测技术领域。该晶圆检测方法,包括以下步骤:S1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;S2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换;S3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测;S4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比;S5.选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确。通过对晶圆图像进行特征提取、算法检测以及人工纠正,使得晶圆检测方法得到了明显的优化,使得晶圆在检测过程中比较方便,检测效率得到了提高,同时检测的准确率也进一步的得到了提高。

Description

一种晶圆检测方法
技术领域
本发明涉及电气元件检测技术领域,具体为一种晶圆检测方法。
背景技术
晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.9%,晶圆制造厂再把此多晶硅融解,再于融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为“长晶”,硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即可成为最终的晶圆。
晶圆在生产制造之后需要对其表面缺陷进行检测,检测之后方可进行下一步加工工艺,目前,对晶圆表面缺陷检测一般采用图像分析法,但是该方法在实际检测过程中比较繁琐,检测效率较低,同时检测的准确率有待进一步提高。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种晶圆检测方法,解决了目前对晶圆表面缺陷检测一般采用图像分析法,但是该方法在实际检测过程中比较繁琐,检测效率较低,同时检测的准确率有待进一步提高的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种晶圆检测方法,包括以下步骤:
S1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;
S2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换:
1)提取特征区域:利用图像采集装置采集晶圆表面的图像,然后对晶圆图像的几何特征进行提取,分析晶圆图像的几何形状变换性,判断图像是否发生大幅度的旋转,以及晶圆的几何特征是否发生相对位置、形状上的改变,同时在晶圆图像上建立一定的特征区域,在该特征区域中,并让特征区域作为晶圆图像相关性配准的特征量,判断晶圆图像特征区域中的宽度值,同时生成该特征区域中的矩形区域,检测出矩形区域图形的水平线与垂直线,并根据区域中的几何特征进行散图的拼接;
2)特征区域的处理以及变换:
i)在晶圆几何特征提取环节中,对特征区域进行二值化处理,然后对晶圆矩形区域图形进行水平和垂直边缘缺陷的检测;
ii)然后通过霍夫变换,得到晶圆矩形区域图形缺陷检测的水平线具体位置;
iii)在霍夫变换基础上,计算得到晶圆矩形区域图形垂直线的具体位置,然后根据霍夫变换对图像进行边缘的检测,挖掘晶圆图像中的灰度变化明显点;
iv)准确找到晶圆的缺陷边缘,寻找晶圆缺陷边缘上存在的亮点,对缺陷亮点进行运算求导,得到亮点梯度,在亮点梯度的基础上再次进行求导,得到亮点梯度的变化率;
S3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测,具体检测算法如下:
1)采集的晶圆图像被处理之后,将晶圆图像与模板进行对比,将含有缺陷的晶圆模板与标准晶圆模板之间进行直接的对比,根据图像特征与位置关系进行晶圆图像之间的运算;
2)对于晶圆图像进行形态学上的分析,提前预设好预设晶圆图像标准形态,根据大数据匹配算法对晶圆形态进行分析,分析待检测晶圆图像形态与标准形态的差异;
S4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比,分析该算法检测结果的准确率,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试;
S5.根据最终的输出结果,判断出晶圆出现问题的具体区域,然后选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确。
(三)有益效果
本发明提供了一种晶圆检测方法。具备以下有益效果:
1、该晶圆检测方法,通过对晶圆图像进行特征提取、算法检测以及人工纠正,使得晶圆检测方法得到了明显的优化,使得晶圆在检测过程中比较方便,检测效率得到了提高,同时检测的准确率也进一步的得到了提高。
2、该晶圆检测方法,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试,以及选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确,从而大大提高了晶圆检测的精准度,省去了许多不必要的麻烦。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例:
本发明实施例提供一种晶圆检测方法,包括以下步骤:
S1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;
S2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换:
1)提取特征区域:利用图像采集装置采集晶圆表面的图像,然后对晶圆图像的几何特征进行提取,分析晶圆图像的几何形状变换性,判断图像是否发生大幅度的旋转,以及晶圆的几何特征是否发生相对位置、形状上的改变,同时在晶圆图像上建立一定的特征区域,在该特征区域中,并让特征区域作为晶圆图像相关性配准的特征量,判断晶圆图像特征区域中的宽度值,同时生成该特征区域中的矩形区域,检测出矩形区域图形的水平线与垂直线,并根据区域中的几何特征进行散图的拼接;
2)特征区域的处理以及变换:
i)在晶圆几何特征提取环节中,对特征区域进行二值化处理,然后对晶圆矩形区域图形进行水平和垂直边缘缺陷的检测;
ii)然后通过霍夫变换,得到晶圆矩形区域图形缺陷检测的水平线具体位置;
iii)在霍夫变换基础上,计算得到晶圆矩形区域图形垂直线的具体位置,然后根据霍夫变换对图像进行边缘的检测,挖掘晶圆图像中的灰度变化明显点;
iv)准确找到晶圆的缺陷边缘,寻找晶圆缺陷边缘上存在的亮点,对缺陷亮点进行运算求导,得到亮点梯度,在亮点梯度的基础上再次进行求导,得到亮点梯度的变化率;
S3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测,具体检测算法如下:
1)采集的晶圆图像被处理之后,将晶圆图像与模板进行对比,将含有缺陷的晶圆模板与标准晶圆模板之间进行直接的对比,根据图像特征与位置关系进行晶圆图像之间的运算;
2)对于晶圆图像进行形态学上的分析,提前预设好预设晶圆图像标准形态,根据大数据匹配算法对晶圆形态进行分析,分析待检测晶圆图像形态与标准形态的差异;
S4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比,分析该算法检测结果的准确率,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试,每一次测试之后都能够提高算法运算的准确度;
S5.根据最终的输出结果,判断出晶圆出现问题的具体区域,然后选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确,此样本数量应当保证有足够的数量。
通过对晶圆图像进行特征提取、算法检测以及人工纠正,使得晶圆检测方法得到了明显的优化,使得晶圆在检测过程中比较方便,检测效率得到了提高,同时检测的准确率也进一步的得到了提高,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试,以及选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确,从而大大提高了晶圆检测的精准度,省去了许多不必要的麻烦。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (1)

1.一种晶圆检测方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1.对晶圆的表面进行区域划分,将晶圆的表面划分为多个单独的检测区域;
S2.对采集的晶圆图像进行特征提取,其中特征提取包括提取特征区域与特征区域的处理以及变换:
1)提取特征区域:利用图像采集装置采集晶圆表面的图像,然后对晶圆图像的几何特征进行提取,分析晶圆图像的几何形状变换性,判断图像是否发生大幅度的旋转,以及晶圆的几何特征是否发生相对位置、形状上的改变,同时在晶圆图像上建立一定的特征区域,在该特征区域中,并让特征区域作为晶圆图像相关性配准的特征量,判断晶圆图像特征区域中的宽度值,同时生成该特征区域中的矩形区域,检测出矩形区域图形的水平线与垂直线,并根据区域中的几何特征进行散图的拼接;
2)特征区域的处理以及变换:
i)在晶圆几何特征提取环节中,对特征区域进行二值化处理,然后对晶圆矩形区域图形进行水平和垂直边缘缺陷的检测;
ii)然后通过霍夫变换,得到晶圆矩形区域图形缺陷检测的水平线具体位置;
iii)在霍夫变换基础上,计算得到晶圆矩形区域图形垂直线的具体位置,然后根据霍夫变换对图像进行边缘的检测,挖掘晶圆图像中的灰度变化明显点;
iv)准确找到晶圆的缺陷边缘,寻找晶圆缺陷边缘上存在的亮点,对缺陷亮点进行运算求导,得到亮点梯度,在亮点梯度的基础上再次进行求导,得到亮点梯度的变化率;
S3.对采集的晶圆图像进行缺陷识别与检测,具体检测算法如下:
1)采集的晶圆图像被处理之后,将晶圆图像与模板进行对比,将含有缺陷的晶圆模板与标准晶圆模板之间进行直接的对比,根据图像特征与位置关系进行晶圆图像之间的运算;
2)对于晶圆图像进行形态学上的分析,提前预设好预设晶圆图像标准形态,根据大数据匹配算法对晶圆形态进行分析,分析待检测晶圆图像形态与标准形态的差异;
S4.导出晶圆图像进行缺陷识别与检测结果,将此结果与人工检测结果做对比,分析该算法检测结果的准确率,根据检测结果的差异对检测算法进行优化,并对该算法进行反复测试;
S5.根据最终的输出结果,判断出晶圆出现问题的具体区域,然后选取样本数量中的1%进行人工检测,判断问题区域是否正确。
CN201911031236.0A 2019-10-28 2019-10-28 一种晶圆检测方法 Pending CN110767564A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911031236.0A CN110767564A (zh) 2019-10-28 2019-10-28 一种晶圆检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911031236.0A CN110767564A (zh) 2019-10-28 2019-10-28 一种晶圆检测方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110767564A true CN110767564A (zh) 2020-02-07

Family

ID=69333065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911031236.0A Pending CN110767564A (zh) 2019-10-28 2019-10-28 一种晶圆检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110767564A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112070766A (zh) * 2020-11-16 2020-12-11 深圳中科飞测科技有限公司 缺陷检测方法及装置、检测设备及可读存储介质
CN112819799A (zh) * 2021-02-09 2021-05-18 上海众壹云计算科技有限公司 目标缺陷检测方法及装置、系统、电子设备和存储介质
CN115100163A (zh) * 2022-07-05 2022-09-23 江苏泰治科技股份有限公司 一种晶圆缺陷识别方法及装置
CN117911400A (zh) * 2024-03-14 2024-04-19 深圳市壹倍科技有限公司 一种晶圆缺陷的确定方法、装置、计算机设备及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614924B1 (en) * 1999-08-02 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Adaptive mask technique for defect inspection
CN107389689A (zh) * 2017-07-26 2017-11-24 武汉精测电子技术股份有限公司 一种用于缺陷检测的aoi管理系统及管理方法
CN107506605A (zh) * 2017-09-11 2017-12-22 深圳市前海安测信息技术有限公司 基于医疗云平台的影像大数据分析系统及方法
CN108376655A (zh) * 2018-01-30 2018-08-07 北京世纪金光半导体有限公司 一种晶圆制造过程中检测缺陷的定位和跟踪方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614924B1 (en) * 1999-08-02 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Adaptive mask technique for defect inspection
CN107389689A (zh) * 2017-07-26 2017-11-24 武汉精测电子技术股份有限公司 一种用于缺陷检测的aoi管理系统及管理方法
CN107506605A (zh) * 2017-09-11 2017-12-22 深圳市前海安测信息技术有限公司 基于医疗云平台的影像大数据分析系统及方法
CN108376655A (zh) * 2018-01-30 2018-08-07 北京世纪金光半导体有限公司 一种晶圆制造过程中检测缺陷的定位和跟踪方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
方宝英,周建宁,魏爱英: "边缘检测法在晶圆缺陷检测中的应用", 《计算机与数字工程》 *
马磊: "IC晶圆表面缺陷检测技术研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 信息科技辑》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112070766A (zh) * 2020-11-16 2020-12-11 深圳中科飞测科技有限公司 缺陷检测方法及装置、检测设备及可读存储介质
CN112070766B (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 深圳中科飞测科技有限公司 缺陷检测方法及装置、检测设备及可读存储介质
CN112819799A (zh) * 2021-02-09 2021-05-18 上海众壹云计算科技有限公司 目标缺陷检测方法及装置、系统、电子设备和存储介质
CN112819799B (zh) * 2021-02-09 2024-05-28 上海众壹云计算科技有限公司 目标缺陷检测方法及装置、系统、电子设备和存储介质
CN115100163A (zh) * 2022-07-05 2022-09-23 江苏泰治科技股份有限公司 一种晶圆缺陷识别方法及装置
CN117911400A (zh) * 2024-03-14 2024-04-19 深圳市壹倍科技有限公司 一种晶圆缺陷的确定方法、装置、计算机设备及存储介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110767564A (zh) 一种晶圆检测方法
CN100499057C (zh) 晶片检测方法
US20020188917A1 (en) Defect inspection method and defect inspection apparatus
CN109409290B (zh) 一种温度表检定读数自动识别系统及方法
CN102974551A (zh) 一种基于机器视觉的多晶硅太阳能检测分选的方法
CN116843678A (zh) 一种硬碳电极生产质量检测方法
CN109840909B (zh) 一种坩埚气泡计数装置及计数方法
CN111795894B (zh) 非接触式高分子塑料材料单轴拉伸大变形测量方法与系统
CN115861320B (zh) 一种汽车零件加工信息智能检测方法
CN117635565B (zh) 一种基于图像识别的半导体表面缺陷检测系统
CN106353340B (zh) 一种棒状高反射率零件表面缺陷检测方法
CN113643276A (zh) 一种基于统计分析的纺织物纹理缺陷自动检测方法
CN104931907B (zh) 基于机器视觉的数显电测量仪表质量群检系统
CN109309022A (zh) 一种缺陷抽检方法
CN111798449A (zh) 一种基于图像技术的喷丝板残留杂质检测方法
CN104103543B (zh) 晶圆缺陷尺寸校正方法
CN116012292A (zh) 一种基于机器视觉的晶圆外观缺陷检测方法
CN117252864B (zh) 基于标识解析的钢铁生产器件光滑度检测系统
CN109426013B (zh) 一种彩膜基板缺陷的分析方法、检测修复方法及装置
CN117495856A (zh) 基于深度学习的晶圆表面检测方法、装置、设备和介质
CN103606529A (zh) 一种提升缺陷分类准确度的方法及装置
CN116561525A (zh) 基于物联网的精酿啤酒酿造数据智能监测方法
CN106447657A (zh) 一种基于局部均值思想的ic粒子区域缺陷检测方法
CN109060314B (zh) 一种灯板光照均匀性检测方法
CN109214393B (zh) 一种多孔培养板板孔菌群生长情况图像检测方法及系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20211210

Address after: 221300 plant No.16, phase III, amorphous Industrial Park, north side of Huancheng North Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Jiangsu Jingjie Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: No.88 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: SU Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute (Pizhou) Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200207