CN110535139B - 一种宽幅调压装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种宽幅调压装置,包括:取电变压器、采样系统、控制系统和电压调节系统,每个单相电压调节系统将串联的两个补偿变压器的二次侧绕组串联接入输电线路中,控制系统根据采样系统所检测的各相电压值来判断各相电压所处的范围,并据此产生可控硅器件的导通关断指令信号并输出给驱动电路,驱动电路将指令信号放大,传输至电压调节系统,驱动各可控硅器件的导通与关断,投切第一补偿变压器和第二补偿变压器的一次侧绕组,以实现交流调压补偿。该装置能够自动调节电压,电压调节幅度宽且无断点,简单可靠,自动化程度高,可实现远程监控。
Description
技术领域
本发明属于供电或配电的电路装置或系统,具体涉及交流输电线或交流配电网络的电压补偿装置或系统。
背景技术
受线路分布式参数的影响,西部地区长距离输电系统用电端电压跌落问题尤为突出。据统计分析,当10kV配电网的线路超过200km以上时,线路的电损高达30%、供电电压跌落50%以上,难以满足沿线用户的用电需求。传统输电线路电压提升系统主要采取有载自耦变压器以及电容器串联补偿装置。
有载自耦变压器是用机械触点式开关改变变压器原边匝数来调节电压,由于机械投切式仍属于有级调节,补偿效果仍然不够精确。而且,有载开关调节电压时有电弧产生,对变压器油产生老化作用,使得开关的机械寿命有限,每2000次需更换开关内变压器油,增加维护成本,并有安全隐患,且设备故障同样会影响送电。因此,该装置补偿不够精确,且可靠性较低,一旦断路,会影响供电线路的正常供电。
电容器串联补偿装置是通过电容电压相位角与原线路实际电压相位角差,合成电压会提高线路电压的原理,该装置是在输电线路中串联多组电容器以改变电压相位角,控制电容器的投入量达到需要的电压值。由于电容器的电容值受多方面环境因素的影响,因此会导致补偿不精确,补偿效果较差;且电容故障将导致输电线断路,从而影响供电。电容器寿命有限,容易受到电路问题的影响,比如高次谐波会造成电容损坏,更加降低供电可靠性。因此,该装置投资高、电容器寿命短、并随时间和设备温度变化效果逐步变差,特别是随着电容值的变化会产生飘移,从而影响补偿效果,有效寿命最多5年。此外,补偿所需电容体积较大导致装置过大。
总的来说,传统输电线路电压提升系统只是对线路电压分段提升,对系统无考虑,不能算是一个全面的解决方案,同时还存在损耗大、运行安全无保障和运行维护量大等问题,不符合输配电系统可靠、经济运行的要求。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种宽幅调压装置,包括:取电变压器、采样系统、控制系统和电压调节系统,电压调节系统将串联的两个补偿变压器的二次侧绕组串联接入输电线路中,控制系统根据采样系统所检测的各相电压值来控制可控硅器件投切一次侧绕组,以实现交流调压补偿,该装置能够自动调节电压,电压调节幅度宽且无断点,简单可靠,自动化程度高,可实现远程监控。
一种宽幅调压装置,包括:取电变压器、采样系统、控制系统和电压调节系统,其中,
所述取电变压器的一次侧绕组接至供电线电压接入端,所述供电线电压接入端包括供电线三相输入端与供电线中性线端;
所述采样系统与所述取电变压器的输出端连接,所述采样系统用于实时检测所述取电变压器的输出端的各相电压数据,并将各相电压数据分别输出并传输至控制系统;
所述控制系统与所述采样系统和所述电压调节系统连接,所述控制系统包括控制器和驱动电路,所述控制器用于接收所述采样系统输出的各相电压数据,判断接收到的每个单相电压数据所处的范围,据此产生每个单相的指令信号并输出给驱动电路,所述驱动电路将指令信号放大后传输至所述电压调节系统;
所述电压调节系统串联于供电线路中,所述电压调节系统包括三相电压调节系统,其中,每个单相电压调节系统包括:第一补偿变压器、第二补偿变压器和可控硅电路,供电线输入端经依次串联连接的第一补偿变压器的二次侧绕组、第二补偿变压器的二次侧绕组接至供电线输出端,所述可控硅电路与所述驱动电路连接,用于根据所述驱动电路输出的指令信号进行各可控硅器件的导通关断,所述可控硅电路包括七个可控硅器件,每个单相电压调节系统的连接方式如下:
第一补偿变压器的一次侧绕组含三个接线端:第一接线端子、第二接线端子与第三接线端子,第二补偿变压器的一次侧绕组含三个接线端:第四接线端子、第五接线端子与第六接线端子,所述取电变压器的输出端含两个接线端:第七接线端子和第八接线端子,所述供电线单相输入端(L端)与第七接线端子是同名端;
第一接线端子与第八接线端子相接,第二接线端子与第一可控硅器件的阴极相连,第三接线端子与第二可控硅器件的阴极相连,第一可控硅器件与第二可控硅器件的阳极相连并接至第七接线端子;
第三可控硅器件的阳极与第四可控硅器件的阴极相接并共同接至第四接线端子,第五可控硅器件的阴极接至第五接线端子,第六可控硅器件的阳极与第七可控硅器件的阴极相接并共同接至第六接线端子,第三可控硅器件的阴极与第六可控硅器件的阴极相接并共同接至第八接线端子,第四可控硅器件的阳极与第五可控硅器件的阳极、第七可控硅器件的阳极相接并共同接至第七接线端子。
在本发明的一些具体实例中,所述采样系统包括电压检测单元、数据储存单元、数据调用和传输单元,其中,所述电压检测单元用于实时检测所述取电变压器的输出端的各相电压数据,所述数据储存单元用于存储各相电压数据,所述数据调用和传输单元用于将各相电压数据分别输出并传输至所述控制系统。
在本发明的一些具体实例中,所述采样系统可以采用现有技术中的采样模块,例如深圳健思研JSY-MK-141系列采样模块等。
在本发明的一些具体实例中,所述控制系统包括控制器和驱动电路,所述控制器包括:数据接收单元、比较判断单元和指令输出单元,其中,所述数据接收单元用于接收采样系统输出的各相电压数据,所述比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,所述指令输出单元用于根据比较判断单元的结果产生每个单相的指令信号并输出给所述驱动电路,所述指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号;所述驱动电路用于将所述指令信号放大后传输至所述电压调节系统。
在本发明的一些具体实例中,所述控制器包括:三个数据接收单元、三个比较判断单元和三个指令输出单元,其中,每个所述数据接收单元,用于分别接收所述采样系统输出的每相电压数据;每个所述比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,每个所述指令输出单元用于根据所述比较判断单元的结果产生每个单相的指令信号并输出给所述驱动电路,所述指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号;所述驱动电路用于将所述指令信号放大后传输至所述电压调节系统。
在本发明的一些具体实例中,所述控制器采用ARM PLC控制器。
在本发明的一些具体实例中,所述控制器采用DSP控制器。
在本发明的一些具体实例中,所述补偿变压器采用工频变压器。
在本发明的一些具体实例中,第一补偿变压器的第一接线端子与第二接线端子之间的线圈匝数与第一补偿变压器的第二接线端子与第三接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1,第二补偿变压器的第四接线端子与第五接线端子之间的线圈匝数与第二补偿变压器的第五接线端子与第六接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1,此时,上述宽幅调压装置的电压调节范围可达0~20%,具体调压原则如下:
当所述比较判断单元的结果显示该相电压大于或等于220V,下达调压档位为+0%档的指令,所述驱动电路驱动第二可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为210V~219V,下达调压档位为+5%档的指令,所述驱动电路驱动第一可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为199V~209V,下达调压档位为+10%档的指令,所述驱动电路驱动第二可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为188V~198V,下达调压档位为+15%档的指令,所述驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为176V~187V,下达调压档位为+20%档的指令,驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第五可控硅器件导通,其他断开。
本发明的宽幅调压装置中,依次连接的第一补偿变压器的二次侧绕组、第二补偿变压器的二次侧绕组在输配电线路的输入端和输出端之间,相当于将串联的两个补偿变压器的二次侧绕组串联接入输配电线路中,根据采样系统采集的各相电压数据,控制系统判断其所处范围并据此产生可控硅器件的导通关断指令信号,驱动电路将指令信号放大,传输至电压调节系统,驱动各可控硅器件的导通与关断,投切第一补偿变压器和第二补偿变压器的一次侧绕组,以实现交流调压补偿。通过线圈匝数比的设置,本发明的宽幅调压装置的电压调节范围为0~20%,线路调节后的电压为220V≤U2≤231V。本发明的宽幅调压装置能够自动调节电压,电压调节幅度宽且无断点,简单可靠,自动化程度高,可实现远程监控。此外,由于电压调节是采取两个补偿变压器协同补偿的方式,在电压调节的全过程中不改变输电线路的阻抗,即使当输电线路的电压位于正常幅值范围内不需要补偿时,利用同名端的原理产生相位相差180°的感应电压来相互抵消,以此来消除补偿变压器阻抗自身带给输电线路的影响。
与现有技术相比,本发明的宽幅调压装置具有以下有益的技术效果:
(1)本发明的宽幅调压装置将串联的两个补偿变压器的二次侧绕组串联接入输配电线路中,电压调节部分在补偿变压器的一次侧绕组,电压调节时通过投切第一补偿变压器和第二补偿变压器的一次侧绕组,实现交流调压补偿。调节时,两个补偿变压器的二次侧绕组无断点,无停电,可连续跳跃调节,安全可靠,较之现有逐级补偿技术中而言,更加灵活,适用范围更广。
(2)本发明的宽幅调压装置的电压调节系统中采用可控硅器件投切,无机械触点调节,全自动、免维护设计,采用过零投切,无涌流,反应时间10ms,可无人值守、远程监控、自动化程度高。
(3)本发明的宽幅调压装置的电压调节系统中采取两个补偿变压器协同补偿,在电压调节的全过程中不改变输电线路的阻抗,输电质量高。与之不同的是,现有技术中不需要调节电压的情况下补偿变压器处于无补偿状态存在于输电线路中时,相当于在输电线路中串联了一端绕组,故存在一定的阻抗,会使得正常范围的电压经过输电线绕组会有一定程度的压降,影响了输电质量。
附图说明
图1为本发明的宽幅调压装置(单相)的结构示意图。
图2为本发明的宽幅调压装置中采样系统的结构示意图。
图3为本发明的宽幅调压装置中控制系统的结构示意图。
具体实施方式
为了更好地说明本发明,以便于理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施例,对本发明作进一步详细说明。应理解,下述的实施实例仅用于说明本发明,并不代表或限制本发明的权利保护范围,本发明的保护范围以权利要求书为准。
如图1所示,一种宽幅调压系统,包括:取电变压器T3、采样系统、控制系统和电压调节系统,其中,
取电变压器T3的一次侧绕组接至各供电线单相电压接入端,供电线单相电压接入端包括供电线单相输入端L端与供电线中性线端N端;
采样系统与取电变压器T3的输出端连接,用于实时检测取电变压器T3的输出端的各相电压数据,并将各相电压数据分别输出并传输至控制系统;
控制系统与采样系统和电压调节系统连接,控制系统包括控制器和驱动电路,控制器用于接收采样系统输出的各相电压数据,判断接收到的每个单相电压数据所处的范围,据此产生每个单相的指令信号并输出给驱动电路,驱动电路将指令信号放大后传输至电压调节系统;
电压调节系统串联于供电线路中,电压调节系统包括三相电压调节系统,其中,每个单相电压调节系统包括:第一补偿变压器T1、第二补偿变压器T2和可控硅电路,供电线输入端经依次串联连接的第一补偿变压器T1的二次侧绕组、第二补偿变压器T2的二次侧绕组接至供电线输出端,可控硅电路与驱动电路连接,用于根据驱动电路输出的指令信号进行各可控硅器件的导通关断,可控硅电路包括七个可控硅器件K1~K7,每个单相电压调节系统的连接方式,如图1的结构示意图中所给出的,具体说明如下:
第一补偿变压器T1的一次侧绕组含三个接线端:第一接线端子1、第二接线端子2与第三接线端子3,第二补偿变压器T2的一次侧绕组含三个接线端:第四接线端子4、第五接线端子5与第六接线端子6,取电变压器T3含两个接线端:第七接线端子7和第八接线端子8,供电线单相输入端L端与第七接线端子7是同名端;
第一接线端子1与第八接线端子8相接,第二接线端子2与第一可控硅器件K1的阴极相连,第三接线端子3与第二可控硅器件K2的阴极相连,第一可控硅器件K1与第二可控硅器件K2的阳极相连并接至第七接线端子7;
第三可控硅器件K3的阳极与第四可控硅器件K4的阴极相接并共同接至第四接线端子4,第五可控硅器件K5的阴极接至第五接线端子5,第六可控硅器件K6的阳极与第七可控硅器件K7的阴极相接并共同接至第六接线端子6,第三可控硅器件K3的阴极与第六可控硅器件K6的阴极相接并共同接至第八接线端子8,第四可控硅器件K4的阳极与第五可控硅器件K5的阳极、第七可控硅器件K7的阳极相接并共同接至第七接线端子7。
其他各相的情况相同。
其中,采样系统,如图2所示,包括电压检测单元、数据储存单元、数据调用和传输单元,其中,电压检测单元用于实时检测取电变压器T3的输出端的各相电压数据,数据储存单元用于存储各相电压数据,数据调用和传输单元用于将线路各相电压数据分别输出并传输至控制系统。
其中,控制系统,如图3所示,包括控制器和驱动电路,控制器包括:数据接收单元、比较判断单元和指令输出单元,其中,数据接收单元用于接收采样系统输出的各相电压数据,比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,指令输出单元用于根据比较判断单元的结果产生每个单相的指令信号并输出给驱动电路,指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号;驱动电路用于将指令信号放大后传输至电压调节系统。
上述宽幅调压装置,采样系统实时监测和采集各相电压数据,并将各相电压数据传输到控制系统;控制系统根据采样系统采集的各相电压数据,判断接收到的每个单相电压数据所处的范围,据此产生每个单相的指令信号并输出给驱动电路,指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号,驱动电路将指令信号放大后传输至电压调节系统;电压调节系统根据接收的指令信号导通关断各可控硅器件,投切第一补偿变压器T1和第二补偿变压器T2的一次侧绕组,以实现交流调压补偿。
上述宽幅调压装置中,采样系统可采用深圳健思研JSY-MK-141系列采样模块,也可以采取现有技术中其他的采样模块,能实现相电压数据采集和输出即可。
上述宽幅调压装置中,取电变压器T3用于从输电线路中取电,为电压调节系统提供能量来源。取电变压器T3通过匝数比约为10:0.4的隔离变压器将10kv电压变至400v左右(上述电压均为线电压值,相电压除以根号3可得),通过可控硅器件构成的电压调节电路(可控硅电路)接至补偿变压器的一次侧。
上述宽幅调压装置中,控制器可以是包括三个数据接收单元、三个比较判断单元和三个指令输出单元,其中,每个数据接收单元,用于分别接收采样系统输出的每相电压数据;每个比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,每个指令输出单元用于根据比较判断单元的结果产生可控硅器件的导通关断指令信号并输出给驱动电路;驱动电路将指令信号放大后传输至电压调节系统。通常来说,控制器可以采用各种微控制单元(Microcontroller Unit,MCU)集成,例如,ARM PLC(Programmable Logic Controller,可编程逻辑控制器)控制器,又例如DSP(digital singnal processor,数字信号处理器)控制器。
上述宽幅调压装置中,补偿变压器采用工频变压器。针对高寒高压地区,还可以采用适用于高寒高压地区的特种工频变压器。
上述宽幅调压装置中,第一补偿变压器T1的第一接线端子1与第二接线端子2之间的线圈匝数与第一补偿变压器T1的第二接线端子2与第三接线端子3之间的线圈匝数比设置为1:1,第二补偿变压器T2的第四接线端子4与第五接线端子5之间的线圈匝数与第二补偿变压器T2的第五接线端子5与第六接线端子6之间的线圈匝数比设置为1:1,此时,上述宽幅调压装置的电压调节范围可达0~20%,具体调压原则如下:
当比较判断单元的结果显示该相电压大于或等于220V,下达调压档位为+0%档的指令,驱动电路驱动第二可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当比较判断单元的结果显示该相电压为210V~219V,下达调压档位为+5%档的指令,驱动电路驱动第一可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当比较判断单元的结果显示该相电压为199V~209V,下达调压档位为+10%档的指令,驱动电路驱动第二可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当比较判断单元的结果显示该相电压为188V~198V,下达调压档位为+15%档的指令,驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当比较判断单元的结果显示该相电压为176V~187V,下达调压档位为+20%档的指令,驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第五可控硅器件导通,其他断开。
将上述宽幅电压调节装置接入10kv输电线路,在上述电压调节范围内,线路调节后的电压为220V~231V。具体为:调节装置未投运前,负荷320kW时,末端电压180V;调节装置运行后,末端电压达到231V,空载变电台区电压为242V,符合供电标准电压。
可见,本发明的宽幅调压装置中,将串联的两个补偿变压器的二次侧绕组串联接入输配电线路中,根据采样系统采集的各相电压数据,控制系统判断其所处范围并产生可控硅器件的导通关断指令信号,驱动各可控硅器件的导通与关断,投切第一补偿变压器和第二补偿变压器的一次侧绕组,以实现交流调压补偿。本发明的宽幅调压装置的电压调节范围为0~20%,线路调节后的电压为220V≤U2≤231V。本发明的宽幅调压装置能够自动调节电压,电压调节幅度宽且无断点,简单可靠,自动化程度高,可实现远程监控。
需要特别说明的是,由于电压调节是采取两个补偿变压器协同补偿的方式,在电压调节的全过程中不改变输电线路的阻抗,输电质量高。即使当输电线路的电压位于正常幅值范围内不需要补偿时,仍然是投入两个补偿变压器,利用同名端的原理产生相位相差180°的感应电压来相互抵消,以此来消除补偿变压器阻抗自身经过带给输电线路造成的一定程度的压降的影响。换言之,本发明电压调节系统中两个补偿变压器是全程投入的,并通过相位相差的感应电压来相互抵消,从而消除补偿变压器阻抗自身经过带给输电线路造成的一定程度的压降的影响。此外,本发明的宽幅调压装置通过投切第一补偿变压器和第二补偿变压器的一次侧绕组,实现交流调压补偿。调节时,两个补偿变压器的二次侧绕组无断点,无停电,可连续跳跃调节,安全可靠;本发明的宽幅调压装置的电压调节系统中采用可控硅器件投切,无机械触点调节,全自动、免维护设计,采用过零投切,无涌流,反应时间10ms,可无人值守、远程监控、自动化程度高。
由此可见,本发明的目的已经完整并有效的予以实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中予以展示和说明,在不背离所述原理下,实施方式可作任意修改。本发明包括了基于权利要求精神及权利要求范围的所有变形实施方式。
Claims (6)
1.一种宽幅调压装置,其特征在于,包括:取电变压器、采样系统、控制系统和电压调节系统,其中,
所述取电变压器的一次侧绕组接至供电线电压接入端,所述供电线电压接入端包括供电线三相输入端与供电线中性线端;
所述采样系统与所述取电变压器的输出端连接,所述采样系统用于实时检测所述取电变压器的输出端的各相电压数据,并将各相电压数据分别输出并传输至控制系统;所述采样系统包括电压检测单元、数据储存单元、数据调用和传输单元,其中,所述电压检测单元用于实时检测所述取电变压器的输出端的各相电压数据,所述数据储存单元用于存储各相电压数据,所述数据调用和传输单元用于将各相电压数据分别输出并传输至所述控制系统;
所述控制系统与所述采样系统和所述电压调节系统连接,所述控制系统包括控制器和驱动电路,所述控制器用于接收所述采样系统输出的各相电压数据,判断接收到的每个单相电压数据所处的范围,据此产生每个单相的指令信号并输出给驱动电路,所述驱动电路将指令信号放大后传输至所述电压调节系统;所述控制器包括:数据接收单元、比较判断单元和指令输出单元,其中,所述数据接收单元用于接收所述采样系统输出的各相电压数据,所述比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,所述指令输出单元用于根据所述比较判断单元的结果产生每个单相的指令信号并输出给所述驱动电路,所述指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号;所述驱动电路用于将指令信号放大后传输至所述电压调节系统;
所述电压调节系统串联于供电线路中,所述电压调节系统包括三相电压调节系统,其中,每个单相电压调节系统包括:第一补偿变压器、第二补偿变压器和可控硅电路,供电线输入端经依次串联连接的第一补偿变压器的二次侧绕组、第二补偿变压器的二次侧绕组接至供电线输出端,所述可控硅电路与所述驱动电路连接,用于根据所述驱动电路输出的指令信号进行各可控硅器件的导通关断,所述可控硅电路包括七个可控硅器件,每个单相电压调节系统的连接方式如下:
第一补偿变压器的一次侧绕组含三个接线端:第一接线端子、第二接线端子与第三接线端子,第二补偿变压器的一次侧绕组含三个接线端:第四接线端子、第五接线端子与第六接线端子,所述取电变压器的输出端含两个接线端:第七接线端子和第八接线端子,供电线单相输入端与第七接线端子是同名端;
第一接线端子与第八接线端子相接,第二接线端子与第一可控硅器件的阴极相连,第三接线端子与第二可控硅器件的阴极相连,第一可控硅器件与第二可控硅器件的阳极相连并接至第七接线端子;
第三可控硅器件的阳极与第四可控硅器件的阴极相接并共同接至第四接线端子,第五可控硅器件的阴极接至第五接线端子,第六可控硅器件的阳极与第七可控硅器件的阴极相接并共同接至第六接线端子,第三可控硅器件的阴极与第六可控硅器件的阴极相接并共同接至第八接线端子,第四可控硅器件的阳极与第五可控硅器件的阳极、第七可控硅器件的阳极相接并共同接至第七接线端子。
2.如权利要求1所述的宽幅调压装置,其特征在于,所述控制器包括:三个数据接收单元、三个比较判断单元和三个指令输出单元,其中,每个所述数据接收单元,用于分别接收所述采样系统输出的每相电压数据;每个所述比较判断单元用于判断每个单相电压数据所处的范围,每个所述指令输出单元用于根据所述比较判断单元的结果产生每个单相的指令信号并输出给所述驱动电路,所述指令信号为用于各相的可控硅电路中各可控硅器件的导通关断指令信号;所述驱动电路用于将所述指令信号放大后传输至所述电压调节系统。
3.如权利要求1所述的宽幅调压装置,其特征在于,所述控制器采用ARM PLC控制器或DSP控制器。
4.如权利要求1所述的宽幅调压装置,其特征在于,所述补偿变压器采用工频变压器。
5.如权利要求1~4中任一项所述的宽幅调压装置,其特征在于,第一补偿变压器的第一接线端子与第二接线端子之间的线圈匝数与第一补偿变压器的第二接线端子与第三接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1,第二补偿变压器的第四接线端子与第五接线端子之间的线圈匝数与第二补偿变压器的第五接线端子与第六接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1。
6.如权利要求1或2所述的宽幅调压装置,其特征在于,第一补偿变压器的第一接线端子与第二接线端子之间的线圈匝数与第一补偿变压器的第二接线端子与第三接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1,第二补偿变压器的第四接线端子与第五接线端子之间的线圈匝数与第二补偿变压器的第五接线端子与第六接线端子之间的线圈匝数比设置为1:1;
所述电压调节原则如下:
当所述比较判断单元的结果显示该相电压大于或等于220V,下达调压档位为+0%档的指令,所述驱动电路驱动第二可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为210V~219V,下达调压档位为+5%档的指令,所述驱动电路驱动第一可控硅器件、第四可控硅器件、第六可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为199V~209V,下达调压档位为+10%档的指令,所述驱动电路驱动第二可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为188V~198V,下达调压档位为+15%档的指令,所述驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第七可控硅器件导通,其他断开;
当所述比较判断单元的结果显示该相电压为176V~187V,下达调压档位为+20%档的指令,所述驱动电路驱动第一可控硅器件、第三可控硅器件、第五可控硅器件导通,其他断开。
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