CN110703453A - Doe监控集成封装方法及模块 - Google Patents

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    • G02B27/4272—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having plural diffractive elements positioned sequentially along the optical path

Abstract

本发明公开了一种DOE监控集成封装方法及模块，该方法包括：在第一、二DOE基底的第一面上分别镀上第一、二金属电极和第一、二ITO层，将第一、二ITO层刻蚀成预定的第一、二ITO图案，第一、二ITO图案中设有第一、二空白位置；在第一、二空白位置处对第一、二DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第一、二微结构；将第一、二DOE基底第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将第一、二DOE基底进行粘合；在第一、二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割位置处的截面上镀上连接金属以将第一、二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。本发明提出的DOE监控集成封装方法及模块，使得工艺制程大大地简化，制造成本更低。

Description

DOE监控集成封装方法及模块
技术领域
本发明涉及衍射光学器件，尤其涉及衍射光学元件DOE监控集成封装方法及模块。
背景技术
摄像头和投影器已经非常广泛的应用于各种电子产品中。例如，在常见的各类智能手机、平板以及个人电脑等产品中，摄像头几乎已经是不可或缺的器件。而近年来，将微型投影器同样集成在这些电子产品中，已经成为趋势。
这些投影器带来的功能可以大大地丰富用户的体验，提升产品竞争力。例如，投影器可以用在3D结构光模组中，投影出特定图案，再配合接收器(例如摄像头)和特定的算法，可以实现对三维场景的精准建模，因此可以用来做手势识别、体势识别、三维场景建模以及人脸识别。尤其是3D人脸识别，相对于2D的人脸识别，由于增加了一维的信息，在体验和安全性等方面是后者无法比拟的。同样，相对于传统的生物识别，例如指纹识别，3D人脸识别的可靠性和安全性也要明显更优。
衍射光学元件(DOE)由于其特殊的光学性能，已经开始广泛地应用于各种微型投影器中，DOE可以使得投影器在投射出相同效果图案的同时，能降低投影器的尺寸，减少生产成本，这就使得将投影器集成在广泛使用的便携式移动终端，例如智能手机等产品中，成为实际可行。
一般来讲，DOE是一种相对复杂的微纳无源光学器件，正常情况下它可以实现对单光束的分裂，即一束光通过DOE后会被分裂成若干束光，DOE大体可以被分为两类，一类是振幅型，一类是相位型，由于振幅型DOE会对光能造成损失，且当DOE的微结构尺寸要求非常精细时不易制造，因此当前广泛使用的是相位型DOE。其中相位型DOE按微结构的排布又可以分成周期型和随机型，其中周期性的DOE的微结构有重复性的排布；而随机型的DOE微结构的排布没有一定规律。
无论何种DOE，当其微结构遭到破坏，或者DOE表面附近的物理或者化学环境改变时，光束经过DOE时的衍射被破坏，造成光束无法按照预设的方式分离成若干束，而使得某一出射光束的能量变强，一般是零级衍射光变强，所以在针对人等生物的应用中可能造成伤害，例如过强的光能量会导致视网膜烧伤。因此，对于DOE状态的监控在很多产品中是必不可少的，传统的监控方式是通过简单地监测DOE反射光强来间接推断DOE的状态，例如衍射被破坏时，反射光强会发生一定的变化，这种方式的监控精度较低；还有就是通过电容式的封装来直接监测DOE状态，该DOE监控的工艺制程较复杂，制造成本高。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提出一种DOE(衍射光学元件)监控集成封装方法及模块，使得工艺制程大大地简化，制造成本更低。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明公开了一种DOE监控集成封装方法，包括以下步骤：
A1：在第一DOE基底的第一面上分别镀上第一金属电极和第一ITO(氧化铟锡)层，将所述第一ITO层刻蚀成预定的第一ITO图案，其中所述第一金属电极镀在所述第一ITO图案的两端头位置处，且所述第一ITO图案中设有第一空白位置，在所述第一空白位置处露出所述第一DOE基底；
A2：在所述第一空白位置处对所述第一DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第一微结构；
A3：在第二DOE基底的第一面上分别镀上第二金属电极和第二ITO层，将所述第二ITO层刻蚀成预定的第二ITO图案，其中所述第二金属电极镀在所述第二ITO图案的两端头位置处，且所述第二ITO图案中设有第二空白位置，在所述第二空白位置处露出所述第二DOE基底；
A4：在所述第二空白位置处对所述第二DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第二微结构；
A5：将所述第一DOE基底的第一面与所述第二DOE基底的第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将所述第一DOE基底与所述第二DOE基底进行粘合；
A6：在所述第一金属电极和所述第二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属以将所述第一金属电极和所述第二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
优选地，步骤A1中在所述第一DOE基底的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上所述第一金属电极和所述第一ITO层，步骤A3中在所述第二DOE基底的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上所述第二金属电极和所述第二ITO层。
优选地，步骤A1中的所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻，步骤A3中的所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻；优选地，所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。
优选地，步骤A6中预设的连接关系是指将所述第一ITO图案相对应的所述第一电阻与所述第二ITO图案相对应的所述第二电阻进行串联或者并联。
优选地，步骤A5中的所述间隔件采用UV树脂类材料，厚度为80～150μm。
本发明还公开了一种DOE监控集成封装方法，包括以下步骤：
B1：在第一DOE基底的第一面上分别镀上第一金属电极和第一ITO层，将所述第一ITO层刻蚀成预定的第一ITO图案，其中所述第一金属电极镀在所述第一ITO图案的两端头位置处；
B2：然后在所述第一DOE基底的第一面上再形成一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面形成用于衍射光的第一微结构；
B3：在第二DOE基底的第一面上分别镀上第二金属电极和第二ITO层，将所述第二ITO层刻蚀成预定的第二ITO图案，其中所述第二金属电极镀在所述第二ITO图案的两端头位置处；
B4：然后在所述第二DOE基底的第一面上再形成一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面形成用于衍射光的第二微结构；
B5：将所述第一刻蚀层的表面与所述第二刻蚀层的表面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将所述第一刻蚀层与所述第二刻蚀层进行粘合；
B6：在所述第一金属电极和所述第二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属以将所述第一金属电极和所述第二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
优选地，步骤B1中的所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻，步骤B3中的所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻；优选地，所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。
优选地，步骤B2具体为：在所述第一DOE基底的第一面上再沉积一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面刻蚀出用于衍射光的第一微结构；
步骤B4具体为：在所述第二DOE基底的第一面上再沉积一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面刻蚀出用于衍射光的第二微结构；
其中所述第一刻蚀层和所述第二刻蚀层为二氧化硅或氮氧化硅。
优选地，步骤B2具体为：在所述第一DOE基底的第一面上再涂上一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第一微结构，并采用光固化或热固化进行定型；
步骤B4具体为：在所述第二DOE基底的第一面上再涂上一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第二微结构，并采用光固化或热固化进行定型；
其中所述第一刻蚀层和所述第二刻蚀层为树脂类材料。
本发明另外还公开了一种DOE监控集成封装模块，采用上述的DOE监控集成封装方法制得。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提出的DOE监控集成封装方法及模块，使得工艺制程大大地简化，制造成本更低，抗外界干扰能力强；同时能实现对DOE工作环境的严格防护，以及对DOE发生异常时的直接监控，使得DOE更加可靠、安全，提高了产品竞争力。
附图说明
图1是本发明第一优选实施例的DOE监控集成封装方法的流程示意图；
图2a～图2h是本发明第一优选实施例的DOE监控集成封装方法的步骤示意图，其中图2a、图2c、图2d为俯视图结构，图2b、图2e～图2h为剖面视图结构；
图3a是本发明实施例一的第一ITO图案示意图；
图3b是本发明实施例一的第二ITO图案示意图；
图3c是本发明实施例一的第一ITO图案和第二ITO图案的连接示意图；
图3d是图3c的原理示意图；
图4a是本发明实施例二的第一ITO图案示意图；
图4b是本发明实施例二的第二ITO图案示意图；
图4c是本发明实施例二的第一ITO图案和第二ITO图案的连接示意图；
图4d是图4c的原理示意图；
图5a是本发明实施例三的第一ITO图案示意图；
图5b是本发明实施例三的第二ITO图案示意图；
图5c是本发明实施例三的第一ITO图案和第二ITO图案的连接示意图；
图5d是图5c的原理示意图；
图6是本发明第二优选实施例的DOE监控集成封装方法的流程示意图；
图7a～图7i是本发明第二优选实施例的DOE监控集成封装方法的步骤示意图，其中图7a、图7c、图7d为俯视图结构，图7b、图7e～图7i为剖面视图结构；
图8a是本发明实施例四的第一ITO图案示意图；
图8b是本发明实施例四的第二ITO图案示意图；
图8c是本发明实施例四的第一ITO图案和第二ITO图案的连接示意图；
图9a是本发明实施例五的第一ITO图案示意图；
图9b是本发明实施例五的第二ITO图案示意图；
图9c是本发明实施例五的第一ITO图案和第二ITO图案的连接示意图。
具体实施方式
下面对照附图并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明第一优选实施例公开了一种DOE监控集成封装方法，包括以下步骤：
A1：如图2a、图2b和图2c，在第一DOE基底11的第一面上分别镀上第一金属电极12和第一ITO层13，并将第一ITO层13刻蚀成预定的第一ITO图案14，其中第一金属电极12镀在第一ITO图案14的两端头位置处，且第一ITO图案14中设有第一空白位置15，在第一空白位置15处露出第一DOE基底11；
其中镀第一金属电极12以及镀第一ITO层13并刻蚀成预定的第一ITO图案14的顺序先后可根据实际情况来定；具体地，在第一DOE基底11的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上第一金属电极12和第一ITO层13；第一ITO图案14在两端头的第一金属电极12之间形成一第一电阻，其中该第一电阻可以是由单一电阻组成，或者是由多个相互并联的电阻组成。
如图3a和图5a所示，第一ITO图案14在两端头的第一金属电极12之间形成的第一电阻是由单一电阻组成，如图4a，第一ITO图案14在两端头的第一金属电极12之间形成的第一电阻是由两个电阻并联连接而成。
A2：如图2d，在第一空白位置15处对第一DOE基底11进行刻蚀，形成用于衍射光的第一微结构16；
A3：类似步骤A1，在第二DOE基底21的第一面上分别镀上第二金属电极22和第二ITO层23，将第二ITO层23刻蚀成预定的第二ITO图案24，其中第二金属电极22镀在第二ITO图案24的两端头位置处，且第二ITO图案24中设有第二空白位置25，在第二空白位置25处露出第二DOE基底21；
其中镀第二金属电极22以及镀第二ITO层23并刻蚀成预定的第二ITO图案24的顺序先后可根据实际情况来定；具体地，在第二DOE基底21的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上第二金属电极22和第二ITO层23；第二ITO图案24在两端头的第二金属电极22之间形成一第二电阻，其中该第二电阻可以是由单一电阻组成，或者是由多个相互并联的电阻组成。
如图3b和图5b所示，第二ITO图案24在两端头的第二金属电极22之间形成的第二电阻是由单一电阻组成，如图4b，第二ITO图案24在两端头的第二金属电极22之间形成的第二电阻是由两个电阻并联连接而成。
A4：类似步骤A2，在第二空白位置25处对第二DOE基底21进行刻蚀，形成用于衍射光的第二微结构26；
A5：如图2e，将第一DOE基底11的第一面与第二DOE基底21的第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件30将第一DOE基底11与第二DOE基底21进行粘合；
具体地，间隔件30采用UV树脂类材料，厚度为80～150μm，例如100μm。
A6：在第一金属电极12和第二金属电极22所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属40以将第一金属电极12和第二金属电极22按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
具体地，步骤A6包括以下步骤：
A61：如图2f，在第一金属电极12和第二金属电极22所在的位置处进行截面第一次切割；
A62：如图2g，在该切割的位置处的界面上镀上连接金属40以将第一金属电极12和第二金属电极22按照预设的连接关系连接起来；
其中，预设的连接关系是指将第一ITO图案14相对应的第一电阻与第二ITO图案24相对应的第二电阻进行串联或者并联；如图3c和图4c所示，将第一电阻和第二电阻进行串联，如图5c所示，将第一电阻和第二电阻进行并联；也即如图3c所示组成的DOE监控集成封装模块由两个电阻串联而成，也即两个电阻串联连接在测量电路90上，原理图如图3d；如图4c所示组成的DOE监控集成封装模块是由四个电阻组成，也即两两电阻先并联然后串联连接在测量电路90上，原理图如图4d；如图5c所示组成的DOE监控集成封装模块由两个电阻并联而成，也即两个电阻并联连接在测量电路90上，原理图如图5d。
A63：如图2h，在原切割的位置处继续做第二次切割，直至各个DOE监控集成封装模块完全分离，封装完成得到DOE监控集成封装模块。
通过第一优选实施例的DOE监控集成封装方法及模块，不仅简化了工艺制程，降低了制造成本，同时能实现对DOE工作环境的严格防护，以及对DOE发生异常时的直接监控，使得DOE更加可靠、安全，提高了产品竞争力；另外，其中用于衍射光的微结构是在DOE基底上刻蚀形成，降低了微结构脱落风险，提高了DOE监控集成封装模块的可靠性。
如图6所示，本发明第二优选实施例公开了一种DOE监控集成封装方法，包括以下步骤：
B1：如图7a、图7b和图7c，在第一DOE基底51的第一面上分别镀上第一金属电极52和第一ITO层53，将第一ITO层53刻蚀成预定的第一ITO图案54，其中第一金属电极52镀在第一ITO图案54的两端头位置处；
其中镀第一金属电极52以及镀第一ITO层53并刻蚀成预定的第一ITO图案54的顺序先后可根据实际情况来定；具体地，在第一DOE基底51的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上第一金属电极52和第一ITO层53；第一ITO图案54在两端头的第一金属电极52之间形成一第一电阻，其中该第一电阻可以是由单一电阻组成，或者是由多个相互并联的电阻组成。
如图8a和图9a所示，第一ITO图案54在两端头的第一金属电极52之间形成的第一电阻是由单一电阻组成。
B2：如图7d和图7e，然后在第一DOE基底51的第一面上再形成一层第一刻蚀层55，并在第一刻蚀层55的表面形成用于衍射光的第一微结构56；
在一种实施例中，在第一DOE基底51的第一面上再沉积一层第一刻蚀层55，并在第一刻蚀层55的表面刻蚀出用于衍射光的第一微结构56，该第一刻蚀层55为二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SixOyNz)；
在另一种实施例中，在第一DOE基底51的第一面上再涂上一层第一刻蚀层55，并在第一刻蚀层55的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第一微结构56，并采用光固化或热固化进行定型，其中第一刻蚀层55为树脂类材料；
如图8a和图9a所示，其中是为了表示第一微结构56与第一ITO图案54的相对关系简化示意，实际上第一微结构56是设置在第一刻蚀层55上。
B3：类似步骤B1，在第二DOE基底61的第一面上分别镀上第二金属电极62和第二ITO层63，将第二ITO层63刻蚀成预定的第二ITO图案64，其中第二金属电极62镀在第二ITO图案64的两端头位置处；
其中镀第二金属电极62以及镀第二ITO层63并刻蚀成预定的第二ITO图案64的顺序先后可根据实际情况来定；具体地，在第二DOE基底61的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上第二金属电极62和第二ITO层63；第二ITO图案64在两端头的第二金属电极62之间形成一第二电阻，其中该第二电阻可以是由单一电阻组成，或者是由多个相互并联的电阻组成。
如图8b和图9b所示，第二ITO图案64在两端头的第二金属电极62之间形成的第二电阻是由单一电阻组成。
B4：类似步骤B2，然后在第二DOE基底61的第一面上再形成一层第二刻蚀层65，并在第二刻蚀层65的表面形成用于衍射光的第二微结构66；
在一种实施例中，在第二DOE基底61的第一面上再沉积一层第二刻蚀层65，并在第二刻蚀层65的表面刻蚀出用于衍射光的第二微结构66，其中第二刻蚀层65为二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SixOyNz)；
在另一种实施例中，在第二DOE基底61的第一面上再涂上一层第二刻蚀层65，并在第二刻蚀层65的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第二微结构66，并采用光固化或热固化进行定型，其中第二刻蚀层65为树脂类材料；
如图8b和图9b所示，其中是为了表示第二微结构66与第二ITO图案64的相对关系简化示意，实际上第二微结构66是设置在第二刻蚀层65上。
B5：如图7f，将第一刻蚀层55的表面与第二刻蚀层56的表面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件70将第一刻蚀层55与第二刻蚀层56进行粘合；
具体地，间隔件70采用UV树脂类材料，厚度为80～150μm，例如100μm。
B6：在第一金属电极52和第二金属电极62所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属80以将第一金属电极52和第二金属电极62按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
具体地，步骤A6包括以下步骤：
B61：如图7g，在第一金属电极52和第二金属电极62所在的位置处进行截面第一次切割；
B62：如图7h，在该切割的位置处的界面上镀上连接金属80以将第一金属电极52和第二金属电极62按照预设的连接关系连接起来；
其中，预设的连接关系是指将第一ITO图案54相对应的第一电阻与第二ITO图案64相对应的第二电阻进行串联或者并联；如图8c所示，将第一电阻和第二电阻进行串联，如图9c所示，将第一电阻和第二电阻进行并联；也即如图8c所示组成的DOE监控集成封装模块由两个电阻串联而成，也即两个电阻串联连接在测量电路90上，原理图如图3d；如图9c所示组成的DOE监控集成封装模块由两个电阻并联而成，也即两个电阻并联连接在测量电路90上，原理图如图5d。
B63：如图7i，在原切割的位置处继续做第二次切割，直至各个DOE监控集成封装模块完全分离，封装完成得到DOE监控集成封装模块。
通过第二优选实施例的DOE监控集成封装方法及模块，不仅简化了工艺制程，降低了制造成本，同时能实现对DOE工作环境的严格防护，以及对DOE发生异常时的直接监控，使得DOE更加可靠、安全，提高了产品竞争力。
采用本发明优选实施例制得的DOE监控集成封装模块布线更加简单，可以监测DOE的机械完整性(例如玻璃破碎)、热摆动(热胀冷缩)、水汽问题，而且抗外界干扰能力强；其中针对监测DOE的机械完整性(例如玻璃破碎)时，该DOE监控集成封装模块的电信号的幅度变化较大(例如第一电阻与第二电阻串联时，电阻会瞬间变成无穷大)，使得监测效果非常明显，使得DOE更加可靠、安全。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种DOE监控集成封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
A1：在第一DOE基底的第一面上分别镀上第一金属电极和第一ITO层，将所述第一ITO层刻蚀成预定的第一ITO图案，其中所述第一金属电极镀在所述第一ITO图案的两端头位置处，且所述第一ITO图案中设有第一空白位置，在所述第一空白位置处露出所述第一DOE基底；
A2：在所述第一空白位置处对所述第一DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第一微结构；
A3：在第二DOE基底的第一面上分别镀上第二金属电极和第二ITO层，将所述第二ITO层刻蚀成预定的第二ITO图案，其中所述第二金属电极镀在所述第二ITO图案的两端头位置处，且所述第二ITO图案中设有第二空白位置，在所述第二空白位置处露出所述第二DOE基底；
A4：在所述第二空白位置处对所述第二DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第二微结构；
A5：将所述第一DOE基底的第一面与所述第二DOE基底的第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将所述第一DOE基底与所述第二DOE基底进行粘合；
A6：在所述第一金属电极和所述第二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属以将所述第一金属电极和所述第二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
2.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，步骤A1中在所述第一DOE基底的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上所述第一金属电极和所述第一ITO层，步骤A3中在所述第二DOE基底的第一面上分别采用电镀或喷镀方式镀上所述第二金属电极和所述第二ITO层。
3.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，步骤A1中的所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻，步骤A3中的所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻；优选地，所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。
4.根据权利要求3所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，步骤A6中预设的连接关系是指将所述第一ITO图案相对应的所述第一电阻与所述第二ITO图案相对应的所述第二电阻进行串联或者并联。
5.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，步骤A5中的所述间隔件采用UV树脂类材料，厚度为80～150μm。
6.一种DOE监控集成封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
B1：在第一DOE基底的第一面上分别镀上第一金属电极和第一ITO层，将所述第一ITO层刻蚀成预定的第一ITO图案，其中所述第一金属电极镀在所述第一ITO图案的两端头位置处；
B2：然后在所述第一DOE基底的第一面上再形成一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面形成用于衍射光的第一微结构；
B3：在第二DOE基底的第一面上分别镀上第二金属电极和第二ITO层，将所述第二ITO层刻蚀成预定的第二ITO图案，其中所述第二金属电极镀在所述第二ITO图案的两端头位置处；
B4：然后在所述第二DOE基底的第一面上再形成一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面形成用于衍射光的第二微结构；
B5：将所述第一刻蚀层的表面与所述第二刻蚀层的表面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将所述第一刻蚀层与所述第二刻蚀层进行粘合；
B6：在所述第一金属电极和所述第二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属以将所述第一金属电极和所述第二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。
7.根据权利要求6所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，步骤B1中的所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻，步骤B3中的所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻；优选地，所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。
8.根据权利要求6所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，
步骤B2具体为：在所述第一DOE基底的第一面上再沉积一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面刻蚀出用于衍射光的第一微结构；
步骤B4具体为：在所述第二DOE基底的第一面上再沉积一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面刻蚀出用于衍射光的第二微结构；
其中所述第一刻蚀层和所述第二刻蚀层为二氧化硅或氮氧化硅。
9.根据权利要求6所述的DOE监控集成封装方法，其特征在于，
步骤B2具体为：在所述第一DOE基底的第一面上再涂上一层第一刻蚀层，并在所述第一刻蚀层的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第一微结构，并采用光固化或热固化进行定型；
步骤B4具体为：在所述第二DOE基底的第一面上再涂上一层第二刻蚀层，并在所述第二刻蚀层的表面采用纳米压印方式压印出用于衍射光的第二微结构，并采用光固化或热固化进行定型；
其中所述第一刻蚀层和所述第二刻蚀层为树脂类材料。
10.一种DOE监控集成封装模块，其特征在于，采用权利要求1至9任意一项所述的DOE监控集成封装方法制得。
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