CN110601666B - 一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器，其中所述功率管模拟电路包括信号传输电路和功率管；所述信号传输电路的第一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述信号传输电路的第二端作为功率管模拟电路的第二端；所述信号传输电路的第三端与所述功率管的第二端连接，所述信号传输电路的第四端与所述功率管的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第三端。通过所述信号传输电路可以将功率管模拟成与之互补的具有大功率的另一功率管，从而解决了对称高压大功率的输出级电路的构建困难，有效地提高了现有功率放大器的输出级电路的耐压程度和输出功率。
Description
技术领域
本发明涉及过流保护技术领域，尤其涉及一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器。
背景技术
线性功率放大器是一种把小信号的电压电流进行放大，以推动大功率负载的放大器，广泛应用在电子技术的各种领域，比如扬声器、电动机。功率放大器由前级放大电路、推动级电路和输出级电路构成。前级放大电路和推动级电路是电压的放大器，只放大信号的电压，电路的电流很小，所以发热和损耗不大，不容易损坏。功率输出级电路是射极跟随器或源极跟随器，输出端直接与负载相连接，电压放大倍数为1。
在现有技术中，功率放大器的输出级电路通常由一对互补的双极型三极管BJT组成射极跟随器，比如NPN型三极管和PNP型三极管；或者通过一对互补的场效应管MOSFET组成源极跟随器，比如N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。其中，大功率NPN三极管和N沟道MOS晶体管是很常用的元器件，市场上容易购买到。然而大功率PNP三极管和P沟道MOS晶体管的品种却非常少，功率大或者耐压高的大功率PNP三极管和P沟道MOS晶体管更是没有厂家生产。因此，要构建对称的高压大功率的输出级电路非常困难。现有技术通过利用一个PNP型三极管和N沟道MOS晶体管复合成一个类似P沟道的MOS晶体管，然而该复合管受限于PNP型三极管的性能，功率放大器的输出级电路的耐压程度不高，输入电阻也不大，输出级电路的输出功率有限。
发明内容
本发明提供一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器，以解决对称高压大功率的输出级电路的构建困难、以及输出级电路的耐压程度不高、输出功率不大的问题。
本发明的是这样实现的，一种功率管模拟电路，包括信号传输电路和功率管；
所述信号传输电路的第一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述信号传输电路的第二端作为功率管模拟电路的第二端；所述信号传输电路的第三端与所述功率管的第二端连接，所述信号传输电路的第四端与所述功率管的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第三端；
所述信号传输电路的第一端与第二端之间的输入信号与所述信号传输电路的第三端和第四端之间的输出信号之比为比例系数K，其中，所述比例系数K为正整数；
当所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间存在电压信号/电流信号时，所述信号传输电路获取所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通，当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
第二方面，提供一种功率放大器的输出级电路，所述输出级电路包括：N沟道MOS晶体管和如上所述的功率管模拟电路；
所述N沟道MOS晶体管的栅极与所述功率管模拟电路的栅极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述N沟道MOS晶体管的源极和所述功率管模拟电路的源极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载；
所述N沟道MOS晶体管的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路的漏极连接电源负极。
第三方面，提供一种功率放大器的输出级电路，所述输出级电路包括：NPN型三极管和如上所述的功率管模拟电路；
所述NPN型三极管的基极与所述功率管模拟电路的基极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述NPN型三极管的发射极和所述功率管模拟电路的发射极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载；
所述NPN型三极管的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路的集电极连接电源负极。
第四方面，提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：N沟道MOS晶体管、如上所述的功率管模拟电路、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻；
所述第三运算放大器的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻连接，所述第五电阻的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器的输出端分别连接所述N沟道MOS晶体管的栅极和所述功率管模拟电路的栅极；
所述N沟道MOS晶体管的源极和所述功率管模拟电路的源极之间的共接点连接负载和所述第四电阻，所述第四电阻的另一端连接所述第三运算放大器的反向输入端；
所述N沟道MOS晶体管的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路的漏极连接电源负极。
第五方面，提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：NPN型三极管、如上所述的功率管模拟电路、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻；
所述第三运算放大器的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻连接，所述第五电阻的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器的输出端分别连接所述NPN型三极管的基极和所述功率管模拟电路的基极；
所述NPN型三极管的发射极和所述功率管模拟电路的发射极之间的共接点连接负载和所述第四电阻，所述第四电阻的另一端连接所述第三运算放大器的反向输入端；
所述NPN型三极管的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路的集电极连接电源负极。
本发明提供的功率管模拟电路，包括功率管和信号传输电路，通过所述信号传输电路可以将所述功率管模拟成与之互补的具有大功率的功率管，将所述功率管模拟电路应用到功率放大器的输出级，可解决对称高压大功率的输出级电路的构建困难，有效地提高了现有功率放大器的输出级电路的耐压程度和输出功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的功率管模拟电路的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图3是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图4是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图5是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图6是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图7是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图8是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图9是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图10是本发明另一实施例提供的功率管模拟电路的电路图；
图11是本发明一实施例提供的输出级电路的结构示意图；
图12是本发明另一实施例提供的输出级电路的结构示意图；
图13是本发明一实施例提供的功率放大器的结构示意图；
图14是本发明另一实施例提供的功率放大器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种功率管模拟电路，所述功率管模拟电路用于将功率管模拟成与之互补的另一功率管。图1示出了本发明实施例提供的功率管模拟电路的结构示意图。如图1所示，所述功率管模拟电路10包括：信号传输电路11和功率管12。
所述信号传输电路11的第一端与所述功率管12的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第一端，所述信号传输电路11的第二端作为功率管模拟电路10的第二端；所述信号传输电路11的第三端与所述功率管12的第二端连接，所述信号传输电路11的第四端与所述功率管12的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第三端；
所述信号传输电路11的第一端与第二端之间的输入信号与所述信号传输电路11的第三端和第四端之间的输出信号之比为比例系数K，其中，所述比例系数K为正整数；
当所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间存在电压信号/电流信号时，所述信号传输电路11获取所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通，当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述信号传输电路11以所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。将所述功率管模拟电路10和所述功率管12共同应用到功率放大器的输出级，可有效提高现有功率放大器的输出级电路的耐压程度和输出功率。在这里，为解决对称高压大功率的输出级电路的构建困难，所述功率管12可以采用市场上常见并容易购买的功率管。
可选地，所述信号传输电路包括但不限于隔离式信号传输电路、非隔离式信号传输电路。其中隔离式信号传输电路采用隔离的方式实现信号的传输和转换，非隔离式信号传输电路是指采用非隔离的方式实现信号的传输和转换。
具体地，作为一种实施方式，如图2所示，所述信号传输电路11为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路11包括光电隔离模块111；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块111的输入信号，所述光电隔离模块111根据光电隔离原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述光电隔离模块111包括光耦合部分和光隔离部分。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号加在所述光电隔离模块111的光耦合部分上，作为所述光电隔离模块111的输入信号。当所述光耦合部分根据输入信号产生光信号时，所述光隔离部分接收光信号并产生光电流，以及按照所述比例系数K输出电信号，作为所述光电隔离模块111的输出信号。所述输出信号加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
可选地，所述光电隔离模块111可以采用已封装好的光电隔离模块，比如型号为AD203、AD203、AD204的光电隔离模块，也可以采用自定义的光电隔离模块。
具体地，作为一种实施方式，如图3所示，所述光电隔离模块111包括：第一电阻R1、发光二极管LED、光电二极管PD1、运算放大器U1、第二电阻R2；
所述第一电阻R1的一端与所述功率管12的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第一端，所述第一电阻R1的另一端与所述发光二极管LED的正极连接，所述发光二极管LED的负极作为所述功率管模拟电路10的第二端，并接浮地输出；
所述光电二极管PD1的正极与所述功率管12的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第三端，所述光电二极管PD1的负极与所述第二电阻R2的一端共接于所述运算放大器U1的反相输入端，所述运算放大器U1的正相输入端接地，所述第二电阻R2的另一端与所述运算放大器U1的输出端之间的共接点连接所述功率管12的第二端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块111的输入信号，通过第一电阻R1作用到发光二极管LED上，使所述发光二极管LED导通产生光信号，所述光电二极管PD1接收并将所述光信号转换为电信号传输到运算放大器U1，所述运算放大器U1按照比例系数K对所述电信号进行缩放，得到所述光电隔离模块111的输出信号。所述输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述第一电阻R1、发光二极管LED构成所述光电隔离模块111的光耦合部分，所述光电二极管PD1、运算放大器U1、第二电阻R2构成所述光电隔离模块111的光隔离部分。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号加在所述光电隔离模块111的光耦合部分上，作为所述光电隔离模块111的输入信号。当所述输入信号通过第一电阻R1作用到发光二极管LED上时，所述发光二极管LED导通产生光信号，所述光电二极管PD1接收并将所述光信号转换为电信号传输到运算放大器U1，通过运算放大器U1按照比例系数K将所述电信号转换为所述光电隔离模块111的输出信号，加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
具体地，作为一种实施方式，如图4所示，所述光电隔离模块111包括：第一电阻R1、第一运算放大器U1、第二电阻R2、线性光耦模块M1、第二运算放大器U2、第三电阻R3；
所述第一电阻R1的一端与所述功率管12的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第一端，所述第一电阻R1的另一端与所述线性光耦模块M1的第三端之间的共接点连接所述第一运算放大器U1的反相输入端，所述第一运算放大器U1的正相输入端作为所述功率管模拟电路10的第二端，并接浮地输出；所述第一运算放大器U1的输出端连接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接所述线性光耦模块M1的第一端，所述线性光耦模块M1的第二端接电源VCC，所述线性光耦模块M1的第四端接浮地输出；所述线性光耦模块M1的第五端与所述第二运算放大器U2的正相输入端、所述功率管12的第三端之间的共接点接地，作为所述功率管模拟电路10的第三端；所述线性光耦模块M1的第六端与所述第三电阻R3的一端共接于所述第二运算放大器U2的反相输入端，所述第三电阻R3的另一端与所述第二运算放大器U2的输出端之间的共接点连接所述功率管12的第二端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块111的输入信号，经第一运算放大器U1放大后，作用到所述线性光耦模块M1上，所述线性光耦模块M1产生光信号，并将所述光信号转换为电信号传输到所述第二运算放大器U2以及反馈至所述第一运算放大器U1，所述第二运算放大器U2按照比例系数K对所述电信号进行缩放，得到所述光电隔离模块111的输出信号。所述输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述线性光耦模块M1中包括发光二极管LED、第一光电二极管PD1、第二光电二极管PD2。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块111的输入信号，通过第一电阻R1和第一运算放大器U1放大后加在所述线性光耦模块M1内的发光二极管LED上，所述发光二极管LED导通产生光信号。在这里，所述输入信号通过所述第一运算放大器U1控制发光二极管LED的电流来控制光信号的强度。所述光信号同时被所述第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2采集。所述第一光电二极管PD1和所述第一运算放大器U1构成负反馈，可有效提升信号传输电路的稳定性和线性度。所述第二光电二极管PD2接收并将所述光信号转换为电信号，所述电信号进一步经过所述第二运算放大器U2的缩放，转换为所述光电隔离模块111的输出信号，加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
可选地，所述线性光耦模块M1包括但不限于HCNR200系列的线性光耦模块。
具体地，作为一种实施方式，如图5所示，所述信号传输电路11为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路11包括磁隔离模块112；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述磁隔离模块112的输入信号，所述磁隔离模块112根据电磁隔离原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述磁隔离模块112包括磁耦合部分和磁隔离部分。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号加在所述磁隔离模块112的磁耦合部分上，作为所述磁隔离模块112的输入信号。当所述磁耦合部分根据输入信号产生磁信号时，所述磁隔离部分接收磁信号并产生电流，以及按照所述比例系数K输出电信号，作为所述磁隔离模块112的输出信号。所述输出信号加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
具体地，作为一种实施方式，如图6所示，所述磁隔离模块112包括：电容C1、变压器T1；
所述变压器T1一次绕组的第一端与所述功率管12的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第一端，所述变压器T1中一次绕组的第二端连接所述电容C1，所述电容C1的另一端作为所述功率管模拟电路10的第二端；所述变压器T1中的二次绕组的第一端与所述功率管12的第二端连接，所述二次绕组的第二端与所述功率管12的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第三端；所述一次绕组的第一端与所述二次绕组的第一端为同名端，所述一次绕组的第二端与所述二次绕组的第二端为同名端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述磁隔离模块112的输入信号，作用在变压器T1的一次绕组上，所述变压器T1的二次绕组按照所述比例系数K感应出电信号，作为所述磁隔离模块112的输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述电容C1与变压器T1中的一次绕组构成所述磁隔离模块112的磁耦合部分，所述变压器T1的二次绕组构成磁隔离部分。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号加在所述磁隔离模块112的磁耦合部分上，作为所述磁隔离模块112的输入信号。其中，所述电容C1为隔直电容，以隔离所述输入信号中的直流成分。当所述变压器T1中的一次绕组根据输入信号产生磁信号时，所述二次绕组接收所述磁信号，以及根据所述磁信号按照比例系数K感应出电信号，作为所述磁隔离模块112的输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
具体地，作为一种实施方式，如图7所示，所述信号传输电路11为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路11包括电容隔离模块113；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述电容隔离模块113的输入信号，所述电容隔离模块113根据电容耦合原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述电容隔离模块113包括耦合电容。所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述电容隔离模块113的输入信号，加在所述电容隔离模块113的耦合电容上。所述耦合电容将输入信号从前级耦合到后级，同时隔离所述输入信号中的直流成分，然后按照所述比例系数K对所述输入信号进行缩放后输出电信号，作为电容隔离模块113的输出信号。所述输出信号加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
具体地，作为一种实施方式，如图8所示，所述信号传输电路11为非隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路包括差动运算放大电路114；
所述差动运算放大电路114的第一信号输入端与所述功率管12的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的第一端，所述差动运算放大电路114的第二信号输入端作为所述功率管模拟电路10的第二端；所述差动运算放大电路114的输出端与所述功率管12的第二端连接，所述差动运算放大电路114的第三输入端与所述功率管12的第三端之间的共接点接浮地输出，作为所述功率管模拟电路10的第三端；
在所述信号传输电路中，所述差动运算放大电路114通过第一信号输入端获取所述功率管模拟电路10的第一端的电压信号/电流信号，通过第二信号输入端获取所述功率管模拟电路10的第二端的电压信号/电流信号，得到输入信号，然后按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10构成所述功率管12的互补功率管。
在本实施例中，所述功率管模拟电路10的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号分别加在所述差动运算放大电路114的第一信号输入端和第二信号输入端上，其中所述第一信号输入端为正相输入端，第二信号输入端为反相输入端。所述差动运算放大电路114计算所述第一信号输入端和第二信号输入端上的信号之差，得到输入信号，然后按照所述比例系数K对所述输入信号进行缩放，得到输出信号，所述输出信号加在所述功率管12的第二端和第三端之间，以使所述功率管12导通；当所述功率管12导通时，所述功率管模拟电路10则构成与所述功率管12互补的具有大功率的功率管。
在上述图1至图8任一实施例中，所述功率管12包括但不限于N沟道MOS晶体管、NPN型三极管。当所述功率管12为N沟道MOS晶体管时，所述信号传输电路11通过电压控制N沟道MOS晶体管的电压源，所述功率管模拟电路10构成与所述N沟道MOS晶体管互补的具有大功率的P沟道MOS晶体管。当所述功率管12为NPN型三极管时，所述信号传输电路11通过电流控制NPN型三极管的电流源，所述功率管模拟电路10构成与所述NPN型三极管互补的具有大功率的PNP型三极管。
具体地，作为一种实施方式，如图9所示，当所述功率管为N沟道MOS晶体管T01时，所述信号传输电路11的第一端与所述N沟道MOS晶体管T01的漏极之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的源极，所述信号传输电路11的第二端作为所述功率管模拟电路10的栅极；所述信号传输电路11的第三端与所述N沟道MOS晶体管T01的栅极连接，所述信号传输电路11的第四端与所述N沟道MOS晶体管T01的源极之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的漏极；
所述信号传输电路11的第一端与第二端之间的输入信号与所述信号传输电路11的第三端和第四端之间的输出信号之比为比例系数K，其中，所述比例系数K为正整数；
当所述功率管模拟电路10的源极和栅极之间存在电压信号时，所述信号传输电路11获取所述功率管模拟电路10的源极和栅极之间的电压信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述N沟道MOS晶体管T01的栅极和源极之间，以使所述N沟道MOS晶体管T01导通，所述功率管模拟电路10构成与所述N沟道MOS晶体管T01互补的P沟道MOS晶体管。
其中，所述信号传输电路11的电路结构及实现原理具体参见上述实施例的叙述，此处不再赘述。改变所述功率管模拟电路10的源极和栅极之间的电压，则改变所述N沟道MOS晶体管T01的栅极和源极之间的电压。对于外部电路来讲，所述功率管模拟电路10构成与所述N沟道MOS晶体管T01互补的P沟道MOS晶体管，其中所述功率管模拟电路10的第一端构成P沟道MOS晶体管的源极，第二端构成P沟道MOS晶体管的栅极，第三端构成P沟道MOS晶体管的漏极。
具体地，作为一种实施方式，如图10所示，当所述功率管12为NPN型三极管VT01时，所述信号传输电路11的第一端与所述NPN型三极管VT01的集电极之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的发射极，所述信号传输电路11的第二端作为所述功率管模拟电路10的基极；所述信号传输电路11的第三端与所述NPN型三极管VT01的基极连接，所述信号传输电路11的第四端与所述NPN型三极管VT01的发射极之间的共接点作为所述功率管模拟电路10的集电极；
所述信号传输电路11的第一端与第二端之间的输入信号I1与所述信号传输电路11的第三端和第四端之间的输出信号I2之比为比例系数K，其中，所述比例系数K为正整数；
当所述功率管模拟电路10的发射极和基极之间存在电流信号时，所述信号传输电路11获取所述功率管模拟电路10的发射极和基极之间的电流信号作为输入信号I1，并按照比例系数K将所述输入信号I1转换为输出信号I2，然后将所述输出信号I2传输到所述NPN型三极管VT01的基极和发射极之间，以使所述NPN型三极管VT01导通，所述功率管模拟电路10构成与所述NPN型三极管VT01互补的PNP型三极管。
其中，所述信号传输电路11的电路结构及实现原理具体参见上述实施例的叙述，此处不再赘述。改变所述功率管模拟电路10的发射极和基极之间的电流，则改变所述NPN型三极管VT01的基极和发射极之间的电流。对于外部电路来讲，所述功率管模拟电路10构成与所述NPN型三极管VT01互补的PNP型三极管，其中所述功率管模拟电路10的第一端构成PNP型三极管的发射极，第二端构成PNP型三极管的基极，第三端构成PNP型三极管的集电极。
具体地，作为一种实施方式，如图11所示，为本发明实施例提供的一种功率放大器的输出级电路，所述输出级电路包括：N沟道MOS晶体管T02和功率管模拟电路10；
所述N沟道MOS晶体管T02的栅极与所述功率管模拟电路10的栅极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述N沟道MOS晶体管T02的源极和所述功率管模拟电路10的源极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载RL；
所述N沟道MOS晶体管T02的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路10的漏极连接电源负极。
所述功率管模拟电路为基于N沟道MOS晶体管T01模拟得到的P沟道MOS晶体管，具体请参见上述图1至图9实施例的叙述，此处不再赘述。本实施例通过构建信号传输电路，把具有大功率的N沟道MOS晶体管模拟成具有大功率的P沟道MOS晶体管，得到所述功率管模拟电路10。使用所述功率管模拟电路10和现有技术中的N沟道MOS晶体管构建功率放大器的输出级电路，实现了基于全N沟道MOS晶体管的输出级电路，有效地解决了现有技术中大功率P沟道MOS晶体管的品种少、购买困难导致的高压大功率的输出级电路的构建困难，也解决了基于现有复合管构建的输出级电路的耐压程度不高、输出功率有限的问题，提高了输出级电路的耐压程度和输出功率。
具体地，作为一种实施方式，如图12所示，为本发明实施例提供的一种功率放大器的输出级电路，所述输出级电路包括：NPN型三极管VT02和功率管模拟电路10；
所述NPN型三极管VT02的基极与所述功率管模拟电路10的基极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述NPN型三极管VT02的发射极和所述功率管模拟电路10的发射极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载RL；
所述NPN型三极管VT02的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路10的集电极连接电源负极。
所述功率管模拟电路10为基于NPN型三极管VT01模拟得到的PNP型三极管，具体请参见上述图1至图8、图10实施例的叙述，此处不再赘述。本实施例通过构建信号传输电路，把具有大功率的NPN型三极管模拟成具有大功率的PNP型三极管，得到所述功率管模拟电路10。使用所述功率管模拟电路10和现有技术中的NPN型三极管构建功率放大器的输出级电路，实现了基于全NPN型三极管的输出级电路，有效地解决了现有技术中大功率PNP型三极管的品种少、购买困难导致的高压大功率的输出级电路的构建困难，也解决了基于现有复合管构建的输出级电路的耐压程度不高、输出功率有限的问题，提高了输出级电路的耐压程度和输出功率。
具体地，作为一种实施方式，如图13所示，为本发明实施例提供的一种功率放大器，所述功率放大器包括：N沟道MOS晶体管T02、功率管模拟电路10、第三运算放大器U3、第四电阻R4、第五电阻R5；
所述第三运算放大器U3的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻R5连接，所述第五电阻R5的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器U3的输出端分别连接所述N沟道MOS晶体管T02的栅极和所述功率管模拟电路10的栅极；
所述N沟道MOS晶体管T02的源极和所述功率管模拟电路10的源极之间的共接点连接负载和所述第四电阻R4，所述第四电阻R4的另一端连接所述第三运算放大器U3的反向输入端；
所述N沟道MOS晶体管T02的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路10的漏极连接电源负极。
所述功率管模拟电路10为基于N沟道MOS晶体管T01模拟得到的P沟道MOS晶体管，具体请参见上述图1至图9实施例的叙述，此处不再赘述。本实施例以所述功率管模拟电路10作为P沟道MOS晶体管，结合N沟道MOS晶体管构建输出级电路，同时加入由第四电阻R4、第五电阻R5和第三运算放大器U3构成的负反馈电路，得到基于全N沟道MOS晶体管的功率放大器。在所述功率放大器中，输出电压Uo与输入电压Ui之间的关系为：Uo＝Ui*R1/R2。所述功率放大器无需大功率的P沟道MOS晶体管，生产更加容易，且提高了输出级电路的耐压程度和输出功率，解决了基于现有复合管构建的功率放大器的耐压程度不高、输出功率有限的问题。
具体地，作为一种实施方式，如图13所示，为本发明实施例提供的一种功率放大器，所述功率放大器包括：NPN型三极管VT02、功率管模拟电路10、第三运算放大器U3、第四电阻R4、第五电阻R5；
所述第三运算放大器U3的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻R5连接，所述第五电阻R5的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器U3的输出端分别连接所述NPN型三极管VT02的基极和所述功率管模拟电路10的基极；
所述NPN型三极管VT02的发射极和所述功率管模拟电路10的发射极之间的共接点连接负载和所述第四电阻R4，所述第四电阻R4的另一端连接所述第三运算放大器U3的反向输入端；
所述NPN型三极管VT02的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路10的集电极连接电源负极。
所述功率管模拟电路10为基于NPN型三极管VT01模拟得到的PNP型三极管，具体请参见上述图1至图8、图10实施例的叙述，此处不再赘述。本实施例以所述功率管模拟电路10作为PNP型三极管，结合NPN型三极管构建输出级电路，同时加入由第四电阻R4、第五电阻R5和第三运算放大器U3构成的负反馈电路，得到基于全NPN型三极管的功率放大器。在所述功率放大器中，输出电压Uo与输入电压Ui之间的关系为：Uo＝Ui*R1/R2。所述功率放大器无需大功率的PNP型三极管，生产更加容易，且提高了输出级电路的耐压程度和输出功率，解决了基于现有复合管构建的功率放大器的耐压程度不高、输出功率有限的问题。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种功率管模拟电路，其特征在于，包括信号传输电路和功率管；
所述信号传输电路的第一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述信号传输电路的第二端作为功率管模拟电路的第二端；所述信号传输电路的第三端与所述功率管的第二端连接，所述信号传输电路的第四端与所述功率管的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第三端；
所述信号传输电路的第一端与第二端之间的输入信号与所述信号传输电路的第三端和第四端之间的输出信号之比为比例系数K，其中，所述比例系数K为正整数；
当所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间存在电压信号/电流信号时，所述信号传输电路获取所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通，当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管，所述功率管模拟电路和所述功率管共同应用于功率放大器的输出级。
2.如权利要求1所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述信号传输电路为隔离式信号传输电路或者非隔离式信号传输电路。
3.如权利要求2所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述信号传输电路为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路包括光电隔离模块；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块的输入信号，所述光电隔离模块根据光电隔离原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
4.如权利要求3所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述光电隔离模块包括：第一电阻、发光二极管、光电二极管、运算放大器、第二电阻；
所述第一电阻的一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述第一电阻的另一端与所述发光二极管的正极连接，所述发光二极管的负极作为所述功率管模拟电路的第二端，并接浮地输出；
所述光电二极管的正极与所述功率管的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第三端，所述光电二极管的负极与所述第二电阻的一端共接于所述运算放大器的反相输入端，所述运算放大器的正相输入端接地，所述第二电阻的另一端与所述运算放大器的输出端之间的共接点连接所述功率管的第二端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块的输入信号，通过第一电阻作用到发光二极管上，使所述发光二极管导通产生光信号，所述光电二极管接收并将所述光信号转换为电信号传输到运算放大器，所述运算放大器按照比例系数K对所述电信号进行缩放，得到所述光电隔离模块的输出信号；所述输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
5.如权利要求3所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述光电隔离模块包括：第一电阻、第一运算放大器、第二电阻、线性光耦模块、第二运算放大器、第三电阻；
所述第一电阻的一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述第一电阻的另一端与所述线性光耦模块的第三端之间的共接点连接所述第一运算放大器的反相输入端，所述第一运算放大器的正相输入端作为所述功率管模拟电路的第二端，并接浮地输出；所述第一运算放大器的输出端连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述线性光耦模块的第一端，所述线性光耦模块的第二端接电源，所述线性光耦模块的第四端接浮地输出；所述线性光耦模块的第五端与所述第二运算放大器的正相输入端、所述功率管的第三端之间的共接点接地，作为所述功率管模拟电路的第三端；所述线性光耦模块的第六端与所述第三电阻的一端共接于所述第二运算放大器的反相输入端，所述第三电阻的另一端与所述第二运算放大器的输出端之间的共接点连接所述功率管的第二端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述光电隔离模块的输入信号，经第一运算放大器放大后，作用到所述线性光耦模块上，所述线性光耦模块产生光信号，并将所述光信号转换为电信号传输到所述第二运算放大器以及反馈至所述第一运算放大器，所述第二运算放大器按照比例系数K对所述电信号进行缩放，得到所述光电隔离模块的输出信号；所述输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
6.如权利要求2所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述信号传输电路为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路包括磁隔离模块；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述磁隔离模块的输入信号，所述磁隔离模块根据电磁隔离原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
7.如权利要求6所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述磁隔离模块包括：电容、变压器；
所述变压器一次绕组的第一端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述变压器中一次绕组的第二端连接所述电容，所述电容的另一端作为所述功率管模拟电路的第二端；所述变压器中的二次绕组的第一端与所述功率管的第二端连接，所述二次绕组的第二端与所述功率管的第三端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第三端；所述一次绕组的第一端与所述二次绕组的第一端为同名端，所述一次绕组的第二端与所述二次绕组的第二端为同名端；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述磁隔离模块的输入信号，作用在变压器的一次绕组上，所述变压器的二次绕组按照所述比例系数K感应出电信号，作为所述磁隔离模块的输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
8.如权利要求2所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述信号传输电路为隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路包括电容隔离模块；
在所述信号传输电路中，所述功率管模拟电路的第一端和第二端之间的电压信号/电流信号作为所述电容隔离模块的输入信号，所述电容隔离模块根据电容耦合原理将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
9.如权利要求2所述的功率管模拟电路，其特征在于，所述信号传输电路为非隔离式信号传输电路时，所述信号传输电路包括差动运算放大电路；
所述差动运算放大电路的第一信号输入端与所述功率管的第一端之间的共接点作为所述功率管模拟电路的第一端，所述差动运算放大电路的第二信号输入端作为所述功率管模拟电路的第二端；所述差动运算放大电路的输出端与所述功率管的第二端连接，所述差动运算放大电路的第三输入端与所述功率管的第三端之间的共接点接浮地输出，作为所述功率管模拟电路的第三端；
在所述信号传输电路中，所述差动运算放大电路通过第一信号输入端获取所述功率管模拟电路的第一端的电压信号/电流信号，通过第二信号输入端获取所述功率管模拟电路的第二端的电压信号/电流信号，得到输入信号，然后按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号传输到所述功率管的第二端和第三端之间，以使所述功率管导通；当所述功率管导通时，所述功率管模拟电路构成所述功率管的互补功率管。
10.如权利要求1至9任一项所述的功率管模拟电路，其特征在于，当所述功率管为N沟道MOS晶体管时，所述信号传输电路的第一端与所述N沟道MOS晶体管的漏极之间的共接点作为所述功率管模拟电路的源极，所述信号传输电路的第二端作为所述功率管模拟电路的栅极；所述信号传输电路的第三端与所述N沟道MOS晶体管的栅极连接，所述信号传输电路的第四端与所述N沟道MOS晶体管的源极之间的共接点作为所述功率管模拟电路的漏极；
当所述功率管模拟电路的源极和栅极之间存在电压信号时，所述信号传输电路获取所述功率管模拟电路的源极和栅极之间的电压信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述N沟道MOS晶体管的栅极和源极之间，以使所述N沟道MOS晶体管导通；当所述N沟道MOS晶体管导通时，所述功率管模拟电路构成与所述N沟道MOS晶体管互补的P沟道MOS晶体管，所述功率管模拟电路的第一端构成P沟道MOS晶体管的源极，第二端构成P沟道MOS晶体管的栅极，第三端构成P沟道MOS晶体管的漏极。
11.如权利要求1至9任一项所述的功率管模拟电路，其特征在于，当所述功率管为NPN型三极管时，所述信号传输电路的第一端与所述NPN型三极管的集电极之间的共接点作为所述功率管模拟电路的发射极，所述信号传输电路的第二端作为所述功率管模拟电路的基极；所述信号传输电路的第三端与所述NPN型三极管的基极连接，所述信号传输电路的第四端与所述NPN型三极管的发射极之间的共接点作为所述功率管模拟电路的集电极；
当所述功率管模拟电路的发射极和基极之间存在电流信号时，所述信号传输电路获取所述功率管模拟电路的发射极和基极之间的电流信号作为输入信号，并按照比例系数K将所述输入信号转换为输出信号，然后将所述输出信号传输到所述NPN型三极管的基极和发射极之间，以使所述NPN型三极管导通；当所述NPN型三极管导通时，所述功率管模拟电路构成与所述NPN型三极管互补的PNP型三极管，所述功率管模拟电路的第一端构成PNP型三极管的发射极，第二端构成PNP型三极管的基极，第三端构成PNP型三极管的集电极。
12.一种功率放大器的输出级电路，其特征在于，所述输出级电路包括：N沟道MOS晶体管和如权利要求10所述的功率管模拟电路；
所述N沟道MOS晶体管的栅极与所述功率管模拟电路的栅极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述N沟道MOS晶体管的源极和所述功率管模拟电路的源极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载；
所述N沟道MOS晶体管的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路的漏极连接电源负极。
13.一种功率放大器的输出级电路，其特征在于，所述输出级电路包括：NPN型三极管和如权利要求11所述的功率管模拟电路；
所述NPN型三极管的基极与所述功率管模拟电路的基极之间的共接点作为所述输出级电路的输入端，连接所述功率放大器的电压放大级的输出端；
所述NPN型三极管的发射极和所述功率管模拟电路的发射极之间的共接点作为所述输出级电路的输出端，连接负载；
所述NPN型三极管的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路的集电极连接电源负极。
14.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：N沟道MOS晶体管、如权利要求10所述的功率管模拟电路、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻；
所述第三运算放大器的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻连接，所述第五电阻的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器的输出端分别连接所述N沟道MOS晶体管的栅极和所述功率管模拟电路的栅极；
所述N沟道MOS晶体管的源极和所述功率管模拟电路的源极之间的共接点连接负载和所述第四电阻，所述第四电阻的另一端连接所述第三运算放大器的反向输入端；
所述N沟道MOS晶体管的漏极连接电源正极，所述功率管模拟电路的漏极连接电源负极。
15.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：NPN型三极管、如权利要求11所述的功率管模拟电路、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻；
所述第三运算放大器的正相输入端连接输入电压，反相输入端与所述第五电阻连接，所述第五电阻的另一端连接浮地输出；
所述第三运算放大器的输出端分别连接所述NPN型三极管的基极和所述功率管模拟电路的基极；
所述NPN型三极管的发射极和所述功率管模拟电路的发射极之间的共接点连接负载和所述第四电阻，所述第四电阻的另一端连接所述第三运算放大器的反向输入端；
所述NPN型三极管的集电极连接电源正极，所述功率管模拟电路的集电极连接电源负极。
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| CN206461515U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-09-01 | 西安许继电力电子技术有限公司 | 一种通用紧凑型功率管驱动电源模块 |
| CN108377137A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-08-07 | 贵州大学 | 一种高压大功率集成运算放大器 |
| KR101914506B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2018-11-02 | 주식회사 우진엔텍 | 원전 전자카드 정비를 위한 디지털 신호기반 아날로그 전원 제어장치 |
| CN210273982U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-04-07 | 深圳市知用电子有限公司 | 一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器 |
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2019
- 2019-09-23 CN CN201910898940.XA patent/CN110601666B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105811903A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-27 | 全球能源互联网研究院 | 一种全模拟功率放大驱动电路 |
| CN206461515U (zh) * | 2016-12-27 | 2017-09-01 | 西安许继电力电子技术有限公司 | 一种通用紧凑型功率管驱动电源模块 |
| CN108377137A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-08-07 | 贵州大学 | 一种高压大功率集成运算放大器 |
| KR101914506B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2018-11-02 | 주식회사 우진엔텍 | 원전 전자카드 정비를 위한 디지털 신호기반 아날로그 전원 제어장치 |
| CN210273982U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-04-07 | 深圳市知用电子有限公司 | 一种功率管模拟电路、输出级电路及功率放大器 |
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