CN110707021B - 半导体设备以及半导体制程方法 - Google Patents

半导体设备以及半导体制程方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110707021B
CN110707021B CN201910619988.2A CN201910619988A CN110707021B CN 110707021 B CN110707021 B CN 110707021B CN 201910619988 A CN201910619988 A CN 201910619988A CN 110707021 B CN110707021 B CN 110707021B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
precursor
substrate
precursor gas
controller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910619988.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110707021A (zh
Inventor
张永昌
蔡孟吟
刘东雄
叶良佑
李隽毅
黄国希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN110707021A publication Critical patent/CN110707021A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110707021B publication Critical patent/CN110707021B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、以及控制器。基座具有基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一制程区域，气体注入器包括第一气体混合枢纽部以及第一分配阀，第一分配阀将第一气体混合枢纽部连接到第一制程区域。控制器连接到气体注入器以及基座，控制器是配置以：将第一前驱物材料以及载气连接到第一气体混合枢纽部；在第一气体混合枢纽部中混合第一前驱物材料以及载气，以制造第一前驱气体；旋转基座以旋转设置在基板袋体中的其中一者的第一基板；以及当旋转基座时，控制第一分配阀以在第一基板进入各个第一制程区域中时，依序将第一前驱气体引入各个第一制程区域中。

Description

半导体设备以及半导体制程方法
技术领域
本公开提供一种半导体设备以及半导体制程方法。
背景技术
半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常是通过在半导体基板上沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用微影法来图案化上述各种材料层，以在其上形成电路部件和元件来制造半导体装置。
半导体业界通过不断降低最小特征尺寸以持续改善各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，以允许将更多元件整合到给定的区域中。但是，随着最小特征尺寸降低，出现了其他应该要解决的问题。
发明内容
在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、以及控制器。基座具有基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一制程区域，气体注入器包括第一气体混合枢纽部以及第一分配阀，第一分配阀将第一气体混合枢纽部连接到第一制程区域。控制器连接到气体注入器以及基座，控制器是配置以：将第一前驱物材料以及载气连接到第一气体混合枢纽部；在第一气体混合枢纽部中混合第一前驱物材料以及载气，以制造第一前驱气体；旋转基座以旋转设置在基板袋体中的其中一者的第一基板；以及当旋转基座时，控制第一分配阀以在第一基板进入各个第一制程区域中时，依序将第一前驱气体引入各个第一制程区域中。
在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、第一前驱物材料供应部、第二前驱物材料供应部、以及控制器。基座包括基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一前驱气体端口以及第二前驱气体端口。第一前驱物材料供应部连接到第一前驱气体端口。第二前驱物材料供应部连接到第二前驱气体端口。控制器连接到气体注入器以及基座，其中控制器是配置以：开始旋转基座，以旋转设置在基板袋体其中一者中的第一基板；从第一前驱物材料供应部引入第一前驱气体到第一前驱气体端口，当基座旋转时，第一基板暴露于第一前驱气体；以及在引入第一前驱气体之后，从第二前驱物材料供应部引入第二前驱气体到第二前驱气体端口，当第一基板在各个第二前驱气体端口下方旋转时，第二前驱气体被依序引入到第二前驱气体端口的各个第二前驱气体端口。
在一些实施例中提供一种半导体制程方法，包括：开始旋转基座，基座设置在气体注入器下方，基座包括基板袋体，第一基板设置在基板袋体的一者之中；引入第一前驱气体到气体注入器的第一制程区域，当基座旋转时，第一基板暴露于第一前驱气体；在引入第一前驱气体之后，引入第二前驱气体到气体注入器的第二制程区域，当第一基板进入各个第二制程区域时，第二前驱气体被依序引入到各个第二制程区域；以及在引入第二前驱气体后，继续旋转基座以将第一基板暴露于第一制程区域以及第二制程区域，在第一制程区域以及第二制程区域中进行用以在第一基板上形成第一材料层的沉积制程的半反应，其中基座是旋转直到第一材料层包括预定厚度。
附图说明
以下将配合附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。
图1示出根据一些实施例的沉积系统的细节。
图2示出根据一些实施例的气体注入器的细节。
图3示出根据一些实施例的前驱物传送系统的细节。
图4示出根据一些实施例的控制单元的细节。
图5示出根据一些实施例的气体注入器的不同区域。
图6是根据一些实施例的沉积方法的流程图。
图7A至图7C是根据一些实施例的制造半导体装置的制程的中间步骤的剖面图。
图8A和图8B示出根据一些其他实施例的前驱物传送系统的细节。
图9示出根据一些其他实施例的前驱物传送系统的细节。
其中，附图标记说明如下：
50 基板
52 轻掺杂源极/漏极区
54 外延源极/漏极区
56 栅极介电层
58 栅极电极
60 栅极间隔物
62 层间介电层(第一层间介电层)
64 层间介电层(第二层间介电层)
66 开口
68 间隔层
70 接点间隔物
72 接点
100 沉积系统
102 沉积腔室
104 基座
106 气体注入器
106S 前表面
108 控制器
110 壳体
112 袋体
114 轴
116 驱动机构
118 间隙
120 前驱物供应部
120A 第一前驱物供应部
120B 第二前驱物供应部
122 载气供应部
124 吹扫气体供应部
126 真空泵
128 路径
202 前驱气体端口
202A 第一前驱气体端口
202B 第二前驱气体端口
204 吹扫气体端口
206 真空端口
208 制程区域
208A、208A-1、208A-2、208A-3、208A-4 第一制程区域(制程区域)
208B、208B-1、208B-2、208B-3、208B-4 第二制程区域(制程区域)
210 帘幕区域
300 前驱物传送系统
302 气体混合枢纽部
304 流量控制器
306 分配阀
308 稀释气体混合器
310 稀释气体源
312 压力监测器
402 处理单元
404 显示器
406 输入/输出元件
408 中央处理器
410 存储器
412 大容量存储装置
414 影音转接器
416 输入/输出接口
418 总线
420 网络接口
422 区域网络或广域网络
600 沉积方法
602、604、606、608、610、612、614、616 步骤
702 前驱气体端口
704 稀释气体端口
706 输出端口
708 控制端口
具体实施方式
以下公开内容提供了用于实现本公开的不同特征的许多不同实施例或示例。以下描述组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例，而不是限制性的。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征以直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中可以在其之间形成附加特征的实施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接触。另外，本公开可以在各种示例中重复参考数字及/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且本身并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
根据一些实施例，沉积系统的气体注入器包括在气体混合枢纽部之后的额外前驱物分配阀。分配阀由控制器控制，并允许准确地定时分布前驱物。在开始和结束的序列期间，当一或多个基板在气体注入器下方旋转时，分配阀会依序打开或关闭。通过依序地控制分配阀，在开始和结束的序列期间会将整个基板暴露于前驱物。与在开始和停止的序列期间时仅有基板的部分可以暴露于前驱物的沉积系统相比，可以改善沉积层的均匀性。
图1示出根据一些实施例的沉积系统100的细节。沉积系统100可用于执行空间原子层沉积(spatial atomic layer deposition，spatial ALD)。在空间原子层沉积中，是在沉积腔室的不同空间区域(或位置)中进行原子层沉积制程的半反应。当基座在沉积腔室中旋转时，基座的不同区域暴露于原子层沉积制程的不同前驱物。空间原子层沉积可以比时间分隔的(time-separated)原子层沉积沉积出更均匀的膜，并且可以比时间分隔的原子层更快地沉积。沉积系统100包括沉积腔室102，沉积腔室102具有设置在沉积腔室102中的基座104和气体注入器106。可操作控制器108(随后参考图4进一步描述)以控制沉积系统100的各种元件。沉积系统100接收前驱物材料以形成一是列单层材料(monolayers ofmaterials)。单层材料可以形成以覆盖基板50上所形成的一或多个特征，而基板50是由基座104所支撑。使用气体注入器106以将不同的前驱物材料供应到基座104上方的沉积腔室102的不同区域，并且旋转基座104以使基板50依序暴露于各个区域。也可以在基座104的其他区域中进行排气步骤和吹扫步骤，例如在分配前驱物材料的区域之间进行。
沉积腔室102接收期望的前驱物材料并将前驱物材料暴露于基板50。沉积腔室102可为任何期望的形状，以适合于分散前驱物材料并使前驱物材料与基板50接触。在一些实施例中，沉积腔室102具有圆柱形的侧壁和底部。然而，沉积腔室102并不限于圆柱形，亦可使用任何其他合适的形状，例如中空立方体、八边形棱柱等。此外，可由壳体110围绕沉积腔室102，壳体110由对各种制程材料呈惰性的材料所制成。壳体110可以由能够承受沉积制程中的化学品和压力的任何合适的材料形成。在一些实施例中，壳体110是由钢、镍、铝、其组合等所形成。
基座104设置在沉积腔室102中，并且具有多个袋体(pockets)112。基板50可以放置在袋体112中，以便在沉积制程中定位、控制、以及旋转基板50。基座104可具有任何数量的袋体112。在一些实施例中，基座104具有六个袋体112。基座104可以在沉积制程期间加热基板50。由基座104产生的热量可以由控制器108控制。基座104由轴114支撑，轴114可用于升高、降低和旋转基座104。驱动机构116可以耦接到轴114。驱动机构116可包括例如一或多个马达，并且可由控制器108所控制，以在沉积制程期间旋转基座104。基座104通过间隙118与气体注入器106分离。在操作期间，驱动机构116可以进一步由控制器108控制以升高和降低基座104，从而增加或减少间隙118的尺寸。
气体注入器106可为任何类型的可接受的气体分配组件。气体注入器106具有面朝基座104的前表面106S。气体注入器106可包括喷头、气体通道等，以将前驱物和吹扫气体输送到基座104的不同区域。在所示的实施例中，气体注入器106是单个静止的注入器单元。在一些实施例中，气体注入器106包括围绕基座104的多个区域设置(例如围绕基座104的边缘)的多个注入器单元部分。
气体注入器106从前驱物供应部120(例如第一前驱物供应部120A和第二前驱物供应部120B)接收前驱物材料。气体注入器106还从载气供应部122接收载气，并从吹扫气体供应部124接收吹扫气体(purge gas)。在操作期间，气体注入器106接收原子层沉积制程的前驱物材料和载气，并将它们混合以产生前驱气体。举例来说，可以通过将第一前驱物供应部120A的材料与来自载气供应部122的载气混合来制造第一前驱气体，并且可以将第二前驱物供应部120B的材料与来自载气供应部122的载气混合来制造第二前驱气体。
前驱物供应部120、载气供应部122和吹扫气体供应部124可为容器(例如储气罐)，并且位于沉积腔室102或远离沉积腔室102。或者上述供应部亦可为独立地制备前驱物材料并将前驱物材料输送到气体注入器106的设备。可以使用任何合适的前驱物材料和载体/吹扫气体源作为供应源。尽管示出了两个前驱物供应部120和一个载气供应部122，但应理解的是，沉积系统100可包括任何数量的供应部。其他实施例可包括不同数量的供应部。
此外，气体注入器106连接到真空泵126。真空泵126有助于从沉积腔室102排出废气，例如从基座104的区域排出废气。真空泵126可以由控制器108控制，以将沉积腔室102的多个区域内的压力减少并控制到期望的压力，并且还可以用于从沉积腔室102排出前驱物材料和吹扫气体。
沉积系统100可用于沉积任何材料。举例来说，沉积系统100可用于形成介电层。在一些实施例中，沉积系统100用于形成SiN或Al2O3层。然而，应理解的是，沉积系统100可以用于形成其他介电层。此外，在一些实施例中，可以形成其他膜层，例如阻障层(barrierlayer)、导电层、栅极介电层等。在沉积系统100用于形成Al2O3层的实施例中，第一前驱物材料可为三甲基铝(trimethylaluminum，TMA)，并且第二前驱物材料可为水(H2O)。同样地，在沉积系统100用于形成SiN层的实施例中，第一前驱物材料可为NH3，第二前驱物材料可为SiH2Cl2。介电层在半导体制程中具有许多应用，并且举例来说可以用于形成栅极间隔物、蚀刻停止层或其他间隔物层。这种介电层可为薄膜，特别是当半导体装置尺寸缩小时。在一些实施例中，薄膜介电层的厚度可以在约
Figure GDA0002385134760000081
至约
Figure GDA0002385134760000082
的范围内。随着装置尺寸(以及介电层厚度)缩小，如晶体管的半导体装置中的漏电可能会恶化。举例来说，对于较薄的栅极间隔物来说，在晶体管的栅极和源极/漏极之间的漏电可能会增加，并且栅极间隔物厚度的变化可能更明显。改善栅极隔离物厚度的均匀性可有助于减少较小晶体管中的漏电并可提高制造良率。同样地，改善蚀刻停止层的均匀性可以允许改善后续蚀刻制程的均匀性。
图2示出根据一些实施例的气体注入器106的细节。示出了气体注入器106的前表面106S。气体注入器106包括前驱气体端口202，例如第一前驱气体端口202A和第二前驱气体端口202B。气体注入器106还包括吹扫气体端口204和真空端口206。在操作期间，前驱气体端口202、吹扫气体端口204和真空端口206朝向基座104。
前驱气体端口202接收前驱气体并将沉积腔室的不同区域暴露于前驱气体。在所示的实施例中，第一前驱气体端口202A从第一前驱物供应部120A接收前驱气体，第二前驱气体端口202B从第二前驱物供应部120B接收第二前驱气体。
吹扫气体端口204连接到吹扫气体供应部124，并且将沉积腔室102的不同区域暴露于吹扫气体。真空端口206连接到真空泵126。当操作真空泵126时，前驱物和吹扫气体通过真空端口206从沉积腔室102排出。每个真空端口206设置成围绕对应的一个前驱气体端口202。吹扫气体端口204设置在各对真空端口206之间。
气体注入器106具有制程区域208和帘幕区域210。在所示的实施例中，制程区域208包括第一制程区域208A和第二制程区域208B。交替的制程区域208由帘幕区域210所分开。举例来说，帘幕区域210中的每一者是设置在其中一个第一制程区域208A与其中一个第二制程区域208B之间。在制程区域208中，基板50暴露于原子层沉积制程的前驱物。在所示的实施例中，基板50在第一制程区域208A中暴露于第一前驱气体，并且基板50在第二制程区域208B中暴露于第二前驱气体。在帘幕区域210中，从基板50的表面去除前驱气体。本说明书中所述的「帘幕区域」包括气流(例如吹扫气流)及/或真空的任何组合，其分隔不同类型的制程区域208的前驱气体并且防止或至少实质上减少前驱气体混合的可能性。制程区域208包括对应的前驱气体端口202。在所示的实施例中，第一制程区域208A包括第一前驱气体端口202A，第二制程区域208B包括第二前驱气体端口202B。此外，帘幕区域210包括吹扫气体端口204中的一者，并且包括设置在相邻的制造区域208的前驱气体端口202周围的真空端口206。
在原子层沉积制程期间，基板50沿着图2中所示的路径128在气体注入器106下方旋转。作为范例，示出了其中一基板50的相对位置。当基板50旋转时，基板50的顶表面暴露于制程区域208和帘幕区域210。基板50以交替的方式暴露于第一制程区域208A中的一者(在此执行原子层沉积制程的第一半反应)、暴露于帘幕区域210中的一者(在此去除第一半反应的前驱气体)、暴露于第二制程区域208B中的一者(在此执行原子层沉积制程的第二半反应)、以及暴露于另一个帘幕区域210(在此去除第二半反应的前驱气体)。通过将基板50暴露于第一制程区域208A和第二制程区域208B，而在基板50上执行原子层沉积制程的完全反应。在原子层沉积制程的每次完全反应之后，在基板50的特征上沉积一层单层(monolayer)。在所示的实施例中，气体注入器106包括四个第一制程区域208A、四个第二制程区域208B和八个帘幕区域210，其允许每旋转基座104一次即沉积四层单层。应理解的是，气体注入器106可包括任何数量的制程区域208和帘幕区域210。
图3示出根据一些实施例的前驱物传送系统300的细节。前驱物传送系统300是气体注入器106的一部分。前驱物传送系统300从前驱物供应部120中的一者接收前驱物材料，并从载气供应部122接收载气。通过混合前驱物材料和载气以产生前驱气体，并且将前驱气体供应到前驱气体端口202。前驱物供应部120可为第一前驱物供应部120A或第二前驱物供应部120B，且前驱气体端口202分别可为第一前驱气体端口202A或第二前驱气体端口202B。气体注入器106包括在原子层沉积制程所使用的每个前驱物(在一些实施例中可为两个前驱物)的前驱物传送系统300。前驱物传送系统300包括气体混合枢纽部(gas mixing hub)302、流量控制器304和分配阀306。
气体混合枢纽部302接收前驱物材料和载气。前驱物材料可为气态、固态或液态，并且可以与载气混合以产生前驱气体。当前驱物材料为固态或液态时，载气可以在前驱物蒸发或升华为前驱气体时推动并携带前驱物。
流量控制器304用于控制前往气体混合枢纽部302的前驱物材料和载气的流动。流量控制器304可为例如比例阀(proportional valves)、调节阀(modulating valves)、针阀(needle valves)、压力调节器、质量流量控制器、或其组合等。
分配阀306用于控制前往前驱气体端口202的前驱气体的流动。值得注意的是，分配阀306中的其中一者连接在气体混合枢纽部302和前驱气体端口202的其中一者之间。分配阀306是响应于接收到的控制信号而可快速致动的阀，例如气动阀(pneumatic valves)。在一些实施例中，分配阀306的致动时间小于1秒，这可以允许精确控制前驱气体分布的时间。分配阀306是气体注入器106的一部分，能够承受高温并且可在高压真空下操作。在一些实施例中，分配阀306能够承受100℃至约1000℃的温度，并且能够在最多100托(Torr)的真空压力下操作。分配阀306紧接在气体混合枢纽部302之后，使得当分配阀306打开相同的量时，通过每个分配阀306的混合气体的体积流量可以实质相等。每个分配阀306具有相应的制程区域208，并且分配阀306是由控制器108个别控制，以在气体注入器106的不同区域分配前驱气体。具体来说，控制器108可以在开始及结束沉积制程或序列期间对分配阀306的开/关进行计时，以助于改善沉积膜的均匀性。
可以由任何控制器控制前驱物传送系统300的元件。在所示的实施例中是以控制器108来控制上述元件。应理解的是，可由不同的控制器来控制上述元件。举例来说，可由第一控制器(如控制器108)来控制流量控制器304，并且可由与第一控制器不同的第二控制器来控制分配阀306。可以使用控制器的任何组合，并且控制器可(或可不)在操作期间彼此通信。举例来说，控制器可为电子阀(electronic valve，EV)控制器。在一些实施例中，由第一控制器来控制流量控制器304，第一控制器位于气体注入器106的外部，并且由第二控制器来控制分配阀306，第二控制器与分配阀306一起位在气体注入器106中。
图4示出根据一些实施例的控制器108的细节。控制器108可为可在工业设定中用于控制制程机器的任何形式的电脑处理器。在一实施例中，控制器108包括处理单元402，例如台式电脑、工作站、笔记本电脑或为特定应用而客制化的专用单元。控制器108可以配备有显示器404和一或多个输入/输出元件406，例如指令输出(instruction outputs)、感测器输入(sensor inputs)、鼠标、键盘、印表机、或其组合等。处理单元402可包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)408、存储器410、大容量存储装置412、影音转接器414、以及连接到总线418的输入/输出接口416。
总线418可为任何类型的总线架构的一或多者，包括存储器总线(memory bus)或存储器控制器(memory controller)、外围总线(peripheral bus)或影音总线(videobus)。中央处理器408可以包括任何类型的电子数据处理器，并且存储器410可以包括任何类型的系统存储器，例如静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)或只读存储器(read-onlymemory，ROM)。大容量存储装置412可包括任何类型的存储装置，配置以存储数据、程序和其他信息，并允许通过总线418来读取上述数据、程序和其他信息。大容量存储装置412可包括例如硬盘、磁盘或光盘中的一或多者。存储存储器410及/或大容量存储装置412可为存储有程序的非暂时性电脑可读媒体(non-transitory computer readable medium)。上述程序可以包括当由中央处理器408执行时会使控制器108执行本文所描述的控制功能的指令。
影音转接器414和输入/输出接口416提供将外部输入和输出装置耦接到处理单元402的接口。如图4所示，输入和输出装置的范例包括耦接到影音转接器414的显示器404和耦接到输入/输出接口416的输入/输出元件406，例如鼠标、键盘、印表机等。其他装置可以耦接到处理单元402，并且可使用更多或更少的接口卡。举例来说，串行的接口卡(serialinterface card，未示出)可用于为印表机提供串行的接口。处理单元402还可以包括网络接口420，其可为连接到区域网络(local area network，LAN)或广域网络(wide areanetwork，WAN)422的有线连接及/或无线连接。
应注意的是，控制器108可包括其他元件。举例来说，控制器108可以包括电源供应部、线缆、主机板、移动式存储媒体、壳体等。尽管未在图4中示出，但这些其他元件被认为是控制器108的一部分。
图5示出根据一些实施例的图2的气体注入器106的不同区域。在图5中示出了所有制程区域208。第一制程区域208A包括第一制程区域208A-1、208A-2、208A-3和208A-4。第二制程区域208B包括第二制程区域208B-1、208B-2、208B-3和208B-4。参考图6以描述图5。
图6是根据一些实施例的沉积方法600的流程图。当在基板50上形成一是列单层材料时，沉积方法600是由沉积系统100来执行，例如通过控制器108来执行。
在沉积制程开始时，在沉积腔室102中执行预清洁步骤(步骤602)。在一些实施例中，预清洁步骤包括用惰性气体填充沉积腔室102。上述惰性气体可为Ar、He等。可使用真空以从沉积腔室102中去除惰性气体和任何杂质。此外，可以通过打开第一和第二前驱气体的前驱物输送系统300的流量控制器304来开始混合第一和第二前驱气体。
基板50放置在沉积腔室中(步骤604)，例如放置在基座104的袋体112中。然后基座104在气体注入器106下方旋转。可以开始旋转，并且可以在继续下一步之前先旋转预定的时间量，以确保基座104的旋转速度已经稳定。
使用第一前驱物进行预浸泡制程(步骤606)。通过打开与第一前驱物相关的所有制程区域208(如第一制程区域208A)来执行预浸泡制程。控制器108通过打开与制程区域208相关的对应分配阀306来打开给定的制程区域208，从而使得前驱气流能够流到此制程区域208。同样地，控制器108通过关闭与制程区域208相关的对应分配阀306来关闭给定的制程区域208，从而禁止前驱气流流到此制程区域208。因此前驱气体不会流到制程区域208。基板50可以旋转预定的时间量，使其浸泡在第一前驱气体中。举例来说，在形成Al2O3的实施例中，打开第一制程区域208A以将基板50浸泡在TMA气体中。
依序引入第二前驱物(步骤608)。通过打开与第二前驱物相关的所有制程区域208(如第二制程区域208B)来引入第二前驱物。当基座104旋转时，一个接着一个地打开第二制程区域208B。当第一个基板50进入对应的一个第二制程区域208B时，各自打开该第二制程区域208B。第一基板可以称为「前导基板」(leading substrate)，因为它是第一个将被暴露于第二前驱物的基板50，并且其他的基板50将在前导基板后暴露于第二前驱物。
举例来说，当前导基板的前缘进入第二制程区域208B-1的覆盖范围时，打开第二制程区域208B-1。因此，前导基板暴露于第二前驱物。第二制程区域208B-1在引导基板离开时保持开启，使得在前导基板之后的其他基板50暴露于第二前驱物。然后，当前导基板进入第二制程区域208B-2时，打开第二制程区域208B-2，并且当引导基板离开它时保持开启。然后，当前导基板进入第二制程区域208B-3时，打开第二制程区域208B-3，并且当前导基板离开时保持开启。然后，当前导基板进入第二制程区域208B-4时，打开第二制程区域208B-4，并且当引导基板离开时保持开启。在打开每个第二制程区域208B之后，它们继续保持开启。
可由任何方式来决定前导基板何时进入每个第二制程区域208B中。举例来说，基座104的起始位置和旋转速度可为已知的数值。因此，可以基于基板50的已知速度和起始位置以实时计算基板50相对于制程区域208的位置。可以根据基座104的位置和旋转速度来控制依序打开分配阀306的时间。换句话说，可以根据基座104的位置和旋转速度来决定每个分配阀306的致动之间的时间跨度(time span)。
在基板50上形成所需材料的多个单层(步骤610)。每当基板50进入一个第一制程区域208A和一个第二制程区域208B其中一者时，形成一层单层。基座104可以根据需要而旋转好几圈，以产生所需厚度的材料层。在一些实施例中，控制器108基于材料层的期望厚度来决定所需的旋转圈数，然后基座104旋转此旋转圈数。举例来说，控制器108可以根据
Figure GDA0002385134760000131
来计算旋转圈数，其中r是旋转圈数，td是材料层的期望厚度，tm是单层材料层的厚度，qr是气体注入器106的制程区域208A或制程区域208B的数量。
依序去除第一前驱物(步骤612)。通过关闭与第一前驱物相关的所有制程区域208(例如第一制程区域208A)来去除第一前驱物。当基座104旋转时，一个接着一个地关闭第一制程区域208A。当前导基板的前缘进入第一制程区域208A中对应的一者的时候，此第一制程区域208A被关闭。举例来说，当前导基板进入第一制程区域208A-1时，第一制程区域208A-1被关闭。因此，前导基板不再暴露于第一前驱物。第一制程区域208A-1在前导基板离开时保持关闭，使得在前导基板之后的其他基板50也不暴露于第一前驱物。然后当前导基板进入第一制程区域208A-2时，关闭第一制程区域208A-2，并且当前导基板离开时保持关闭。然后当前导基板进入第一制程区域208A-3时，关闭第一制程区域208A-3，并且当前导基板离开时保持关闭。然后，当前导基板进入第一制程区域208A-4时，关闭第一制程区域208A-4，并且当前导基板离开时保持关闭。在关闭所有第一制程区域208A之后，它们保持关闭。可由与决定何时前导基板进入第二制程区域208B类似的方式来决定前导基板何时进入第一制程区域208A中的每一者。可以根据基座104的位置和旋转速度来决定依序关闭分配阀306的时间。
使用第二前驱物进行后浸泡制程(步骤614)。一旦与第一前驱物相关的制程区域208(如第一制程区域208A)全部关闭，便执行后浸泡制程。而与第二前驱物相关的制程区域208(例如第二制程区域208B)保持开启。因此，基板50可以浸泡在第二前驱气体中。举例来说，在形成Al2O3的实施例中，第二制程区域208B保持开启以将基板50浸泡在H2O气体中。
执行沉积腔室102的吹扫(purge)(步骤616)。可以通过用惰性气体再次填充沉积腔室102来执行吹扫。惰性气体可为Ar、He等。可由真空来吹扫惰性气体和任何剩余的前驱气体。然后可以从沉积腔室102去除基板50。
在将基板50预浸泡在第一前驱物中之后将第二前驱物依序引入基板50可以改善所形成的材料层的均匀性。一些原子层沉积制程具有高的沉积速率。通过依序打开第二制程区域208B，可以避免基板50部分地暴露于前驱气体。举例来说，如果第二制程区域208B全部同时打开，则基板50中的至少一者可能不会完全位于第二制程区域208B之一的下方，例如当基座104中袋体112的数量不等于制程区域208的数量的倍数时。继续说明上述范例，当存在六个袋体112和八个制程区域208时，基板50中的至少一者将总是部分地设置在制程区域208中的一者之外。仅有此基板的一部分会暴露于第二前驱气体，而造成在此基板上形成不均匀的材料层。在所需材料层是薄介电层(如
Figure GDA0002385134760000141
厚的Al2O3层)的例子中，厚度均匀性提高了多达370％。
图7A至图7C是根据一些实施例的用于在基板50上制造半导体装置的制程的中间步骤的剖面图。半导体装置可为例如鳍式场效应晶体管(FinFET)，并且基板50可以包括从块体基板(bulk substrate)延伸的半导体条(semiconductor strips)。在基板50中形成轻度掺杂源极/漏极区52和外延源极/漏极区54。包括栅极介电层56和栅极电极58的栅极堆叠形成在基板50的通道区域上方以及形成在外延源极/漏极区54之间。栅极间隔物60沿栅极堆叠的侧面延伸。第一层间介电层(inter-layer dielectric，ILD)62形成在外延源极/漏极区54上方并且沿着栅极间隔物60的侧面。在第一层间介电层62上形成第二层间介电层64。
在图7A中，开口66形成在层间介电层62和64中。可以通过例如可接受的微影和蚀刻制程形成开口66。间隔层68可以形成在开口66中。可以使用沉积系统100并通过空间原子层沉积来形成间隔层68。在一些实施例中，间隔层68包含Al2O3，并且在空间原子层沉积期间第一前驱物是TMA，而第二前驱物是H2O。当形成间隔层68时，基座104可以以约5RPM至约20RPM的旋转速度进行旋转。沉积腔室102可具有约250℃至约400℃的温度，以及为约10托至约30托的压力范围。这种制程参数可以允许在开口66中形成薄的间隔层68。举例来说，间隔层68的厚度可以在约
Figure GDA0002385134760000151
至约
Figure GDA0002385134760000152
的范围内。
在图7B中，执行蚀刻制程以去除间隔层68的水平部分，从而在开口66中留下间隔层68的剩余垂直部分。上述蚀刻可为各向异性(anisotropic)蚀刻制程，例如湿蚀刻或干蚀刻。间隔层68的剩余垂直部分是额外的接点间隔物70，其有助于防止栅极电极58短路。在一些实施例中，接点间隔物70具有位于第二层间介电层64的顶表面下方的顶表面。由于初始的间隔层68具有改善的均匀性，接点间隔物70在其厚度和高度方面也具有改善的均匀性，因此可以改善用于外延源极/漏极区54和栅极电极58的接点之间的物理隔离。所以可以避免在外延源极/漏极区54和栅极电极58之间发生短路。
在图7C中，接点72形成在开口66中。在开口66中形成衬层(liner)，例如扩散阻障层、粘着层等，并形成导电材料。衬层可包括钛、氮化钛、钽、氮化钽等。导电材料可为铜、铜合金、银、金、钨、铝、镍等。可以执行如化学机械平坦化的平坦化制程以从第二层间介电层64的表面去除多余的材料。剩余的衬层和导电材料在开口中形成接点72。可以执行退火(anneal)制程以在外延源极/漏极区54求和点72之间的界面处形成硅化物。接点72物理性和电性耦接到外延源极/漏极区54。
图8A示出根据一些其他实施例的前驱物传送系统300的细节。在此实施例中，前驱物传送系统300还包括连接在分配阀306和前驱气体端口202之间的稀释气体混合器308。稀释气体混合器308连接到稀释气体源310，并且在前驱气体在前驱气体端口202进行分散之前进一步稀释前驱气体。在一些实施例中，使用载气以进行稀释，并且稀释气体源310与载气供应部122相同。在一些实施例中，稀释气体源310提供水(H2O)和氮气(N2)的混合物。举例来说，稀释气体源310可提供包含以约10mg的水与约100sccm的流速的氮气混合的混合物。稀释气体源310可包括用于气体源的流量控制器，例如用于水的液体流量计(liquid flowmeter，LFM)和用于氮气的质量流量控制器(mass flow controller，MFC)。稀释气体混合器308可为喷头或其他气体混合装置。图8B中示出稀释气体混合器308的一个范例。稀释气体混合器308包括前驱气体端口702、稀释气体端口704和输出端口706。前驱气体端口702连接到对应的分配阀306并接收前驱气体。稀释气体端口704连接到稀释气体源310并接收稀释气体，因此前驱气体将会被稀释。输出端口706连接到气体注入器106的前驱气体端口202，并且供应稀释的前驱气体。可选地，在一些实施例中，稀释气体混合器308还包括控制端口708。控制端口708允许在输出端口706处调节流速，并且可以由如控制器108的控制器来控制。
图9示出根据一些其他实施例的前驱物传送系统300的细节。在此实施例中，前驱物传送系统300还包括压力监测器312。压力监测器312可为例如气压计。压力监测器312连接在流量控制器304和前驱物供应部120之间，以及连接在流量控制器304和载气供应部122之间。当打开和关闭分配阀306时，气体混合枢纽部302和相关的气体管线中可能会发生气体压力的突然变化。控制器(如控制器108)利用压力监测器312来监测气体压力。在正常的操作期间预期会有一些压力变化。然而，压力的异常变化可能表示依序打开/关闭分配阀306的时间有错误及/或分配阀306发生故障。在一些实施例中，当压力监测器312检测到压力增加大于预定阈值时，控制器可以执行定时校准制程。可以在校准制程期间调整用于依序打开/关闭分配阀306的时间。在一些实施例中，当压力监测器312检测到压力增加大于预定阈值时，可以完全停止制程。预定阈值可为远高于常压变化的压力等级。在一些实施例中，预定阈值可以在约10托至约50托的范围内。此外，压力监测器312能够承受大的压力峰值，例如对于TMA和H2O前驱物材料高达1000托。
应理解的是，图9的实施例的特征可以与图8A和8B的实施例的特征组合。举例来说，稀释气体混合器308和稀释气体源310也可以与压力监测器312一起实施。
实施例可以实现各种优点。通过使用分配阀306，可以控制气体注入器106以释放前驱气体，尤其是在开始和结束沉积的序列期间。当前导基板在气体注入器106下方旋转时，分配阀306允许依序将前驱物引入基座。因此，基板50中的每一者在开始和结束序列期间完全暴露于前驱物，避免了在开始和结束序列期间当基板50中的一或多者部分地设置在制程区域208外部时可能出现的问题。因此可以改善沉积材料层的均匀性。
在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、以及控制器。基座具有基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一制程区域，气体注入器包括第一气体混合枢纽部以及第一分配阀，第一分配阀将第一气体混合枢纽部连接到第一制程区域。控制器连接到气体注入器以及基座，控制器是配置以：将第一前驱物材料以及载气连接到第一气体混合枢纽部；在第一气体混合枢纽部中混合第一前驱物材料以及载气，以制造第一前驱气体；旋转基座以旋转设置在基板袋体中的其中一者的第一基板；以及当旋转基座时，控制第一分配阀以在第一基板进入各个第一制程区域中时，依序将第一前驱气体引入各个第一制程区域中。
在此设备的一些实施例中，控制器与气体注入器分开设置。在此设备的一些实施例中，控制器与第一分配阀一起位在气体注入器中。在此设备的一些实施例中，控制器是配置以通过响应于确定当第一基板已进入各个第一制程区域的一者时，致动第一分配阀中的对应的第一阀，以依序引入第一前驱气体至各个第一制程区域。在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：根据基座的旋转速度以及初始位置来决定何时第一基板会进入各个第一制程区域中。在此设备的一些实施例中，气体注入器具有第二制程区域，且气体注入器还包括第二气体混合枢纽部以及第二分配阀，第二分配阀将第二气体混合枢纽部连接到第二制程区域。在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：将第二前驱物材料以及载气连接到第二气体混合枢纽部；在第二气体混合枢纽部中混合第二前驱物材料以及载气，以制造第二前驱气体；以及在依序引入第一前驱气体之前，在气体注入器的第二制程区域引入第二前驱气体。在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：在引入第一前驱气体以及第二前驱气体之后，继续旋转基座以将第一基板暴露于第一制程区域以及第二制程区域，而在第一制程区域以及第二制程区域执行用以在第一基板上形成第一材料层的沉积制程的半反应。在此设备的一些实施例中，在引入第一前驱气体以及第二前驱气体之后，将基座转动第一转动圈数，且第一转动圈数是基于第一材料层的目标厚度来决定。在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：在引入第一前驱气体以及第二前驱气体之后，在第一基板进入各个第二制程区域时，对第二分配阀进行控制，以从各个第二制程区域排除第二前驱气体。在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：将载气连接到第一分配阀，从而在将第一前驱气体引入到第一制程区域时进一步稀释第一前驱气体。在此设备的一些实施例中，还包括：第一压力监测器，连接到第一气体混合枢纽部，其中控制器是配置以响应于第一压力监测器所监测的在第一气体混合枢纽部中的第一压力来停止第一基板的制程，且第一压力大于预定阈值。
在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、第一前驱物材料供应部、第二前驱物材料供应部、以及控制器。基座包括基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一前驱气体端口以及第二前驱气体端口。第一前驱物材料供应部连接到第一前驱气体端口。第二前驱物材料供应部连接到第二前驱气体端口。控制器连接到气体注入器以及基座，其中控制器是配置以：开始旋转基座，以旋转设置在基板袋体其中一者中的第一基板；从第一前驱物材料供应部引入第一前驱气体到第一前驱气体端口，当基座旋转时，第一基板暴露于第一前驱气体；以及在引入第一前驱气体之后，从第二前驱物材料供应部引入第二前驱气体到第二前驱气体端口，当第一基板在各个第二前驱气体端口下方旋转时，第二前驱气体被依序引入到第二前驱气体端口的各个第二前驱气体端口。
在此设备的一些实施例中，控制器是进一步配置以：继续旋转基座，以将第一基板暴露于第一前驱气体以及第二前驱气体，而在第一基板暴露于第一前驱气体以及第二前驱气体时进行沉积制程的半反应，以在第一基板上形成第一材料层，基座的旋转持续到第一材料层包括预定厚度。
在一些实施例中提供一种半导体制程方法，包括：开始旋转基座，基座设置在气体注入器下方，基座包括基板袋体，第一基板设置在基板袋体的一者之中；引入第一前驱气体到气体注入器的第一制程区域，当基座旋转时，第一基板暴露于第一前驱气体；在引入第一前驱气体之后，引入第二前驱气体到气体注入器的第二制程区域，当第一基板进入各个第二制程区域时，第二前驱气体被依序引入到各个第二制程区域；以及在引入第二前驱气体后，继续旋转基座以将第一基板暴露于第一制程区域以及第二制程区域，在第一制程区域以及第二制程区域中进行用以在第一基板上形成第一材料层的沉积制程的半反应，其中基座是旋转直到第一材料层包括预定厚度。
在一些实施例中，此方法还包括：从气体注入器的第一制程区域去除第一前驱气体，当第一基板进入各个第一制程区域时，第一前驱气体依序从各个第一制程区域被去除。在此方法的一些实施例中，气体注入器包括第一分配阀，且将第一前驱气体引入到第一制程区域的操作包括：制动各个第一分配阀，以在第一制程区域中分配第一前驱气体。在此方法的一些实施例中，气体注入器包括第二分配阀，且该第二制程气体引入到第二制程区域的操作包括：根据基座的位置以及旋转速度决定时间跨度；以及制动各个第二分配阀，以在第二制程区域中分配第二前驱气体，其中制动各个第二分配阀包括在制动各个第二分配阀之间等待时间跨度。在一些实施例中，此方法还包括：混合第二前驱物材料以及载气，以产生第二前驱气体；以及响应于在混合第二前驱物材料以及载气期间所检测到的气压增加量来调整引入第二前驱气体的时间。在一些实施例中，此方法还包括：在将第二前驱气体引入气体注入器的第二制程区域时，以载气稀释第二前驱气体。
上述内容概述许多实施例的特征，因此任何所属技术领域中技术人员，可更加理解本发明的各面向。任何所属技术领域中技术人员，可能无困难地以本发明为基础，设计或修改其他制程及结构，以达到与本发明实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何所属技术领域中技术人员也应了解，在不脱离本发明的精神和范围内做不同改变、代替及修改，如这些效的创造并没有超出本发明的精神及范围。

Claims (17)

1.一种半导体设备，包括
一基座，包括多个基板袋体；
一气体注入器，设置在该基座上方，该气体注入器具有多个第一制程区域、多个第二制程区域，该气体注入器包括一第一气体混合枢纽部、多个第一分配阀、一第二气体混合枢纽部以及多个第二分配阀，所述第一分配阀将该第一气体混合枢纽部连接到所述第一制程区域，所述第二分配阀将该第二气体混合枢纽部连接到所述第二制程区域；以及
一控制器，连接到该气体注入器以及该基座，该控制器是配置以：
将一第一前驱物材料以及一载气连接到该第一气体混合枢纽部；
在该第一气体混合枢纽部中混合该第一前驱物材料以及该载气，以制造一第一前驱气体；
将一第二前驱物材料以及该载气连接到该第二气体混合枢纽部；
在该第二气体混合枢纽部中混合该第二前驱物材料以及该载气，以制造一第二前驱气体；
旋转该基座以旋转设置在所述基板袋体中的其中一者的一第一基板；
打开所有所述第二制程区域，以在该气体注入器的所述第二制程区域引入该第二前驱气体；
当旋转该基座时，控制所述第一分配阀以在该第一基板进入各个所述第一制程区域中时，依序将该第一前驱气体引入各个所述第一制程区域中，所述多个第一制程区域包括一第一个第一制程区域以及一第二个第一制程区域；
当该基座旋转进入该第一个第一制程区域中时，打开该第一个第一制程区域，此时该第二个第一制程区域保持关闭；
当该基座旋转进入该第二个第一制程区域中时，打开该第二个第一制程区域，此时该第一个第一制程区域保持开启。
2.如权利要求1所述的半导体设备，其中，该控制器与该气体注入器分开设置。
3.如权利要求1所述的半导体设备，其中，该控制器与所述第一分配阀一起位在该气体注入器中。
4.如权利要求1所述的半导体设备，其中，该控制器是配置以通过响应于确定当该第一基板已进入各个所述第一制程区域时，致动所述第一分配阀中的对应的一第一阀，以依序引入该第一前驱气体至各个所述第一制程区域。
5.如权利要求4所述的半导体设备，其中，该控制器进一步配置以：
根据该基座的一旋转速度以及一初始位置来决定何时该第一基板会进入各个所述第一制程区域中。
6.如权利要求1所述的半导体设备，其中，该控制器是进一步配置以：
在引入该第一前驱气体以及该第二前驱气体之后，继续旋转该基座以将该第一基板暴露于所述第一制程区域以及所述第二制程区域，而在所述第一制程区域以及所述第二制程区域执行用以在该第一基板上形成一第一材料层的一沉积制程的半反应。
7.如权利要求6所述的半导体设备，其中，在引入该第一前驱气体以及该第二前驱气体之后，将该基座转动一第一转动圈数，且该第一转动圈数是基于该第一材料层的一目标厚度来决定。
8.如权利要求6所述的半导体设备，其中，该控制器是进一步配置以：
在引入该第一前驱气体以及该第二前驱气体之后，在该第一基板进入各个所述第二制程区域时，对所述第二分配阀进行控制，以从各个所述第二制程区域排除该第二前驱气体。
9.如权利要求1所述的半导体设备，其中，该控制器是进一步配置以：
将该载气连接到所述第一分配阀，从而在将该第一前驱气体引入到所述第一制程区域时进一步稀释该第一前驱气体。
10.如权利要求1所述的半导体设备，还包括：
一第一压力监测器，连接到该第一气体混合枢纽部，其中该控制器是配置以响应于该第一压力监测器所监测的在该第一气体混合枢纽部中的一第一压力来停止该第一基板的制程，且该第一压力大于一预定阈值。
11.一种半导体设备，包括：
一基座，包括多个基板袋体；
一气体注入器，设置在该基座上方，该气体注入器具有多个第一前驱气体端口以及多个第二前驱气体端口；
一第一前驱物材料供应部，连接到所述第一前驱气体端口；
一第二前驱物材料供应部，连接到所述第二前驱气体端口；
一控制器，连接到该气体注入器以及该基座，其中，该控制器是配置以：
开始旋转该基座，以旋转设置在所述基板袋体其中一者中的一第一基板；
从该第一前驱物材料供应部引入一第一前驱气体到所述第一前驱气体端口，当该基座旋转时，该第一基板暴露于该第一前驱气体；以及
在引入该第一前驱气体之后，从该第二前驱物材料供应部引入一第二前驱气体到所述第二前驱气体端口，当该第一基板在各个所述第二前驱气体端口下方旋转时，该第二前驱气体被依序引入到各个所述第二前驱气体端口；
所述多个第一前驱气体端口包括一第一个第一前驱气体端口以及一第二个第一前驱气体端口；
所述多个第二前驱气体端口包括一第一个第二前驱气体端口以及一第二个第二前驱气体端口；
当该基座旋转到该第一个第二前驱气体端口下方时，打开该第一个第二前驱气体端口，此时该第二个第二前驱气体端口保持关闭；
当该基座旋转到该第二个第二前驱气体端口下方时，打开该第二个第二前驱气体端口，此时该第一个第二前驱气体端口保持开启。
12.如权利要求11所述的半导体设备，其中，该控制器是进一步配置以：
继续旋转该基座，以将该第一基板暴露于该第一前驱气体以及该第二前驱气体，而在该第一基板暴露于该第一前驱气体以及该第二前驱气体时进行一沉积制程的半反应，以在该第一基板上形成一第一材料层，该基座的旋转持续到该第一材料层包括一预定厚度。
13.一种半导体制程方法，包括：
开始旋转一基座，该基座设置在一气体注入器下方，该基座包括多个基板袋体，一第一基板设置在所述基板袋体的一者之中；
引入一第一前驱气体到该气体注入器的多个第一制程区域，所述多个第一制程区域包括一第一个第一制程区域以及一第二个第一制程区域，且各个所述第一制程区域是同时打开，当该基座旋转时，该第一基板暴露于该第一前驱气体；
在引入该第一前驱气体之后，引入一第二前驱气体到该气体注入器的多个第二制程区域，所述多个第二制程区域包括一第一个第二制程区域以及一第二个第二制程区域，当该第一基板进入各个所述第二制程区域时，该第二前驱气体被依序引入到各个所述第二制程区域；
当该基座旋转进入该第一个第二制程区域时，打开该第一个第二制程区域，此时该第二个第二制程区域保持关闭；
当该基座旋转进入该第二个第二制程区域中时，打开该第二个第二制程区域，该第一个第二制程区域保持开启；
在引入该第二前驱气体后，继续旋转该基座以将该第一基板暴露于所述第一制程区域以及所述第二制程区域，而在所述第一制程区域以及所述第二制程区域中进行用以在该第一基板上形成一第一材料层的一沉积制程的半反应，其中该基座是旋转直到该第一材料层包括一预定厚度；以及
在形成该第一材料层之后，当该第一基板进入该第一个第一制程区域时，关闭该第一个第一制程区域，此时该第二个第一制程区域保持开启；
当该基座旋转进入该第二个第一制程区域中时，关闭该第二个第一制程区域，该第一个第一制程区域保持关闭。
14.如权利要求13所述的半导体制程方法，其中，该气体注入器包括多个第一分配阀，且将该第一前驱气体引入到所述第一制程区域的操作包括：
制动各个所述第一分配阀，以在所述第一制程区域中分配该第一前驱气体。
15.如权利要求14所述的半导体制程方法，其中，该气体注入器包括多个第二分配阀，且将第二制程气体引入到所述第二制程区域的操作包括：
根据该基座的位置以及旋转速度决定一时间跨度；以及
制动各个所述第二分配阀，以在所述第二制程区域中分配该第二前驱气体，其中制动各个所述第二分配阀的操作包括在制动各个所述第二分配阀之间等待该时间跨度。
16.如权利要求13所述的半导体制程方法，还包括：
混合一第二前驱物材料以及一载气，以产生该第二前驱气体；以及
响应于在混合该第二前驱物材料以及该载气期间所检测到的一气压增加量来调整引入该第二前驱气体的时间。
17.如权利要求16所述的半导体制程方法，还包括：
在将该第二前驱气体引入该气体注入器的所述第二制程区域时，以该载气稀释该第二前驱气体。
CN201910619988.2A 2018-07-10 2019-07-10 半导体设备以及半导体制程方法 Active CN110707021B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862696193P 2018-07-10 2018-07-10
US62/696,193 2018-07-10
US16/416,947 US20200017969A1 (en) 2018-07-10 2019-05-20 Semiconductor Device, Method, and Tool of Manufacture
US16/416,947 2019-05-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110707021A CN110707021A (zh) 2020-01-17
CN110707021B true CN110707021B (zh) 2022-10-28

Family

ID=69140168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910619988.2A Active CN110707021B (zh) 2018-07-10 2019-07-10 半导体设备以及半导体制程方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20200017969A1 (zh)
CN (1) CN110707021B (zh)
TW (1) TWI742397B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200017969A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Device, Method, and Tool of Manufacture

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102108496A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 东京毅力科创株式会社 成膜装置及成膜方法
WO2014168096A1 (ja) * 2013-04-07 2014-10-16 Murakawa Shigemi 回転型セミバッチａｌｄ装置およびプロセス

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
US6932871B2 (en) * 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US20040058293A1 (en) * 2002-08-06 2004-03-25 Tue Nguyen Assembly line processing system
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US20120222620A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
KR102099601B1 (ko) * 2013-09-24 2020-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버로의 가스 공급을 제어하기 위한 방법, 프로세스 챔버로의 가스 공급을 제어하기 위한 제어기, 및 장치
US9269567B2 (en) * 2013-12-17 2016-02-23 Intermolecular, Inc. High productivity combinatorial processing using pressure-controlled one-way valves
KR20150078306A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
TW201634738A (zh) * 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
TWI723997B (zh) * 2015-06-19 2021-04-11 美商應用材料股份有限公司 用於批次處理之注射器及使用方法
US9831099B2 (en) * 2016-02-12 2017-11-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system
KR20180053491A (ko) * 2016-11-11 2018-05-23 삼성전자주식회사 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20200017969A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Device, Method, and Tool of Manufacture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102108496A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 东京毅力科创株式会社 成膜装置及成膜方法
WO2014168096A1 (ja) * 2013-04-07 2014-10-16 Murakawa Shigemi 回転型セミバッチａｌｄ装置およびプロセス

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
现代MOCVD技术的发展与展望;文尚胜等;《华南师范大学学报(自然科学版)》;19990830(第03期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20200017969A1 (en) 2020-01-16
TW202029432A (zh) 2020-08-01
CN110707021A (zh) 2020-01-17
US20220364236A1 (en) 2022-11-17
TWI742397B (zh) 2021-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685021B (zh) 半導體裝置及其製造方法
US11508849B2 (en) Semiconductor device and methods of manufacture
US9293334B2 (en) N metal for FinFET and methods of forming
US20230260829A1 (en) Patterning methods for semiconductor devices
US20220277956A1 (en) Treatment to Control Deposition Rate
TWI779216B (zh) 半導體裝置的形成方法
KR101989657B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220364236A1 (en) Semiconductor Device, Method, and Tool of Manufacture
KR102301872B1 (ko) 반도체 소자, 제조 방법, 및 제조 도구
US20220384179A1 (en) Deposition Process for Forming Semiconductor Device and System
US11532475B2 (en) Deposition process for forming semiconductor device and system
TWI766438B (zh) 半導體元件的製造方法
US10804370B2 (en) Semiconductor device, method, and tool of manufacture
US11955370B2 (en) Semiconductor devices and methods of manufacture
US20240079265A1 (en) Deposition Method for Semiconductor Device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant