CN110634963A - 背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法 - Google Patents
背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110634963A CN110634963A CN201910452628.8A CN201910452628A CN110634963A CN 110634963 A CN110634963 A CN 110634963A CN 201910452628 A CN201910452628 A CN 201910452628A CN 110634963 A CN110634963 A CN 110634963A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- doping type
- passivation stack
- sacrificial layer
- regions
- passivation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 74
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017817 a-Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002894 chemical waste Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
提供一种用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法，所述方法包括：沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含第一掺杂类型的a‑Si；通过使用第一干蚀刻工艺使得第一钝化层叠体图案化，以产生表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a‑Si的区域；对上述表面的一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物；以及沉积第二钝化层叠体，从而与图案化的第一钝化层叠体一起形成交指状图案，所述第二钝化层叠体包含与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的a‑Si。清洁可以包括至少在表面暴露区域上沉积牺牲层，并且在不超过250℃的温度下通过第二干蚀刻工艺去除牺牲层。
Description
技术领域
本公开涉及生产太阳能电池的领域。具体来说，本公开涉及用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法。
背景技术
例如，异质结交指状背接触(HJ-IBC)型的硅太阳能电池可以提供高能量转化效率。为了在例如背接触式电池中提取电荷载体，该电池的后侧被图案化成电子和空穴接触的图案或交指状条带。
然而，这种后侧图案化可能既复杂又昂贵，并且涉及多个处理步骤，例如表面钝化、材料沉积、蚀刻、光刻、激光烧蚀和/或再钝化。
例如，为了实现HJ-IBC技术的广泛商业应用，需要太阳能电池的改进和简化的图案化工艺。
发明内容
为了至少部分满足上述需求，本公开提供了如独立权利要求中所限定的用于为太阳能电池产生交指状图案的方法。所述方法的其它实施方式在从属权利要求中有所限定。
根据本公开的一个方面，提供了用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法。所述方法可以包括：在太阳能电池的硅基材(或晶片)的表面上沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含至少一层第一掺杂类型无定形硅(a-Si)。所述方法可以包括：通过使用第一干蚀刻工艺使得第一钝化层叠体图案化，由此产生(硅基材)表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域。所述方法可以包括：对该表面的一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物。所述方法可以包括：在清洁后沉积第二钝化层叠体，从而在该表面的一个或多个暴露区域上产生一个或多个包含第二掺杂类型a-Si的区域，所述第二钝化层叠体包含不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的a-Si。图案化的第一钝化层叠体和(在该表面的暴露区域上)一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域可以形成交指状图案。清洁可以包括至少在该表面的一个或多个暴露区域上沉积牺牲层。清洁还可以包括通过第二蚀刻工艺去除所述牺牲层。牺牲层的沉积和去除可以在不超过250℃的温度下进行。
沉积的牺牲层可以吸收污染物，所述污染物可由第一干蚀刻工艺和第一钝化层叠体的图案化所残留。随后，污染物可以通过用第二蚀刻工艺与牺牲层一起去除。第二干蚀刻工艺可以优选包括使用非污染蚀刻物质(例如，对表面钝化无害的物质)。本公开的方法因此允许在再钝化之前清洁太阳能电池基材/晶片表面的暴露区域而无需使用湿的化学品。该湿化学品(例如，HF)也可能是潜在危险的，并且本公开的方法可以为太阳能电池提供更简化和更安全的后侧图案化方法。此外，本公开的方法可以提供在低温下(例如，在250℃或低于250℃)进行清洁。
本文中，钝化层叠体可以包括不止一层。例如，据说包括某一掺杂类型(例如p掺杂或n掺杂)的a-Si层的钝化层叠体还可包括例如一层本征(intrinsic)a-Si层。例如，该本征层可以有助于改进表面钝化。当沉积第一钝化层叠体时，例如可以存在最接近基材表面的本征a-Si层，随后是第一掺杂类型的a-Si层。类似地，当在一个或多个暴露区域上沉积第二钝化层叠体时，可以存在最接近基材(暴露)表面的本征a-Si层，随后是第二掺杂类型的a-Si层。如本文所用，“在表面上”沉积某物可以包括将所述某物直接沉积在表面上。
在一些实施方式中，牺牲层可以是a-Si层。
在一些实施方式中，牺牲层的平均厚度可以是小于2nm，可以优选小于1.5nm，并且可以更优选小于1nm。例如，较薄的牺牲层可以通过第二蚀刻工艺去除而对太阳能电池的(晶体)Si基材/晶片没有过多损坏。例如，较薄的牺牲层可以使得所需的蚀刻时间减少，由此减少下层Si基材(或晶片)中引起的缺陷数量。这可能是重要的，例如，如果平行板等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工具用于蚀刻，尤其是在没有远程等离子体的情况下。
在一些实施方式中，第一干蚀刻工艺可以是NF3/Ar等离子体蚀刻工艺。还设想使用(等离子体)蚀刻工艺，所述蚀刻工艺基于同样适用于对钝化层叠体进行蚀刻的其它化学物质，例如CF4/O2、SF6等。
在一些实施方式中，第二干蚀刻工艺可以是氢等离子体蚀刻工艺。例如，可以实施该工艺而无需对表面钝化有害的污染物质。还设想可以使用其它干蚀刻工艺(包括例如其他蚀刻气体)作为第二干蚀刻工艺，只要它们不包含可能在蚀刻后残留在基材表面上的污染物(例如F、N、C、S和O)即可。
在一些实施方式中，可以使用PECVD工艺来沉积牺牲层。
在一些实施方式中，可在相同的PECVD工具中实施第一钝化层叠体的沉积和/或图案化(至少包括使用第一干蚀刻工艺的蚀刻)以及一个或多个暴露区域的清洁。例如，使用相同的工具可以允许在不破坏工具真空的情况下进行清洁，例如，不必从工具中取出样品/基板/太阳能电池以实施清洁。这与传统工艺不同，其中，如下文所述，例如，在使第一钝化层叠体图案化之后，需要湿化学品HF清洁来清洁暴露区域。如本文后面稍后描述的，该传统工艺可能需要在清洁之前从工具取出基材，并且随后将基材放回到工具(例如用于随后再钝化的工具)中。
使用基于等离子体的(PECVD)工艺(例如，用于沉积和/或清洁)可以允许使用较低的温度，这可以减少对例如太阳能电池造成的潜在危害。如本文前面所述以及在下文进一步详细描述，使用PECVD工艺可以允许在原位进行从干蚀刻到再钝化的顺序而没有真空破坏。
在一些实施方式中，可在相同PECVD工具中进行第二钝化层叠体的沉积。在相同工具内沉积第二钝化层可以提供具有更高产量的进一步简化的工艺。
在一些实施方式中，第一掺杂类型可以是正的(即，第一钝化层叠体可以包括p掺杂层)，并且第二掺杂类型可以是负的(即，第二钝化层叠体可以包括n掺杂层)。
在一些实施方式中，第一掺杂类型可以是负的(即，第一钝化层叠体可以包括n掺杂层)，并且第二掺杂类型可以是正的(即，第二钝化层叠体可以包括p掺杂层)。
在一些实施方式中，所述方法还可包括：形成与一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域和一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域接触的电极。
在一些实施方式中，牺牲层的沉积和去除可以在不超过200℃的温度下进行。较低的温度(例如，200℃或更低)可以进一步减少对太阳能电池的潜在损坏。
在一些实施方式中，牺牲层的沉积和去除可以在150℃或大于150℃的温度下进行。
在一些实施方式中，牺牲层的沉积和去除可以形成单个等离子体工艺的一部分。使用单个等离子体工艺可以例如进一步提高基材/晶片的产量。
本公开涉及本文提及的特征的所有可能组合，包括上面列出的特征以及将在下面参考不同实施方式描述的其它特征。本文描述的任意实施方式可以与本文同样描述的其它实施方式组合，并且本公开还涉及所有这样的组合。
附图说明
将参照附图描述示例性实施方式，其中，
图1示意性显示了用于制造太阳能电池的传统工艺/方法的流程图；
图2示意性显示了根据本公开的用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法的实施方式的流程图；
图3a-3e示意性显示了根据本公开的用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法的实施方式的清洁步骤；并且
图4示意性显示了根据本公开的单个等离子体清洁工艺的实施方式。
在附图中，除非另外说明，相同的编号用于相同的元件。除非明确地指出相反，否则附图仅显示了解释实施方式所必需的元件，而且为了清楚起见，可以省略或仅仅暗示其它元件。如图所示，元件和区域的尺寸为了说明的目的而被放大，并且因此提供用于说明实施方式的大致结构。
发明详述
图1显示了用于制造背接触式太阳能电池的常规工艺(或方法)100的流程图。例如，太阳能电池可以由硅基材制造。例如，硅基材可具有负掺杂(n型)，并且例如，基材可以具有2-5Ω.cm的电阻、100-200μm的厚度，并且可以使用例如丘克拉斯基(Czochralski)外延生长或浮区工艺来制造。
在步骤S101中，可以在碱性溶液(例如，TMAH或KOH)中进行基材的单侧或双侧纹理化。碱性溶液的温度可以为例如60℃-80℃。如果仅基材一侧进行纹理化(即，单侧纹理化)，基材的另一侧(后侧)可以在纹理化期间用例如电介质掩模进行保护。在纹理化后，基材可以使用湿化学品进行清洁。
在步骤S102中，在清洁基材后，基材的后表面可以通过沉积第一钝化层叠体来钝化。例如，所述第一钝化层叠体可以包含本征氢化无定形硅(a-Si:H(i))层和例如正掺杂(p掺杂)氢化a-Si(a-Si:H(p+))层。第一钝化层叠体可以形成例如太阳能电池的发射极，并且可以在175℃下使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积。在一些情况下，可以首先沉积背表面场堆叠体(例如，钝化层叠体，其中，掺杂层具有负的n型掺杂；a-Si:H(i/n+))。
在铺设第一钝化层叠体之后，在步骤S103中，可以在例如225℃下沉积基于PECVD的电介质堆叠体作为蚀刻硬掩模和作为用于在该工艺中进一步剥离第二钝化层叠体的牺牲层。该硬掩模可包括：例如，硅氧化物(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或a-Si:H层。
在步骤S104中，可以使用例如光刻(使用例如SiOx掩模)或激光烧蚀(使用例如具有不同折射率的SiOx和SiNx的交替堆叠体以形成在顶部具有通过激光烧蚀图案化的a-Si:H层的分布式布拉格反射器)来使硬掩模图案化。然后可以使用湿蚀刻使电介质硬掩模图案化，以在光刻或激光烧蚀之后使得硬掩模下的a-Si:H(i/p+)暴露。
然后，在步骤S105中，使用例如NF3/Ar等离子体在例如175℃的温度下对a-Si:H(第一钝化层叠体)的暴露区域进行干蚀刻，从而使第一钝化层叠体图案化(以形成图案化的第一钝化层叠体)并由此产生基材表面的一个或多个暴露区域以及一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si:H的区域。
在干蚀刻之后，蚀刻的表面可能包含蚀刻产物的痕迹，其可被视为表面污染。在不去除这种残留的污染的情况下对表面进行原位再钝化可能导致不良的再钝化。因此，在步骤S106中，对蚀刻表面进行清洁以使得能够进行随后的高质量再钝化。通常使用HF清洁工艺(在其中，去除与干蚀刻相关的污染物)在非原位进行清洁。
在非原位清洁之后，在步骤S107中，然后使用例如第二钝化层叠体来使得清洁的基材表面再钝化，所述第二钝化层叠体包括本征和负掺杂(n型)a-Si(即a-Si:H(i/n+))的氢化层。第二钝化层叠体可以形成背表面场，并且可以在例如175℃下使用PECVD工艺沉积。
在步骤S108中，然后可以在例如稀释的HF溶液中进行硬掩模的溶解并由此可以在a-Si:H(i/p+)区中进行a-Si:H(i/n+)剥离，从而产生图案化的第二钝化层叠体，其包括在硅表面的暴露区域上的一个或多个包含第二类型的a-Si:H的区域。这可以导致这样的结构：其中，一个或多个包含第二类型的a-Si:H的区域(图案化的第二钝化层叠体)和一个或多个包含第一类型的a-Si:H的区域(图案化的第一钝化层叠体)在硅基材的表面上形成交指状图案。
在步骤S109中，纹理化前表面也可以用本征a-Si:H钝化，并且可以在顶部施加PECVD SiNx抗反射涂层(ARC)，两者都使用在例如175℃温度下的工艺。
在步骤S110中，例如，氧化铟锡(ITO)层可以通过在后表面上使用例如溅射来进行沉积，并且可以使用例如电子束蒸发而使得ITO层上的铜蒸发。
在最后的步骤S111中，ITO和Cu的光刻图案化和蚀刻可以导致形成电子和空穴接触。例如在进行测量之前，所获得的太阳能电池可以在例如150℃下进行退火。
在该常规工艺(例如上述参照图1描述的工艺100)中，在第一钝化层叠体的干蚀刻之后的湿法清洁步骤可能是麻烦的，并且可能需要从PECVD工具取出基材。此外，该步骤可能需要使用既危险又需要对相关化学废物进行特定清理和处理的化学品(例如HF)。
现在将在下文中参考附图更全面地描述旨在克服上述缺点的本公开的方法(或工艺)的示例性实施方式。附图显示了现有的优选实施方式，然而但是，本发明可以许多不同的形式实施，并且不应受限于本文所述的实施方式；相反，提供这些实施方式是为了彻底和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。
参见图2，在下文中描述了本公开的用于为(交指状)背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法的实施方式。
图2示意性显示了用于为太阳能电池产生交指状图案的方法200的流程图(例如，在前面参考图1描述的常规工艺/方法100中由步骤S102到S108形成的交指型图案。)
在第一步S201中，将第一钝化层叠体沉积在硅基材表面上。例如，第一钝化层叠体的沉积方法和组成可以参考方法100的步骤S102进行说明。例如，第一钝化层叠体可以包含至少一层第一掺杂型(例如，p型或n型层；a-Si:H(p+或n+))(氢化)无定形硅(a-Si)。第一钝化层还可以包括本征层(a-Si:H(i))，其可以例如在掺杂层之前进行沉积。
在第二步骤S202中，使用第一干蚀刻过程使得沉积的第一钝化层叠体图案化，由此产生硅基材表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂型a-Si的区域。例如，第一钝化层叠体的图案化可以参考方法100的步骤S103-S105进行说明。例如，在一些实施方式中，第一干蚀刻工艺可以是NF3/Ar等离子体蚀刻过程。
在步骤S203中，随后对上述表面的一个或多个暴露区域进行清洁以去除由第一干蚀刻工艺残留的污染物。步骤S203将在下文中进行更详细的进一步说明。
在步骤S204中，在清洁上述表面的一个或多个暴露区域后，方法200可以包括沉积第二钝化层叠体。例如，第二钝化层叠体的沉积方法和组成可以参考方法100的步骤S107进行说明。第二钝化层叠体可以包括在一个或多个暴露区域上的至少一层不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的(氢化)a-Si层，由此在上述表面的一个或多个暴露区域上产生一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si层的区域。图案化的第一钝化层叠体和一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域可以形成交指状图案。例如，在第一掺杂类型的a-Si(即，第一钝化层叠体)的区域中沉积于硬掩模上的第二掺杂类型的a-Si的部分可以在剥离期间被去除，如参考常规方法100的步骤S108所述。
不同于参照图1描述的常规方法100的清洁步骤S106，本公开方法200的清洁步骤S203不需要使用湿化学品(例如在HF清洁工艺中)。本公开的方法200的清洁步骤S203将参考图3a-3e进行说明。
图3a示意性显示了在方法200的S201之后获得的太阳能电池的中间结构300，其包括硅基材310，在硅基材310上已沉积了第一钝化层叠体320。第一钝化层叠体320包含氢化本征无定形硅(a-Si:H(i))层322和氢化p型无定形硅(a-Si:H(p+))层324。图案化的硬掩模330也已施加在第一钝化层叠体320的顶部上，并且使用第一干蚀刻工艺340(例如，NF3/Ar等离子体蚀刻工艺)来去除没有被图案化的硬掩模330所保护的第一钝化层叠体320的区域。例如，第一干蚀刻工艺340可以在PECVD工具中进行。
图3b示意性显示了在完成第一干蚀刻工艺后太阳能电池的中间结构300的状态。来自第一干蚀刻工艺的表面污染物350(例如，F和/或N物质)保留在基材310的表面的暴露区域上。如图3b所示的太阳能电池的中间结构300的状态可以对应于步骤S202之后的太阳能电池的状态。表面污染物350显示为非均匀分布的痕量污染物。还可以设想，表面污染物350可以例如更均匀地分布，并且例如覆盖基材310的大部分暴露表面。还设想表面污染物也可以存在于硬掩模上。
图3c示意性地显示太阳能电池的中间结构300和清洁步骤S203。牺牲层360沉积在基材310表面的暴露区域上(以及硬掩模330上)，使得牺牲层360包含表面污染物350。使用第二干蚀刻工艺370(例如，基于氢的等离子体蚀刻工艺而没有污染物质)，然后去除牺牲层360，并且使得表面污染物350与牺牲层360一起被去除。在一些实施方式中，例如，牺牲层360可以是a-Si层。还可以设想，在本公开的方法200的其它实施方式中，牺牲层可以替代地或另外地包括a-Ge、a-SiGe、a-SiOx、a-SiC等。牺牲层360可以是薄的，例如，具有小于2nm的厚度。优选地，在一些实施方式中，牺牲层360的厚度可以小于1.5nm。更优选地，在一些实施方式中，牺牲层360的厚度可以小于1nm。可以去除薄的牺牲层360而不会过度损坏下层晶体硅基材310。较薄的牺牲层360可以使得所需的蚀刻时间减少，由此可以减少蚀刻期间下层硅基材310中引起(或可能引起)的缺陷数量。这例如可能在没有远程等离子体的平行板PECVD工具中很重要。例如，第二干蚀刻工艺所需的蚀刻时间可以是小于2分钟，或小于1分钟。在一些实施方式中，沉积和去除(干蚀刻)牺牲层360的温度可以是使其不超过250℃。例如，在一些实施方式中，温度可以不超过200℃或175℃。而且，在一些实施方式中，温度可以是超过150℃，从而足够高以允许沉积和去除牺牲层360。将温度保持在250℃或低于250℃可以避免损坏太阳能电池，特别是如果太阳能电池是基于氢化a-Si的硅异质结类型的话。
在一些实施方式中，第一干蚀刻工艺340和使用牺牲层360清洁/去除污染物(即，沉积牺牲层360和第二干蚀刻工艺370)可以在相同的PECVD工具内进行。
图3d示意性地显示在清洁步骤S203之后太阳能电池的中间结构300，其包括基材310的清洁的暴露表面380。
图3e示意性地显示在步骤S204之后太阳能电池的中间结构300，其中，清洁表面通过沉积第二钝化层叠体390进行再钝化。第二钝化层叠体390包含氢化本征无定形硅(a-Si:H(i))层392和氢化n型无定形硅(a-Si:H(n+))层394。例如，a-Si:H(i)392可以是在a-Si:H(n+)394之前进行沉积。第二钝化层叠体390也覆盖硬掩模330的区域，并且在随后的剥离/溶解步骤期间，在这些区域上，第二钝化层叠体390的沉积部分可以与硬掩模330一起被去除，例如，参考图1描述的常规方法100的步骤S108。图3e中太阳能电池的中间结构300的状态可以对应于本公开方法200的步骤S204之后的中间结构的状态。
在一些实施方式中，例如，牺牲层的沉积和去除可以在如现在将要描述的单个等离子体工艺中完成。
现在将参考图4描述根据本公开的该单个等离子体(清洁)工艺的实施方式，图4示意性显示功率密度(P；实线410)和流量(F；虚线420和430)与时间(t)的函数关系。可以设想本领域技术人员可以改变提供给各种参数的值，但其仍然在本公开的范围内。还应注意，图4中的图不一定按比例绘制。
在该过程开始时，在气流(H2流量(FH2)420例如在约640sccm)和压力(例如在约2-3.5mbar的压力)稳定后，等离子体可以在比加工所用的功率密度(P加工)更高的功率密度(P点燃)下点燃。一旦等离子体被点燃(在时间t点燃之后)，其可以维持在较低的功率(例如P加工)，这可以允许更好地控制该工艺并且还使得基材的等离子体相关的损坏减少。例如，用于点火和加工的典型功率密度范围可以是：P点燃＝125-300mW/cm2，并且P加工＝22-50mW/cm2。为了防止等离子体损坏，该过程的点火步骤可以保持很短(例如，t点燃<5s)。可以在加工室中仅用氢气流420点燃等离子体。这可以防止在等离子体点燃的高功率阶段期间发生沉积。如果例如以约160sccm的SiH4流量(FSiH4)430将硅烷引入具有点燃的等离子体的室中，则可能发生a-Si的沉积。如果仅在低功率阶段期间发生沉积，通过延迟硅烷流430进入室中(例如，约5-10秒的延迟时间t延迟)，则可以很好地控制沉积的Si牺牲层的厚度。沉积的a-Si牺牲层的厚度可以通过硅烷流动时间来控制，硅烷流动时间可以近似等于a-Si沉积时间(例如，约2-10秒的沉积时间t沉积)。如前文所述，沉积的a-Si层厚度可以保持小于1nm。如果关闭硅烷流430，则可以开始对沉积的a-Si牺牲层进行H等离子体蚀刻。利用例如在22mW/cm2功率密度下的1nm/分钟的蚀刻速率，牺牲层可在60秒内完全蚀刻，例如，用约40-60秒的蚀刻时间t蚀刻完全蚀刻。牺牲层的沉积和去除的整个过程可以在例如小于2分钟的时间内进行。可以选择压力和H2/SiH4气流量比率的组合，使得可以获得可靠的等离子体点燃和用于加工的稳定的等离子体。根据本公开的清洁可以在150-250℃的低温下进行，这与例如必须在低于250℃下进行加工的SHJ-IBC太阳能电池兼容以避免例如a-Si:H接触层降解。
在本公开的方法中，牺牲层的使用和随后的第二干蚀刻工艺可以允许对上述表面的暴露区域(在第一钝化层叠体的蚀刻之后)进行清洁而不使用湿化学品，并且在原位进行，因此不需要从(PECVD)工具中取出基材来进行清洁。清洁可以在干蚀刻之后直接进行，之后可以在同一工具内进行原位再钝化。这可以简化后侧加工顺序，增加基材产量并降低成本。进一步的优点可包括使用没有远程等离子体的PECVD系统。
尽管上文以特定组合描述了特征和元件，但是每个特征或元件可以单独使用而无需其它特征和元件，或者在具有或不具有其它特征和元件的各种组合中使用。这同样适用于方法和单独的方法步骤，如果没有另外明确指出，它们可以单独使用或以其他顺序组合使用。
此外，通过研究附图、公开内容和所附权利要求书，本领域技术人员在实践所要求保护的本发明时可以理解和实现所公开的实施方式的变体。即使已经参考有限数量的示例/实施方式主要描述本公开的发明构思，但是本领域技术人员容易理解，除了上文公开的示例之外的其他示例同样可以在所附权利要求限定的本发明构思的范围内。
在权利要求中，词语“包含(包括)”不排除其它元素，并且不定冠词“一个”或“一种”并不排除复数形式。在相互不同的从属权利要求中列举某些特征并不表示这些特征的组合不能被用于获得优势。
Claims (14)
1.一种用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法，所述方法包括：
在所述太阳能电池的硅基材的表面上沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含至少一层第一掺杂类型的无定形硅a-Si；
通过使用第一干蚀刻工艺使第一钝化层叠体图案化，由此产生所述表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域；
对所述表面的所述一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物；以及
在所述清洁后沉积第二钝化层叠体，从而在所述表面的一个或多个暴露区域上产生一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域，所述第二钝化层叠体包含不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的a-Si；
其中，图案化的第一钝化层叠体和一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域形成交指状图案，并且
其中，所述清洁包括：
至少在所述表面的所述一个或多个暴露区域上沉积牺牲层；以及
通过第二干蚀刻工艺去除所述牺牲层，其中，牺牲层的所述沉积和去除在不超过250℃的温度下进行。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层是a-Si层。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，牺牲层的平均厚度小于2nm，优选小于1.5nm，并且更优选小于1nm。
4.如权利要求1-3中任一所述的方法，其中，第一干蚀刻工艺是NF3/Ar等离子体蚀刻工艺。
5.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，第二干蚀刻工艺是氢等离子体蚀刻工艺。
6.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，牺牲层使用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺进行沉积。
7.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，在相同的PECVD工具中进行第一钝化层叠体的沉积和/或图案化以及所述一个或多个暴露区域的清洁。
8.如权利要求7所述的方法，其中，在相同PECVD工具中进行第二钝化层叠体的沉积。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，第一掺杂类型是正的，并且第二掺杂类型是负的。
10.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，第一掺杂类型是负的，并且第二掺杂类型是正的。
11.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括：形成与所述一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域和所述一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域接触的电极。
12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除在不超过200℃的温度下进行。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除在150℃或大于150℃的温度下进行。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除形成了单个等离子体工艺的部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP18175113.2 | 2018-05-30 | ||
| EP18175113.2A EP3576163B1 (en) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | Method for in situ surface repassivation in back-contacted solar cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110634963A true CN110634963A (zh) | 2019-12-31 |
Family
ID=62492475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910452628.8A Pending CN110634963A (zh) | 2018-05-30 | 2019-05-28 | 背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10847662B2 (zh) |
| EP (1) | EP3576163B1 (zh) |
| JP (1) | JP2019212896A (zh) |
| CN (1) | CN110634963A (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3624204B1 (en) * | 2018-09-13 | 2023-04-26 | IMEC vzw | Selective deposition for interdigitated patterns in solar cells |
| TWI730884B (zh) * | 2020-08-27 | 2021-06-11 | 新唐科技股份有限公司 | 半導體結構及其形成方法 |
| CN115985991A (zh) * | 2022-12-22 | 2023-04-18 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法 |
| CN117936652A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-26 | 金阳(泉州)新能源科技有限公司 | 一种背膜连镀的背接触电池的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990040580A (ko) * | 1997-11-19 | 1999-06-05 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 구동기판 제조방법 |
| CN1414612A (zh) * | 2002-07-19 | 2003-04-30 | 上海华虹（集团）有限公司 | 抗反射膜SiON表面氢等离子体处理方法 |
| CN1901143A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法 |
| CN101622717A (zh) * | 2006-09-29 | 2010-01-06 | 可再生能源公司 | 背接触型太阳能电池 |
| WO2014044482A2 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Imec | Method for fabricating silicon photovoltaic cells |
| US20140360567A1 (en) * | 2011-08-05 | 2014-12-11 | Solexel, Inc. | Back contact solar cells using aluminum-based alloy metallization |
| US20180130701A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277194B1 (en) | 1999-10-21 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber |
| US6776171B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-08-17 | International Business Machines Corporation | Cleaning of semiconductor wafers by contaminate encapsulation |
| US20030170992A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Farber David Gerald | Method of passivating and/or removing contaminants on a low-k dielectric/copper surface |
| US7064073B1 (en) | 2003-05-09 | 2006-06-20 | Newport Fab, Llc | Technique for reducing contaminants in fabrication of semiconductor wafers |
| FR2880471B1 (fr) | 2004-12-31 | 2007-03-09 | Altis Semiconductor Snc | Procede de nettoyage d'un semiconducteur |
| JP2018093180A (ja) * | 2016-11-03 | 2018-06-14 | アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ | アモルファス半導体層をパターン化する方法 |
-
2018
- 2018-05-30 EP EP18175113.2A patent/EP3576163B1/en active Active
-
2019
- 2019-03-18 JP JP2019049447A patent/JP2019212896A/ja active Pending
- 2019-05-28 CN CN201910452628.8A patent/CN110634963A/zh active Pending
- 2019-05-30 US US16/426,796 patent/US10847662B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990040580A (ko) * | 1997-11-19 | 1999-06-05 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 구동기판 제조방법 |
| CN1414612A (zh) * | 2002-07-19 | 2003-04-30 | 上海华虹（集团）有限公司 | 抗反射膜SiON表面氢等离子体处理方法 |
| CN1901143A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法 |
| CN101622717A (zh) * | 2006-09-29 | 2010-01-06 | 可再生能源公司 | 背接触型太阳能电池 |
| US20140360567A1 (en) * | 2011-08-05 | 2014-12-11 | Solexel, Inc. | Back contact solar cells using aluminum-based alloy metallization |
| WO2014044482A2 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Imec | Method for fabricating silicon photovoltaic cells |
| US20180130701A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| XU ML, ET AL: "Damage-free laser ablation for emitter patterning of silicon heterojunction interdigitated back-contact solar cells", IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE, pages 1233 - 1236 * |
| 裴文俊;林祖伦;祁康成;王小菊;: "场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响", 电子器件, no. 06 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019212896A (ja) | 2019-12-12 |
| EP3576163B1 (en) | 2021-01-27 |
| US10847662B2 (en) | 2020-11-24 |
| US20190371946A1 (en) | 2019-12-05 |
| EP3576163A1 (en) | 2019-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11605750B2 (en) | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material | |
| CN110634963A (zh) | 背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法 | |
| US7670638B2 (en) | Protection layer for fabricating a solar cell | |
| TWI655676B (zh) | 使用離子佈植製造的太陽電池射極區域 | |
| US20100071765A1 (en) | Method for fabricating a solar cell using a direct-pattern pin-hole-free masking layer | |
| CN116325181A (zh) | 对硅层中的抗蚀刻性进行局部改性的方法，以及该方法在制造钝化触点太阳能电池和由此产生的太阳能电池中的使用 | |
| CN114792744A (zh) | 太阳电池及其制备方法和应用 | |
| WO2014092649A1 (en) | A method of manufacturing a photovoltaic cell | |
| US20160072001A1 (en) | Method for fabricating crystalline photovoltaic cells | |
| EP3624204B1 (en) | Selective deposition for interdigitated patterns in solar cells | |
| WO2016203013A1 (fr) | Procede de realisation d'une cellule photovoltaique a heterojonction | |
| WO2024095123A1 (en) | Solar cell | |
| JP2015060884A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |