CN110767522B - 一种聚焦型线性阳极层离子源 - Google Patents
一种聚焦型线性阳极层离子源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110767522B CN110767522B CN201911066338.6A CN201911066338A CN110767522B CN 110767522 B CN110767522 B CN 110767522B CN 201911066338 A CN201911066338 A CN 201911066338A CN 110767522 B CN110767522 B CN 110767522B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cathode
- gas
- ion source
- anode layer
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
Abstract
本发明属于离子源技术领域，具体涉及一种聚焦型线性阳极层离子源，包括一具有长条状安装槽的壳体，所述安装槽的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体，所述磁体与安装槽的槽壁之间设有阳极，所述安装槽的槽口中心处设有内阴极，所述内阴极的两侧对称布置有外阴极，所述外阴极与内阴极的磁极靴之间形成阴极缝隙，且该内阴极的最低面低于外阴极的最低面2‑5mm；通过将内阴极的最低面设置成低于外阴极的最低面，内外阴极高度差所形成的磁场法线，控制喷射角度，形成聚焦效应可以显著的提高单位面积上的等离子体的数量，使得相同的功率下，该线性阳极层离子源能达到更较好的表面处理效果，或表面刻蚀，或薄膜表面辅助沉积的效果。
Description
技术领域
本发明属于离子源技术领域，具体涉及一种聚焦型线性阳极层离子源。
背景技术
阳极层离子源是以辉光放电和带电粒子在电磁场中的运动为理论基础，其工作原理是：在阳极施加高电压，内外阴极接地，阴阳电极间的气体发生辉光放电，产生大量的电子和离子，等离子体通过内阴极和外阴极之间的狭缝出口进入真空腔体，由于在出口处有近似正交的电场和磁场可以对等离子体中的电子运动轨迹进行束缚，形成环形霍尔电流，限制电子的运动范围，可以增加电子与中性气体分子或原子的碰撞几率，提高气体的离化率。阳极表面附近区域的阳离子在阴阳两极之间的电势差和霍尔电流的共同加速下，被从出口引出，形成离子束，因此该离子源被为阳极层离子源。
随着薄膜材料和表面处理技术的发展，人们对离子源的应用需求不断提高，阳极层离子源技术也得到了快速的发展，根据不同的结构特点，阳极层离子源可分为圆柱形阳极层离子源和线性阳极层离子源，虽然两者的几何形式不同，但是都包括外阴极、内阴极、阳极、磁座、永磁铁等结构，并由它们构建离子源的电磁场系统、布气系统、水冷系统等主要部分。阳极层离子源的磁场分布对于离子的引出、离子能量、离子束流密度和气耗等都有很大影响，要想得到理想的用于大面积均匀辅助镀膜，清洗的离子束流，磁力线的分布必须合理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种聚焦型线性阳极层离子源，通过对阳极层离子源的离子发射角度进行控制，实现等离子体的聚焦控制。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种聚焦型线性阳极层离子源，包括一具有长条状安装槽的壳体，所述安装槽的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体，所述磁体与安装槽的槽壁之间设有阳极，所述安装槽的槽口中心处设有内阴极，所述内阴极的两侧对称布置有外阴极，所述外阴极与内阴极的磁极靴之间形成阴极缝隙，且该内阴极的最低面低于外阴极的最低面2-5mm。
优选的，所述的阳极为矩形空心方管，且在该矩形空心方管内通入循环冷却水对该阳极进行冷却。
优选的，用于连通矩形空心方管的供水管上设有水流调节阀用于调节循环冷却水流量，出水管上设置有温度检测探头用于检测阳极表面的温度。
优选的，所述磁体与所述安装槽的槽底、两侧槽壁围合形成两个独立的放电室，所述的放电室内设有阳极支架且在所述放电室的底部设有贯穿壳体的注气孔，所述的阳极支架上设有连续的大直径段进气通道和小直径段进气通道连通至所述的注气孔供气体注入到放电室内，所述注气孔的孔径小于大直径段进气通道的孔径。
优选的，所述注气孔与大直径段进气通道的孔径比为1：(1.5-3)；所述大直径段进气通道与小直径段进气通道的孔径比为(1.5-2.5)：1。
优选的，所述注气孔的进气端处设有分气块，所述的分气块具有一容置空间构成进气仓，所述的分气块上设有进气通道连通注气孔与进气仓，所述的分气块远离壳体的一侧设有供气组件向进气仓中供气。
优选的，所述内阴极临近安装槽槽腔的一侧设有若干凹腔，所述的凹腔内埋设有阴极冷却管，所述的阴极冷却管内通有循环冷却水。
与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：
本发明提供的该聚焦型线性阳极层离子源，通过将内阴极的最低面设置成低于外阴极的最低面，如此，两边阴极缝隙的开口连线相对于阳极平面形成锐角夹角，使得气体分子被离子化后生成的离子和电子，在离子源腔体和外部的真空压力差的推动下向外喷射，再由内外阴极高度差所形成的磁场法线，控制喷射角度，形成聚焦效应。如此，可以显著的提高单位面积上的等离子体的数量，使得相同的功率下，该线性阳极层离子源能达到更较好的表面处理效果，或表面刻蚀，或薄膜表面辅助沉积的效果。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式中予以详细说明。
附图说明
图1为本发明提供的聚焦型线性阳极层离子源的剖视图；
图2为图1中线性阳极层离子源的爆炸图；
图3为本发明提供的聚焦型线性阳极层离子源的示意图；
图4为试验例1指纹清洗前的照片；
图5为图4中指纹清洗10分钟后的照片；
图6为试验例2中基材清洗前的照片；
图7为图6中基材清洗5分钟后的照片；
图8为图6中基材清洗10分钟后的照片；
图中标号说明：1-放电室，10-壳体，11-安装槽，12-阳极支架，121-大直径段进气通道，122-小直径段进气通道，123-阳极绝缘垫，13-注气孔，20-磁体，201-上极靴，202-下极靴，30-阳极，40-内阴极，401-阴极缝隙，41-凹腔，42-阴极冷却管，50-外阴极，60-分气块，601-进气通道，61-进气仓，62-供气组件。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体附图，进一步阐明本发明。
需要说明的是，在本发明中，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文中所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
结合图1、2所示，本发明提供了一种聚焦型线性阳极层离子源，包括一具有长条状安装槽11的壳体10，所述安装槽11的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体20，所述磁体20与安装槽11的槽壁之间设有阳极30，所述安装槽11的槽口中心处设有内阴极40，所述内阴极40的两侧对称布置有外阴极50，所述外阴极50与内阴极40的磁极靴之间形成阴极缝隙401，且该内阴极40的最低面低于外阴极50的最低面2-5mm。
本发明提供的该线性阳极层离子源，通过将内阴极40的最低面设置成低于外阴极50的最低面2-5mm，如此，阴极缝隙401的开口相对于阳极30的发射面形成夹角，使得气体分子被离子化后生成的离子和电子，在离子源腔体和外部的真空压力差的推动下向外喷射，再由内外阴极高度差所形成的磁场法线，控制喷射角度，形成聚焦效应。如此，可以显著的提高单位面积上的等离子体的数量，使得相同的功率下，该线性阳极层离子源能达到更较好的表面处理效果，或表面刻蚀，或薄膜表面辅助沉积的效果。
本发明中，所述磁体20为柱状的永磁铁，其能够形成一个垂直方向上的磁场。所述磁体20的上端设有上极靴201并抵靠在内阴极40上，下端设有下极靴202并抵靠在安装槽11的槽底处。
进一步的，根据本发明，在本发明的一个具体的实施例中，所述的阳极30为矩形空心方管，且在该矩形空心方管内通入循环冷却水对该阳极30进行冷却。需要指出的是，在传统的线性阳极层离子源中，阳极的冷却采用的是在阳极内部埋设6mm-8mm直径的空心管，通过在空心管内通入大流量的循环冷却水实现对阳极的间接冷却，然而这种冷却方式对于大功率、长时间的工作条件时，并不能有效维持整个离子源在正常温度范围内。为此，通过将阳极30设置成矩形空心方管，并在该矩形空心方管中直接通入循环冷却水，从而实现对阳极30的直接冷却，该技术方案的实施显著的提高了对阳极30的冷却效果，且省略了传统的向阳极中埋设空心管所需的焊接工艺，没有了焊接工艺，也就不会有焊缝裂开引起漏水情况，提高了水冷的可靠性；具体的，所述的阳极30可以采用厚壁不锈钢方通进行制作，得到最大的冷却效果，从而承受大功率。
进一步的，根据本发明，本发明中，用于连通矩形空心方管的供水管上设有水流调节阀用于调节循环冷却水流量，出水管上设置有温度检测探头用于检测阳极30表面的温度。通过在该水冷系统中增加温度检测探头和水流调节阀，从而精确的控制阳极30表面的温度，实现在不同功率下，对等离子体离化率的控制，以实现同一个线性阳极层离子源，可同时满足高压清洗和低压辅助沉积的动能要求。具体的，本申请的发明人发现，通过采用本发明提供的该技术方案，在电流为8A，电压为420V特电压的高功率条件下，该线性阳极层离子源能够长时间的稳定工作。
本发明中，所述磁体20与所述安装槽11的槽底、两侧槽壁围合形成两个独立的放电室1，所述的放电室1内设有阳极支架12且在所述放电室1的底部设有贯穿壳体10的注气孔13，所述的阳极支架12上设有连续的大直径段进气通道121和小直径段进气通道122连通至所述的注气孔13供气体注入到放电室1内，所述注气孔13的孔径小于大直径段进气通道121的孔径。具体的，所述的阳极支架12上设有阳极绝缘垫123，所述的阳极30固定在该阳极绝缘垫123上。所述的注气孔13沿壳体10的长度方向设置有多个，如此，实现了多点进气，即便将该离子源做长也能得到最均匀气体离化效果。
在具体的使用过程中，气体经过多级孔径变化的注气方式，可以缓解供气瓶所带来的高压气体产生的串流现象；此外，气体经注气孔13、大直径段进气通道121和小直径段进气通道122进入到放电室1内，由于气体通道的多级直径变化，供气瓶的压力被有效缓冲，进入放电室的气体的流速变缓；改变了放电室和离子源外部的真空压力差，使得低流速的气体实现了在放电室中充分的离化。
进一步的，所述注气孔13与大直径段进气通道121的孔径比为1：(1.5-3)；所述大直径段进气通道121与小直径段进气通道122的孔径比为(1.5-2.5)：1。
本发明中，所述注气孔13的进气端处设有分气块60，所述的分气块60具有一容置空间构成进气仓61，所述的分气块60上设有进气通道601连通注气孔13与进气仓61，所述的分气块60远离壳体10的一侧设有供气组件62向进气仓61中供气。
本发明中，所述内阴极40临近安装槽11槽腔的一侧设有若干凹腔41，所述的凹腔41内埋设有阴极冷却管42，所述的阴极冷却管42内通有循环冷却水。具体的，所述的凹腔41设置有两个。
在本发明的一个具体的实施例中，结合图3所示，位于阳极30两侧的外阴极50在壳体10的两端固连为一体，形成中心为一条形通孔的结构，所述的内阴极40设置在该条形通孔处并与所述的外阴极形成环状的阴极缝隙401。
本发明提供的该聚焦型线性阳极层离子源，其安装方式灵活，可以吊装，也可以采用法兰进行安装。所述的内阴极40经由磁体20固定在壳体10上，所述的外阴极50固定在安装槽11的槽壁上，也即，内阴极40和外阴极50可以独立进行拆卸，在不拆卸整体的情况下进行保养、维护。
实施例1
结合图1、2所示，本发明提供了一种线性阳极层离子源，包括一具有长条状安装槽11的壳体10，所述安装槽11的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体20，所述磁体20与安装槽11的槽壁之间设有阳极30，所述安装槽11的槽口中心处设有内阴极40，所述内阴极40的两侧对称布置有外阴极50，所述外阴极50与内阴极40的磁极靴之间形成阴极缝隙401，且该内阴极40的最低面低于外阴极50的最低面3mm；
所述的阳极30为矩形空心方管，且在该矩形空心方管内通入循环冷却水对该阳极30进行冷却；
所述磁体20与所述安装槽11的槽底、两侧槽壁围合形成两个独立的放电室1，所述的放电室1内设有阳极支架12且在所述放电室1的底部设有贯穿壳体10的注气孔13，所述的阳极支架12上设有连续的大直径段进气通道121和小直径段进气通道122连通至所述的注气孔13供气体注入到放电室1内；
所述注气孔13的孔径为1.2mm；所述大直径段进气通道121的孔径为2.4mm；所述小直径段进气通道122的孔径为1.0mm；
所述注气孔13的进气端处设有分气块60，所述的分气块60具有一容置空间构成进气仓61，所述的分气块60上设有进气通道601连通注气孔13与进气仓61，所述的分气块60远离壳体10的一侧设有供气组件62向进气仓61中供气；
所述内阴极40临近安装槽11槽腔的一侧设有两个凹腔41，所述的凹腔41内埋设有阴极冷却管42，所述的阴极冷却管42内通有循环冷却水。
试验例1
如图4、5所示为上述实施例1提供的线性阳极层离子源清洗指纹前后的照片，测试用基材为SUS316，在该基材上摁上五个指纹印，控制该离子源的源电流为5A，炉内温度为150℃，工作气体采用Ar，Ar分压为8.0×10-1MPa，清洗时间为10分钟。
试验例2
如图6-8所示为上述实施例1提供的线性阳极层离子源清洗SUS316基材的照片，清洗条件为：离子源的源电流为5A，炉内温度为150℃，工作气体采用Ar，Ar分压为8.5×10- 1MPa；通过照片可以明显的看出，清洗5分钟，以及10分钟后，SUS316基材的表面明显变干净了。对该基材SUS316的表面进行成分分析，具体如下表：
| 000 | G5min-1 | G5min-2 | G10min-1 | G10min-2 | |
| O K | 2.21％ | 11.31％ | 5.965％ | 8.165％ | 5.29％ |
| Cr K | 20.55％ | 18.305％ | 18.495％ | 17.61％ | 16.08％ |
| Fe K | 69.42％ | 64.575％ | 69.875％ | 68.745％ | 74.32％ |
| Ni K | 7.82％ | 5.81％ | 5.665％ | 5.48％ | 4.31％ |
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的特点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，包括一具有长条状安装槽(11)的壳体(10)，所述安装槽(11)的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体(20)，所述磁体(20)与安装槽(11)的槽壁之间设有阳极(30)，所述安装槽(11)的槽口中心处设有内阴极(40)，所述内阴极(40)的两侧对称布置有外阴极(50)，所述外阴极(50)与内阴极(40)的磁极靴之间形成阴极缝隙(401)，且该内阴极(40)的最低面低于外阴极(50)的最低面2-5mm。
2.根据权利要求1所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，所述的阳极(30)为矩形空心方管，且在该矩形空心方管内通入循环冷却水对该阳极(30)进行冷却。
3.根据权利要求2所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，用于连通矩形空心方管的供水管上设有水流调节阀用于调节循环冷却水流量，出水管上设置有温度检测探头用于检测阳极(30)表面的温度。
4.根据权利要求1所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，所述磁体(20)与所述安装槽(11)的槽底、两侧槽壁围合形成两个独立的放电室(1)，所述的放电室(1)内设有阳极支架(12)且在所述放电室(1)的底部设有贯穿壳体(10)的注气孔(13)，所述的阳极支架(12)上设有连续的大直径段进气通道(121)和小直径段进气通道(122)连通至所述的注气孔(13)供气体注入到放电室(1)内，所述注气孔(13)的孔径小于大直径段进气通道(121)的孔径。
5.根据权利要求4所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，所述注气孔(13)与大直径段进气通道(121)的孔径比为1：(1.5-3)；所述大直径段进气通道(121)与小直径段进气通道(122)的孔径比为(1.5-2.5)：1。
6.根据权利要求4所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，所述注气孔(13)的进气端处设有分气块(60)，所述的分气块(60)具有一容置空间构成进气仓(61)，所述的分气块(60)上设有进气通道(601)连通注气孔(13)与进气仓(61)，所述的分气块(60)远离壳体(10)的一侧设有供气组件(62)向进气仓(61)中供气。
7.根据权利要求1所述的聚焦型线性阳极层离子源，其特征在于，所述内阴极(40)临近安装槽(11)槽腔的一侧设有若干凹腔(41)，所述的凹腔(41)内埋设有阴极冷却管(42)，所述的阴极冷却管(42)内通有循环冷却水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911066338.6A CN110767522B (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 一种聚焦型线性阳极层离子源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911066338.6A CN110767522B (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 一种聚焦型线性阳极层离子源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110767522A CN110767522A (zh) | 2020-02-07 |
| CN110767522B true CN110767522B (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=69335573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911066338.6A Active CN110767522B (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 一种聚焦型线性阳极层离子源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110767522B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201910395U (zh) * | 2010-12-09 | 2011-07-27 | 北大方正集团有限公司 | 阳离子源装置 |
| CN102254775A (zh) * | 2011-03-29 | 2011-11-23 | 核工业西南物理研究院 | 增强磁场型线性离子源 |
| KR20140049302A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 한국기계연구원 | 선형 이온빔 발생장치 |
| CN103887133A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-06-25 | 南京迪奥赛真空科技有限公司 | 一种磁场增强型线性大面积离子源 |
| CN106653557A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-10 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种聚焦式阳极层离子源装置 |
| CN109559962A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 深圳市鼎力真空科技有限公司 | 一种窄束型线性离子源 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7872422B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-01-18 | Guardian Industries Corp. | Ion source with recess in electrode |
| US8575565B2 (en) * | 2011-10-10 | 2013-11-05 | Guardian Industries Corp. | Ion source apparatus and methods of using the same |
-
2019
- 2019-11-04 CN CN201911066338.6A patent/CN110767522B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201910395U (zh) * | 2010-12-09 | 2011-07-27 | 北大方正集团有限公司 | 阳离子源装置 |
| CN102254775A (zh) * | 2011-03-29 | 2011-11-23 | 核工业西南物理研究院 | 增强磁场型线性离子源 |
| KR20140049302A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 한국기계연구원 | 선형 이온빔 발생장치 |
| CN103887133A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-06-25 | 南京迪奥赛真空科技有限公司 | 一种磁场增强型线性大面积离子源 |
| CN106653557A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-10 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种聚焦式阳极层离子源装置 |
| CN109559962A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 深圳市鼎力真空科技有限公司 | 一种窄束型线性离子源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110767522A (zh) | 2020-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE46599E1 (en) | Sputtering apparatus | |
| US7872422B2 (en) | Ion source with recess in electrode | |
| US6236163B1 (en) | Multiple-beam ion-beam assembly | |
| US6432261B2 (en) | Plasma etching system | |
| CN1341159A (zh) | 采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备 | |
| CN103426706A (zh) | 一种微波离子源 | |
| TW201444421A (zh) | 電漿增強化學氣相沉積源 | |
| CN110767522B (zh) | 一种聚焦型线性阳极层离子源 | |
| US8304744B2 (en) | Closed drift ion source | |
| CN109192641B (zh) | 一种潘宁冷阴极离子源 | |
| JP2008053116A (ja) | イオンガン、及び成膜装置 | |
| US7708866B2 (en) | Sputtering apparatus | |
| CN108307577B (zh) | 一种高压多级加速电极的冷却结构及电位分配方法 | |
| JP2006236772A (ja) | 中性粒子ビーム源および中性粒子ビーム処理装置 | |
| US20200072200A1 (en) | High-efficiency ion discharge method and apparatus | |
| US20190259559A1 (en) | Plasma bridge neutralizer for ion beam etching | |
| CN210467758U (zh) | 一种高效水冷的线性阳极层离子源 | |
| JP2008128887A (ja) | プラズマ源，それを用いた高周波イオン源，負イオン源，イオンビーム処理装置，核融合用中性粒子ビーム入射装置 | |
| US20130088150A1 (en) | Ion source apparatus and methods of using the same | |
| US20090159441A1 (en) | Plasma Film Deposition System | |
| JP2009170355A (ja) | イオンガン及び成膜装置 | |
| JP2012164677A (ja) | イオンガン、及び成膜装置 | |
| WO2001093293A1 (en) | Plasma ion source and method | |
| CN210467749U (zh) | 具有多孔径进气通道的线性阳极层离子源 | |
| KR101495424B1 (ko) | 이온 빔 소스 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220301 Address after: 214000 first floor, No. B plant, Wuxi HUanpu Wanlian International Industrial Park, No. 88 Ximei Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant after: WUXI CHENGCHENG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 233099 No. 10, unit 2, building 2, Zhihuai first village, Longzihu District, Bengbu City, Anhui Province Applicant before: Chen Wei |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Focused Linear Anode Layer Ion Source Effective date of registration: 20230912 Granted publication date: 20220318 Pledgee: Bank of China Limited Wuxi Branch Pledgor: WUXI CHENGCHENG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980056133 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |