CN110187250A - 测试方法和测试系统 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供的测试方法和测试系统，涉及热逃逸性能测试技术领域。测试方法应用于包括待测二极管、测试设备和加热设备的测试系统，测试设备与待测二极管连接，该测试方法包括：将待测二极管放置于加热设备，并控制加热设备对待测二极管进行加热至预设温度；通过测试设备向待测二极管施加第一方向电压，控制待测二极管正向导通；停止向待测二极管施加第一方向电压，并通过测试设备向待测二极管施加第二方向电压，控制待测二极管反向截止；停止向待测二极管施加第二方向电压，并测试待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。通过上述设置，可以测试二极管的热逃逸性能，以提高二极管的实用性。

Description

测试方法和测试系统

技术领域

本发明涉及热逃逸性能测试技术领域，具体而言，涉及一种测试方法和测试系统。

背景技术

在一定条件下，一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳能电池，有光照的太阳电池所产生的部分能量，都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏，目前普遍应用方案为在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路肖特基二极管，以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。

在光伏发电组件被遮蔽时，其并联的肖特基二极管流过其他组件的发电电流，处于导通状态。在较高环境温度下，二极管的导通损耗会产生高温发热，在此高温状态下会导致肖特基二极管Ir参数剧增。在被屏蔽的光伏发电组件瞬间恢复发电状态时，肖特基二极管由正向导通转变为反向截止，此时高温下的Ir与反向电压的乘积为肖特基二极管截止损耗。由于高温下Ir较大，此瞬间截止损耗也非常大，过高的损耗功率消耗在肖特基二极管自身，可引起内部过热导致烧毁失效。因此，在生产环节，每一个二极管产品都必须经过检测，才能够保证它被组装进电路后能够稳定工作。

但是，经发明人研究发现，在现有技术中，作为生产线上测试二极管基本参数的测试设备，只能测试二极管的静态参数，并不能检测二极管在实际应用过程中的热逃逸性能，二极管的实用性偏低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种测试方法和测试系统，以改善现有技术中存在的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

一种测试方法，应用于包括待测二极管、测试设备和加热设备的测试系统，所述测试设备与所述待测二极管连接，该测试方法包括：

将所述待测二极管放置于所述加热设备，并控制所述加热设备对所述待测二极管进行加热至预设温度；

通过所述测试设备向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并通过所述测试设备向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止；

停止向所述待测二极管施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

在本发明实施例较佳的选择中，所述测试设备包括开关模块和与该开关模块连接的正向导通模块；

所述通过所述测试设备向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

在本发明实施例较佳的选择中，所述测试设备还包括与所述开关模块连接的反向截止模块；

所述停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并通过所述测试设备向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

在本发明实施例较佳的选择中，向所述待测二极管施加第一方向电压的时长大于向所述待测二极管施加第二方向电压的时长。

在本发明实施例较佳的选择中，所述正向导通模块包括第一驱动单元和与该第一驱动单元连接的第一开关单元；

所述通过所述开关模块控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

在本发明实施例较佳的选择中，所述反向截止模块包括：第二驱动单元和与该第二驱动单元连接的第二开关单元；

所述通过所述开关模块控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元和第二开关单元向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

在本发明实施例较佳的选择中，所述第一开关单元包括第一MOS管和第二MOS管，其中，所述第一MOS管的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管的阳极连接；所述第二MOS管的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与所述待测二极管的阴极连接、输出端接地；

所述通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元、第一MOS管和第二MOS管导通，向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

在本发明实施例较佳的选择中，所述第二开关单元包括第三MOS管和第四MOS管，其中，所述第三MOS管的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管的阴极连接；所述第四MOS管的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与所述待测二极管的阳极连接、输出端接地；

所述通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元和第二开关单元向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元、第一MOS管和第二MOS管断开，停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元、第三MOS管和第四MOS管导通，向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

本发明实施例还提供了一种测试系统，包括待测二极管、测试设备和加热设备，所述测试设备与所述待测二极管连接；

所述加热设备用于放置所述待测二极管，并对所述待测二极管进行加热至预设温度；

所述测试设备用于向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

所述测试设备用于停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止；

所述测试设备用于停止向所述待测二极管施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

在本发明实施例较佳的选择中，所述测试设备包括开关模块、正向导通模块和反向截止模块，其中，所述开关模块分别与正向导通模块和反向截止模块连接；

所述开关模块用于控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

所述开关模块还用于控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

本发明实施例提供的测试方法和测试系统，通过加热设备将待测二极管加热到预设温度，通过测试设备向所述待测二极管施加第一方向电压以使待测二极管正向导通后，向所述待测二极管施加第二方向电压以使待测二极管反向截止，从而模拟光伏发电组件并联的肖特基二极管由正向导通转变为反向截止的过程。最后停止向待测二极管施加第二方向电压，并测试所述待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试，从而提高二极管的实用性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的测试系统的结构框图。

图2为本发明实施例提供的测试设备的结构框图。

图3为本发明实施例提供的测试设备的应用示意图。

图4为本发明实施例提供的驱动单元的电路示意图。

图5为本发明实施例提供的测试方法的流程示意图。

图标：10-测试系统；100-测试设备；110-开关模块；120-正向导通模块；130-反向截止模块；200-加热设备；300-待测二极管；Q1-第一MOS管；Q2-第二MOS管；Q3-第三MOS管；Q4-第四MOS管；K-单刀双掷开关；B1-第一电源；B2-第二电源。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1所示，本发明实施例提供了一种测试系统10，该测试系统10可以包括测试设备100、加热设备200和待测二极管300。其中，所述加热设备200用于放置所述待测二极管300，并对所述待测二极管300进行加热至预设温度。所述测试设备100用于向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。所述测试设备100用于停止向所述待测二极管300施加所述第一方向电压，并向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。所述测试设备100用于停止向所述待测二极管300施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管300是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

可选地，所述加热设备200的具体种类不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述加热设备200可以是烘箱，以对所述待测二极管300进行加热至预设温度。并且，所述烘箱可以包括温度检测装置，以实时检测所述待测二极管300的温度。

所述待测二极管300的具体种类也不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述待测二极管300可以是肖特基二极管。在实际应用中，所述肖特基二极管并联于光伏发电组件的正负极间，以避免接收光照的光伏发电组件所产生的能量被受遮蔽的光伏发电组件所消耗。

所述测试设备100的具体设置也不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，结合图2，所述测试设备100可以包括开关模块110、正向导通模块120和反向截止模块130。

其中，所述开关模块110分别与正向导通模块120和反向截止模块130连接。所述开关模块110用于控制所述正向导通模块120向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。所述开关模块110还用于控制所述正向导通模块120停止向所述待测二极管300施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块130向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。

所述正向导通模块120的具体种类不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述正向导通模块120可以包括第一驱动单元和与该第一驱动单元连接的第一开关单元。

所述反向截止模块130的具体种类不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述反向截止模块130可以包括第二驱动单元和与该第二驱动单元连接的第二开关单元。

结合图3，所述开关模块110的具体种类也不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在一实施例中，所述开关模块110可以为单刀双掷开关K，其中，该单刀双掷开关K的控制端与电源连接、第一触点与所述第一驱动单元连接、第二触点与所述第二驱动单元连接，通过连接不同的触点以使所述待测二极管300正向导通或反向截止。

所述第一开关单元的具体器件不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述第一开关单元可以包括第一MOS管Q1和第二MOS管Q2。

其中，所述第一MOS管Q1的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管300的阳极连接。所述第二MOS管Q2的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与所述待测二极管300的阴极连接、输出端接地。

所述第二开关单元的具体器件不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述第二开关单元可以包括第三MOS管Q3和第四MOS管Q4。

其中，所述第三MOS管Q3的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管300的阴极连接。所述第四MOS管Q4的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与所述待测二极管300的阳极连接、输出端接地。

进一步地，所述第一MOS管Q1和第三MOS管Q3连接的电源为第一电源B1，所述开关模块110连接的为第二电源B2。在一实施例中，所述第一电源B1与所述第二电源B2为同一电源。在本实施例中，所述第一电源B1与所述第二电源B2为同一电源，并且所述第一电源B1为大功率恒压恒流直流电源，为所述待测二极管300供电，所述第二电源B2为小功率直流电源，分别为所述第一驱动单元和第二驱动单元供电。

可选地，所述第一电源B1和第二电源B2提供的电压电流不受限制，可以根据所述待测二极管300进行具体设置。例如，在本实施例中，所述待测二极管300可以为10A/50V肖特基二极管，所述第一电源B1可以为20A/100V恒压恒流直流电源(输出电压电流可调)，所述第二电源B2可以为10V/2A直流电源。首先，调节所述第一电源B1输出10A/50V，所述开关模块110导通所述第一驱动单元，以使所述待测二极管300正向导通，且正向导通电流为10A。然后，所述开关模块110导通所述第二驱动单元，以使所述待测二极管300反向截止，且反向截止电压为50V。

可选地，所述第一驱动单元和第二驱动单元的具体设置不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，结合图4，所述第一驱动单元和第二驱动单元可以包括LM1117低压降线性稳压器子单元和SI8273隔离器子单元，所述开关模块110连接所述LM1117低压降线性稳压器子单元和SI8273隔离器子单元以驱动MOS管。

结合图5，本发明实施例还提供了一种测试方法，可应用于上述的测试系统10。其中，该测试方法可以包括步骤S100、步骤S200、步骤S300和步骤S400。

步骤S100，将所述待测二极管300放置于所述加热设备200，并控制所述加热设备200对所述待测二极管300进行加热至预设温度。

详细地，通过所述加热设备200对所述待测二极管300进行加热至预设温度，以模拟所述待测二极管300的实际工作环境温度。

可选地，所述预设温度的具体范围不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述预设温度的范围可以是70℃～90℃，以模拟所述待测二极管300的实际工作环境温度。

步骤S200，通过所述测试设备100向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。

详细地，所述测试设备100与电源连接，向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通，以模拟光伏发电组件并联的肖特基二极管的正向导通状态。

步骤S300，停止向所述待测二极管300施加所述第一方向电压，并通过所述测试设备100向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。

详细地，停止向所述待测二极管300施加使所述待测二极管300正向导通的所述第一方向电压，并通过所述测试设备100向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止，以模拟光伏发电组件并联的肖特基二极管的反向截止状态。

步骤S400，停止向所述待测二极管300施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管300是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

详细地，停止向所述待测二极管300施加使所述待测二极管300反向截止的所述第二方向电压，并通过测试所述待测二极管300是否被击穿，以测试所述待测二极管300的热逃逸性能。

其中，在所述加热设备200对所述待测二极管300进行加热至一确定温度，且所述第一方向电压和第二方向电压的具体数值确定的情况下，若所述待测二极管300被击穿，表示所述待测二极管300在所述确定温度、第一方向电压和第二方向电压下的热逃逸性能较低。若所述待测二极管300没有被击穿，表示所述待测二极管300在所述确定温度、第一方向电压和第二方向电压下的热逃逸性能较高。

通过以上设置，通过所述测试设备100分别向所述待测二极管300施加第一方向电压和第二方向电压，控制所述待测二极管300正向导通和反向截止，以模拟光伏发电组件并联的肖特基二极管从正向导通状态到反向截止状态的转变过程，从而测试所述待测二极管300的热逃逸性能，以提高二极管的实用性。

进一步地，基于所述测试设备100包括的电气元件不同，通过步骤S200对所述待测二极管300的控制方法也不同，例如，在一种可以替代的示例中，所述测试设备100可以包括开关模块110和正向导通模块120，所述步骤S200具体可以为：

通过所述开关模块110控制所述正向导通模块120向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。

同理，基于所述测试设备100包括的电气元件不同，通过步骤S300对所述待测二极管300的控制方法也不同，例如，在一种可以替代的示例中，所述测试设备100还可以包括反向截止模块130，所述步骤S300具体可以为：

通过所述开关模块110控制所述正向导通模块120停止向所述待测二极管300施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块130向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。

进一步地，向所述待测二极管300施加第一方向电压的时长大于向所述待测二极管300施加第二方向电压的时长。

详细地，由于在向所述待测二极管300施加第一方向电压以使所述待测二极管300正向导通时，所述待测二极管300由室温被加热到预设温度，所述待测二极管300的温度并不稳定，需要长时间的通电测试。在向所述待测二极管300施加第二方向电压以使所述待测二极管300反向截止之前，所述待测二极管300的温度已经为预设温度，并不需要长时间的通电测试。

可选地，所述施加第一方向电压和施加第二方向电压的具体时长不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，所述施加第一方向电压和施加第二方向电压的具体时长可以分别为1小时和30分钟。

进一步地，在所述正向导通模块120包括第一驱动单元和与该第一驱动单元连接的第一开关单元时，控制所述待测二极管300正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块110控制所述第一驱动单元和第一开关单元向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。

进一步地，在所述反向截止模块130包括第二驱动单元和与该第二驱动单元连接的第二开关单元时，控制所述待测二极管300反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块110控制所述第一驱动单元和第一开关单元停止向所述待测二极管300施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元和第二开关单元向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。

进一步地，在所述第一开关单元包括第一MOS管Q1和第二MOS管Q2时，控制所述待测二极管300正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块110控制所述第一驱动单元、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2导通，向所述待测二极管300施加第一方向电压，控制所述待测二极管300正向导通。

进一步地，在所述第二开关单元包括第三MOS管Q3和第四MOS管Q4时，控制所述待测二极管300反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块110控制所述第一驱动单元、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2断开，停止向所述待测二极管300施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4导通，向所述待测二极管300施加第二方向电压，控制所述待测二极管300反向截止。

进一步地，测试所述待测二极管300是否被击穿的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行设置。例如，在本实施例中，可以通过万用表的电阻档测试所述待测二极管300三个电极之间的正反电阻以测试所述待测二极管300是否被击穿。详细地，若某两个电极之间的电阻接近0，则该待测二极管300已经被击穿。

综上所述，本发明实施例提供的测试方法和测试系统10，通过加热设备200将待测二极管300加热到预设温度，通过测试设备100向所述待测二极管300施加第一方向电压以使待测二极管300正向导通后，向所述待测二极管300施加第二方向电压以使待测二极管300反向截止，从而模拟光伏发电组件并联的肖特基二极管由正向导通转变为反向截止的过程。最后停止向待测二极管300施加第二方向电压，并测试所述待测二极管300是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试，从而提高二极管的实用性。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种测试方法，其特征在于，应用于包括待测二极管、测试设备和加热设备的测试系统，所述测试设备与所述待测二极管连接，该测试方法包括：

将所述待测二极管放置于所述加热设备，并控制所述加热设备对所述待测二极管进行加热至预设温度；

通过所述测试设备向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并通过所述测试设备向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止；

停止向所述待测二极管施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试设备包括开关模块和与该开关模块连接的正向导通模块；

所述通过所述测试设备向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述测试设备还包括与所述开关模块连接的反向截止模块；

所述停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并通过所述测试设备向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

4.如权利要求3所述的测试方法，其特征在于，向所述待测二极管施加第一方向电压的时长大于向所述待测二极管施加第二方向电压的时长。

5.如权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述正向导通模块包括第一驱动单元和与该第一驱动单元连接的第一开关单元；

所述通过所述开关模块控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述反向截止模块包括：第二驱动单元和与该第二驱动单元连接的第二开关单元；

所述通过所述开关模块控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元和第二开关单元向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

7.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述第一开关单元包括第一MOS管和第二MOS管，其中，所述第一MOS管的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管的阳极连接；所述第二MOS管的控制端与所述第一驱动单元连接、输入端与所述待测二极管的阴极连接、输出端接地；

所述通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元、第一MOS管和第二MOS管导通，向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通。

8.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二开关单元包括第三MOS管和第四MOS管，其中，所述第三MOS管的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与电源连接、输出端与所述待测二极管的阴极连接；所述第四MOS管的控制端与所述第二驱动单元连接、输入端与所述待测二极管的阳极连接、输出端接地；

所述通过所述开关模块控制所述第一驱动单元和第一开关单元停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元和第二开关单元向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止的步骤，具体为：

通过所述开关模块控制所述第一驱动单元、第一MOS管和第二MOS管断开，停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述第二驱动单元、第三MOS管和第四MOS管导通，向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。

9.一种测试系统，其特征在于，包括待测二极管、测试设备和加热设备，所述测试设备与所述待测二极管连接；

所述加热设备用于放置所述待测二极管，并对所述待测二极管进行加热至预设温度；

所述测试设备用于向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

所述测试设备用于停止向所述待测二极管施加所述第一方向电压，并向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止；

所述测试设备用于停止向所述待测二极管施加所述第二方向电压，并测试所述待测二极管是否被击穿，以完成热逃逸性能的测试。

10.如权利要求9所述的测试系统，其特征在于，所述测试设备包括开关模块、正向导通模块和反向截止模块，其中，所述开关模块分别与正向导通模块和反向截止模块连接；

所述开关模块用于控制所述正向导通模块向所述待测二极管施加第一方向电压，控制所述待测二极管正向导通；

所述开关模块还用于控制所述正向导通模块停止向所述待测二极管施加第一方向电压，并控制所述反向截止模块向所述待测二极管施加第二方向电压，控制所述待测二极管反向截止。