CN110439547B - 储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，包括以下步骤：S1、根据采集的储集层的微电阻率成像测井数据获取微电阻率成像测井图像；S2、获得与浅侧向电阻率纵向分辨率一致的纽扣电极平均曲线；S3、获得经浅侧向刻度后的微电阻率成像测井纽扣电极接触井壁岩层的电阻率曲线；S4、计算获得微电阻率成像纽扣电极对应的孔隙度；S5、计算获得微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值；S6、根据多个区间的幅度值，获得微电阻率成像对应的孔隙度谱。本发明得到的孔隙度谱分布与核磁T2谱之间具有良好的一致性，从而实现储集层物性好坏的连续评价。
Description
技术领域
本发明涉及石油地质勘探储集层测井评价技术领域，尤其涉及一种储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法。
背景技术
在石油地质领域，储集层是指具有连通孔隙、允许油气在其中储存和渗流的岩层，简称储层。1986年斯伦贝谢公司开发了第一代微电阻率成像仪器(FMS)，由于其在8.5in的井眼覆盖率仅为20％，于1991年斯伦贝谢公司推出新一代的全井眼地层微电阻率成像测井仪器(FMI)，在8in井眼中基本可以实现全覆盖。后续Baker Atlas和Halliburton公司也相继推出各自的微电阻率成像仪器START-Ⅱ和EMI/XRMI。微电阻率成像测井仪器利用极板上密集排列的“纽扣”电极，测量井壁地层上百条微电阻率信息，经过高分辨率成像处理形成高清晰度的井壁微电阻率图像。电成像测井在沉积相划分、构造应力分析、碳酸盐储层裂缝和其他次生孔隙识别和薄互层评价等方面发挥重要作用，受到测井分析家和地质学家的普遍重视，其中利用微电阻率成像测井资料评价储层孔隙度的分布情况就是其中的一个方面。
根据微电阻率成像测井原理，在测井过程中，通过采集每个纽扣电极流出的电流和极板电压，根据欧姆定律便可以得到每个纽扣电极接触井壁岩层的电导，即：
σb＝VEMEX/Ib
式中：σb为纽扣电极接触井壁岩层的电导，单位为S；VEMEX为极板电压，单位为V；Ib为纽扣电流，单位为A。
如果已知转换系数K，便可求出纽扣电极接触井壁岩层的电阻率，即：
RB＝KVEMEX/IB
式中：K为转换系数；RB为纽扣电极接触井壁岩层的电阻率，单位为Ω.m。
微电阻率成像测井测量的是井壁周围的冲洗带地层，依据阿尔奇公式便可以将纽扣电极测量的电阻率转换为孔隙度，即：
式中：
为纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度，单位为V/V；a为与岩石有关的比例系数，一般为0.65-1.5；m为胶结指数，一般为1.5-3.0；b为与岩性有关的常数，一般很接近于1；n为饱和度指数，其值在1.0-4.3之间；Rmf为泥浆滤液电阻率，Ω.m；Sxo为冲洗带含水饱和度，V/V。
根据上式便可以得到每个测量深度点上的192个(FMI仪器)孔隙度数据，通过选取一个图像窗口，通常取0.1m-0.3m，统计该窗长内不同大小孔隙区间中孔隙度的个数，以孔隙度大小为横坐标，孔隙度个数为纵坐标，绘制孔隙度谱的分布图。根据其分布，就可以了解该窗长对应地层孔隙度大小的分布情况。在总孔隙度相同的情况下，当储集层以大孔隙为主，孔隙度谱图的峰值位置靠右；当储集层以小孔隙为主，孔隙度谱图的峰值位置靠左；当地层孔隙度大小变化较大时，孔隙度谱图呈多峰分布。因此可以根据微电阻率成像孔隙度谱的分布形态和相对位置来评价储集层孔隙尺寸的大小，为储集层评价提供依据。
如图1所示，假设储集层的孔隙度在0％-6％、6％-12％和12％-18％三个区间内呈现出均匀的正态分布，那么在微电阻率成像孔隙度谱(图1中右图)上将呈现出幅度相同的三个峰值，但是该种储集层在核磁T2谱(图1中左图)上三个峰值的幅度却明显不同，后面两个大孔隙区间的峰值明显高于前面小孔隙区间的峰值，较好反应出储集层的物性主要取决于大孔隙的分布情况。即现有方法生成的电成像孔隙度谱反映的是储集层孔隙度大小个数的频率分布，认为不同大小的孔隙对储层物性好坏的贡献相同。但是在储集层孔隙联通性较好的情况下，其物性的好坏主要取决于大孔隙体积占总孔隙体积的百分比，而不是大孔隙个数占总孔隙个数的多少。
为了解决上述问题，特提出本发明。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种得到的孔隙度谱分布与核磁T2谱之间具有良好的一致性，实现储集层物性好坏的连续评价的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，包括以下步骤：
S1、根据采集的储集层的微电阻率成像测井数据获取微电阻率成像测井图像；
S2、根据储集层每一深度点的多个纽扣电极接触井壁岩层测量值计算获得每一个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值，将多个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值形成的曲线进行滤波，得到一条与浅侧向电阻率纵向分辨率一致的纽扣电极平均曲线，根据纽扣电极平均曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层平均值；
S3、利用常规测井曲线建立储集层类型识别图版，建立不同储集层类型的浅侧向电阻率和纽扣电极接触井壁岩层平均值的函数关系，得到经浅侧向刻度后的微电阻率成像测井纽扣电极接触井壁岩层的电阻率曲线，根据电阻率曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层电阻率；
S4、利用岩心分析孔隙度数据标定测井解释孔隙度曲线，然后根据阿尔奇公式建立纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系，计算获得微电阻率成像纽扣电极对应的孔隙度；
S5、在步骤S1获得的微电阻率成像测井图像上选取一个窗口，根据步骤S4获得的所述孔隙度计算获得窗口内孔隙度的总和；将储集层段孔隙度的分布范围等分为多个区间，计算每个区间内孔隙度的和；分别将获得的每一个区间孔隙度的和除以获得的窗口内孔隙度的总和，得到微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值；
S6、根据步骤S5计算获得的多个区间的幅度值，获得微电阻率成像对应的孔隙度谱。
优选地，步骤S1中，对采集到的微电阻率成像测井数据进行预处理，获取微电阻率成像测井图像；所述预处理包括加速度校正、图像数据均衡化。
优选地，步骤S3中，所述常规测井曲线包括自然伽马、中子孔隙度、密度、声波时差及电阻率中一种或多种。
优选地，步骤S4中，纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系如下式所示：
式中，
为纽扣电极接触地层的孔隙度，单位为V/V；
为测井解释孔隙度，单位为V/V；RLLS为浅侧向电阻率，单位为Ω.m；RB为纽扣电极接触井壁岩层电阻率，单位为Ω.m。
优选地，步骤S5中，所述微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值根据下式计算获得：
式中，Ai为多个区间中第i个区间孔隙度的幅值；M为所选取的窗口内第i个区间中孔隙度的个数；N为所选取的窗口内孔隙度的总个数。
优选地，步骤S5中，选取的窗口含有预定数量采样点。
优选地，所述窗口的窗长为0.127m。
优选地，步骤S5中，将储集层段孔隙度的分布范围等分为至少10个区间。
将储集层段孔隙度的分布范围等分为50个区间。
优选地，所述储集层为礁灰岩储集层；
在步骤S3中，根据孔喉半径将礁灰岩储集层分为大孔喉礁灰岩储集层、中孔喉礁灰岩储集层和微孔喉礁灰岩储集层；建立的各储集层的浅侧向电阻率和纽扣电极接触井壁岩层平均值的函数关系如下：
大孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(1.22927-0.139721*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))；
中孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(1.62507-0.3*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))；
微孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(2.24691-0.571429*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))。
本发明的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，采用分储集层类型的方法刻度微电阻率成像纽扣电极的测量数据，得到高精度的微电阻率成像纽扣电极接触井壁岩层电阻率数据，然后生成微电阻率成像孔隙度谱的时候同时考虑孔隙度大小和孔隙度个数两个因素的影响，使得新生成的孔隙度谱的形态能够更好的反应储层孔隙结构等微观特征，得到的孔隙度谱分布与核磁T2谱之间具有良好的一致性，从而实现储集层物性好坏的连续评价。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是现有技术中储集层在核磁T2谱和微电阻率成像孔隙度谱的分布图；
图2是本发明的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法的流程图；
图3是本发明实施例中三种储集层类型识别图版；
图4是本发明实施例中三种礁灰岩储集层的浅侧向电阻率和纽扣电极平均曲线之间的函数关系图；
图5是本发明实施例中较好的岩心深度点上两种不同方法将微电阻率成像生成孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图；
图6是本发明实施例中中等的岩心深度点上两种不同方法将微电阻率成像生成孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图；
图7是本发明实施例中较差的岩心深度点上两种不同方法将微电阻率成像生成孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图；
图8是根据本发明方法编制计算机程序对实际测量的微电阻率成像测井资料处理得到的孔隙度谱成果图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
如图2所示，本发明的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，包括以下步骤：
S1、根据采集的储集层的微电阻率成像测井数据获取微电阻率成像测井图像。
该步骤前，预先利用微电阻率成像测井仪器进行储集层的微电阻率成像测井数据的采集。
对采集到的微电阻率成像测井数据进行预处理，预处理包括加速度校正、图像数据均衡化等等，通过预处理后获取微电阻率成像测井图像。
S2、根据储集层每一深度点的多个纽扣电极接触井壁岩层测量值计算获得每一个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值，将多个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值形成的曲线进行滤波，得到一条与浅侧向电阻率纵向分辨率一致的纽扣电极平均曲线，根据纽扣电极平均曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层平均值。
具体地，该步骤中，储集层中根据要求分有多个深度点，每一个深度点设有多个采样点，通过微电阻率成像测井仪器的极板上的纽扣电极对每一采样点进行测量，获得纽扣电极接触井壁岩层测量值。通过计算获得每一深度的纽扣电极接触井壁岩层测量值的平均值，即纽扣电极接触井壁岩层测量平均值。将多个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值连成一条曲线，经过滤波以获得与浅侧向电阻率纵向分辨率(阵列侧向电阻率测井仪器)基本一致的纽扣电极平均曲线，根据纽扣电极平均曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层平均值(经过滤波调整的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值)。
S3、利用常规测井曲线建立储集层类型识别图版，建立不同储集层类型的浅侧向电阻率和纽扣电极接触井壁岩层平均值的函数关系，得到经浅侧向刻度后的微电阻率成像测井纽扣电极接触井壁岩层的电阻率曲线，根据电阻率曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层电阻率。
其中，常规测井曲线包括自然伽马、中子孔隙度、密度、声波时差及电阻率等中一种或多种。
S4、利用岩心分析孔隙度数据标定测井解释孔隙度曲线，然后根据阿尔奇公式建立纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率(浅侧向仪器测量的电阻率曲线)、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系，计算获得微电阻率成像浅侧向对应的孔隙度。
其中，纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系式如下：
式中，
为纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度，单位为V/V；
为测井解释孔隙度，单位为V/V；RLLS为浅侧向电阻率，单位为Ω.m；RB为纽扣电极接触井壁岩层电阻率，单位为Ω.m。
S5、在步骤S1获得的微电阻率成像测井图像上选取一个窗口，根据步骤S4获得的孔隙度计算获得窗口内孔隙度的总和；将储集层段孔隙度的分布范围等分为多个区间，计算每个区间内孔隙度的和；分别将获得的每一个区间孔隙度的和除以获得的窗口内孔隙度的总和，得到微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值。
其中，选取的窗口含有预定数量采样点；例如，选择窗长为0.127m的窗口，其含有50个采样点。将储集层段孔隙度的分布范围等分为至少10个区间，如50个区间等等。
微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值根据下式计算获得：
Ai为多个区间中第i个区间孔隙度的幅值；M为所选取的窗口内第i个区间中孔隙度的个数；N为所选取的窗口内孔隙度的总个数。
S6、根据步骤S4计算获得的多个区间的幅度值，获得微电阻率成像对应的孔隙度谱。
以下通过具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
以珠江口盆地陆丰A生物礁灰岩油田为例，以LF15-B井主要目的层微电阻率成像生成孔隙度谱为例详细阐述本发明：
对采集的微电阻率成像测井数据进行预处理，得到储集层的微电阻率成像测井图像。
步骤1、建立微电阻率成像电阻率刻度公式：
步骤2、首先计算微电阻率成像测井仪器的极板上纽扣电极接触井壁岩层测量值的平均值，即纽扣电极接触井壁岩层测量平均值；储集层每一深度点上具有一个纽扣电极接触井壁岩层测量平均值，将多个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值形成的曲线进行平滑滤波，得到一条与浅侧向电阻率纵向分辨率基本一致的纽扣电极平均曲线(纽扣电极接触井壁岩层平均值曲线)。
依据岩心压汞实验得到的孔喉半径分布，以0.5μm和2.5μm为界限，将礁灰岩储集层划分为三类，孔径大于2.5μm的为大孔喉礁灰岩储层，孔喉介于0.5μm和2.5μm之间的为中孔喉礁灰岩储层和孔径小于0.5μm的为微孔喉礁灰岩储层。图3是利用密度和电阻率曲线建立三种储集层类型识别图版，图中分布的三角形“△”代表微孔喉礁灰岩储层，“+”代表大孔喉礁灰岩储层，黑色圆点“·”代表中孔喉礁灰岩储层(“储层”也为“储集层”)；从图中可以看出各类储集层之间具有明显的分界线，据此便可以依据常规测井曲线进行礁灰岩储层类型的划分。
图4是三种礁灰岩储集层的浅侧向电阻率和纽扣电极平均曲线之间的函数关系图，图中分布的三角形“△”代表微孔喉礁灰岩，“×”代表大孔喉礁灰岩，黑色圆点“·”代表中孔喉礁灰岩。各层的浅侧向电阻率和纽扣电极接触井壁岩层平均值之间的函数关系如下：大孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(1.22927-0.139721*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))；中孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(1.62507-0.3*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))；微孔喉礁灰岩储集层：浅侧向电阻率＝10^(2.24691-0.571429*log10(纽扣电极接触井壁岩层平均值))。从图4及各函数关系可得到经浅侧向电阻率刻度的微电阻率成像测井纽扣电极接触井壁岩层的电阻率曲线。
步骤3、利用岩心岩电实验数据分别回归出三类礁灰岩储集层的胶结指数m，其中大孔喉礁灰岩储层的胶结指数为1.89，中孔喉礁灰岩储层的胶结指数为2.1，微孔喉礁灰岩储层的胶结指数为2.3；从大孔喉礁灰岩储层到微孔喉礁灰岩储层的孔喉结构越来越复杂，m值逐渐变大，与理论研究一致。依据阿尔奇公式建立纽扣电极接触地层的孔隙度与浅侧向电阻率(浅侧向仪器测量的电阻率)、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系，计算公式如下：
式中：
为纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度，单位为V/V；
为岩心标定后的测井解释孔隙度，单位为V/V；RLLS为浅侧向电阻率，单位为Ω.m；RB为纽扣电极接触井壁岩层电阻率，单位为Ω.m。
步骤4、计算微电阻率成像孔隙度谱的幅值：
为了便于统计，采用的是FMI连续50个深度点的数据作为一个单元进行计算，即在微电阻率成像测井图像上选取一个0.127m的窗口，通过累加的方式计算该窗口内孔隙度的总和，然后将储集层段孔隙度的分布范围等分为50个区间，计算每个区间内孔隙度的和，将区间孔隙度和除以窗口内孔隙度的总和作为微电阻率成像孔隙度谱的幅值。计算公式如下：
式中：Ai为第i个区间孔隙度的幅值；M为指定图像窗长内第i个孔隙区间中孔隙度的个数；N为指定图像窗长内孔隙度的总个数。
为了研究储集层不同大小孔隙组成对电成像孔隙度谱形态的影响，选取具有代表性的岩心样品进行100％饱含水状态下的核磁T2谱测量。
图5是LF15-B井储层物性较好的岩心深度点上两种不同方法将微电阻率成像生成孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图，该点岩心测量的孔隙度为32.38％，渗透率为407.6mD。图5中三个图从左到右依次为核磁T2谱分布图、孔隙个数微电阻成像孔隙度分布图、孔隙体积微电阻成像孔隙度分布图。岩心核磁T2谱分布较窄且呈双峰分布，T2分布范围在100.0-2477.0mss之间，对于灰岩储层，T2值小于3.0ms主要反映的是粘土矿物水的弛豫性质，T2值介于3.0ms到92.0ms之间主要反映的是储层束缚水的弛豫性质，92.0-1000.0ms之间的T2谱主要反映的是储层可动水的弛豫性质，即该处储层以联通的可以流动的大孔隙为主，小孔隙基本不发育。孔隙个数和孔隙体积分布的微电阻率成像孔隙度谱形态基本一致，均分布较窄且为双峰分布，分布范围介于30.0-40.0％之间，表明储层的储集空间以大孔隙为主。两种孔隙度谱形态都与核磁T2谱具有良好的一致性。对于储层物性较好且孔隙大小分布较为单一的储层，孔隙个数和孔隙体积均能较好反映储层的物性好坏。
图6是LF15-B井储层物性中等的岩心深度点上两种不同方法生成的微电阻率成像孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图，该点岩心测量的孔隙度为19.45％，渗透率为26.35mD。图6中三个图从左到右依次为核磁T2谱分布图、孔隙个数微电阻成像孔隙度分布图、孔隙体积微电阻成像孔隙度分布图。核磁T2谱分布较宽且为呈双峰分布，两个峰值在T2上有明显的区分，表明储层发育两种不同大小的孔隙。核磁T2值介于0.01-1000.0ms之间，其中0.01-92.0ms之间的孔隙体积为8.42％，大于92ms的孔隙体积为11.03％，即储集层中可动流体孔隙稍大于束缚流体孔隙。只考虑孔隙个数的微电阻率成像孔隙度谱也呈现出双峰分布，但主峰位于左侧，储层以小孔隙个数为主，指示储层物性较差，与岩心核磁测量结果不一致。考虑孔隙体积大小的微电阻率成像孔隙度谱也呈双峰分布，小孔隙分布在10.0％-15.0％之间，大孔隙分布在32.0％-37.0％之间，大、小孔隙的峰值基本相等，反映储层大、小两种孔隙发育程度基本相同，这与核磁所反映出来的结果一致。
图7是LF15-B井储层物性较差的岩心深度点上两种不同方法生成的微电阻率成像孔隙度谱与岩心核磁T2谱之间的对比图，该点处岩心测量的孔隙度为10.7％，渗透率为4.46mD。图7中三个图从左到右依次为核磁T2谱分布图、孔隙个数微电阻成像孔隙度分布图、孔隙体积微电阻成像孔隙度分布图。核磁T2谱呈三峰分布，其中介于0.01-92.0ms的束缚流体孔隙体积为9.9％，大于92ms的可动流体孔隙体积为0.8％，储层小孔隙占整个孔隙体积的92.5％，大孔隙仅占7.5％，即该处储层的储集空间基本上为单一的小孔隙类型。孔隙个数和孔隙体积分布的微电阻率成像孔隙度谱形态基本一致，均为分布较窄的单峰分布，分布范围介于7.0-12.0％之间。两种孔隙度谱形态均反映储层只发育小孔隙，这与核磁T2谱反映的结果基本一致。
从三种不同礁灰岩储层类型的岩心核磁T2谱与两种不同方法生成的微电阻率成像孔隙度谱的对比图可以看出，当储层的储集空间以单一的孔隙类型为主的时候，孔隙个数和孔隙体积分布的微电阻率成像孔隙度谱形态基本一致，两者反映的储层性质也基本相同。但当储层发育多种孔隙类型时，且每种孔隙类型所占的孔隙体积基本相同时，孔隙个数微电阻率成像孔隙度谱就放大了小孔隙的信号，而压制了大孔隙的信号，反映出储层以小孔隙为主的一种假象。而孔隙体积微电阻率成像孔隙度谱不仅考虑孔隙度的个数还考虑孔隙体积大小对储层物性的影响，真实地反映出储层孔隙空间的分布形式，结果与核磁T2谱得到的结论基本一致，证明了本发明所述方法的可靠性。
图8是根据本发明方法编制计算机程序对实际测量的微电阻率成像测井资料处理得到的孔隙度谱成果图，整个图形一共由六道组成(六道从左到右依次排布)。图中第一道为微电阻率成像(FMI)静态图像；图中第二道是深度道，单位为米；第三道是微电阻率成像电阻率刻度成果道，道中曲线1是浅侧向电阻率曲线(RLA1)，曲线2是全井段统一刻度后的微电阻率成像高分辨率电阻率曲线(SERS_IMGCALT)，曲线3是分储层类型刻度后的微电阻率成像高分辨率率电阻率曲线(SERS_IMAGCALF)，从图中可以看出分储层类型刻度后的电阻率结果与浅侧向电阻率吻合得更好；第四道为孔隙度道，图中曲线是测井计算孔隙度，黑色圆点是岩心分析孔隙度，从图中可以看出岩心分析孔隙度基本落在测井计算孔隙度曲线的两侧，说明测井计算的孔隙度精度很高；第五道是基于孔隙度个数统计得到的微电阻率成像孔隙度谱；第六道是根据本发明所述的方法计算得到的微电阻率成像孔隙度谱。从图中可以看出对于储集层物性中等，不同孔隙类型均发育的层段，基于孔隙体积统计生成的孔隙度谱的主峰向右移动，且右侧峰值明显变大，有效突出了大孔隙对储层物性的贡献。此时，基于孔隙体积统计生成的孔隙度谱能够比较真实、准确、定量的反映储集的物性好坏。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、根据采集的储集层的微电阻率成像测井数据获取微电阻率成像测井图像；
S2、根据储集层每一深度点的多个纽扣电极接触井壁岩层测量值计算获得每一个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值，将多个深度点的纽扣电极接触井壁岩层测量平均值形成的曲线进行滤波，得到一条与浅侧向电阻率纵向分辨率一致的纽扣电极平均曲线，根据纽扣电极平均曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层平均值；
S3、利用常规测井曲线建立储集层类型识别图版，建立不同储集层类型的浅侧向电阻率和纽扣电极接触井壁岩层平均值的函数关系，得到经浅侧向刻度后的微电阻率成像测井纽扣电极接触井壁岩层的电阻率曲线，根据所述电阻率曲线获得对应的纽扣电极接触井壁岩层电阻率；
S4、利用岩心分析孔隙度数据标定测井解释孔隙度曲线，然后根据阿尔奇公式建立纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率、测井解释孔隙度和纽扣电极接触井壁岩层电阻率的函数关系，计算获得微电阻率成像纽扣电极对应的孔隙度；
S5、在步骤S1获得的微电阻率成像测井图像上选取一个窗口，根据步骤S4获得的所述孔隙度计算获得窗口内孔隙度的总和；将储集层段孔隙度的分布范围等分为多个区间，计算每个区间内孔隙度的和；分别将获得的每一个区间孔隙度的和除以获得的窗口内孔隙度的总和，得到微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值；
S6、根据步骤S5计算获得的多个区间的幅度值，获得微电阻率成像对应的孔隙度谱。
2.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S1中，对采集到的微电阻率成像测井数据进行预处理，获取微电阻率成像测井图像；所述预处理包括加速度校正、图像数据均衡化。
3.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S3中，所述常规测井曲线包括自然伽马、中子孔隙度、密度、声波时差及电阻率中一种或多种。
4.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S4中，纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度与浅侧向电阻率、测井解释孔隙度和纽扣电极井壁岩层电阻率的函数关系如下式所示：
式中，
为纽扣电极接触井壁岩层的孔隙度，单位为V/V；
为测井解释孔隙度，单位为V/V；RLLS为浅侧向电阻率，单位为Ω.m；RB为纽扣电极接触井壁岩层电阻率，单位为Ω.m。
5.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S5中，所述微电阻率成像对应的孔隙度谱的幅度值根据下式计算获得：
式中，Ai为多个区间中第i个区间孔隙度的幅值；M为所选取的窗口内第i个区间中孔隙度的个数；N为所选取的窗口内孔隙度的总个数。
6.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S5中，选取的窗口含有预定数量采样点。
7.根据权利要求6所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，所述窗口的窗长为0.127m。
8.根据权利要求1所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S5中，将储集层段孔隙度的分布范围等分为至少10个区间。
9.根据权利要求8所述的储集层微电阻成像生成孔隙度谱的方法，其特征在于，步骤S5中，将储集层段孔隙度的分布范围等分为50个区间。
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