CN110416862A - 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源 - Google Patents

一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源 Download PDF

Info

Publication number
CN110416862A
CN110416862A CN201910525464.7A CN201910525464A CN110416862A CN 110416862 A CN110416862 A CN 110416862A CN 201910525464 A CN201910525464 A CN 201910525464A CN 110416862 A CN110416862 A CN 110416862A
Authority
CN
China
Prior art keywords
junctions
van der
der waals
semiconductor material
terahertz emission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910525464.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110416862B (zh
Inventor
徐新龙
姚泽瀚
张隆辉
黄媛媛
朱礼鹏
杜婉怡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northwest University
Original Assignee
Northwest University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northwest University filed Critical Northwest University
Priority to CN201910525464.7A priority Critical patent/CN110416862B/zh
Publication of CN110416862A publication Critical patent/CN110416862A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110416862B publication Critical patent/CN110416862B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/02—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜与三维半导体材料所构成的范德瓦尔斯异质结、泵浦光源和电极；本发明通过使用二维材料薄膜如石墨烯或过渡金属硫族化合物与三维半导体材料构建范德瓦尔斯异质结，以增强半导体材料中的太赫兹辐射；本发明通过构建范德瓦尔斯异质结，在偏压的作用下有效提高了三维半导体表界面的太赫兹波产生强度，在未来集成化、一体化的太赫兹系统中有广泛的应用前景。

Description

一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源
技术领域
本发明属于太赫兹波段器件技术领域，具体涉及一种基于二维材料薄膜/三维半导体材料构成的范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源。
背景技术
太赫兹波通常指频率从0.1THz到10THz，波长从30μm到3mm范围内的电磁波，处于微波与远红外之间，涵盖了多种生物大分子的能级信息，以及多种材料的声子振动信息，在安全检查、生物医疗、材料科学研究等技术领域具有重要的应用价值。在诸多相关的研究工作中，对太赫兹源的研究，是推动太赫兹技术发展的关键。而为了适应未来集成化、一体化太赫兹系统，基于半导体材料的太赫兹源也是研究工作中的重点。目前较高效的半导体太赫兹源包括基于表面电场效应的砷化镓，和基于光致丹倍效应的砷化铟。砷化镓表面的太赫兹波产生是来自表面耗尽层内建电场，载流子在电场作用下形成瞬态电流从而辐射太赫兹波。砷化铟表面的太赫兹波产生是源自其差异悬殊的电子和空穴迁移率与质量，在光泵浦作用下形成的丹倍电场。此外，半导体原子排布导致的对称性破缺，以及表面耗尽层导致的对称性破缺，会引起光整流效应从而辐射太赫兹波。
然而，绝大部分半导体的太赫兹辐射强度仍然较弱，例如制备工艺简单且被广泛应用在现有光电功能器件中的半导体硅材料等。这主要是由于这些半导体材料中载流子迁移率较低，且表面的耗尽层电场较弱。通过使半导体与金属结合形成肖特基结，虽然可以有效增大其太赫兹波产生强度，但金属会对太赫兹波造成大量的损耗。而半导体表面存在的自然氧化层则会导致肖特基界面的强反型状态，进而屏蔽外加偏压的作用。半导体表界面存在的这些问题限制了其太赫兹波产生强度，以及在未来集成化太赫兹系统中的应用。
发明内容
针对现有技术中的缺陷和不足，本发明提供了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，克服现有半导体材料太赫兹波产生效率普遍较低等缺陷。
为达到上述目的，本发明采取如下的技术方案：
本发明提供一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜、三维半导体材料、泵浦光源和电极；
所述三维半导体材料层上设置二维材料薄膜构成范德瓦尔斯异质结；在电极形成的偏压作用下，泵浦光源激发所述范德瓦尔斯异质结界面辐射太赫兹波。
本发明还包括如下技术特征：
具体的，所述二维材料薄膜厚度0.34nm～2μm；所述三维半导体材料的厚度为500μm～2mm，任意晶面均可。
更具体的，所述二维材料薄膜为石墨烯材料或过渡金属硫族化合物薄膜。
所述的石墨烯材料是本征石墨烯、掺杂石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯或直立生长石墨烯；
所述过渡金属硫族化合物薄膜的材料为二硫化钼、二硫化钨、二硫化铼、二硒化钨、二硒化钼、二硒化铼、二碲化钼或二碲化钨。
所述的二维材料薄膜通过化学气相法、液相剥离法、外延生长法或氧化还原法制备得到。
所述三维半导体材料为Ⅳ族半导体材料或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。
所述Ⅳ族三维半导体材料为硅或锗；
所述Ⅲ-Ⅴ族三维半导体材料为砷化镓、锑化镓、砷化铟、磷化铟或锑化铟。
所述三维半导体材料为本征半导体或者掺杂半导体。
所述电极是由在二维材料薄膜上引出的正电极，以及在三维半导体材料背面制备的环形负电极所构成；所述电极通过光刻法、真空蒸镀法、磁控溅射法或电化学沉积法制备。
所述泵浦光源采用中心波长为400～1550nm，脉宽为10～200fs，重复频率为1 kHz～82MHz的飞秒激光；所述泵浦光源单光子能量需大于三维半导体材料的带隙。
具体的，外部激励为电场激励和磁场激励。
本发明的三维半导体材料/二维材料薄膜构成的范德瓦尔斯异质结在泵浦光源及偏压的共同作用下产生太赫兹辐射；具体方法为：
步骤一：制备二维材料薄膜；
步骤二：使二维材料薄膜与三维材料结合形成范德瓦尔斯异质结；
步骤三：在范德瓦尔斯异质结上制备电极；
步骤四：通过电极给范德瓦尔斯异质结施加电压；
步骤五：使用泵浦光源照射范德瓦尔斯异质结产生太赫兹波；
步骤六：激光以45°倾斜角入射，固定二维材料薄膜/三维半导体材料范德瓦尔斯异质结的平面中心轴，旋转入射激光脉冲的偏振状态，可调整太赫兹辐射强度大小。
本发明与现有技术相比，有益的技术效果是：
(Ⅰ)本发明通过使用二维材料薄膜与三维半导体材料构成范德瓦尔斯异质结作为太赫兹辐射源，外加偏压能有效调节界面耗尽层内建电场大小，有效提高表面载流子迁移率以及非线性效应强度，使得所产生的太赫兹源具有高辐射效率。
(Ⅱ)本发明通过使用二维材料薄膜与三维半导体材料构成范德瓦尔斯异质结作为太赫兹辐射源，相比于金属材料薄膜，由于二维材料薄膜在太赫兹波段相对透明，使用二维材料薄膜与三维材料构成异质结，可减少材料本身对所产生的太赫兹辐射的衰减。
(Ⅲ)本发明通过使用二维材料薄膜与三维半导体材料构成范德瓦尔斯异质结作为太赫兹辐射源，使其可被集成于传统的光电功能器件中，也可被应用于未来集成化、一体化的太赫兹系统中。
(Ⅳ)本发明通过使用二维材料薄膜与三维半导体材料构成范德瓦尔斯异质结作为太赫兹辐射源，使得太赫兹源器件成本较低，制备较容易，重复性较高。
附图说明
图1为二维材料薄膜/三维半导体材料范德瓦尔斯异质结太赫兹辐射源反射产生太赫兹波的示意图。
图2为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度下，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹辐射波形随着偏压大小的变化，(a)反向偏压；(b)正向偏压。
图3a-b为在-40V偏压下，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹辐射电场强度随泵浦光能量密度的变化。
图3c为在-40V偏压下，在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度下，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结与半导体砷化铟中产生的太赫兹辐射。
图4为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度及-40V的偏压，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹波振幅随入射偏振角的变化趋势图。
图5为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度下，直立生长石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹波振幅随着偏压大小的变化。
图6为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度，未施加偏压的条件下，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结和半导体硅产生的太赫兹辐射波形。
图中各标号含义：1-二维材料薄膜，2-三维半导体材料，3-电极，4-入射泵浦光源。
具体实施方式
如图1所示，本发明提供了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜、三维半导体材料、泵浦光源和电极；三维半导体材料层上设置二维材料薄膜构成范德瓦尔斯异质结；在电极形成的偏压作用下，泵浦光源激发所述范德瓦尔斯异质结界面辐射太赫兹波。二维材料薄膜厚度0.34nm～2μm；三维半导体材料的厚度为500 μm～2mm，任意晶面均可。二维材料薄膜为石墨烯材料或过渡金属硫族化合物薄膜。
石墨烯材料是本征石墨烯、掺杂石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯或直立生长石墨烯；过渡金属硫族化合物薄膜的材料为二硫化钼、二硫化钨、二硫化铼、二硒化钨、二硒化钼、二硒化铼、二碲化钼或二碲化钨。二维材料薄膜通过化学气相法、液相剥离法、外延生长法或氧化还原法制备得到。
三维半导体材料为Ⅳ族半导体材料或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。Ⅳ族三维半导体材料为硅或锗；Ⅲ-Ⅴ族三维半导体材料为砷化镓、锑化镓、砷化铟、磷化铟或锑化铟。三维半导体材料为本征半导体或者掺杂半导体。
电极是由在二维材料薄膜上引出的正电极，以及在三维半导体材料背面制备的环形负电极所构成；所述电极通过光刻法、真空蒸镀法、磁控溅射法或电化学沉积法制备。
泵浦光源采用中心波长为400～1550nm，脉宽为10～200fs，重复频率为1kHz～82MHz的飞秒激光；泵浦光源单光子能量需大于三维半导体材料的带隙。
在本实施方式中，外部激励为电场激励和磁场激励。
本发明的二维材料薄膜/三维半导体材料构成的范德瓦尔斯异质结在泵浦光源及偏压的共同作用下产生太赫兹辐射；具体方法为：
步骤一：制备二维材料薄膜；
步骤二：使二维材料薄膜与三维材料结合形成范德瓦尔斯异质结；
步骤三：在范德瓦尔斯异质结上制备电极；
步骤四：通过电极给范德瓦尔斯异质结施加电压；
步骤五：使用泵浦光源照射范德瓦尔斯异质结产生太赫兹波；
步骤六：激光以45°倾斜角入射，固定二维材料薄膜/三维半导体材料范德瓦尔斯异质结的平面中心轴，旋转入射激光脉冲的偏振状态，可调整太赫兹辐射强度大小。
遵从上述技术方案，以下给出本发明的具体实施例，需要说明的是本发明并不局限于以下具体实施例，凡在本申请技术方案基础上做的等同变换均落入本发明的保护范围。下面结合实施例对本发明做进一步详细说明。
实施例1：
本实施例提供一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括三维半导体材料硅和二维材料薄膜石墨烯所构成的范德瓦尔斯异质结，二维材料薄膜层1厚度为0.34nm，三维半导体2硅厚度1mm，电阻率5000Ω/cm，晶面(100)。采用频率800nm，脉宽 60fs，重复频率1kHz的飞秒激光为泵浦光源4，本实施例中泵浦光能量密度为15.6 μJ/cm2，偏压3为2～-40V，飞秒激光脉冲以45°斜入射泵浦激发辐射器件表面，并在 45°反射面探测太赫兹辐射。以碲化锌为探测晶体在45°反射面探测到了太赫兹波，其结果如图2所示。
图2是频率800nm，脉宽60fs，重复频率1kHz，泵浦光能量密度15.6μJ/cm2的飞秒激光，激发二维石墨烯薄膜/三维半导体硅范德瓦尔斯异质结的太赫兹时域波形对偏压的依赖关系。图2(a)是在反向偏压条件下，图2(b)是在正向偏压条件下。随着反向偏压的增大，太赫兹辐射强度显著增大，直到-40V达到最强，增强25倍以上。本实施例得到的太赫兹辐射在0.1～2THz范围内信噪比为-30.2～-60dB，辐射太赫兹电场强度为4.8～149V/cm。
实施例2：
本实施例提供一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，本实施例与实施例1的区别在于：偏压3为-40V，泵浦光4强度为1.4～15.6μJ/cm2，其结果如图3所示。
图3(a)是在-40V偏压下，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射波形随着泵浦光能量密度的变化，图3(b)是太赫兹辐射电场强度的变化。随着泵浦光能量密度的增大，太赫兹辐射强度随之增大，且缓慢趋近于饱和，这是由于泵浦光激发的大量载流子屏蔽了异质结耗尽层电场。本实施例得到的太赫兹辐射在0.58～2.5THz范围内信噪比为-42～-60dB，辐射电场强度为18.6～149V/cm。如图3(c)，在同等实验条件下，砷化铟(100)的太赫兹辐射强度仅为119V/cm(在本实施例的泵浦光能量密度激发下，砷化铟是已知半导体中最高效的太赫兹辐射源之一)，-40V偏压下石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结中产生的太赫兹辐射强度149V/cm。
实施例3：
本实施例提供一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，本实施例与实施例1的区别在于：使用的泵浦光偏振角为0～360°，偏压3为-40V，其结果如图4所示。
图4为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度及-40V的偏压，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹辐射强度随飞秒激光入射偏振角度变化趋势图。本实施例得到的太赫兹辐射在0.58～2.5THz范围内信噪比为-59.3～-60.7dB，辐射电场强度为136～161.4 V/cm。频率800nm，脉宽60fs，1kHz重复频率飞秒激光以15.6μJ/cm2泵浦光能量密度激发，说明太赫兹辐射强度与入射偏振角呈依赖关系，当飞秒激光以S偏振光入射时，产生太赫兹辐射最强。
实施例4：
本实施例提供一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例的太赫兹辐射源包括三维半导体材料2硅和二维材料薄膜1直立生长石墨烯，薄膜层厚度为2μm，偏压3为3～-45V。其结果如图5所示：
图5为在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度下，直立生长石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹辐射强度随着偏压大小的变化，本实施例得到的太赫兹辐射在0.58～2.5THz范围内信噪比为-24.9～-60.5dB，辐射电场强度为2～157V/cm，其太赫兹辐射强度随着偏压的增大而增大，在-45V下达到饱和。
实施例5：
本实施例的太赫兹辐射源包括石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结，二维石墨烯薄膜厚度为 0.34nm，三维半导体硅厚度1mm，电阻率5000Ω/cm，晶面(100)。采用频率800nm，脉宽60fs，重复频率1kHz的飞秒激光为泵浦光源，本实施例中泵浦光能量密度为15.6 μJ/cm2，未施加偏压。飞秒激光脉冲以45°斜入射泵浦激发辐射器件表面，并在45°反射面探测太赫兹辐射。以碲化锌为探测晶体在45°反射面探测到了太赫兹波。
对比例1：
本对比例与实施例5不同的是太赫兹辐射源包括三维半导体材料硅。
图6是在15.6μJ/cm2的泵浦光能量密度，未施加偏压的条件下，实施例5石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结和对比例1半导体硅产生的太赫兹辐射波形，其结果如图6所示，石墨烯/硅范德瓦尔斯异质结产生的太赫兹辐射强度是半导体硅产生的强度的1.6倍。
对比例2：
本对比例与实施例1不同的是太赫兹辐射源包括金属薄膜与半导体材料形成的异质结。使用金薄膜与砷化镓材料所形成的异质结，其太赫兹辐射强度在2V偏压下增强约 3倍，且不再随偏压的增大而增强。实施例1中，石墨烯/硅异质结的太赫兹辐射可增大 26倍，所施加最大偏压可达-40V。

Claims (10)

1.一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，包括二维材料薄膜、三维半导体材料、泵浦光源和电极；
所述三维半导体材料层上设置二维材料薄膜构成范德瓦尔斯异质结；在电极形成的偏压作用下，泵浦光源激发所述范德瓦尔斯异质结界面辐射太赫兹波。
2.如权利要求1所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述二维材料薄膜厚度0.34nm～2μm；所述三维半导体材料的厚度为500μm～2mm，任意晶面均可。
3.如权利要求2所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述二维材料薄膜为石墨烯材料或过渡金属硫族化合物薄膜。
4.如权利要求3所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述的石墨烯材料是本征石墨烯、掺杂石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯或直立生长石墨烯；
所述过渡金属硫族化合物薄膜的材料为二硫化钼、二硫化钨、二硫化铼、二硒化钨、二硒化钼、二硒化铼、二碲化钼或二碲化钨。
5.如权利要求2所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述的二维材料薄膜通过化学气相法、液相剥离法、外延生长法或氧化还原法制备得到。
6.如权利要求2所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述三维半导体材料为Ⅳ族半导体材料或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。
7.如权利要求6所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述Ⅳ族三维半导体材料为硅或锗；
所述Ⅲ-Ⅴ族三维半导体材料为砷化镓、锑化镓、砷化铟、磷化铟或锑化铟。
8.如权利要求7所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述三维半导体材料为本征半导体或者掺杂半导体。
9.如权利要求1所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述电极是由在二维材料薄膜上的正电极，以及在三维半导体材料背面制备的负电极所构成；所述电极通过光刻法、真空蒸镀法、磁控溅射法或电化学沉积法制备。
10.如权利要求1所述的基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，其特征在于，所述泵浦光源采用中心波长为400～1550nm，脉冲宽度为10～200fs，重复频率为1kHz～82MHz的飞秒激光；所述泵浦光源单光子能量需大于三维半导体材料的带隙。
CN201910525464.7A 2019-06-18 2019-06-18 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源 Active CN110416862B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910525464.7A CN110416862B (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910525464.7A CN110416862B (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110416862A true CN110416862A (zh) 2019-11-05
CN110416862B CN110416862B (zh) 2021-06-01

Family

ID=68359252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910525464.7A Active CN110416862B (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110416862B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111082287A (zh) * 2019-12-19 2020-04-28 西北大学 一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法
CN111257276A (zh) * 2020-03-09 2020-06-09 北京航空航天大学 一种利用铁磁异质结实现太赫兹生物传感的方法
CN111262133A (zh) * 2020-01-16 2020-06-09 北京理工大学 一种提高单层二维半导体发光亮度的方法
CN111335019A (zh) * 2020-03-06 2020-06-26 杭州高烯科技有限公司 一种基于石墨烯纤维的中红外发射方法
CN111552098A (zh) * 2020-04-21 2020-08-18 天津大学 硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件
CN113178766A (zh) * 2021-04-20 2021-07-27 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于二维材料声子模的太赫兹发生器
CN113922192A (zh) * 2021-08-25 2022-01-11 北京航空航天大学 一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法
CN116203739A (zh) * 2023-01-13 2023-06-02 首都师范大学 基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105824138A (zh) * 2016-04-13 2016-08-03 电子科技大学 基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器
CN108919587A (zh) * 2018-06-12 2018-11-30 西北大学 一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105824138A (zh) * 2016-04-13 2016-08-03 电子科技大学 基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器
CN108919587A (zh) * 2018-06-12 2018-11-30 西北大学 一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
QUAN LI ET AL.: ""Active graphene–silicon hybrid diode for terahertz waves"", 《NATURE COMMUNICATIONS》 *
ZEHAN YAO ET AL.: ""Interface Properties Probed by Active THz Surface Emission in Graphene/SiO2/Si Heterostructures"", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 *
朱礼鹏 等: ""石墨烯在太赫兹器件"", 《现代物理知识》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111082287A (zh) * 2019-12-19 2020-04-28 西北大学 一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法
CN111082287B (zh) * 2019-12-19 2022-02-18 西北大学 一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法
CN111262133A (zh) * 2020-01-16 2020-06-09 北京理工大学 一种提高单层二维半导体发光亮度的方法
CN111262133B (zh) * 2020-01-16 2020-12-18 北京理工大学 一种提高单层二维半导体发光亮度的方法
CN111335019A (zh) * 2020-03-06 2020-06-26 杭州高烯科技有限公司 一种基于石墨烯纤维的中红外发射方法
CN111257276A (zh) * 2020-03-09 2020-06-09 北京航空航天大学 一种利用铁磁异质结实现太赫兹生物传感的方法
CN111552098A (zh) * 2020-04-21 2020-08-18 天津大学 硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件
CN111552098B (zh) * 2020-04-21 2021-12-07 天津大学 硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件
CN113178766A (zh) * 2021-04-20 2021-07-27 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于二维材料声子模的太赫兹发生器
CN113922192A (zh) * 2021-08-25 2022-01-11 北京航空航天大学 一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法
CN116203739A (zh) * 2023-01-13 2023-06-02 首都师范大学 基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110416862B (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416862A (zh) 一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源
Wu et al. Ultrahigh photoresponsivity MoS2 photodetector with tunable photocurrent generation mechanism
CN103400872B (zh) 表面电场增强的pin光电探测器的结构及其制备方法
Xu et al. Graphene GaN-based Schottky ultraviolet detectors
Luo et al. WSe2/Au vertical Schottky junction photodetector with low dark current and fast photoresponse
CN110047957A (zh) 一种中红外光探测器及其制备方法
Tsai et al. Improving efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells using CdS quantum dots and distributed Bragg reflectors
Wang et al. High-responsivity and fast-response ultraviolet phototransistors based on enhanced p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs
Han et al. Self-powered Au/MgZnO/nanolayered Ga-Doped ZnO/In metal–insulator–semiconductor UV detector with high internal gain at deep UV light under low voltage
CN108919587A (zh) 一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法
Huh et al. Low frequency noise in single GaAsSb nanowires with self-induced compositional gradients
Huang et al. Interfacial gated graphene photodetector with broadband response
Guo et al. Self-powered ultraviolet MSM photodetectors with high responsivity enabled by a lateral n+/n− homojunction from opposite polarity domains
Ghods et al. Plasmonic enhancement of photocurrent generation in two-dimensional heterostructure of WSe2/MoS2
Shi et al. Silicon-based PbS-CQDs infrared photodetector with high sensitivity and fast response
Sogabe et al. Enhancement of current collection in epitaxial lift-off InAs/GaAs quantum dot thin film solar cell and concentrated photovoltaic study
Yang et al. High sensitivity graphene-Al2O3 passivated InGaAs near-infrared photodetector
Su et al. A vertical CsPbBr 3/ZnO heterojunction for photo-sensing lights from UV to green band
Scagliotti et al. Large-area, high-responsivity, fast and broadband graphene/n-Si photodetector
Chen et al. Comprehensive analysis of optoelectronic performance of ultraviolet phototransistors based on AlGaN/GaN heterostructure
Wu et al. Interfacial Engineering of SnS/Ga2O3 Heterojunction by SnO for a High‐Performance Self‐Powered Solar‐Blind UV Photodetector
Al-Jumaili et al. Responsivity dependent anodization current density of nanoporous silicon based MSM photodetector
Ahmad et al. High responsivity, self-powered carbon–zinc oxide hybrid thin film based photodetector
Zhang et al. Vertical Schottky ultraviolet photodetector based on graphene and top–down fabricated GaN nanorod arrays
Ozel et al. Violet to deep-ultraviolet InGaN∕ GaN and GaN∕ AlGaN quantum structures for UV electroabsorption modulators

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant