CN110324818A - 信号的传输方法和电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种信号的传输方法和电路，其中，该方法包括：在传输SIM卡信号之前，将SIM卡信号转换为高电平信号，传输高电平信号，后续识别该高电平信号为SIM卡信号，采用上述技术方案，传输高电平信号，提高了基准电压，信号抗干扰能力增强，解决了相关技术中主体设备中SIM卡信号由于传输距离远导致信号差的问题，保证了远距离传输的SIM卡的信号质量。

Description

信号的传输方法和电路
技术领域
本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种信号的传输方法和电路。
背景技术
在相关技术中，传统远程信息处理器(TelematicsBOX，简称为TBOX)车载产品都会内置eSIM芯片进行语音通话、上网等业务，所谓eSIM卡的概念就是将传统SIM卡直接嵌入到设备芯片上，而不是作为独立的可移除零部件加入设备中，使用eSIM芯片为用户带来更多的便利和安全性。但是一旦eSIM发生欠费或芯片损坏等异常情况，此时如果TBOX上冗余了SIM卡座，就可以作为应急方案来解决突发情况。
一般TBOX都具有完整的结构件，同时都会安置在密封的汽车发动机舱内，如果将冗余的SIM卡座放置到TBOX本体上，不方便用户进行SIM卡插拔等操作，紧急时刻用户无法快速打开发动机舱，因此需要将SIM卡放置到用户易接触、方便插拔的位置，这样会出现SIM卡与TBOX主体之间存在一定距离，SIM卡信号从TBOX主体主处理器基带芯片出来后经过远距离传输必然会造成信号失真，抗干扰能力减弱。
针对相关技术中主体设备中SIM卡信号由于传输距离远导致信号差的问题，目前还没有有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种信号的传输方法和电路，以至少解决相关技术中主体设备中SIM卡信号由于传输距离远导致信号差的问题。
根据本发明的一个实施例，提供了一种信号的传输方法，包括：接收基带芯片输出的SIM卡信号；转换所述SIM卡信号为高电平信号，并传输所述高电平信号；识别所述高电平信号为所述SIM卡信号。
根据本发明的另一个实施例，还提供了一种电路，包括：基带芯片输出SIM卡信号至转换芯片；所述转换芯片转换所述SIM卡信号为高电平信号，并传输所述高电平信号至SIM卡识别电路；所述SIM卡识别电路识别所述高电平信号为所述SIM卡信号。
通过本发明，在传输SIM卡信号之前，将SIM卡信号转换为高电平信号，传输高电平信号，后续识别该高电平信号为SIM卡信号，采用上述技术方案，传输高电平信号，提高了基准电压，信号抗干扰能力增强，解决了相关技术中主体设备中SIM卡信号由于传输距离远导致信号差的问题，保证了远距离传输的SIM卡的信号质量。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据本发明实施例的一种信号的传输方法流程图；
图2是根据本发明优选实施例的信号电平转换电路框图；
图3是根据本发明优选实施例的比较器电路示意图；
图4是根据本发明优选实施例的SIM卡电源专用电路示意图；
图5是根据本发明优选实施例的传输SIM卡信号的流程图；
图6是根据本发明优选实施例的识别SIM卡信号的流程图。
具体实施方式
下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
实施例一
在本实施例中提供了一种信号的传输方法，图1是根据本发明实施例的一种信号的传输方法流程图，如图1所示，该流程包括如下步骤：
步骤S102，接收基带芯片输出的SIM卡信号；
步骤S104，转换该SIM卡信号为高电平信号，并传输该高电平信号；
步骤S106，识别该高电平信号为该SIM卡信号。
通过上述步骤，在传输SIM卡信号之前，将SIM卡信号转换为高电平信号，传输高电平信号，后续识别该高电平信号为SIM卡信号，采用上述技术方案，传输高电平信号，提高了基准电压，信号抗干扰能力增强，解决了相关技术中主体设备中SIM卡信号由于传输距离远导致信号差的问题，保证了远距离传输的SIM卡的信号质量。
可选地，该SIM卡信号包括以下至少之一：SIM卡电源信号、SIM卡时钟信号、SIM卡复位信号、SIM卡数据信号；该高电平信号包括以下至少之一：与输出电压4.5V匹配的电源信号、与输出电压4.5V匹配的时钟信号，与输出电压4.5V匹配的复位信号、与输出电压4.5V匹配的数据信号。
可选地，传输该高电平信号之前，经过比较器电路确定该SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低。
可选地，，经过比较器电路确定该SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：该比较器电路的IN-引脚连接至参考信号，其中，该参考信号为该高电平信号经过预设分压电路获取的信号；该比较器电路的IN+引脚连接至该SIM卡电源信号；依据该参考信号和该SIM卡电源信号的电压值确定该芯片引脚MOD_VCC为高电平或低电平。
可选地，经过比较器电路确定该SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：在该SIM卡电源信号为1.8V时，确定该MOD_VCC为低电平；在该SIM卡电源信号为3V时，确定该MOD_VCC为高电平。
可选地，识别该高电平信号为该SIM卡信号包括：依据该MOD_VCC的电平高低确定输出信号SIM-VCC的输出电压；依据该输出电压确定SIM卡信号，并传输该SIM卡信号至对应的SIM卡座。
下面结合本发明优选实施例进行详细说明。
本发明所示的方案由两部分电路组成，分别为信号电平转换电路和用户身份识别卡(Subscriber Identification Module，简称为SIM)卡识别电路。
信号远距离传输会造成SIM卡的电源、时钟、复位和数据信号不干净，将真实信号淹没，抗干扰能力减弱，信号电平转换电路主要作用是提高各信号的抗干扰能力，通过一个多路电压转换芯片将SIM卡电源、时钟、复位和数据信号转换成与高电平VCC匹配的信号，基准电压提高了，信号抗干扰能力就会增强，将此部分电路布局在TBOX主体上；
转换后的信号连到连接器通过长导线传输到SIM卡识别电路板上，此部分电路主要用于SIM卡规格识别，因为通过电平转换芯片转换的信号并不是标准的SIM卡信号，SIM卡识别电路板主要包括电源电路、比较器电路、1.8V/3V SIM卡电源专用电路和SIM卡座。原理是借用1.8V/3V SIM卡电源专用芯片，通过比较器的输出高低来调节SIM卡电源芯片的输出电平，从而完成识别过程。
图2是根据本发明优选实施例的信号电平转换电路框图，如图2所示，本实施例提供了一种电平转换电路，如图2所示，主处理器基带芯片输出的SIM卡电源信号、时钟信号、复位信号和数据信号通过四路电平转换芯片转换成与输出电压4.5V匹配的电源信号、时钟信号、复位信号和数据信号，原理是基准电压提高了，抗干扰能力随之增强。
在SIM卡识别电路中，包含两部分电路，比较器电路和SIM卡电源专用电路。具体地，图3是根据本发明优选实施例的比较器电路示意图，如图3所示，经过上一步的电平转换芯片得到的4.5V电源信号，通过分压电路得到参考电压，连接比较器的IN-引脚，这里参考电压为2.65V，参考电压必须保证介于1.8V～3.0V之间，SIM卡电源信号为主处理器基带芯片侧输出的VREG_L6_UIM1，取值为1.8V/3.0V，通过分压后连接比较器的IN+引脚。当VREG_L6_UIM1＝1.8V时，通过分压后IN+侧为1.27V，此时比较器输出MOD_VCC的值为低；当VREG_L6_UIM1＝3.0V时，通过分压后IN+侧为2.11V，此时MOD_VCC输出为高。
图4是根据本发明优选实施例的SIM卡电源专用电路示意图，如图4所示，通过长导线传输过来的SIM卡的电源、时钟、复位和数据信号直接连接SIM卡电路板的连接器，然后连接1.8V/3V SIM卡电源调节芯片，芯片的引脚MOD_VCC的电平高低决定了输出信号SIM_VCC的输出电压，即可利用这个特点完成SIM卡的识别。具体表现为MOD_VCC为低时，则SIM_VCC为1.8V；MOD_VCC为高时，则SIM_VCC为3.0V。同时，复位信号、数据信号和时钟信号也会输出为与SIM_VCC相匹配的电压水平，即为标准的SIM卡信号，将信号传输到SIM卡座。至此，完成了SIM卡的识别。
图5是根据本发明优选实施例的传输SIM卡信号的流程图，如图5所示，基带芯片传输标准SIM卡信号，信号电平转换部分(相当于上述实施例的多路电平转换芯片)进行信号升压，升压后的信号经过长导线远距离传输，传输至SIM卡识别部分，识别所述升压后的信号为SIM卡信号。
图6是根据本发明优选实施例的识别SIM卡信号的流程图，如图6所示，比较器转换当前SIM卡电源信号至MOD_VCC，后续SIM卡识别电路确定当前MOD_VCC是高电平，则确定当前为3V SIM信号。如果是低电平，则确定当前为1.8V SIM卡信号。
采用上述技术方案，一方面解决了Tbox上eSIM芯片突发的欠费、损坏等异常情况，同时将SIM卡放置到用户便于操作的位置给用户带来便利；另一方面，通过电平转换芯片提高SIM卡电源、时钟、复位和数据信号的电平来提高信号的抗干扰能力，并通过比较器输出信号高低来控制SIM卡电源专用芯片的输出高低，从而完成SIM卡的规格识别。综上，完成了SIM卡信号可靠性的远距离传输。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到根据上述实施例的方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
实施例二
根据本发明的另一个实施例，还提供了一种电路，包括：
基带芯片(相当于上述实施例的主处理基带芯片)输出SIM卡信号至转换芯片；
所述转换芯片(相当于上述实施例的多路电平转换芯片)转换所述SIM卡信号为高电平信号，并传输所述高电平信号至SIM卡识别电路；
所述SIM卡识别电路(相当于上述实施例中的SIM卡识别电路板)识别所述高电平信号为所述SIM卡信号。
可选地，所述SIM卡信号包括：SIM卡电源信号；所述电路还包括：在所述转换芯片传输所述高电平信号之前，比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低。
可选地，所述比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：
所述比较器电路的IN-引脚连接至参考信号，其中，所述参考信号为所述高电平信号经过预设分压电路获取的信号；
所述比较器电路的IN+引脚连接至所述SIM卡电源信号；
依据所述参考信号和所述SIM卡电源信号的电压值确定所述芯片引脚MOD_VCC为高电平或低电平。
可选地，所述SIM卡识别电路识别所述高电平信号为所述SIM卡信号包括：依据所述MOD_VCC的电平高低确定输出信号SIM-VCC的输出电压；依据所述输出电压确定SIM卡信号，并传输所述SIM卡信号至对应的SIM卡座。
可选地，所述SIM卡信号包括以下至少之一：SIM卡电源信号、SIM卡时钟信号、SIM卡复位信号、SIM卡数据信号；
所述高电平信号包括以下至少之一：与输出电压4.5V匹配的电源信号、与输出电压4.5V匹配的时钟信号，与输出电压4.5V匹配的复位信号、与输出电压4.5V匹配的数据信号。
显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种信号的传输方法，其特征在于，包括：
接收基带芯片输出的用户身份识别卡SIM卡信号；
转换所述SIM卡信号为高电平信号，并传输所述高电平信号；
识别所述高电平信号为所述SIM卡信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述SIM卡信号包括以下至少之一：SIM卡电源信号、SIM卡时钟信号、SIM卡复位信号、SIM卡数据信号；
所述高电平信号包括以下至少之一：与输出电压4.5V匹配的电源信号、与输出电压4.5V匹配的时钟信号，与输出电压4.5V匹配的复位信号、与输出电压4.5V匹配的数据信号。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，传输所述高电平信号之前，所述方法还包括：
经过比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，经过比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：
所述比较器电路的IN-引脚连接至参考信号，其中，所述参考信号为所述高电平信号经过预设分压电路获取的信号；
所述比较器电路的IN+引脚连接至所述SIM卡电源信号；
依据所述参考信号和所述SIM卡电源信号的电压值确定所述芯片引脚MOD_VCC为高电平或低电平。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，经过比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：
在所述SIM卡电源信号为1.8V时，确定所述MOD_VCC为低电平；
在所述SIM卡电源信号为3V时，确定所述MOD_VCC为高电平。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，识别所述高电平信号为所述SIM卡信号包括：
依据所述MOD_VCC的电平高低确定输出信号SIM-VCC的输出电压；
依据所述输出电压确定SIM卡信号，并传输所述SIM卡信号至对应的SIM卡座。
7.一种电路，其特征在于，包括：
基带芯片输出用户身份识别卡SIM卡信号至转换芯片；
所述转换芯片转换所述SIM卡信号为高电平信号，并传输所述高电平信号至SIM卡识别电路；
所述SIM卡识别电路识别所述高电平信号为所述SIM卡信号。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述SIM卡信号包括：SIM卡电源信号；
所述电路还包括：在所述转换芯片传输所述高电平信号之前，比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述比较器电路确定所述SIM卡电源信号对应的芯片引脚MOD_VCC的电平高低，包括：
所述比较器电路的IN-引脚连接至参考信号，其中，所述参考信号为所述高电平信号经过预设分压电路获取的信号；
所述比较器电路的IN+引脚连接至所述SIM卡电源信号；
依据所述参考信号和所述SIM卡电源信号的电压值确定所述芯片引脚MOD_VCC为高电平或低电平。
10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述SIM卡识别电路识别所述高电平信号为所述SIM卡信号包括：
依据所述MOD_VCC的电平高低确定输出信号SIM-VCC的输出电压；
依据所述输出电压确定SIM卡信号，并传输所述SIM卡信号至对应的SIM卡座。
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