CN110246959A - 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 - Google Patents
一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110246959A CN110246959A CN201910496288.9A CN201910496288A CN110246959A CN 110246959 A CN110246959 A CN 110246959A CN 201910496288 A CN201910496288 A CN 201910496288A CN 110246959 A CN110246959 A CN 110246959A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- antiferromagnetic
- layer
- skyrmion
- microwave oscillator
- tunneling insulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 77
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N iridium manganese Chemical compound [Mn].[Ir] SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
Abstract
本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
Description
技术领域
本发明涉及纳米自旋电子器件领域，特别涉及一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器。
背景技术
近年来，对反铁磁的研究呈现出势不可挡的趋势 [V. Baltz, et al.“Antiferromagnetic spintronics” Rev. Mod. Phys. 90, 015005 (2018).]。由于反铁磁具有超快的磁动力学、没有杂散场，以及能抵抗磁场干扰等优点，使得其在先进的自旋电子器件中扮演重要的角色。
操控磁性材料是不可或缺的。1996年，Slonczewski和Berger各自独立地提出了一种有效的操控磁性材料的纯电学方式，即利用自旋转移矩(STT)。基于自旋转移矩效应，可以构建先进的磁设备，例如自旋转移矩-磁随机存储器和微波振荡器。其中，自旋矩振荡器是能产生微波信号的器件，它具有结构简单、尺寸小、振荡频率可调和低能耗等优点，有巨大的应用前景。[Z. Zeng, et al. Nanoscale 5, 2219 (2013).]其基本原理如下：当一个外加电流通过一个铁磁层（也被称为固定层），电流将变为自旋极化电流。然后，自旋极化电流流经第二个铁磁层（自由层），极化流将施加自旋矩（即STT）去驱使自由层的磁矩进动。接下来，利用磁阻效应把磁矩进动转换为磁电阻，进而输出微波信号。根据STT驱动对象的不同，自旋矩振荡器大致可分为三种类型：第一类，正如刚才提及的，STT驱使磁矩进动；第二类，STT驱动磁涡旋振荡；第三类，STT驱动磁斯格明子运动。从应用的角度来说，第一类振荡器或多或少面临一些问题，例如需要提高功率以及降低线宽。虽然第二类振荡器能降低线宽，但是振荡频率不高。近来，基于电流驱动磁斯格明子的纳米振荡器（即第三类振荡器）正引起人们的注意，这种振荡器线宽窄，尺寸小，驱动电流低并且能提高输出功率。[C. Jin,et al. Phys. Rev. Applied 9, 044007 (2018).]
对于磁斯格明子，它是拓扑保护的磁结构，能稳定于对称性破缺的材料中，如FeCoSi，Pt/Co/MgO。基于磁斯格明子的纳米振荡器是最近几年才提出的新型微波振荡器，在走向实际应用的道路上仍有许多亟待解决的问题。例如：目前多数科研人员集中于研究基于铁磁斯格明子的纳米振荡器，但是这种振荡器的振荡频率低，不能满足实际需求。常规的铁磁斯格明子振荡器依赖于电流驱动斯格明子在铁磁纳米盘上做周期运动，它的振荡频率小(大约1 GHz)。
发明内容
本发明是针对目前铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低，不能满足实际需求的不足，提供一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器。
本发明为实现其技术目的所采用的技术方案是：一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的固定层和隧穿绝缘层为直径小于反铁磁纳米盘直径的圆盘，固定层和隧穿绝缘层、反铁磁纳米盘的圆心在同一直线上，第二隧穿绝缘层和金属层与固定层和隧穿绝缘层非接触地设置在反铁磁纳米盘边缘。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：在反铁磁纳米盘底面支撑的是重金属层，所述的重金属层的面积大于反铁磁纳米盘底面积。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的重金属层具有强的自旋轨道耦合，用于产生能稳定斯格明子的DMI，是1-3纳米厚的铂，铱或钽。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：在所述的固定层的上面和重金属层下面分别设置50-200纳米厚的铂形成顶部电极层和底部电极层，电源设置在顶部电极层和底部电极层之间，电源阳极加到顶部电极层上。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的底部电极层设置在500-700纳米厚的氧化硅衬底层上。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的反铁磁纳米盘由包括铱锰和铂锰在内的锰合金组成的直径60-200纳米，厚0.5-1.5纳米的圆盘。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的隧穿绝缘层和第二隧穿绝缘层是1-2.5纳米厚的氧化镁。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的金属层是10纳米厚的铂。
进一步的，上述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器中：所述的固定层是厚4-5纳米，直径20-40纳米的钴铂多层膜。
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的说明。
附图说明
附图1是本发明基于反铁磁斯格明子的微波振荡器结构示意图。
附图2是本发明涉及到的反铁磁斯格明子的自旋结构图。
附图3示出反铁磁斯格明子在x和y方向的位移随时间的演化。
附图4示出基于反铁磁斯格明子的微波振荡器在不同直流电流下的振荡频率。
具体实施方式
实施例1，本实施例是一种反铁磁斯格明子的微波振荡器，如图1所示，本实施例的反铁磁斯格明子的微波振荡器是一种柱状多层膜结构的振荡器，在衬底1上设置一个振荡器的输入电源的电极，称为底部电极层2，它与柱状多层膜结构顶部的顶部电极层9分别接电源的阴极和阳极，在底部电极层2和顶部电极层9之间的柱状多层膜结构依次是重金属层3、反铁磁纳米盘4、隧穿绝缘层5、固定层7；它们是圆心在同一条直线上的圆柱，也称圆盘，重金属层3的面积大于反铁磁纳米盘4的面积，而反铁磁纳米盘4的面积又大于隧穿绝缘层5的面积，在反铁磁纳米盘4上，隧穿绝缘层5的边缘，与隧穿绝缘层5不相接触地设置有第二隧穿绝缘层6，在第二隧穿绝缘层6上面是金属层8，从金属层8和反铁磁纳米盘4之间引出的信号就是振荡器输出的振荡信号。
其中，衬底层1是500-700纳米厚的氧化硅SiO2；底部电极层2和顶部电极9还有金属层8都是铂Pt金属，金属层8是一层10纳米厚的铂Pt金属，而上、下两个电极层则是50-200纳米厚的铂Pt。重金属层3是1-3纳米厚的铂Pt，铱Ir或钽Ta，这里的重金属具有强的自旋轨道耦合，用于产生能稳定斯格明子的DMI。反铁磁纳米盘4是本实施例中，振荡器振荡频率高的关键，它包括但不限于锰合金，如铱锰IrMn和铂锰PtMn，反铁磁纳米盘4用于承载斯格明子，其尺寸为：直径60-200纳米，厚0.5-1.5纳米。隧穿绝缘层5和第二隧穿绝缘层6均是1-2.5纳米厚的氧化镁（MgO）。固定层7是产生极化电流的，它是一层钴铂多层膜(Co/Pt)n，其尺寸为：厚4-5纳米，直径20-40纳米，固定层7的磁晶各向异性是垂直平面的，并且具有强的自旋极化。
本实施例中，在两个电极之间加入电压以后，有一个直流电流通过固定层7时，由于固定层7具有强的自旋极化，因此电流变为自旋极化电流；足够强的自旋极化流施加自旋转移矩作用到下面的反铁磁纳米盘4上，反铁磁纳米盘4中心的磁矩将逐渐翻转然后形成磁斯格明子；在自旋转移矩的驱动下，磁斯格明子将在反铁磁纳米盘4上做稳定的圆周运动；利用隧穿磁阻效应，检测出反铁磁纳米盘4、第二隧穿绝缘层6和金属层8的磁电阻；对于磁斯格明子存在于第二隧穿绝缘层6区域，对应高电阻态，反之，对应低电阻态；因此，利用磁阻效应可以检测出斯格明子的运动情况，进而输出振荡信号。
本实施例中，基于电流驱动反铁磁斯格明子的微波振荡器结构示意图如图1所示。利用磁控溅射依次把底部电极层2，重金属层3, 反铁磁纳米盘4，隧穿绝缘层5和第二隧穿绝缘层6，固定层7，顶部电极层9沉积在衬底层1上，再经过离子束刻蚀除去多余的部分，加工出纳米柱状多层膜结构。紧接着剥离第二隧穿绝缘层6上的磁性多层膜，淀积下金属层8。
本实施例中，衬底层1的材料是氧化硅。底部电极层2的材料包括但不限于金属铂。重金属层3的材料是铂、铱或钽。上述重金属具有强的自旋轨道耦合，诱导出的DMI用来稳定磁斯格明子。反铁磁纳米盘4的材料包括但不限于锰合金，如铱锰和铂锰，该反铁磁层用于承载斯格明子。隧穿绝缘层5和第二隧穿绝缘层6的材料包括但不限于氧化镁。固定层7的材料是钴铂多层膜，该固定层的磁晶各向异性是垂直平面的，并且具有强的自旋极化。上述普通金属层和顶部电极层的材料包括但不限于金属铂。
当直流电流流经固定层7时，电流获得与固定层磁化方向相同的自旋角动量，此时电流变为自旋极化电流。该自旋极化电流将施加自旋转移矩作用到反铁磁纳米盘4上，然后驱动磁斯格明子做稳定的圆周运动。最后利用磁阻效应检测出斯格明子的运动情况，进而输出振荡信号。基于反铁磁斯格明子运动特性，只施加一个直流电流，无需外磁场，就能使该振荡信号到达几十GHz。
图2示出本发明涉及到的反铁磁斯格明子的自旋结构，其尺寸范围为：几纳米到几百纳米。
实践中，固定层7的直径为20纳米、厚为5纳米，磁化方向垂直于平面，并且该固定层的自旋极化率为0.4。利用电极层注入电流密度为30 MA/cm2的直流电流，该电流经过上述固定层将变为自旋极化电流，极化方向与固定层7的磁化方向一致。如此一个自旋极化流将施加类阻尼自旋矩作用到反铁磁纳米盘4上。在自旋矩的驱动下，反铁磁斯格明子将做稳定的圆周运动，x和y方向位移的演化如图3所示。这里选取KMnF3为反铁磁层材料[J.Barker and O. A. Tretiakov, Phys. Rev. Lett. 116, 147203 (2016).]，并且其直径设为100纳米、厚度为1纳米。从上述图中可以看到，在零磁场下外加直流电流（电流密度为30 MA/cm2）激发的微波振荡频率在19 GHz左右。
图4示出在不同外加直流电流下反铁磁斯格明子的振荡频率，可以看到只需改变电流就可调控微波振荡频率。
Claims (10)
1.一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层（7）、设置在固定层（7）下面的隧穿绝缘层（5）和设置在隧穿绝缘层（5）下面的自由层；其特征在于：所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘（4），在所述的反铁磁纳米盘（4）露出隧穿绝缘层（5）的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层（6），在所述的第二隧穿绝缘层（6）上覆盖有金属层（8）；在金属层（8）与反铁磁纳米盘（4）之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
2.根据权利要求1所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的固定层（7）和隧穿绝缘层（5）为直径小于反铁磁纳米盘（4）直径的圆盘，固定层（7）和隧穿绝缘层（5）、反铁磁纳米盘（4）的圆心在同一直线上，第二隧穿绝缘层（6）和金属层（8）与固定层（7）和隧穿绝缘层（5）非接触地设置在反铁磁纳米盘（4）边缘。
3.根据权利要求2所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：在反铁磁纳米盘（4）底面支撑的是重金属层（3），所述的重金属层（3）的面积大于反铁磁纳米盘（4）底面积。
4.根据权利要求3所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的重金属层（3）具有强的自旋轨道耦合，用于产生能稳定斯格明子的DMI，是1-3纳米厚的铂，铱或钽。
5.根据权利要求3所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：在所述的固定层（7）的上面和重金属层（3）下面分别设置50-200纳米厚的铂形成顶部电极层（9）和底部电极层（2），电源设置在顶部电极层（9）和底部电极层（2）之间，电源阳极加到顶部电极层（9）上。
6.根据权利要求5所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的底部电极层（2）设置在500-700纳米厚的氧化硅衬底层（1）上。
7.根据权利要求1至6中任一所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的反铁磁纳米盘（4）由包括铱锰和铂锰在内的锰合金组成的直径60-200纳米，厚0.5-1.5纳米的圆盘。
8.根据权利要求7所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的隧穿绝缘层（5）和第二隧穿绝缘层（6）是1-2.5纳米厚的氧化镁。
9.根据权利要求7所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的金属层（8）是10纳米厚的铂。
10.根据权利要求7所述的基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，其特征在于：所述的固定层（7）是厚4-5纳米，直径20-40纳米的钴铂多层膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910496288.9A CN110246959A (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910496288.9A CN110246959A (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110246959A true CN110246959A (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=67886460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910496288.9A Pending CN110246959A (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110246959A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111613662A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-01 | 东北大学 | 偏压诱导共线反铁磁材料产生自旋极化电流及其调控方法 |
| CN111785828A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-16 | 北京航空航天大学 | 基于斯格明子的人工突触器件 |
| CN112768605A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 香港中文大学（深圳） | 周期信号探测装置及周期信号的探测方法 |
| CN113036033A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-25 | 兰州大学 | 一种基于磁性隧道结的微波探测元件 |
| CN113363377A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-07 | 杭州电子科技大学 | 一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器 |
| CN114730570A (zh) * | 2020-05-29 | 2022-07-08 | 西部数据技术公司 | 具有反铁磁耦合辅助层的自旋扭矩振荡器及其操作方法 |
| WO2023279528A1 (zh) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 中国科学院微电子研究所 | 全电控自旋纳米振荡器神经元器件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104347226A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 |
| SE1450442A1 (sv) * | 2014-04-09 | 2015-10-10 | Nanosc Ab | Spinnoscillator-anordning |
| CN106532220A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-22 | 电子科技大学 | 一种基于Skyrmions的自旋转移矩纳米振荡器 |
| CN107846215A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件 |
| CN209859975U (zh) * | 2019-06-10 | 2019-12-27 | 深圳市思品科技有限公司 | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 |
-
2019
- 2019-06-10 CN CN201910496288.9A patent/CN110246959A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104347226A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 |
| SE1450442A1 (sv) * | 2014-04-09 | 2015-10-10 | Nanosc Ab | Spinnoscillator-anordning |
| CN106532220A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-22 | 电子科技大学 | 一种基于Skyrmions的自旋转移矩纳米振荡器 |
| CN107846215A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件 |
| CN209859975U (zh) * | 2019-06-10 | 2019-12-27 | 深圳市思品科技有限公司 | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| LAICHUAN SHEN ET AL.: ""Spin torque nano-oscillators based on antiferromagnetic skyrmions"", 《APPL. PHYS. LETT》, no. 114, pages 042402 * |
| SENFU ZHANG ET AL.: ""Current-induced magnetic skyrmions oscillator"", 《NEW J. PHYS》, no. 17, pages 023061 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111613662A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-01 | 东北大学 | 偏压诱导共线反铁磁材料产生自旋极化电流及其调控方法 |
| CN111613662B (zh) * | 2020-05-27 | 2021-06-11 | 东北大学 | 偏压诱导共线反铁磁材料产生自旋极化电流的调控方法 |
| CN114730570A (zh) * | 2020-05-29 | 2022-07-08 | 西部数据技术公司 | 具有反铁磁耦合辅助层的自旋扭矩振荡器及其操作方法 |
| CN111785828A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-16 | 北京航空航天大学 | 基于斯格明子的人工突触器件 |
| CN112768605A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 香港中文大学（深圳） | 周期信号探测装置及周期信号的探测方法 |
| CN113036033A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-25 | 兰州大学 | 一种基于磁性隧道结的微波探测元件 |
| CN113363377A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-07 | 杭州电子科技大学 | 一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器 |
| CN113363377B (zh) * | 2021-05-18 | 2022-12-06 | 杭州电子科技大学 | 一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器 |
| WO2023279528A1 (zh) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 中国科学院微电子研究所 | 全电控自旋纳米振荡器神经元器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110246959A (zh) | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 | |
| KR102512658B1 (ko) | Mram에 대한 높은 평면내 자화를 갖는 세차운동 스핀 전류 구조물 | |
| US7800938B2 (en) | Oscillating current assisted spin torque magnetic memory | |
| JP5143848B2 (ja) | スピントランスファトルク発振器 | |
| US7589600B2 (en) | Spin oscillator device | |
| US20150255135A1 (en) | Magnetoelectric device, method for forming a magnetoelectric device, and writing method for a magnetoelectric device | |
| CN107750382A (zh) | 用于mram的进动自旋电流结构 | |
| Hrkac et al. | Magnetic vortex oscillators | |
| CN105161613A (zh) | 一种基于双势垒结构的磁存储器件 | |
| CN102637939B (zh) | 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法 | |
| CN106207364B (zh) | 基于硬磁材料的自旋微波振荡器 | |
| Wen et al. | Patterned nanoring magnetic tunnel junctions | |
| JP2009130216A (ja) | 磁気デバイス及び周波数検出器 | |
| CN105449097B (zh) | 双磁性势垒隧道结以及包括其的自旋电子学器件 | |
| CN101276879B (zh) | 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构 | |
| CN109920781A (zh) | 基于自旋霍尔效应及压控磁各向异性相结合的微波振荡器 | |
| Inomata et al. | Magnetic switching field and giant magnetoresistance effect of multilayers with synthetic antiferromagnet free layers | |
| CN106532220A (zh) | 一种基于Skyrmions的自旋转移矩纳米振荡器 | |
| US8077502B2 (en) | Electronic devices utilizing spin torque transfer to flip magnetic orientation | |
| CN113782668B (zh) | 一种基于轨道转移矩的磁化翻转器件及其实现方法 | |
| CN209859975U (zh) | 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 | |
| CN105977375B (zh) | Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法 | |
| Smith et al. | External field free spin Hall effect device for perpendicular magnetization reversal using a composite structure with biasing layer | |
| WO2020176154A1 (en) | System for generating random noise with a magnetic device | |
| CN113991012A (zh) | 一种垂直纳米点接触型自旋霍尔纳米振荡器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |