CN110544549B - 用于局部背面场太阳能电池的铝浆及应用该铝浆的局部背面场太阳能电池 - Google Patents
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 222
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 146
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 38
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 58
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 51
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016341 Al2O3 ZrO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
本发明为提供一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆及应用该铝浆的局部背面场太阳能电池,所述铝浆包含:大颗铝粉;有机载体,其包括溶剂及树脂或纤维素;其中,所述大颗铝粉的中位粒径(μm)与含氧量(%)的比值(中位粒径(μm)/含氧量(%))为10~15。本发明的一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆及应用该铝浆的局部背面场太阳能电池,可以减少因铝粉的出粉、铝珠、铝层对SiNx保护层的附着及LBSF位置的空孔等问题的产生,进而提高局部背面场太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明为涉及一种铝浆,特别涉及一种包含具特定粒径与含氧量的比例的大颗铝粉的铝浆。本发明还涉及一种应用该铝浆的局部背面场太阳能电池。
背景技术
太阳能电池厂为了提升最佳的效率表现,在2013年起已经逐步导入局部背面场(local back surface field,LBSF)的技术。此技术的操作方式为射极钝化及背电极(Passivated Emitter and Rear Contact,PERC)。其作法为使用原子层沉积(ALD,AtomicLayer Deposition)法或化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)法将SiOx、TiOx、AlOx沉积在硅芯片电池片上作为背钝化层,再以CVD制程将SiNx沉积形成保护层(capping layer)。钝化层在局部背面场太阳能电池的主要功能在于修复硅芯片表面的缺陷。因为,在硅芯片切割与加工处理过程中,会产生非晶相(amorphous)的硅,而非晶相的硅会存在较多的悬空键(dangling bond)。这些位于硅芯片边缘的悬空键会使硅芯片受光后所产生的载子(carrier)被中和掉,进而减少载子寿命(carrier life time)并降低电性。局部背面场太阳能电池则会因为钝化层的功能而使开路电压(open circuit voltage,Voc)与短路电流(short circuit current,Isc)而提升,并能够使光电转换效率明显增加。然而,因为钝化层只提供有限的铝-硅接触,故会使串联电阻(Rs)较高而降低填充因子(fill factor,FF)。
PERC铝浆的开发便针对具有背钝化层的硅基太阳能电池而衍生。局部背面场太阳能电池与过去常规或传统太阳能电池相比,主要差异在于传统硅基太阳能电池用的铝浆为以网印方式印刷在硅芯片背面,其铝层为直接与硅芯片接触并烧结后形成全面的背面场(BSF);然而,在局部背面场太阳能电池中,铝层大部分(>95%)覆盖在SiNx的保护层上,仅留下有限的雷射开孔面积以使铝能与硅直接接触,进而在经过烧结后,形成局部背面场(LBSF)。
LBSF技术面临一个主要的技术问题是:铝层要在SiNx的保护层上产生附着,即可能对钝化层产生破坏。若钝化层遭受破坏,则局部背面场太阳能电池变得无法维持较高的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、电性及转换效率。其次,因为铝层与硅芯片的接触仅通过雷射开孔的有限的面积,在适量玻璃粉(1.0~5.0重量%,占铝浆总重量)的作用下,在铝浆的配方中,铝粉本身的粒径大小及铝粉表面氧化铝层的厚度,便会成为影响铝-硅的共烧过程中是否产生损害局部背面场太阳能电池质量的出粉(powder issue)、铝珠(bead)及局部背面场(LBSF)位置导致空孔(void)问题的关键。
然而,就现今的涉及具有背钝化层的硅基太阳能电池而言,皆专注在玻璃粉于铝浆配方的应用上,进而控制铝层对于局部背面场太阳能电池的背钝化层(SiOx,TiOx,orAlOx/SiNx)的侵蚀与附着能力。由此可知,现有技术皆忽略铝浆中含量超过60重量%以上铝粉在烧结过程中即对局部背面场太阳能电池整体的质量特性与可靠度所产生的影响,更未针对上述技术问题有所教示或建议。举例来说,有人提出一种铝浆,其为包含60~87重量%的铝粉及高含铅量的玻璃粉,并利用氧化铅(PbO)易熔解易反应的特性,强化铝浆与保护层的附着力;然而,在现有技术中,并未探讨铝浆中含量超过60重量%以上铝粉在与硅的烧结过程中,所产生的出粉、铝珠、铝层对SiNx保护层的附着及局部背面场位置导致空孔等问题对局部背面场太阳能电池整体的质量特性与可靠度所造成的影响。
因此,如何开发出一种可用于LBSF的铝浆,并减少因铝粉的出粉、铝珠、铝层对SiNx保护层的附着及LBSF位置的空孔等现象的产生进而影响局部背面场太阳能电池的光电转换效率的问题,是所有LBSF研发人员引颈期盼的技术重点。
发明内容
为解决上述现有技术的缺失,本发明为提供一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆及应用该铝浆的局部背面场太阳能电池。
更详细而言,本发明人们基于下述理论,进而完成本发明。
(出粉)
因为铝浆在局部背面场太阳能电池的烧结过程所产生的出粉,主要与铝粉的熔融速率快慢有关,理论上,在传统或常规太阳能电池中,因为一般P-type硅基太阳能电池的金属浆料(正面银浆、背面银浆、背面铝浆)在印刷干燥后的烧结最高温度为720~820℃,再加上铝层与硅芯片全面接触,故铝粉与硅芯片在铝-硅共熔的最低温度约577℃(Eutecticpoint)以上时,即开始反应共熔。或者,在传统或常规太阳能电池中,因为纯铝的熔点为660.32℃,故铝粉达熔点以上后会撑破铝粉表面的氧化铝壳层,因此铝粉流出而有机会与硅芯片形成铝硅合金。
相对于此,在局部背面场的硅芯片中,因为有钝化层存在,虽因为局部雷射开孔而使铝粉中的铝层有与硅接触的机会,但铝与硅可反应共熔的比例远低于传统或常规硅基太阳能电池。再者,一旦铝在熔融后于多孔性(porous)的氧化铝壳层间流动,则未能及时与硅反应共熔的熔铝即会因为热膨胀系数高的关系,而可能流至铝层表面。若该熔铝再经过冷却,则会在铝层表面形成不规则的小颗粒粉末,此现象即为铝粉的出粉。此种出粉的产生将影响形成模块时乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA,Ethylene Vinyl Acetate)层压的接着强度,进而使可靠度变差而降低太阳能电池模块的使用寿命。
(铝珠)
若以具能量色散X射线光谱仪的电子显微镜(Scanning electron microscopywith energy dispersive X-ray spectroscopy,SEM/EDX)针对铝珠进行成份分析,能够得知铝珠的组成为以铝元素为主,硅含量在5.0~30.0重量%。因此,若探究铝珠(bead)的产生原因,主要为因为局部背面场太阳能电池的背钝化层的存在对铝-硅共熔产生阻碍。虽然已知硅在铝层的扩散速度很快,但为了避免局部背面场太阳能电池的烧结的温度峰值对钝化层产生较大的破坏,上述的烧结的温度峰值会较传统或常规太阳能电池低20~40℃,故烧结过程铝-硅合金的分布并不会很均匀。再者,于冷却过程中,铝-硅合金中的硅随着温度降低而往硅芯片回流,更造成铝-硅合金与纯铝在铝层中的分布更不均匀。因此,在热膨胀系数具有明显差异的情形下,在降温过程中,热膨胀系数较小的铝-硅合金的收缩速率较慢,纯铝便会受降温时收缩速率快的影响,而将部分铝硅合金排挤出至成膜表面并形成铝珠。
针对局部背面场的铝浆烧结过程中容易产生铝珠的问题,关键在于有效控制铝与硅反应的时机及反应速率。因为铝粉在参与铝硅共熔反应时,除借助在烧结过程中预先将玻璃粉熔融而对铝粉表面的氧化铝产生侵蚀而使纯铝在熔融后能够流出氧化铝壳层与硅接触反应外,铝粉本身粒径大小及氧化铝壳层厚度对铝硅反应的时机与速率快慢便成为主要影响因素。铝粉颗粒小时,因为比表面积大,在相同升温受热条件下,小粒径铝粉(D50:1.0~3.0μm)熔融的速率会远比大粒径(D50:6.0~9.0μm)铝粉要快很多,相对烧结过程产生铝珠的机会将明显增高。
此外,除了粒径大小会影响铝粉熔融速率的快慢之外,铝粉表面氧化铝壳层的厚薄亦是影响熔铝流出快慢的主因。铝粉表面氧化铝壳层的厚度与铝粉中的氧含量正相关。氧化铝壳层越厚则代表其能够耐受玻璃粉的侵蚀作用的能力越强,即能推迟熔铝流出的时机;然而,过厚的氧化程度(过多的含氧量)即代表铝浆中的氧化铝含量越多,除了对导电性有所影响之外,对铝层整体间的结构强度亦有负面的影响,会使EVA层压后的接着强度变弱。虽然可藉由增加玻璃粉的添加量而有所改善,但毕竟玻璃粉非为导电材料,若利用较多的玻璃粉来提升铝层的结构强度,则必须面临电阻值(resistance)增加而影响电性的问题。因此,适当的铝粉颗粒粒径的大小与搭配适当的铝粉表面氧化铝壳层的厚度(铝粉中的含氧量),是能够有效抑制铝珠的产生而又能维持理想导电性的关键因素。
(空孔)
为了让铝浆可以直接和硅芯片接触,并在烧结后提供使铝-硅得以产生良好的奥姆接触(Ohmic contact)且利于载子传递的空间,公知为以雷射开孔在背钝化硅基P-type太阳能电池的背面钝化层产生不同特性的图案(pattern)。由于背钝化层厚度仅80~150nm,而适当功率的雷射作用可以熔损(ablation)背钝化层的厚度1.0~3.0μm,故经过雷射作用后,能够使硅芯片的纯硅在雷射开孔位置完全裸露,进而有机会与铝层接触。在烧结过程的铝硅共熔过程中,因为硅在铝层的扩散速率极快,故在雷射开孔位置的硅将会很快地与铝共熔而分散至铝-硅共熔合金溶液中。虽在冷却过程硅仍朝硅芯片表面流动,但一旦熔铝的产生速度快使得铝-硅共熔持续作用,则在降温过程中,将使扩散较远的硅来不及回到雷射开孔的位置,进而使原本雷射开孔位置的硅有类似被掏空的型态,即所谓空孔(void)的产生。若能在铝浆的应用时,即控制铝粉颗粒的大小与铝粉表面氧化铝壳层厚度,使铝-硅共熔不过度作用,即能避免硅过度的扩散且冷却时来不及回到雷射开孔位置而导致空孔问题。
因此,在经过反复研究及探讨之后,本发明人们发现,铝粉的粒径大小及铝粉表面氧化铝层的厚度之间的关系为是否会产生出粉、铝珠及局部背面场位置导致空孔等问题的关键,且又因为氧化铝层的厚度为取决于铝粉中的含氧量,故铝粉的粒径大小及铝粉含氧量之间的关系为是否会产生出粉、铝珠及局部背面场位置导致空孔等问题的关键。经由适当的粒径/氧化铝层的比例控制,能有效的避免烧结过程中出粉等问题的产生。同时,藉由使铝粉的粒径大小及铝粉含氧量(表面氧化铝层的厚度)成为特定比例,能够降低因为铝粉的出粉、铝珠及局部背面场位置的空孔等现象的产生,遂而完成本发明。
为达上述目的及其他目的,本发明为提供一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆,其特征在于,包含:大颗铝粉;有机载体,其为包括溶剂及树脂或纤维素;其中,所述大颗铝粉的中位粒径(μm)与含氧量(%)的比值(中位粒径(μm)/含氧量(%))为10~15。
上述的铝浆,其特征在于,所述比值(中位粒径(μm)/含氧量(%))为11~13。
上述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉的含氧量为0.1~2.0重量%。
上述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉的含氧量为0.3~1.0重量%。
上述的铝浆,其特征在于,还包含小颗铝粉,且所述小颗铝粉占所述铝浆的0.1~10重量%。
上述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉与小颗铝粉共占所述铝浆的60~85重量%。
上述的铝浆,其特征在于,所述有机载体的黏度为1~15Kcps。
上述的铝浆,其特征在于,还包含玻璃粉。
上述的铝浆,其特征在于,该有机载体还包含添加剂,其为选自由分散剂、流平剂、脱泡剂、抗沉降剂、触变助剂及偶合剂所组成的群组中的至少其中之一
为达上述目的及其他目的,本发明还提供一种局部背面场太阳能电池,其特征在于,包含上述的铝浆。
本发明的一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆及应用该导电铝浆的局部背面场太阳能电池,能够降低出粉、铝珠及局部背面场位置的空孔等现象的产生,进而提升局部背面场太阳能电池的光电转换效率与拉力。
附图说明
图1A为比较例1使用电致发光缺陷检测仪观察空孔的图;
图1B为实施例1使用电致发光缺陷检测仪观察空孔的图;及
图1C为实施例2使用电致发光缺陷检测仪观察空孔的图。
具体实施方式
为充分了解本发明的目的、特征及功效,兹藉由下述具体的实施例,对本发明做详细说明,说明如后:
本发明所提供的铝浆大体上包含了大颗铝粉、有机载体,也可进一步包括玻璃粉。
于本说明书中,大颗铝粉为中位粒径(D50)为6.0~9.0μm的铝粉。相对于大颗铝粉,小颗铝粉为中位粒径(D50)为1.0~3.0μm的铝粉。此外,于本说明书中,若百分比“%”未特别限定,则指的是“重量%”。
在一较佳实施例的铝浆中,其为混用大颗铝粉与小颗铝粉。大颗铝粉与小颗铝粉可共占铝浆总重的65~85%,较佳为共占70~76%。所述大颗铝粉较佳为占铝浆总重的60~80重量%,更佳为60~70重量%。所述小颗铝粉较佳为占铝浆总重的0.1~10重量%。
有机载体为包含有机溶剂及树脂或纤维素,也可进一步包含添加剂。有机载体为占铝浆总重的10~30重量%,较佳为20~28wt%。同时,有机载体的黏度约在1~15Kcps,较佳为10~15Kcps。藉由控制有机载体的黏度,以使得铝浆具有最佳黏度。
纤维素(或树脂)的含量约占铝浆总重的1~4重量%,较佳为2~3重量%。同时,就树脂的选择而言,可包括木松香或聚丙烯腈等,但并不以此为限;就纤维素的选择而言,可包括乙基纤维素或丙基纤维素等,但并不以此为限。
有机溶剂的含量约占铝浆总重的10~25重量%,较佳为18~20重量%。同时,就有机溶剂的选择而言,可包括醇醚类有机溶剂、酯醇成膜剂(EASTMANCHEMICAL COMPANY)、松油醇或二乙二醇丁醚等,但并不以此为限。
添加剂的含量约占铝浆总重的0.2~2.5重量%,较佳为1.5~2重量%。同时,就添加剂的选择而言,可包括分散剂、流平剂、脱泡剂、抗沉降剂、触变助剂、偶合剂等,但并不以此为限。
在一较佳实施例的铝浆中,其包含玻璃粉。玻璃粉可占铝浆总重的0.1~5重量%,较佳为占3~4重量%。就玻璃粉的选择而言,可选用钒系、铋系玻璃粉或是其他系的玻璃粉,且较佳为选用于下述表一所示的玻璃粉,但并不以此为限。可单独使用一种玻璃粉,也可合并使用多种玻璃粉。
[表1]
玻璃粉1 | PbO-ZnO-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub> |
玻璃粉2 | SiO<sub>2</sub>-PbO-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZrO<sub>2</sub> |
玻璃粉3 | Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZnO-SiO<sub>2</sub>-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> |
玻璃粉4 | Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-BaO-ZnO |
玻璃粉5 | SiO<sub>2</sub>-PbO-ZnO-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-A1<sub>2</sub>O<sub>3</sub> |
玻璃粉6 | V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-BaO-ZnO |
(铝粉的粒径及含氧量的测量)
铝粉的粒径为以雷射散射粒径分析仪-HORIBA LA950量测。铝粉量测时以异丙醇(IPA)作分散介质(medium),量测前以超音波进行相同时间震荡,并以相同速度作循环。各铝粉分别测3次以确认粒径量测的再现性,量测结果如表2所示。此外,铝粉的含氧量检测以HORIBA EMGA-820氮/氧检测仪量测,量测结果如表2所示。
[表2]
因此,从上述表2可算出小颗铝粉1~2及大颗铝粉1~7的中位粒径D50(μm)/含氧量(%)的比例,如表3所示。
[表3]
(局部背面场太阳能电池的钝化层的形成)
局部背面场的硅芯片的钝化层为可由SiOx、TiOx、AlOx以ALD法或CVD法的制程涂布在硅芯片上,再使用SiNx以CVD法的制程沉积厚度70~120nm的保护层于钝化层上。
完成背钝化层的硅芯片可使用雷射,并预先以不同图案将钝化层去除,以帮助铝、硅在导电浆料印刷后共烧时能有更好的接触与反应,而有利于局部背面场的形成。雷射开孔的图案可以是直径30~150μm的点状(dot)、线宽30~100μm的虚线(dash)或线宽30~100μm的实线(line)。
合成例
以现有的局部背面场太阳能电池的铝浆制作步骤制作铝浆。
比较例1~4与实施例1~5的铝浆为藉由下列步骤制备:
步骤一:将树脂或纤维素(乙基纤维素聚合物,ETHOCEL Standard 20,陶氏杜邦股份有限公司)/添加剂(触变助剂,蓖麻油改性衍生物,Thiaxatrol ST,海名斯德谦股份有限公司)/有机溶剂(松油醇/二乙二醇丁醚,体积比1:3混合)加入反应槽中,搅拌并混合成均匀有机载体。
步骤二:于步骤一所制得的有机载体中添加玻璃粉、铝粉等其他成分,形成混合铝浆。
步骤三:以高速搅拌机搅拌步骤二制得的混合铝浆,使其充分混合后,以三辊研磨机(厂牌型号:Exakt 80E)研磨,进而获得铝浆。
经由上述合成例所制造的铝浆的组成配比(比较例1~4与实施例1~5)为如表4所示。
[表4]
测试例
使用上述实施例1~5及比较例1~4制得的铝浆,依照下述步骤制作局部背面场太阳能电池:
步骤一(印刷):以涂布或网版印刷方式将背面银胶与正面银胶分别印在LBSF半成品(正面SiNx,背面为6nm Al2O3底氧化层+80nm SiNx顶保护层)硅基材背面与正面。之后,以200℃烘箱干燥,并在硅基材的背面未覆盖银处,印上实施例1~5及比较例1~4制得的铝浆。将印有实施例1~5及比较例1~4制得的铝浆的硅基材干燥,制得待烧结的印刷硅基材。
步骤二(烧结):干燥步骤完成后,利用履带传送以进行烧结制程(履带速度为180至280inch/rnin),以720℃~820℃的烧结温度将步骤一制得的待烧结的印刷硅基材进行烧结,制得局部背面场太阳能电池,且所形成的导电电极的厚度约为20~30μm。经过烧结制程,可将电池片正背面电极的导电浆所内含的有机物等介质烧除,并且使得背面电极的铝原子由雷射开孔位置扩散进入硅半导体基板内,产生局部背面场。
依据上述步骤,分别使用实施例1~5及比较例1~4的导电铝浆制作局部背面场太阳能电池,并就下列性质进行测试:
光电转换效率量测:将所述实施例1~5及比较例1~4所制得的铝浆,于印刷机以相同网版、印刷条件印刷于空白局部背面场电池片,经过200℃干燥后,送入连续式烧结炉进行有机物烧除及导电铝浆烧结。烧结后的电池片以电压电流试验(IV test)量测电性,测试局部背面场太阳能电池的光电转换效率(Eff)(%)、开路电压(Voc(mv))及填充因子(FF(%)),测试机台型号为芬兰Endeas公司生产的QuickSun 120CA。其结果如表5所示。
[表5]
出粉测试:由电池片铝层表面观察比较例1~4及实施例1~5,并记录铝层出粉的状况与烧结炉温度关系,其结果如表6所示。
[表6]
无:0颗/cm2;极轻微:1~5颗/cm2;轻微:5~10颗/cm2;严重:10~15颗/cm2;极严重:>15颗/cm2。
铝珠测试:由电池片铝层表面观察比较例1~4及实施例1~4,并记录铝珠产生的情况与烧结炉温度关系,其结果如表7所示。
[表7]
无:0颗/硅芯片;极轻微:1~5颗/硅芯片;轻微:5~10颗/硅芯片;严重:10~15颗/硅芯片;极严重:>15颗/硅芯片。
请参照表5至表7。从比较例1~2的结果能够得知,在维持相同的大颗铝粉的D50(μm)/含氧量(%)的比值的情况下,虽然减少小颗铝粉的D50(μm)/含氧量(%)的比值能够略为提升光电转换效率(Eff),但出粉状况在烧结温度下(750~800℃)皆为严重或极严重,故调整小颗铝粉的D50(μm)/含氧量(%)的比值并无相当地改善出粉状况,比较例1~2皆为不佳。
接着,相较于比较例1~4与实施例1~4,从不使用小颗铝粉且大颗铝粉的D50(μm)/含氧量(%)的比值在本发明的范围内的实施例5的结果能够得知,其能够达到几乎未产生(或仅极轻微地产生)出粉及铝珠的效果。然而,就光电转换效率(Eff)而言,实施例5仍有改善的余地。
接着,从比较例1、3~4与实施例1~4的结果能够得知,在使用相同的小颗铝粉的情况下,藉由调整大颗铝粉的D50(μm)/含氧量(%)的比例,上述比例在10~15之间的实施例1~4(20.59~20.65%)的光电转换效率皆优于比较例1、3~4(20.50~20.56)。其中,实施例1~2的光电转换效率超过20.60%,故为较佳。
再者,就出粉与铝珠的比较结果而言,比较例1~3皆有产生严重的出粉或铝珠,故不佳。然而,虽然比较例4的出粉与铝珠的结果几乎与实施例1~4相同,出粉与铝珠的程度皆为轻微以下,但比较例4的光电转换效率仅为20.50%,较比较例1~3还差,故比较例4仍为不佳。此外,实施例1~2不仅光电转换效率最高(超过20.60%),且几乎没有产生出粉与铝珠的情形,故实施例1~2为较佳的实施方式。因此,在下述空孔测试中,仅比较比较例1与实施例1~2的结果。
空孔测试:使用电致发光缺陷检测仪,观察比较例1、实施例1~2的结果。并显示于图1A~图1C。图1A~图1C为使用电致发光缺陷检测仪观察空孔的图;图1A为比较例1的结果、图1B为实施例1的结果、图1C为实施例2的结果。
由图1A~图1C能够发现,比较例1的颜色较深(较暗),即代表产生较多空孔,比较例1具有产生空孔的问题;相对于此,实施例1~2的颜色皆较比较例1浅(较明亮),即代表实施例1~2几乎没有空孔的产生,故实施例1~2为较佳。
因此,本实施方式藉由使大颗铝粉的中位粒径(μm)与含氧量(%)的比值(中位粒径(μm)/含氧量(%))成为10~15的范围(较佳为11~13),能够达成抑制出粉、铝珠及空孔的产生而又能维持理想电性的效果。
本发明在上文中已以较佳实施例揭露,然而本领域技术人员应理解的是,该实施例仅用于描绘本发明,而不应解读为限制本发明的范围。应注意的是,举凡与该实施例等效的变化与置换,均应设为涵盖于本发明的范围内。因此,本发明的保护范围当以申请专利范围所界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种用于局部背面场太阳能电池的铝浆,其特征在于,包含:
大颗铝粉,其中位粒径为6.0~9.0μm;
有机载体,其包括溶剂,以及树脂或纤维素;
小颗铝粉,且所述小颗铝粉占所述铝浆的0.1~10重量%;以及
玻璃粉,
其中,所述大颗铝粉的中位粒径(μm)与含氧量(%)的比值为10~13.188,且所述大颗铝粉占所述铝浆的60~80重量%。
2.根据权利要求1所述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉的中位粒径(μm)与含氧量(%)的比值为11~13。
3.根据权利要求1所述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉的含氧量为0.1~2.0重量%。
4.根据权利要求3所述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉的含氧量为0.3~1.0重量%。
5.根据权利要求1所述的铝浆,其特征在于,所述大颗铝粉与小颗铝粉共占所述铝浆的65~85重量%。
6.根据权利要求1所述的铝浆,其特征在于,所述有机载体的黏度为1~15Kcps。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的铝浆,其特征在于,所述有机载体还包含添加剂,其为选自由分散剂、流平剂、脱泡剂、抗沉降剂、触变助剂及偶合剂所组成的群组中的至少其中之一。
8.一种局部背面场太阳能电池,其特征在于,包含如权利要求1~7中任一项所述的铝浆。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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CN110544549B true CN110544549B (zh) | 2021-07-30 |
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Country Status (1)
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