CN110517832A - 阻水导体的生产工艺及生产系统 - Google Patents

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孙达威
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Abstract

本发明阻水导体的生产工艺及生产系统,所述生产系统,包括依次排布的绞笼、绞合模口、加热烘道、牵引装置、绕包装置和收线盘,还包括混料器和混胶输料装置,所述混料器包括第一胶桶、第二胶桶和混料桶,所述第一胶桶和第二胶桶和所述混料桶连通,向所述混料桶输料,所述混料桶为密闭结构,所述混胶输料装置和所述混料桶的出口连通,所述混料输料装置的输送出口位于所述绞合模口处。本发明阻水导体的生产工艺及生产系统,采用双组份硅胶作为阻水胶,并且使注胶后的导体通过加热烘道,在所述烘道内完成双组份硅胶的一段硫化过程,能够有效避免因胶水未硫化或硫化不充分带来的质量隐患。

Description

阻水导体的生产工艺及生产系统
技术领域
本发明涉及电缆领域,特别是涉及一种阻水导体的生产工艺及生产系统。
背景技术
相较于导体内填充阻水粉的方法,采用胶水填充的原理胶水将导体内的空隙填充紧实,胶水硫化后不受海水影响,不需要填充材料吸收水分。是填充效果相对粉状物质填充好,并且电缆受到弯曲时的填充相对稳定,不会发生位移。填充胶水一般为硅胶材料作为基底材料,硅胶分为单组份与双组份,各自的硫化机理也大相径庭。
500米水深导体阻水以往采用的材料为单组份室温硫化密封硅胶,单组份室温硫化密封硅胶的硫化反应与水分关联,但是电缆在生产过程中是需要尽可能避免与水接触的,以免导体出现氧化。尽管单组份胶水在室温密闭环境下也可以进行硫化,但这一过程反应极慢,考虑到电缆长度与生产周期,单组份室温硫化密封硅胶加工难度大。若单组份室温硫化密封硅胶未能硫化充分可能会导致导体表面电场分布不均,出现电场集中对电缆的绝缘性能造成影响的问题,严重时胶水会进入绝缘层。并且单组份室温硫化密封硅胶的导电性能较差,体积电阻在2×1016Ω/cm。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阻水导体的生产工艺及生产系统,能够有效避免因胶水未硫化或硫化不充分带来的质量隐患。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阻水导体的生产工艺,采用双组份硅胶作为阻水胶,具体步骤包括:
(1)、混胶:所述双组份硅胶包括A组份和B组份,所述A组份和B组份通过混料器在隔绝空气情况下充分混合;
(2)、绞合:在导体的每层绞层绞合的同时通过混胶输料装置将混合好的双组分硅胶传送到绞合模口,在所述导体绞合成股的同时,胶水填充导体各层之间的缝隙;
(3)、一段硫化:在最外层导体绞合完成后,使注胶后的导体通过加热烘道,在所述烘道内完成双组份硅胶的一段硫化过程;
(4)、绕包:对导体进行绕包。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤(3)中,所述加热烘道为管式加热通道。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤(4)中,使用半导电带对导体进行绕包。
在本发明一个较佳实施例中,半导电带材选用0.15mm的半导电阻水绑扎带。
在本发明一个较佳实施例中,所述双组份硅胶的一段硫化的条件为最低150℃ 10min,所述双组份硅胶的二段硫化条件为最低200℃ 4h。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阻水导体的生产系统,包括依次排布的放线盘、绞笼、绞合模口、加热烘道、牵引装置、绕包装置和收线盘,还包括混料器和混胶输料装置,所述混料器包括第一胶桶、第二胶桶和混料桶,所述第一胶桶和第二胶桶和所述混料桶连通,向所述混料桶输料,所述混料桶为密闭结构,所述混胶输料装置和所述混料桶的出口连通,所述混料输料装置的输送出口位于所述绞合模口处。
在本发明一个较佳实施例中,所述加热烘道为管式加热烘道。
在本发明一个较佳实施例中,所述绞合模口处安装有注胶增压装置。
在本发明一个较佳实施例中,所述生产系统还包括放线盘,所述放线盘位于所述绞笼的之前的工序。
在本发明一个较佳实施例中,所述牵引装置为轮式牵引装置。
本发明的有益效果是:本发明阻水导体的生产工艺及生产系统,采用双组份硅胶作为阻水胶,并且使注胶后的导体通过加热烘道,在所述烘道内完成双组份硅胶的一段硫化过程,能够有效避免因胶水未硫化或硫化不充分带来的质量隐患。
附图说明
图1是本发明阻水导体的生产系统一较佳实施例的结构示意图;
附图中各部件的标记如下:1-放线盘、2-绞笼、3-绞合模口、41-第一胶桶、42-第二胶桶、43-混料桶、5-混胶输料装置、51-注胶增压装置、6-加热烘道、7-轮式牵引装置、8-绕包装置、9-收线盘、10-导体。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参阅图1,本发明实施例包括:
一种阻水导体的生产系统,包括依次排布的放线盘1、绞笼2、绞合模口3、混料器、混胶输料装置5、加热烘道6、轮式牵引装置7、绕包装置8和收线盘9。
所述混料器包括第一胶桶41、第二胶桶42和混料桶43,所述第一胶桶41和第二胶桶42和所述混料桶43连通,向所述混料桶43输料,所述混料桶43为密闭结构,所述混胶输料装置5和所述混料桶43的出口连通,所述混料输料装置的输送出口位于所述绞合模口3处。
本发明阻水导体生产系统的工作过程如下:所述放线盘1将导体10输送至所述绞笼2中,所述绞笼2包括多个线盘,多个线盘同时向所述绞合模口3提供导体10,在多层导体在所述绞合模口3绞合的同时,所述混胶输料装置5将混料器中混合好的双组份硅胶输送至所述绞合模口3处,为保证注胶量,在注胶处增加注胶增压装置51,绞合注胶后的导体10在所述轮式牵引装置7的牵引下,通过加热烘道6,所述加热烘道6优选为管式加热烘道6,一方面可以方便导体10通过,同时节约空间。经过一段硫化后的导体10接着进入所述绕包装置8,进行绕包工序,最后所述收线盘9对绕包后的导体10进行收线,完成整个生产工序。
本发明阻水导体的生产工艺,采用双组份硅胶作为阻水胶,具体步骤包括:
(1)、混胶:所述双组份硅胶包括A组份和B组份,所述A组份和B组份通过混料器在隔绝空气情况下充分混合;
(2)、绞合:在导体的每层绞层绞合的同时通过混胶输料装置将混合好的双组分硅胶传送到绞合模口,在所述导体绞合成股的同时,胶水填充导体各层之间的缝隙;导体的多层采用在不同位置同时绞合的方式;
(3)、一段硫化:在最外层导体绞合完成后,使注胶后的导体通过加热烘道,在所述烘道内完成双组份硅胶的一段硫化过程;
(4)、绕包:对导体进行绕包。
本发明阻水导体的生产工艺的工作原理如下:
一、材料的选用:填充胶水一般为硅胶材料作为基底材料,硅胶分为单组份与双组份,各自的硫化机理也大相径庭。这里我们选取单组份硫化室温密封硅胶与双组份半导电硅胶进行对比,双组份半导电硅胶采用江苏玖辰电气 公司生产的型号:FQ671 A/B的双组份硅胶。
表1 单组份与双组份胶水技术参数
由表1参数可知,双组份半导电硅胶与单组份硫化室温密封硅胶在拉伸强度、伸长率和体积电阻率方面比较更为优秀。在硬度方面由于胶水应用于动态缆中,硬度不宜过高;在应用温度方面,单组份与双组份的温度应用范围均能满足电缆运行需求。
表2 硫化方式
由表2可知单组份室温硫化密封硅胶的硫化反应与水分关联,但是电缆在生产过程中是需要尽可能避免与水接触的,以免导体出现氧化。尽管单组份胶水在室温密闭环境下也可以进行硫化,但这一过程反应极慢,考虑到电缆长度与生产周期,单组份室温硫化密封硅胶加工难度大。若单组份室温硫化密封硅胶未能硫化充分可能会导致导体表面电场分布不均,出现电场集中对电缆的绝缘性能造成影响的问题,严重时胶水会进入绝缘层。双组份半导电硅胶的硫化不需要与水气接触,硫化反应速率与温度关联,在工艺实施方面的并没有难度。
另外,考虑到电缆抢修时,胶水粘度过高附着在导体内难以清除,胶水须具有易清理的特性。为避免电缆的导体电阻和载流量受到胶水影响,胶水导电也是需要考虑的。
二、工艺过程和参数的选择:注胶过程必须在导体绞合工序进行,考虑到导体在进入交联的过程中与过线通道的接触,需要在导体外层绕包半导电带作为防护,并且为保证胶水硫化充分,在导体绞合时进行加热实现一段硫化。
由于电缆绝缘材料为交联聚乙烯,以我司交联生产线为例,生产过程中导体最高温度可达180℃,时长约5min。在交联工序前胶水已经完成一段硫化状态,双组份半导电硅胶的二段硫化条件为200℃,保温4h,而硫化管道内的温度和导体停留时间并不满足二段硫化的要求,所以交联不会对双组份半导电硅胶造成影响。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阻水导体的生产工艺,其特征在于,采用双组份硅胶作为阻水胶,具体步骤包括:
(1)、混胶:所述双组份硅胶包括A组份和B组份,所述A组份和B组份通过混料器在隔绝空气情况下充分混合;
(2)、绞合:在导体的每层绞层绞合的同时通过混胶输料装置将混合好的双组分硅胶传送到绞合模口,在所述导体绞合成股的同时,胶水填充导体各层之间的缝隙;
(3)、一段硫化:在最外层导体绞合完成后,使使注胶后的导体通过加热烘道,在所述烘道内完成双组份硅胶的一段硫化过程;
(4)、绕包:对导体进行绕包。
2.根据权利要求1所述的阻水导体的生产工艺,其特征在于,所述步骤(3)中,所述加热烘道为管式加热通道。
3.根据权利要求1所述的阻水导体的生产工艺,其特征在于,所述步骤(4)中,使用半导电带对导体进行绕包。
4.根据权利要求3所述的阻水导体的生产工艺,其特征在于,半导电带材选用0.15mm的半导电阻水绑扎带。
5.根据权利要求1所述的阻水导体的生产工艺,其特征在于,所述双组份硅胶的一段硫化的最低条件为150℃,10min,所述双组份硅胶的二段硫化的最低条件为200℃,4h。
6.一种阻水导体的生产系统,其特征在于, 包括依次排布的绞笼、绞合模口、加热烘道、牵引装置、绕包装置和收线盘,还包括混料器和混胶输料装置,所述混料器包括第一胶桶、第二胶桶和混料桶,所述第一胶桶和第二胶桶和所述混料桶连通,向所述混料桶输料,所述混料桶为密闭结构,所述混胶输料装置和所述混料桶的出口连通,所述混料输料装置的输送出口位于所述绞合模口处。
7.根据权利要求6所述的阻水导体的生产系统,其特征在于,所述加热烘道为管式加热烘道。
8.根据权利要求6所述的阻水导体的生产系统,其特征在于,所述绞合模口处安装有注胶增压装置。
9.根据权利要求6所述的阻水导体的生产系统,其特征在于,所述生产系统还包括放线盘,所述放线盘位于所述绞笼的之前的工序。
10.根据权利要求6所述的阻水导体的生产系统,其特征在于,所述牵引装置为轮式牵引装置。
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