CN110297607B - 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统 - Google Patents

一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110297607B
CN110297607B CN201910578091.XA CN201910578091A CN110297607B CN 110297607 B CN110297607 B CN 110297607B CN 201910578091 A CN201910578091 A CN 201910578091A CN 110297607 B CN110297607 B CN 110297607B
Authority
CN
China
Prior art keywords
node
nodes
linked list
logical page
page address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910578091.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110297607A (zh
Inventor
臧鑫
冯元元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Industrial Park Memory Technology Co ltd
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Industrial Park Memory Technology Co ltd
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Industrial Park Memory Technology Co ltd, Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd, Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Suzhou Industrial Park Memory Technology Co ltd
Priority to CN201910578091.XA priority Critical patent/CN110297607B/zh
Publication of CN110297607A publication Critical patent/CN110297607A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110297607B publication Critical patent/CN110297607B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061Improving I/O performance
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638Organizing or formatting or addressing of data
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671In-line storage system
    • G06F3/0673Single storage device
    • G06F3/0679Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统;其中,方法,包括:S1,接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;S2,对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;S3,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称为冷节点;S4,在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点。本发明缩短了命中检索时间,提高节点检索效率,进而达到提升固态硬盘写性能的目的,更好地满足需求。

Description

一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统
技术领域
本发明涉及固态硬盘写性能技术领域,更具体地说是指一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统。
背景技术
为了提升固态硬盘写性能,现有固态硬盘固件通常在下发写节点的时候,先将写节点存放在一块写缓存区域中;当新的写命令下发时,会先将该命令节点在写缓存区域中进行命中检测;如果该命令节点命中写缓存区域中的某些节点,即该命令需要写入的数据区域与之前的某些命令写范围有重合,则采取将命中的节点的数据缓存地址重映射到当前命令的数据缓存地址,然后释放当前命令节点的方法,节约一次命令节点下发和数据写入闪存的时间,从而达到提升固态硬盘写性能的目;但该方法中,对命令节点在写缓存区域的命中检测采用依次检索写缓存节点链表的方法,每次命中检测需要遍历写缓存节点链表,命中检测效率较低;因此,无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统。
为实现上述目的,本发明采用于下技术方案:
一种提升固态硬盘写性能的方法,包括以下步骤:
S1,接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
S2,对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
S3,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
S4,在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域。
其进一步技术方案为:所述S1中,所述接收主机下发的写命令为固件接收。
其进一步技术方案为:所述S2中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算。
其进一步技术方案为:所述S3中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序。
其进一步技术方案为:所述S4中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
一种提升固态硬盘写性能的系统,包括:接收解析单元,运算单元,排序单元,及检索单元;
所述接收解析单元,用于接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
所述运算单元,用于对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
所述排序单元,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
所述检索单元,用于在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域。
其进一步技术方案为:所述接收解析单元中,所述接收主机下发的写命令为固件接收。
其进一步技术方案为:所述运算单元中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算。
其进一步技术方案为:所述排序单元中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序。
其进一步技术方案为:所述检索单元中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
本发明与现有技术相比的有益效果是:根据命中次数对写缓存区域中的节点链表进行冷热程度排序,将命中次数多的节点排在检索链表前部,称之为热节点,将命中次数少的节点排在检索链表后部,称之为冷节点,在命中节点检索时,会先对热节点进行逻辑页地址的匹配,从而缩短命中检索时间,提高节点检索效率,进而达到提升固态硬盘写性能的目的,更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为写缓存区域节点刷新流程示意图;
图2为现有技术中写缓存区域节点命中检测流程示意图;
图3为本发明一种提升固态硬盘写性能的方法流程图;
图4为图3的应用示意图;
图5本发明一种提升固态硬盘写性能的系统方框图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容,下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明,但不局限于此。
如图1到图5所示的具体实施例,其中,如图1所示的,写缓存区域节点刷新流程示意图,固态硬盘执行写命令时对写缓存区域中的节点进行刷新:固件收到主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置(其中,增大写缓存节点数n可提高命中检测效率),对写节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,从而决定改节点挂载写缓存区域的哪一条节点检索链表,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
如图2所示的,固态硬盘执行写命令时对写缓存区域中的节点进行命中检测的流程:
固件接收到主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点;
对写节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,找到待检索的节点链表;
遍历节点检索链表,在链表中依次查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;
若出现命中情形,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放等操作;若未出现命中情形,则按照图1中的步骤进入写缓存区域节点刷新流程。
其中,上述流程中在写缓存区域中的每一条节点检索链表上的节点权重保持一致,因此在对新下发的写节点进行命中检测时,需要遍历节点检索链表上的全部节点,进行逻辑页地址匹配检查,从而导致节点检索效率下降,进而可能导致写性能的降低。
其中,如图3至图4所示,本发明公开了一种提升固态硬盘写性能的方法,包括以下步骤:
S1,接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
S2,对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
S3,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
S4,在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域。
其中,所述S1中,所述接收主机下发的写命令为固件接收。
其中,所述S2中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算。
其中,所述S3中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序。
进一步地,所述S4中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
本发明相比于原有的写缓存区域权重相等的节点命中检测,根据命中次数对节点检索链表上的节点进行冷热程度排序的方法,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点,将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点,从而在对新节点进行命中检测时能够有效增大命中检测概率,提升检测效率,进而有效提升写性能。
如图5所示,本发明还公开了一种提升固态硬盘写性能的系统,包括:接收解析单元10,运算单元20,排序单元30,及检索单元40;
所述接收解析单元10,用于接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
所述运算单元20,用于对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
所述排序单元30,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
所述检索单元40,用于在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域。
其中,所述接收解析单元10中,所述接收主机下发的写命令为固件接收。
其中,所述运算单元20中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算。
其中,所述排序单元30中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序。
进一步地,所述检索单元40中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
本发明根据命中次数对写缓存区域中的节点链表进行冷热程度排序,将命中次数多的节点排在检索链表前部,称之为热节点,将命中次数少的节点排在检索链表后部,称之为冷节点,在命中节点检索时,会先对热节点进行逻辑页地址的匹配,从而缩短命中检索时间,提高节点检索效率,进而达到提升固态硬盘写性能的目的,更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本发明的实施方式仅限于此,任何依本发明所做的技术延伸或再创造,均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (2)

1.一种提升固态硬盘写性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
S2,对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
S3,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
S4,在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域;
所述S1中,所述接收主机下发的写命令为固件接收;
所述S2中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算;
所述S3中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序;
所述S4中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
2.一种提升固态硬盘写性能的系统,其特征在于,包括:接收解析单元,运算单元,排序单元,及检索单元;
所述接收解析单元,用于接收主机下发的写命令,并解析为逻辑页地址为x的节点;
所述运算单元,用于对节点的逻辑页地址进行运算,找出待检索的节点链表;
所述排序单元,根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序,将命中次数多的节点排在链表前部位置,称之为热节点;将命中次数少的节点排在链表后部位置,称之为冷节点;
所述检索单元,用于在新排序后的节点检索链表中查找逻辑页地址与传入节点匹配的节点;若出现命中,则取出命中的节点,进行数据缓存地址重映射和新节点释放操作;若未出现命中,则将节点写入写缓存区域;
所述接收解析单元中,所述接收主机下发的写命令为固件接收;
所述运算单元中,所述对节点的逻辑页地址进行运算为对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算;
所述排序单元中,所述根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序为软件后台根据命中次数对检索链表上的节点进行冷热程度的排序;
所述检索单元中,所述将节点写入写缓存区域包括:接收主机下发的写命令,解析为逻辑页地址为x的节点,写缓存区域内部共占用n个节点位置,对节点的逻辑页地址进行对n的取模运算,将该节点按照取模运算结果挂在相应的节点检索链表尾部。
CN201910578091.XA 2019-06-28 2019-06-28 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统 Active CN110297607B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910578091.XA CN110297607B (zh) 2019-06-28 2019-06-28 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910578091.XA CN110297607B (zh) 2019-06-28 2019-06-28 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110297607A CN110297607A (zh) 2019-10-01
CN110297607B true CN110297607B (zh) 2023-08-29

Family

ID=68029411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910578091.XA Active CN110297607B (zh) 2019-06-28 2019-06-28 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110297607B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100078450A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 아주대학교산학협력단 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치에서의 메모리 관리 방법
CN101944066A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 成都市华为赛门铁克科技有限公司 固态硬盘的接口处理方法、固态硬盘以及存储系统
CN102156753A (zh) * 2011-04-29 2011-08-17 中国人民解放军国防科学技术大学 面向固态硬盘文件系统的数据页缓存方法
CN102819408A (zh) * 2012-08-24 2012-12-12 记忆科技(深圳)有限公司 可动态调整条带深度的raid 0的实现方法及系统
CN103049397A (zh) * 2012-12-20 2013-04-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
CN106227471A (zh) * 2016-08-19 2016-12-14 深圳大普微电子科技有限公司 固态硬盘和应用于固态硬盘的数据存取方法
CN106980469A (zh) * 2017-03-07 2017-07-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种提高固态硬盘顺序写缓存效率的方法
CN107368436A (zh) * 2017-06-29 2017-11-21 西安交通大学 一种联合地址映射表的闪存冷热数据分离存储方法
CN107943715A (zh) * 2017-10-12 2018-04-20 记忆科技(深圳)有限公司 一种提升NVMe固态硬盘读缓存命中的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9477521B2 (en) * 2014-05-29 2016-10-25 Netapp, Inc. Method and system for scheduling repetitive tasks in O(1)
US9940980B2 (en) * 2016-06-30 2018-04-10 Futurewei Technologies, Inc. Hybrid LPDDR4-DRAM with cached NVM and flash-nand in multi-chip packages for mobile devices

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100078450A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 아주대학교산학협력단 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치에서의 메모리 관리 방법
CN101944066A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 成都市华为赛门铁克科技有限公司 固态硬盘的接口处理方法、固态硬盘以及存储系统
CN102156753A (zh) * 2011-04-29 2011-08-17 中国人民解放军国防科学技术大学 面向固态硬盘文件系统的数据页缓存方法
CN102819408A (zh) * 2012-08-24 2012-12-12 记忆科技(深圳)有限公司 可动态调整条带深度的raid 0的实现方法及系统
CN103049397A (zh) * 2012-12-20 2013-04-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
CN106227471A (zh) * 2016-08-19 2016-12-14 深圳大普微电子科技有限公司 固态硬盘和应用于固态硬盘的数据存取方法
CN106980469A (zh) * 2017-03-07 2017-07-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种提高固态硬盘顺序写缓存效率的方法
CN107368436A (zh) * 2017-06-29 2017-11-21 西安交通大学 一种联合地址映射表的闪存冷热数据分离存储方法
CN107943715A (zh) * 2017-10-12 2018-04-20 记忆科技(深圳)有限公司 一种提升NVMe固态硬盘读缓存命中的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110297607A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108427647B (zh) 读取数据的方法以及混合存储器模块
CN107368436B (zh) 一种联合地址映射表的闪存冷热数据分离存储方法
CN104731717B (zh) 存储器装置及存储器管理方法
JP6356675B2 (ja) 集約/グループ化動作:ハッシュテーブル法のハードウェア実装
CN105094686B (zh) 数据缓存方法、缓存和计算机系统
WO2013152678A1 (zh) 元数据查询方法和装置
CN102541757B (zh) 写缓存方法、缓存同步方法和装置
US20170371807A1 (en) Cache data determining method and apparatus
US8225060B2 (en) Data de-duplication by predicting the locations of sub-blocks within the repository
US11354408B2 (en) Technique for detecting and thwarting row-hammer attacks
WO2016095761A1 (zh) 缓存的处理方法和装置
CN102999428A (zh) 一种瓦记录磁盘的四级编址方法
CN110968269A (zh) 基于scm与ssd的键值存储系统及读写请求处理方法
CN103383666A (zh) 改善缓存预取数据局部性的方法和系统及缓存访问方法
CN110287152B (zh) 一种数据管理的方法以及相关装置
CN112732725B (zh) 基于nvm混合内存的自适应前缀树构建方法及其系统、介质
CN103677670A (zh) 读数据的方法及装置
CN115048142A (zh) 缓存访问命令处理系统、方法、装置、设备和存储介质
US20100005265A1 (en) Method for isolating objects in memory region
US20160070648A1 (en) Data storage system and operation method thereof
CN108519858B (zh) 存储芯片硬件命中方法
CN102650972B (zh) 数据存储方法、装置及系统
CN110297607B (zh) 一种提升固态硬盘写性能的方法及其系统
CN111666230A (zh) 在组相联tlb中支持巨页的方法
CN116185287A (zh) 一种降低读延时的方法、装置及固态硬盘

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant