CN110491892A - 图像传感器及其制作方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 10
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 10
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 6
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 120
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本申请提供一种图像传感器及其制作方法，所述的图像传感器包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种图像传感器及其制作方法。
背景技术
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。图像传感器通常为两种类型，电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CMOSImage Sensors，CIS)。相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。
在现在的开口环境中，存在着大量的电磁波，如γ射线，微波等，图像传感器被电磁波辐射会造成介质损耗和缺陷，从而对所述图像传感器的灵敏度、噪声等造成影响。随着图像传感器的结构越来越小，其受到的电磁波的影响也会越来越严重。
在背照式图像传感器中，从微透镜到感光元件的光路区没有有效防护电磁波的结构，图像传感器的滤光片无法完全阻挡电磁波进入光电激发区。电磁波进入图像传感器，会对图像传感器的成像质量造成影响。
发明内容
本申请提供一种图像传感器及其制作方法，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。
本申请的一方面提供一种图像传感器，包括：
形成有感光元件的半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的绝缘结构；
位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；
位于所述钝化层上的微透镜；
其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。
在本申请的一些实施例中，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
在本申请的一些实施例中，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
本申请实施例还提供一种图像传感器的制作方法，包括：提供形成有感光元件的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘结构；在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；在所述绝缘结构上形成位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；在所述遮光膜和所述滤色层上形成钝化层；在所述钝化层上形成微透镜，所述方法还包括：在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。
在本申请的一些实施例中，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
在本申请的一些实施例中，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。
本申请中另外的特征将部分地在下面的描述中阐述。通过该阐述，使以下附图和实施例叙述的内容对本领域普通技术人员来说变得显而易见。本申请中的发明点可以通过实践或使用下面讨论的详细示例中阐述的方法、手段及其组合来得到充分阐释。
附图说明
以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本公开的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的发明意图。在本申请实施例中，附图仅仅示意性的对图像传感器的结构进行描述，并不对构成图像传感器的各部件的具体结构以及具体位置关系做严格的限定，并且，各部件示意图与实际部件的尺寸不一定按比例绘制，且在一些情况下，为了清楚地说明实施例的特征，比例可以被夸大。其中：
图1是本申请实施例图像传感器结构示意图。
图2是本申请实施例另一图像传感器结构示意图。
图2A至图2C为图2所示图像传感器结构制作方法各步骤的结构示意图。
图3是本申请实施例又一图像传感器结构示意图。
图4是本申请实施例再一图像传感器结构示意图。
具体实施方式
以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本公开不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。
本申请实施例提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。
在本申请的实施例中，所述电磁波吸收层可以设置在所述图像传感器的不同位置，只需要起到阻挡电磁波进入所述感光元件，并且不影响所述图像传感器的其它成像性能即可，因此，本申请提供多个具体实施例，以说明所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置。
根据所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置，所述图像传感器制作方法中形成所述电磁波吸收层的工艺也有所不同，在实施例1-4中，结合所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置，一并阐述其制作工艺。
实施例1：
下面参考附图1对本申请实施例所述的图像传感器及其制作方法进行进一步的详细说明。所述图像传感器包括：形成有感光元件110的半导体衬底100；位于所述半导体衬底100上的绝缘结构130；位于所述绝缘结构130上的电磁波吸收层140a；位于所述电磁波吸收层140a上并且部分覆盖所述电磁波吸收层140a的遮光膜160；位于所述电磁波吸收层140a上位置对应于所述感光元件110的滤色层150，所述遮光膜160隔离所述滤色层150；位于所述遮光膜160和所述滤色层150上的钝化层170；位于所述钝化层170上的微透镜180。
参考附图1所示，提供半导体衬底100，所述半导体衬底中形成有感光元件110；所述半导体衬底100可以为硅衬底，或者为绝缘体上的硅衬底，或者是生长有外延层的硅衬底。
在本申请的一些实施例中，所述的半导体衬底100为P型硅，所述P型硅通过在硅衬底中进行P型掺杂来实现，例如使用离子注入或扩散的工艺实现全部掺杂。执行掺杂工艺时，掺杂离子的能量及掺杂浓度可以按照现有技术进行选择。所述的掺杂离子例如为B，BF2、镓离子和铟离子中的一种或者多种组合，掺杂离子浓度范围例如为1E14～1E16/cm3。
所述的半导体衬底100中还可形成和浮置扩散区以及半导体器件以及互连线路，例如复位晶体管和处理电路等，为了描述方便，本申请实施例的附图未示出。参考附图1所示，所述的半导体衬底100中形成有感光元件110。
本申请实施例所述的感光元件110例如为光电二极管，所述光电二极管以阵列形式排布，用于将接收到的光信号转换为电信号。例如：所述的光电二极管在半导体衬底中以拜耳(Bayer)阵列布置，也可以根据需要布置成其他任何阵列。为了满足所述半导体衬底100的总厚度薄化的要求，各个所述光电二极管在所述半导体衬底100中基本上位于同一深度。
在本申请的实施例中，所述光电二极管可以通过在半导体衬底100中通过执行一次以上的离子注入工艺形成。所述光电二极管的掺杂类型与所述半导体衬底100的掺杂类型相反，例如，当所述半导体衬底100为P型掺杂时，所述光电二极管为N型掺杂。
在本申请的一些实施例中，所述光电二极管为N型离子掺杂，掺杂离子浓度范围为1E11～5E13/cm3，所述的掺杂离子包括磷，As和锑离子中的一种或者多种组合，所述掺杂离子在半导体衬底中的掺杂深度为2～3.5微米。
继续参考附图1所示，所述的半导体衬底100内还形成有隔离结构120，所述的隔离结构120用于实现半导体器件有源区之间的隔离，并防止光线在所述感光元件110之间的串扰。所述隔离结构120的材料例如是氧化硅，还可以是氧化硅与其他绝缘材料例如氮氧化硅形成的复合结构。所述隔离结构120的形成工艺可以是本领域技术人员了解的任何隔离工艺，例如深沟槽隔离结构。
本申请实施例所述的图像传感器及其制作方法适用于背照式图像传感器。在本申请的实施例中，设定所述的半导体衬底100上形成微透镜的一面为光入射面，则在所述半导体衬底100的光入射面还形成有绝缘结构130，所述的绝缘结构130可以是单层或者多层介质层形成的堆栈结构。
所述绝缘结构130为单层介质层时，所述绝缘结构的材料例如为氧化硅，所述绝缘结构130为多层介质层形成的堆栈结构时，所述的绝缘结构130中可以包含高介电常数材料层，用于防止由于表面损伤产生暗电流，其中，所述的高介电常数材料层的介电常数k大于3.9，所述高介电常数材料例如为二氧化铪；所述的绝缘结构中还可以包括抗反射层，用于防止入射光反射形成串扰；所述的绝缘结构中还可以包括粘附介质层，使得各介质层之间更好的粘合；所述的绝缘结构还用于隔离半导体衬底100与随后形成的遮光膜。所述绝缘结构130例如为化学气相沉积工艺等。
继续参考附图1所示，在所述绝缘结构130表面形成电磁波吸收层140a，所述的电磁波吸收层140a材料例如为本征型导电高分子材料，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
所述的电磁波吸收层140a设置在所述的绝缘结构130表面，可以反射和吸收入射图像传感器的电磁波，降低所述图像传感器所受到的电磁波干扰，从而提高图像传感器的性能。
以所述电磁波吸收层材料为聚吡咯和聚碳酸酯构成的复合膜(PPY/PC)为例，所述的聚吡咯和聚碳酸酯复合膜具有良好的电磁屏蔽性能以及导电性能，并且具有良好的透光性(300nm-800nm波长范围内透光率在90％以上)，并且能反射和吸收电磁波，从而避免电磁波对所述图像传感器性能的影响。
而且，与金属相比，采用本征型导电高分子材料形成所述的电磁波吸收层140a，不会引入金属污染等导致暗电流。
本申请的一些实施例中，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
电化学聚合方法的反应机理为：
所述反应继续进行，分子链继续增长，最终形成聚吡咯。
反应通式表示为：
以所述电磁波吸收层材料为聚吡咯为例，可以采用电化学聚合的方法制备所述聚吡咯。所述电化学聚合的方法采用电极电位作为聚合反应的引发和反应驱动力，在形成有绝缘结构130的半导体衬底表面以聚碳酸酯(PC)为基底进行聚合反应并直接生成吡咯聚合物膜。
采用电化学聚合的方法制备所述聚吡咯的反应为：
继续参考附图1所示，在所述电磁波吸收层140a表面形成滤色层150，所述的滤色层150与所述感光器件110的位置相对应，用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入感光元件110。本申请的一些实施例中，所述的滤色层150可以允许通过白光、红光、蓝光、或者绿光。在另一些实施例中，所述的滤色层150可以允许通过青色、黄色、或者深红色的光。本领域技术人员可以理解，本申请实施例中的滤色层150还可以允许其他颜色的光通过。在本申请的一些实施例中，所述滤色层150是用内部添加有有机颜料的树脂形成的。此外，所述滤色层150还可以由其他材料制成，例如能够将特定波长的光反射出去的反光材料等。
所述滤色层150之间形成有遮光膜160，所述的遮光膜160用于隔离所述滤色层150，使不同像素区域的光线不会进入其他像素区间的光电二极管。
所述的遮光膜160可由金属制成，或是吸收光的黑色滤色层。遮光膜160的材料优选为具有遮光效果的金属材料，例如钨、铝或铜等，形成遮光膜160的工艺例如为化学气相沉积遮光膜材料并进行选择性刻蚀，再去除与光电二极管位置对应的部分遮光膜材料，形成所述遮光膜160。
继续参考附图1所示，在所述滤色层150以及遮光膜160上形成钝化层170，形成滤色层150后，所述的钝化层170可用于所述图像传感器表面的平感化，所述钝化层的材料例如为氧化硅或者氮化硅或者是由绝缘材料构成的复合材料层。
继续参考附图1所示，在所述钝化层170上形成微透镜180。所述的微透镜180用于针对各像素单元聚集光，其材料例如为聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂或这些树脂的共聚物树脂形成的。形成所述微透镜的工艺可以是现有的任意一种微透镜制作工艺，在此不做详细描述。
实施例2
参考附图2所示，为本申请另一图像传感器的结构示意图。所述图像传感器包括：形成有感光元件110的半导体衬底100；位于所述半导体衬底100上的绝缘结构130；位于所述绝缘结构130上并且部分覆盖所述绝缘结构130的遮光膜160；位于所述绝缘结构130上以及所述遮光膜160侧壁的电磁波吸收层140b；位于所述电磁波吸收层140b表面并且位置对应于所述感光元件110的滤色层150，所述遮光膜160隔离所述滤色层150；位于所述电磁波吸收层140b、所述遮光膜160和所述滤色层150暴露出的表面上的钝化层170；位于所述钝化层170上的微透镜180。
其中，所述的电磁波吸收层140b位于所述绝缘结构130上以及所述遮光膜160侧壁，也就是说，所述的电磁波吸收层140b位于所述绝缘结构130以及遮光膜160共同围成的开口内壁，而所述滤色层150位于所述电磁波吸收层140b围成的开口内，当电磁波进入所述滤光片区域时，所述的电磁波吸收层可以反射和吸收入射图像传感器的电磁波，降低所述图像传感器所受到的电磁波干扰，从而提高图像传感器的性能。
参考附图2A所示，所述的图像传感器包括半导体衬底100，所述半导体衬底100中形成有感光元件110以及隔离结构120；以及位于所述半导体衬底上的绝缘结构130。其中，所述半导体衬底100，感光元件110，隔离结构120以及绝缘结构130与实施例1中的描写相同，在此不再赘述。
参考附图2A所示，在所述绝缘结构130上形成遮光膜160，形成所述遮光膜160的工艺例如为：在所述绝缘结构130表面沉积遮光膜材料层，通过刻蚀工艺去除部分所述遮光膜材料，形成所述遮光膜160。其中，去除的部分所述遮光膜材料位置对应于所述感光元件110。
如图2A所示，所述遮光膜160与所述绝缘结构130围成若干开口，在所述开口的内壁形成电磁波吸收层140b，所述电磁波吸收层140b的材料以及形成所述电磁波吸收层140b的工艺可参考实施例1中所述。
参考附图2B所示，在所述电磁波吸收层140b表面形成滤色层150，所述的滤色层150位置对应于所述感光元件110，也就是说，所述的滤色层150位于所述电磁波吸收层140b围成的空间内。也就是说，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
本申请实施例中，所述遮光膜160隔离所述滤色层150是一种间接的隔离，旨在避免所述遮光膜160之间发生光线的串扰。
在本申请的一些实施例中，可以包括化学机械抛光工艺，以平坦化所述电磁波吸收层140b以及所述滤色层150以及所述遮光膜160的表面，使其表面保持基本平齐。
继续参考附图2C所示，在所述电磁波吸收层140b、所述遮光膜160和所述滤色层150暴露出的表面上形成钝化层170；以及在所述所述钝化层170上形成微透镜180。
实施例3
参考附图3所示，为本申请又一图像传感器的结构示意图。所述图像传感器包括：形成有感光元件110的半导体衬底100；位于所述半导体衬底100上的绝缘结构130，位于所述绝缘结构130上并且部分覆盖所述绝缘结构130的遮光膜160；位于绝缘结构130上位置对应于所述感光元件110的滤色层150，所述遮光膜160隔离所述滤色层150；位于所述遮光膜160和所述滤色层150上的钝化层170；位于所述钝化层上的电磁波吸收层140c，位于所述电磁波吸收层140上的微透镜180。
也就是说，所述电磁波吸收层140c位于所述所述微透镜180与所述钝化层170之间。
参考附图3所示，所述的图像传感器包括半导体衬底100，所述半导体衬底100中形成有感光元件110以及隔离结构120；以及位于所述半导体衬底上的绝缘结构130。其中，所述半导体衬底100，感光元件110，隔离结构120以及绝缘结构130与实施例1中的描写相同，在此不再赘述。
继续参考附图3所示，在所述绝缘结构130上形成滤色层150，所述的滤色层150与所述感光器件110的位置相对应，用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入感光元件110。
在所述滤色层150之间形成遮光膜160，所述的遮光膜160用于隔离所述滤色层150，使不同像素区域的光线不会进入其他像素区间的光电二极管。
在所述滤色层150以及所述遮光膜160上形成钝化层170，随后在所述钝化层170上形成所述电磁波吸收层140c，再在所述电磁波吸收层140c上形成所述微透镜180。所述电磁波吸收层140c的材料以及形成所述电磁波吸收层140c的工艺可参考实施例1中所述。
所述电磁波吸收层140b设置在所述微透镜180与所述钝化层170之间，可在电磁波进入所述滤光膜160之前反射和吸收入射图像传感器的电磁波，降低所述图像传感器所受到的电磁波干扰，从而提高图像传感器的性能。
实施例4
参考附图4所示，为本申请再一图像传感器的结构示意图。所述图像传感器包括：形成有感光元件110的半导体衬底100；位于所述半导体衬底100上的绝缘结构130，位于所述绝缘结构130上并且部分覆盖所述绝缘结构130的遮光膜160；位于绝缘结构130上位置对应于所述感光元件110的滤色层150，所述遮光膜160隔离所述滤色层150；位于所述遮光膜160和所述滤色层150上的钝化层170；位于所述钝化层上的微透镜180；位于所述微透镜180表面的电磁波吸收层140d。
参考附图4所示，所述的图像传感器包括半导体衬底100，所述半导体衬底100中形成有感光元件110以及隔离结构120；以及位于所述半导体衬底上的绝缘结构130。其中，所述半导体衬底100，感光元件110，隔离结构120以及绝缘结构130与实施例1中的描写相同，在此不再赘述。
继续参考附图3所示，在所述绝缘结构130上形成滤色层150，所述的滤色层150与所述感光器件110的位置相对应，用于通过特定波长范围的光，使所述特定波长范围的光进入感光元件110。
在所述滤色层150之间形成遮光膜160，所述的遮光膜160用于隔离所述滤色层150，使不同像素区域的光线不会进入其他像素区间的光电二极管。
在所述滤色层150以及所述遮光膜160上形成钝化层170，随后在所述钝化层170上形成微透镜180，再在所述微透镜180上形成所述电磁波吸收层140d。所述电磁波吸收层140d的材料以及形成所述电磁波吸收层140d的工艺可参考实施例1中所述。
所述电磁波吸收层140b设置在所述微透镜180表面，可在电磁波进入所述滤光膜160之前反射和吸收入射图像传感器的电磁波，降低所述图像传感器所受到的电磁波干扰，从而提高图像传感器的性能。
另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例性示例(EE)。
EE1一种图像传感器，其特征在于，包括：
形成有感光元件的半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的绝缘结构；
位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；
位于所述钝化层上的微透镜；
其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。EE2如EE1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
EE3如EE1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
EE4如EE1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
EE5如EE1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
EE6如EE1至5所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。
EE7如EE6所述的图像传感器，其特征在于，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
EE8如EE7所述的图像传感器，其特征在于，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
EE9一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供形成有感光元件的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成绝缘结构；
在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
在所述绝缘结构上形成位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
在所述遮光膜和所述滤色层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成微透镜；
所述方法还包括：在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层。
EE10如EE9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
EE11如EE9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
EE12如EE9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
EE13如EE9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
EE14如EE9至13所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。
EE15如EE14所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
EE16如EE15所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
综上所述，在阅读本详细公开内容之后，本领域技术人员可以明白，前述详细公开内容可以仅以示例的方式呈现，并且可以不是限制性的。尽管这里没有明确说明，本领域技术人员可以理解本申请意图囊括对实施例的各种合理改变，改进和修改。这些改变，改进和修改旨在由本公开提出，并且在本公开的示例性实施例的精神和范围内。
应当理解，本申请实施例使用的术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任意或全部组合。应当理解，当一个元件被称作“连接”或“耦接”至另一个元件时，其可以直接地连接或耦接至另一个元件，或者也可以存在中间元件。
类似地，应当理解，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称作在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。与之相反，术语“直接地”表示没有中间元件。还应当理解，术语“包含”、“包含着”、“包括”和/或“包括着”，在此使用时，指明存在所记载的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
还应当理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在没有脱离本发明的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件在其他实施例中可以被称为第二元件。相同的参考标号或相同的参考标志符在整个说明书中表示相同的元件。
此外，通过参考作为理想化的示例性图示的截面图示和/或平面图示来描述示例性实施例。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的与图示的形状的不同是可预见的。因此，不应当将示例性实施例解释为限于在此所示出的区域的形状，而是应当包括由例如制造所导致的形状中的偏差。例如，被示出为矩形的蚀刻区域通常会具有圆形的或弯曲的特征。因此，在图中示出的区域实质上是示意性的，其形状不是为了示出器件的区域的实际形状也不是为了限制示例性实施例的范围。
Claims (10)
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
形成有感光元件的半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的绝缘结构；
位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；
位于所述钝化层上的微透镜；
其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
6.如权利要求1至5所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。
9.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供形成有感光元件的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成绝缘结构；
在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
在所述绝缘结构上形成位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
在所述遮光膜和所述滤色层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成微透镜；
所述方法还包括：在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层。
10.如权利要求9所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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ID=68552143
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN110491892A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20191122 |