CN110658695B - 一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 - Google Patents
一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110658695B CN110658695B CN201910905813.8A CN201910905813A CN110658695B CN 110658695 B CN110658695 B CN 110658695B CN 201910905813 A CN201910905813 A CN 201910905813A CN 110658695 B CN110658695 B CN 110658695B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical window
- wavefront
- maskless
- exposure
- transmission wavefront
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 75
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000002715 modification method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000012938 design process Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一块光学窗口材料；步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正。该方法可以对光学窗口进行非接触、无应力、定点波前修正，具有加工效率高、修正精度高、成本低等优点。
Description
技术领域
本发明涉及光学加工技术领域，具体涉及一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法。
背景技术
光学窗口在光学系统中应用广泛，可作为基底用于各类光学元件的加工制作，如衍射光学元件、分光元件、滤光片等。光学窗口的透射波前对光学元件的加工质量具有重要影响，如果光学窗口本身不具有良好的透射波前，加工成光学元件后的质量也难以保证。研磨抛光是目前最常采用的光学窗口加工方法，依靠微细磨粒的机械作用对被加工表面进行微量往除，达到高精度的加工表面和透射波前。研磨抛光可用于一般精度要求的光学窗口加工，如果要达到更高的透射波前要求，通常需要配合离子束抛光等更高精度的抛光技术。离子束抛光采用被充电的高能原子或离子，在真空状态下由离子枪射向工件，当带有很高能量的离子撞击工件表面时，在撞击点上材料以原子量级实现往除。材料的往除量取决于离子束在该点的溅射时间。由于离子束抛光是在原子量级上实现材料的往除，因而材料的往除率较低，为此在采用该方法前，光学窗口需要经过传统方法的预抛光，在基本达到精度要求后再采用离子束抛光进一步对透射波前进行高精度修正。受到原理限制，无论是研磨抛光还是离子束抛光，都面临加工效率低下的问题，尤其是离子束抛光法，对材料的往除是在原子量级上进行的，因此加工效率极低，特别是在大口径光学窗口的加工中尤为明显，加工一块高透射波前要求的光学窗口需要花费大量的时间和成本。
发明内容
为了解决以上技术问题，本发明提出了一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，通过无掩模直写光刻对光学窗口实现快速、高效的透射波前修正。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案为：一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一块光学窗口材料基底；
步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；
步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正。
上述技术方案中，所述步骤S1中，基底的形状优选为圆形或矩形，基底直径或对角线长度在10mm～800mm之间。
上述技术方案中，所述基片材料为石英、合成石英(BK7)、硅片等可用于制造光学窗口的材料中的一种。
上述技术方案中，所述步骤S2中，基片预抛光可减少透射波前修正时无掩模直写光刻次数，类似于离子束抛光之前的预抛光处理。预抛光精度以研磨抛光可以快速达到的精度为宜，面形精度优选为：RMS<1μm。如果所提供基片本身透射波前较好，RMS优于1μm，则可以不用进行预抛光处理。
上述技术方案中，所述步骤S3中，需根据透射波前检测结果和透射波前要达到的修正效果，设计用于修正光学窗口面形的无掩模曝光图案；
上述技术方案中，所述无掩模曝光图案可能为1个或多个。一般情况下，透射波前检测结果与加工指标越接近，采用无掩模光刻进行修正次数越少，相反，透射波前检测结果与加工指标差距越大，采用无掩模光刻进行修正次数越多。具体修正次数以及每次修正所需曝光图案根据预抛光后的透射波前检测结果以及加工指标要求进行确定。因此无掩模曝光图案设计数量最少为1个，更一般的情况为多个。
上述技术方案中，所述步骤S3中，无掩模直写曝光采用激光直写设备完成。曝光过程需要先对光学窗口涂覆光刻胶，再通过激光直写对光刻胶进行无掩模曝光，曝光完成后通过显影形成与设计图案一致的光刻胶图形，再通过刻蚀将光刻胶图形1：1传递到光学窗口，实现对光学窗口面形的改变，达到透射波前修正的效果。
上述技术方案中，所述步骤S3中，无掩模直写光刻根据曝光图案设计情况，需进行1次或多次。各次无掩模直写光刻需包括但不限于涂胶、曝光、显影、刻蚀以及去胶等关键工艺流程。为了提高加工质量，也可增加基底清洗、烘胶等辅助工艺流程。各次无掩模直写光刻在激光直写曝光过程中应采用相同的位置基准，以套刻的方式实现各次曝光图形的对准，对准误差优选的取值为小于1微米。各次无掩模光刻的刻蚀深度在曝光图案设计过程中一并确定，一般的，对于透射波前的低频起伏，需要较深的刻蚀深度进行修正，而对于透射波前的高频起伏，需要较浅的刻蚀深度进行修正。
本发明具有的有益效果在于：
本发明提供的基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，采用研磨抛光对光学窗口实现预抛光，再通过无掩模直写光刻对光学窗口透射波前进行高精度修正。相对于离子束抛光等当前常用的高精度抛光方法，无掩模直写光刻修正光学窗口透射波前具有加工效率高、加工口径大的优势，在大口径、高精度光学窗口的加工方面具有很强的实用价值和广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法的工艺流程图；
图2为一种常见的光学窗口透射波前分布；
图3为用于光学窗口透射波前修正的无掩模曝光图案。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明：
如图1所示，为本发明提供的基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法工艺流程，该方法包括以下步骤：
步骤S1、提供一块光学窗口材料；
步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；
步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正。
实施例1
本实施例的基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一块光学窗口材料：光学窗口材料为石英，形状为正方形，尺寸为100mm*100mm，厚度为2mm；
步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光法对光学窗口进行预抛光，抛光完成后采用干涉仪测试经预抛光后光学窗口的透射波前，如图2所示为透射波前测试结果，透射波前PV为0.170μm，RMS为0.034μm；
步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，首先确定透射波前修正所需的无掩模直写光刻次数，一般而言，透射波前测试结果与加工指标要求差异越大，则需要的无掩模直写光刻次数越多，反之差异越小，需要的无掩模直写光刻次数越少。结合透射波前检测结果与加工指标要求，确定无掩模直写光刻次数为3次。根据确定的光刻次数，可以将光学窗口透射波前分为23个灰度等级，其中0＜L1≤PV/8，PV/8＜L2≤PV/4，PV/4＜L3≤3PV/8，3PV/8＜L4≤PV/2，PV/2＜L5≤5PV/8，5PV/8＜L6≤3PV/4，3PV/4＜L7≤7PV/8，7PV/8＜L8≤PV。将透射波前各点位测试值向上取整，使L1＝PV/8，L2＝PV/4，L3＝3PV/8，L4＝PV/2，L5＝5PV/8，L6＝3PV/4，L7＝7PV/8，L8＝PV，实现透射波前的离散化处理。根据离散化处理后的透射波前分布，设计用于无掩模直写光刻的曝光图形，如图3所示，其中黑色为曝光区域，白色为非曝光区域，图3中a、b、c分别为第一、二、三次无掩模直写光刻曝光图形，且第一、二、三次无掩模直写光刻对光学窗口材料的刻蚀深度分别为PV/8、PV/4、PV/2。曝光图形具体设计原理为：首先将离散化处理后的透过波前值进行分解，分解结果为L1＝PV/8，L2＝PV/4，L3＝PV/8+PV/4，L4＝PV/2，L5＝PV/8+PV/2，L6＝PV/4+PV/2，L7＝PV/8+PV/4+PV/2，L8＝PV/2+PV/2，根据以上等式即可确定各点位在3次无掩模直写光刻中的曝光状态。如L1、L3、L5、L7均含有PV/8，则透射波前值为L1、L3、L5、L7的点位在第一次无掩模直写光刻过程中需要曝光，同理可以确定需要在第二、三次无掩模直写光刻过程中需要曝光的点位，并由此生成如图3所示的曝光图形。经仿真计算，采用图3所示曝光图形对光学窗口透射波前进行修正，可以将透射波前PV从0.17μm减小到约0.02μm，RMS从0.034μm减小到0.004μm。
采用设计好的曝光图形进行无掩模直写光刻，根据图形设计数量，无掩模直写光刻需要进行3次，每一次均包含：基片清洗、涂胶、烘胶、曝光、显影、刻蚀以及去胶等光刻完整工艺流程。基片清洗采用丙酮、酒精等对基片表面进行处理，达到去除基片表面有机物、杂质等目的；清洗完成后，采用旋转涂胶方式在基片表面均匀涂覆光刻胶，根据需要刻蚀深度确定光刻胶型号以及膜层厚度，此处选用AZ1500光刻胶，涂胶厚度为500nm；涂胶完成后，将基片放入烘箱，100℃环境下烘10min，以提高光刻胶层在基底上的附着力以及稳定性；待基片冷却后，将基片放入激光直写设备进行曝光，曝光之前需要将所设计的曝光图形首先导入设备，进行必要格式转换后，设备将按照设计图形对基底对应区域光刻胶进行曝光；曝光完成后对光刻胶进行显影，去除曝光区域的光刻胶，留下未曝光区域的光刻胶形成与设计图案一致的光刻胶图形；最后采用反应离子刻蚀将光刻胶图形转移到基底上，实现对基底特定区域的材料进行去除，刻蚀完成后，去除残留光刻胶，完整工艺流程结束。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的。本发明未详细阐述部分属于本领域技术人员的公知技术。
Claims (5)
1.一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一块光学窗口材料基底；基底的形状为圆形或矩形，基底直径或对角线长度在10mm～800mm之间；
步骤S2、基片预抛光：采用研磨抛光方法将基片进行预处理，使其透射波前接近加工指标要求，采用干涉仪检测光学窗口的透射波前分布；预抛光精度以研磨抛光可以快速达到的精度为宜，面形精度为：RMS<1μm；
步骤S3、无掩模直写光刻：根据步骤S2的光学窗口透射波前检测结果，设计用于修正透射波前的无掩模曝光图案，采用设计图案通过无掩模直写光刻对光学窗口实现透射波前修正；所述无掩模曝光图案为多个，透射波前检测结果与加工指标越接近，采用无掩模光刻进行修正次数越少，相反，透射波前检测结果与加工指标差距越大，采用无掩模光刻进行修正次数越多，具体修正次数以及每次修正所需曝光图案根据预抛光后的透射波前检测结果以及加工指标要求进行确定；曝光过程需要先对光学窗口涂覆光刻胶，再通过激光直写对光刻胶进行无掩模曝光，曝光完成后通过显影形成与设计图案一致的光刻胶图形，再通过刻蚀将光刻胶图形1：1传递到光学窗口，实现对光学窗口面形的改变，达到透射波前修正的效果；根据确定的光刻次数，可以将光学窗口透射波前分为23个灰度等级，其中0＜L1≤PV/8，PV/8＜L2≤PV/4，PV/4＜L3≤3PV/8，3PV/8＜L4≤PV/2，PV/2＜L5≤5PV/8，5PV/8＜L6≤3PV/4，3PV/4＜L7≤7PV/8，7PV/8＜L8≤PV，将透射波前各点位测试值向上取整，使L1＝PV/8，L2＝PV/4，L3＝3PV/8，L4＝PV/2，L5＝5PV/8，L6＝3PV/4，L7＝7PV/8，L8＝PV，实现透射波前的离散化处理；曝光图形具体设计原理为：首先将离散化处理后的透过波前值进行分解，分解结果为L1＝PV/8，L2＝PV/4，L3＝PV/8+PV/4，L4＝PV/2，L5＝PV/8+PV/2，L6＝PV/4+PV/2，L7＝PV/8+PV/4+PV/2，L8＝PV/2+PV/2，根据以上等式确定各点位在3次无掩模直写光刻中的曝光状态；L1、L3、L5、L7均含有PV/8，则透射波前值为L1、L3、L5、L7的点位在第一次无掩模直写光刻过程中需要曝光，同理确定需要在第二、三次无掩模直写光刻过程中需要曝光的点位，并由此生成曝光图形；
所述步骤S3中，无掩模直写光刻根据曝光图案设计情况，需进行多次，各次无掩模直写光刻需包括涂胶、曝光、显影、刻蚀以及去胶关键工艺流程；各次无掩模直写光刻在激光直写曝光过程中应采用相同的位置基准，以套刻的方式实现各次曝光图形的对准，对准误差的取值为小于1微米，各次无掩模光刻的刻蚀深度在曝光图案设计过程中一并确定，对于透射波前的低频起伏，需要较深的刻蚀深度进行修正，而对于透射波前的高频起伏，需要较浅的刻蚀深度进行修正。
2.根据权利要求1所述的光学窗口透射波前修正方法，其特征在于，所述步骤S1中，光学窗口材料基底为圆形或矩形，基底直径或对角线长度在10mm～800mm之间，基底厚度为1mm～9mm。
3.根据权利要求2所述的光学窗口透射波前修正方法，其特征在于，所述光学窗口材料为石英、合成石英、硅片光学窗口材料中的一种。
4.根据权利要求1所述的光学窗口透射波前修正方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用研磨抛光方法对光学窗口进行预抛光，预抛光需要达到的效果为使光学窗口的透射波前RMS值小于1μm。
5.根据权利要求1所述的光学窗口透射波前修正方法，其特征在于，所述步骤S3中，无掩模直写曝光采用激光直写设备完成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910905813.8A CN110658695B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910905813.8A CN110658695B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110658695A CN110658695A (zh) | 2020-01-07 |
| CN110658695B true CN110658695B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=69038891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910905813.8A Active CN110658695B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110658695B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114942567A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于光学元件刻蚀加工的掩蔽层制作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550749B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-06-23 | Tel Epion Inc. | Methods and processing systems for using a gas cluster ion beam to offset systematic non-uniformities in workpieces processed in a process tool |
| CN103342476B (zh) * | 2013-07-03 | 2015-08-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 用于抑制光学表面中高频误差的离子束牺牲层加工方法 |
| CN109946922B (zh) * | 2019-04-23 | 2022-06-07 | 马颖鏖 | 光学表面微轮廓二维直接成像制造及光学表面平整修形方法 |
| CN110187415B (zh) * | 2019-06-20 | 2020-07-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法 |
-
2019
- 2019-09-24 CN CN201910905813.8A patent/CN110658695B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110658695A (zh) | 2020-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11579364B2 (en) | Gratings with variable depths formed using planarization for waveguide displays | |
| US20220276419A1 (en) | Manufacturing Method for Diffraction Grating Waveguide of Near-eye Display | |
| US20210294006A1 (en) | Gratings with variable depths for waveguide displays | |
| US11175455B1 (en) | Gratings with variable etch heights for waveguide displays | |
| US11163237B2 (en) | Method for figure correction of optical element by reactive ion etching | |
| CN110632689B (zh) | 表面浮雕光栅结构的制作方法 | |
| CN110658695B (zh) | 一种基于无掩模直写光刻的光学窗口透射波前修正方法 | |
| CN105319624A (zh) | 防眩膜 | |
| US12001055B2 (en) | Grating, method for manufacturing grating, and optical waveguide | |
| CN111474822B (zh) | 一种基于三维光刻胶掩膜快速修正光学基底均匀性的方法 | |
| CN101546116A (zh) | 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法 | |
| CN109946922B (zh) | 光学表面微轮廓二维直接成像制造及光学表面平整修形方法 | |
| CN101470224B (zh) | 一种平面连续衍射聚光透镜的制作方法 | |
| CN206920634U (zh) | 用于在多部件透镜系统中制造气隙区的装置和头戴式显示光学装置 | |
| JPS5922050A (ja) | ホトマスク | |
| Luo et al. | Figure correction of a quartz sub-mirror for a transmissive diffractive segmented telescope by Reactive Ion Figuring | |
| KR20090108268A (ko) | 바이너리 마스크의 패턴 선폭 보정방법 | |
| CN103928299B (zh) | 一种沟槽内薄膜的制备方法 | |
| CN110647014B (zh) | 一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法 | |
| CN116224728A (zh) | 制备多级台阶微结构的方法 | |
| CN110465835B (zh) | 一种单晶硅柱面元件的加工方法 | |
| KR20120056925A (ko) | 포토마스크의 배면 리페어 방법 | |
| KR20070068901A (ko) | 편평도를 향상시킬 수 있는 블랭크 포토 마스크 기판의제조방법 | |
| CN117539120A (zh) | 掩模版图的圆化失真修正方法及装置、掩模版及加工方法 | |
| Tarrio et al. | Post-polish figuring of optical surfaces using multilayer deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |