CN110149574A - 一种mems结构 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构，包括：衬底，具有邻近设置的空腔和第一凹槽，所述第一凹槽在所述空腔的外围；压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方并且位于所述第一凹槽中间，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层，其中，所述压电复合振动层的外围区域具有第一波纹部分；质量块，形成在所述压电复合振动层的中间区域。该结构提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。而且，质量块有助于降低压电复合振动层的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种MEMS(MicroelectroMechanical Systems的简写，即微机电系统)结构。
背景技术
MEMS传声器(麦克风)主要包括电容式和压电式两种。MEMS压电传声器是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器，由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术，所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容传声器还有不需要偏置电压，工作温度范围大，防尘、防水等优点，但其灵敏度比较低，制约着MEMS压电传声器的发展。其中，振动膜的残余应力大是其灵敏度低的一个重要原因。
针对相关技术中如何降低压电式MEMS结构的残余应力和提高振动膜形变的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
针对相关技术中残余应力较大的问题，本申请提出一种MEMS结构，能够有效降低残余应力。
本申请的技术方案是这样实现的：
根据本申请的一个方面，提供了一种MEMS(微机电系统)结构，包括：
衬底，具有邻近设置的空腔和第一凹槽，所述第一凹槽在所述空腔的外围；
压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方并且位于所述第一凹槽中间，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层，其中，所述压电复合振动层的外围区域具有第一波纹部分；
质量块，形成在所述压电复合振动层的中间区域。
其中，所述压电复合振动层包括：
振动支撑层，形成在所述衬底上方；
第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
其中，开口从所述第二电极层的上表面连续延伸至所述第一电极层的下表面，所述质量块形成在所述开口内并且位于所述振动支撑层上方。
其中，多个通孔形成在所述开口内并且贯穿所述振动支撑层，其中，所述多个通孔邻近所述开口的边缘并且呈圆形分布。
其中，在所述开口内的所述振动支撑层具有向所述衬底突出的第二波纹部分，其中，所述第二波纹部分邻近所述开口的边缘并且从上视图方向看呈圆形。
其中，所述质量块形成在所述第二电极层上方。
其中，多个通孔邻近所述质量块的边缘并且呈圆形分布，所述多个通孔连续贯穿所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
其中，第二波纹部分邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形，所述第二波纹部分具有向所述衬底突出的所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
其中，第二波纹部分邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形，所述第二波纹部分仅具有向所述衬底突出的所述振动支撑层。
其中，所述衬底上开设有多条平行的第二凹槽，其中一条所述第二凹槽的中心平面经过所述压电复合振动层的中心点，所述第二凹槽将所述压电复合振动层分割成两个区域，所述压电复合振动层包括形成在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分。
其中，多条平行的所述第二凹槽设置为等间距。
其中，所述衬底上开设多条平行的第三凹槽，其中一条所述第三凹槽的中心平面经过所述压电复合振动层的中心点，所述第二凹槽和所述第三凹槽将所述压电复合振动层分割成四个区域，所述压电复合振动层包括形成在所述第三凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分。
其中，在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分具有所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
其中，在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分仅具有所述振动支撑层。
其中，所述第一电极层和所述第二电极层具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的所述第一电极层和所述第二电极层的分区构成电极层对，多个所述电极层对依次串联。
其中，所述振动支撑层包括氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构；或者，
所述振动支撑层包括压电材料层及位于所述压电材料层的上下方的电极材料层，其中，所述压电材料层包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅(PZT)或钙钛矿型压电膜中的一层或多层。
其中，所述质量块的密度大于氮化硅的密度。
在以上实施例的MEMS结构中，压电复合振动层形成在空腔的正上方并且位于第一凹槽中间，使得位于第一凹槽和空腔之间的部分衬底材料支撑压电复合振动层，进而使得压电复合振动层由固支状态转变为类简支状态，因此，提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。而且，质量块有助于降低压电复合振动层的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本申请的各个方面。需要强调的是，根据行业的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1示出了根据一些实施例的MEMS结构的立体图；
图2示出了根据一些实施例的MEMS结构的剖面立体图；
图3示出了根据另一些实施例的衬底的立体图；
图4至图15示出了根据一些实施例的制造MEMS结构的中间阶段的截面图，其中，图4至图8、图10至图11以及图13至图15是图3中沿A-A线的截面图，图9是图3中沿B-B线的截面图；图12是图11中C部分的放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例以实现本申请的不同特征。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本申请。当然这些仅是实例并不旨在限定。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，但可能依赖于工艺条件和/或器件所需的性能。此外，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简化和清楚，可以以不同的尺寸任意地绘制各个部件。
此外，为便于描述，空间相对术语如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“下部(lower)”、“在...之上(above)”、“上部(upper)”等在本文可用于描述附图中示出的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。空间相对术语旨在包括除了附图中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，本文使用的空间相对描述符可同样地作相应解释。另外，术语“由...制成”可以意为“包括”或者“由...组成”。
根据本申请的实施例，提供了一种MEMS结构，能够在降低残余应力和提高压电复合振动层20应变的同时，减小低频声漏，提高传声器工作和制备的稳定性。
参见图1和图2，示出了根据本申请的一个实施例的MEMS结构。以下将详细描述该MEMS结构。该MEMS结构包括衬底10、压电复合振动层20和质量块20。
衬底10具有邻近设置的空腔11和第一凹槽12，第一凹槽12形成在空腔11的外围。衬底10包括硅或任何合适的硅基化合物或衍生物(例如硅晶片、SOI、SiO2/Si上的多晶硅)。
压电复合振动层20形成在空腔11的正上方并且位于第一凹槽12中间。位于第一凹槽12与空腔11之间的部分的衬底10支撑压电复合振动层20。并且在压电复合振动层20的外围区域具有第一波纹部分25。
由于压电复合振动层20的相对厚度较小，在图1和图2中很难分辨压电复合振动层20中的各个层。在此只是简单说明压电复合振动层20的结构。此外，也可以结合图4至图9来参考压电复合振动层20的具体结构。在一些实施例中，压电复合振动层20包括形成在衬底10上方的振动支撑层24、形成在振动支撑层24上方的第一电极层21，形成在第一电极层21上方的第一压电层22和形成在第一压电层22上方的第二电极层23。第一压电层22可将施加的压力转换成电压，并且第一电极层21和第二电极层23可将所产生的电压传送至其他集成电路器件。
在一些实施例中，振动支撑层24包括氮化硅(Si3N4)、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构或其他合适的支撑材料。
在一些实施例中，振动支撑层24可以包括压电材料层及位于该压电材料层的上下方的电极材料层。其中，压电材料层包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅(PZT)、钙钛矿型压电膜中的一层或多层，或其他合适的材料。在此种情况下，该振动支撑层24同时起到支撑和压电的作用。
在一些实施例中，第一压电层22包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅(PZT)、钙钛矿型压电膜或其他合适的材料。第一电极层21和第二电极层23包括铝、金、铂、钼、钛、铬以及它们组成的复合膜或其他合适的材料。
质量块30形成在压电复合振动层20的中间区域，有助于降低压电复合振动层20的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。质量块30的密度大于氮化硅的密度。具体的是，质量块30的密度大于3.2kg/dm3。优选的，质量块30的密度大于4.5kg/dm3。质量块30的材料可以包括钨、金、银等金属。
在以上实施例的MEMS结构中，压电复合振动层20形成在空腔11的正上方并且位于第一凹槽12中间，使得位于第一凹槽12和空腔11之间的部分衬底材料支撑压电复合振动层20，进而使得压电复合振动层20由固支状态转变为类简支状态，因此，降低了压电复合振动层20的残余应力，提高了压电复合振动层20在声压作用下的位移和形变，进而提高了MEMS结构的灵敏度。而且，质量块30有助于降低压电复合振动层20的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。
以下将描述制造MEMS结构的方法。通过该MEMS结构的制造方法，可以更加简易地理解本申请所提供的MEMS结构。
本申请提供的一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法，包括：
参见图3和图4，其中，图4是图3中沿A-A线的截面图。步骤S101：在衬底10的正面上的外围区域蚀刻形成多条平行的第二凹槽13和多条平行的第三凹槽14。其中一条第二凹槽13的中心平面经过压电复合振动层20的中心点，并且将压电复合振动层20分割成两个区域。在一些实施例中，多条平行的第二凹槽13设置为等间距。在一些实施例中，其中一条第三凹槽14的中心平面经过压电复合振动层20的中心点，第二凹槽13和第三凹槽14将压电复合振动层20分割成四个区域。
依次参见图5至图8，步骤S102：在具有第二凹槽13和第三凹槽14的衬底10上沉积形成压电复合振动层20。形成该压电复合振动层20的方法具体包括：在具有第二凹槽13和第三凹槽14的衬底10上沉积支撑材料形成振动支撑层24；在振动支撑层24上沉积第一电极材料，并且图案化第一电极材料以形成第一电极层21，并且露出部分振动支撑层24；在第一电极层21上方沉积形成压电材料，并且图案化压电材料以形成第一压电层22；在第一压电层22上方沉积形成第二电极材料，并且图案化第二电极材料以形成第二电极层23。以上已经说明了衬底10、振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23的材料，在此不再赘述。
参见图9，图9是形成的压电复合振动层10在图3中沿B-B线的截面图。在一些实施例中，在第二凹槽13和第三凹槽14的底部和侧壁上形成的振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23构成第一波纹部分25。在图9中可以清楚地看出波纹形状。
在一些实施例中，可以在之后的步骤工艺中去除在第二凹槽13和第三凹槽14的底部和侧壁上形成的第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23，使得保留在第二凹槽13和第三凹槽14的底部和侧壁上的振动支撑层24构成第一波纹部分25。在此种情况下，获得了多个相互独立的扇形区域，并且每个独立的扇形区域构成类悬臂梁结构的压电薄膜换能器。
而且，第一波纹部分25能够释放压电复合振动层20在沉积过程中存在的残余应力，同时结合类悬臂梁结构，使得“紧绷”的压电复合振动层20变“软”。这样在同样的声压作用下，压电复合振动层20的每个扇形区域都获得了较大的位移和应变。
参见图10，步骤S103：在压电复合振动层20的中间区域沉积形成质量块30。
在一些实施例中，可以在压电复合振动层20设置开口26，在开口26内的振动支撑层24上方形成质量块30。具体的，在开口26内的振动支撑层24上方形成质量块30的方法包括：在图案化第一电极材料以形成第一电极层21、图案化压电材料以形成第一压电层22、并且图案化第二电极材料以形成第二电极层23的步骤中，形成从第二电极层23的上表面连续延伸至第一电极层21的下表面的开口26。
然后在开口26内，在振动支撑层24上方沉积形成质量块30。该质量块30有助于降低压电复合振动层20的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。
参见图11和图12，其中，图12是图11中C部分的放大示意图。为了使得开口26内的振动支撑层24“变软”，可以蚀刻开口26内的振动支撑层24，以形成贯穿振动支撑层24的多个通孔27。其中，多个通孔27邻近开口26的边缘并且呈圆形分布。作为替代多个通孔27的实施例，在开口26内的振动支撑层24具有向衬底10突出的第二波纹部分(图中未示出)。其中，第二波纹部分邻近开口26的边缘并且从上视图方向看呈圆形。形成第二波纹部分的方法可以包括：在沉积形成振动支撑层24之前，在开口26的区域内的衬底10上开设周向的第四凹槽(图中未示出)，而后共形沉积振动支撑层24。因而，形成在第四凹槽内的振动支撑层24的部分称为第二波纹部分。
通过形成多个通孔27或第二波纹部分，使得邻近开口26的边缘的振动支撑层24的应力得到了释放，并且使得“紧绷”的振动支撑层24变“软”。在相同的声压作用下，该“变软”的振动支撑层24获得了较大的位移和应变，从而提高了MEMS结构的灵敏度。
在另一些实施例中，可以在第二电极层23上方直接沉积形成质量块30。在此种情况下，可以蚀刻形成连续贯穿振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23的多个通孔27，多个通孔27邻近质量块30的边缘并且呈圆形分布。作为替代多个通孔27的实施例，可以在衬底10上沉积支撑材料形成振动支撑层24的步骤之前，在质量块30的边缘区域内的衬底上10开设周向的第四凹槽(图中未示出)，之后共形沉积振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极23层。获得的在第四凹槽内的第二波纹部分(图中未示出)具有向衬底10突出的振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23。其中，第二波纹部分邻近质量块30的边缘并且从上视图方向看呈圆形。或者，可以去除在第四凹槽内的向衬底10突出的第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23，使得第二波纹部分仅具有保留的向衬底10突出的振动支撑层24。
参见图13，步骤S104：在第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23的外部，在露出的衬底10上蚀刻形成第一凹槽12。在一些实施例中，可以在露出的振动支撑层24上蚀刻形成延伸至衬底10中的第一凹槽12，使得压电复合振动层20由固支状态转变为类简支状态，因此，提高了压电复合振动层20在声压作用下的位移和形变，进而提高了MEMS结构的灵敏度。
参见图14和图15，步骤S105：蚀刻衬底10的背面以形成空腔11，第一凹槽12邻近设置在空腔11的外围。并且，振动支撑层24、第一电极层21、第一压电层22和第二电极层23形成在空腔11正上方。其中，位于第一凹槽12与空腔11之间的部分的衬底10支撑压电复合振动层20。具体的是：通过标准光刻工艺在衬底10的背面依次沉积形成绝缘材料40和光刻胶，图案化该光刻胶以形成掩膜层，蚀刻露出的绝缘材料40和衬底10，从而形成空腔11。然后去除衬底10的背面的绝缘材料40。
进一步的，制造MEMS器件的方法还包括分别蚀刻第一电极层21和第二电极层23以形成第五凹槽(图中未示出)，第五凹槽将第一电极层21和第二电极层23隔离成至少两个分区，相互对应的第一电极层21和第二电极层23的分区构成电极层对，然后依次串联多个电极对，从而多个悬臂梁结构的压电薄膜换能器实现了电学上的串联，从而进一步提高了MEMS结构的灵敏度。
综上所述，借助于本申请的上述技术方案，采用该制造MEMS结构的方法，降低了压电复合振动层20的残余应力，提高了压电复合振动层20在声压作用下的形变，从而提高了MEMS结构的灵敏度。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种MEMS(微机电系统)结构，其特征在于，包括：
衬底，具有邻近设置的空腔和第一凹槽，所述第一凹槽在所述空腔的外围；
压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方并且位于所述第一凹槽中间，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层，其中，所述压电复合振动层的外围区域具有第一波纹部分；
质量块，形成在所述压电复合振动层的中间区域。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电复合振动层包括：
振动支撑层，形成在所述衬底上方；
第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，开口从所述第二电极层的上表面连续延伸至所述第一电极层的下表面，所述质量块形成在所述开口内并且位于所述振动支撑层上方。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，多个通孔形成在所述开口内并且贯穿所述振动支撑层，其中，所述多个通孔邻近所述开口的边缘并且呈圆形分布。
5.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，在所述开口内的所述振动支撑层具有向所述衬底突出的第二波纹部分，其中，所述第二波纹部分邻近所述开口的边缘并且从上视图方向看呈圆形。
6.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述质量块形成在所述第二电极层上方。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，多个通孔邻近所述质量块的边缘并且呈圆形分布，所述多个通孔连续贯穿所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
8.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，第二波纹部分邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形，所述第二波纹部分具有向所述衬底突出的所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
9.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，第二波纹部分邻近所述质量块的边缘并且从上视图方向看呈圆形，所述第二波纹部分仅具有向所述衬底突出的所述振动支撑层。
10.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述衬底上开设有多条平行的第二凹槽，其中一条所述第二凹槽的中心平面经过所述压电复合振动层的中心点，所述第二凹槽将所述压电复合振动层分割成两个区域，所述压电复合振动层包括形成在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分。
11.根据权利要求10所述的MEMS结构，其特征在于，多条平行的所述第二凹槽设置为等间距。
12.根据权利要求10所述的MEMS结构，其特征在于，所述衬底上开设多条平行的第三凹槽，其中一条所述第三凹槽的中心平面经过所述压电复合振动层的中心点，所述第二凹槽和所述第三凹槽将所述压电复合振动层分割成四个区域，所述压电复合振动层包括形成在所述第三凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分。
13.根据权利要求10所述的MEMS结构，其特征在于，在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分具有所述振动支撑层、所述第一电极层、所述第一压电层和所述第二电极层。
14.根据权利要求10所述的MEMS结构，其特征在于，在所述第二凹槽的底部和侧壁上的所述第一波纹部分仅具有所述振动支撑层。
15.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的所述第一电极层和所述第二电极层的分区构成电极层对，多个所述电极层对依次串联。
16.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述振动支撑层包括氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构；或者，
所述振动支撑层包括压电材料层及位于所述压电材料层的上下方的电极材料层，其中，所述压电材料层包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅(PZT)或钙钛矿型压电膜中的一层或多层。
17.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述质量块的密度大于氮化硅的密度。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110099344A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-08-06 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| CN110519679A (zh) * | 2019-10-11 | 2019-11-29 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| CN110944274A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-31 | 武汉大学 | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 |
| CN110972045A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-04-07 | 歌尔股份有限公司 | 一种振动感测装置以及电子设备 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020179921A1 (en) * | 2001-06-02 | 2002-12-05 | Cohn Michael B. | Compliant hermetic package |
| CN201063346Y (zh) * | 2007-02-09 | 2008-05-21 | 中国科学院声学研究所 | 一种双极化分割电极传感振动膜 |
| US20110182450A1 (en) * | 2008-09-25 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same |
| CN103369441A (zh) * | 2012-04-04 | 2013-10-23 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体装置、mems结构和制作mems装置的电极的方法 |
| CN104853300A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-19 | 北京卓锐微技术有限公司 | 一种应用柔性背极的硅电容麦克风 |
| CN107071672A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-08-18 | 歌尔股份有限公司 | 一种压电式麦克风 |
| CN107241077A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-10-10 | 电子科技大学 | 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107511318A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-26 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
| CN206948610U (zh) * | 2017-06-16 | 2018-01-30 | 歌尔科技有限公司 | 一种压电麦克风及电子设备 |
| CN107812691A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-20 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
| CN108419190A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-08-17 | 杭州电子科技大学 | 一种防御声学攻击的mems惯性传感器及其制作方法 |
| CN208317007U (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-01 | 杭州电子科技大学 | 一种防御声学攻击的mems惯性传感器 |
| CN208434106U (zh) * | 2018-08-01 | 2019-01-25 | 歌尔科技有限公司 | 一种用于振动传感器的振动组件及振动传感器 |
| CN209748811U (zh) * | 2019-05-18 | 2019-12-06 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
-
2019
- 2019-05-18 CN CN201910415712.2A patent/CN110149574B/zh active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020179921A1 (en) * | 2001-06-02 | 2002-12-05 | Cohn Michael B. | Compliant hermetic package |
| CN201063346Y (zh) * | 2007-02-09 | 2008-05-21 | 中国科学院声学研究所 | 一种双极化分割电极传感振动膜 |
| US20110182450A1 (en) * | 2008-09-25 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same |
| CN103369441A (zh) * | 2012-04-04 | 2013-10-23 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体装置、mems结构和制作mems装置的电极的方法 |
| CN104853300A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-19 | 北京卓锐微技术有限公司 | 一种应用柔性背极的硅电容麦克风 |
| CN107241077A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-10-10 | 电子科技大学 | 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107071672A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-08-18 | 歌尔股份有限公司 | 一种压电式麦克风 |
| CN206948610U (zh) * | 2017-06-16 | 2018-01-30 | 歌尔科技有限公司 | 一种压电麦克风及电子设备 |
| CN107511318A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-26 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
| CN107812691A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-20 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
| CN108419190A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-08-17 | 杭州电子科技大学 | 一种防御声学攻击的mems惯性传感器及其制作方法 |
| CN208317007U (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-01 | 杭州电子科技大学 | 一种防御声学攻击的mems惯性传感器 |
| CN208434106U (zh) * | 2018-08-01 | 2019-01-25 | 歌尔科技有限公司 | 一种用于振动传感器的振动组件及振动传感器 |
| CN209748811U (zh) * | 2019-05-18 | 2019-12-06 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 李俊红;魏建辉;马军;任伟;刘梦伟;汪承灏;: "ZnO薄膜硅微压电矢量水听器", 声学学报, no. 03, 15 May 2016 (2016-05-15) * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110099344A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-08-06 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| CN110099344B (zh) * | 2019-05-18 | 2024-03-08 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| CN110519679A (zh) * | 2019-10-11 | 2019-11-29 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| CN110972045A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-04-07 | 歌尔股份有限公司 | 一种振动感测装置以及电子设备 |
| CN110972045B (zh) * | 2019-11-18 | 2021-11-16 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 一种振动感测装置以及电子设备 |
| CN110944274A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-31 | 武汉大学 | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 |
| CN110944274B (zh) * | 2019-11-20 | 2020-12-18 | 武汉大学 | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110149574B (zh) | 2024-09-03 |
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