CN110137201A - 一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。

Description

一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
目前，显示屏应用领域，RGB Mini LED芯片克服了正装芯片的焊接及可靠性的缺陷，同时结合COB封装的优势，使显示屏点间距进一步缩小，对RGB显示屏，分别提供R(红光芯片)、G(绿光芯片)、B(蓝光芯片)三色芯片封成一个灯珠，作为一个像素点，通过控制每个LED灯珠的点亮状态，控制整个大屏幕显示画面。
然而分别提供R(红光芯片)、G(绿光芯片)、B(蓝光芯片)三色芯片封成一个灯珠，这就会导致：三色芯片都要做固晶打线，封装制程复杂，增加了封装成本；每种颜色芯片都要做打线，存在虚焊风险，导致可靠性风险增加；不同芯片之间要固晶打线，为避免芯片之间相互影响，不同芯片之间要留有间隙，如此，灯珠无法进一步减小，因此影响了整个屏幕的显示分辨率。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，以降低显示屏灯珠体积，提高显示屏的分辨率。
第一方面，本申请实施例提供了一种集成式二极管芯片，包括：
支撑衬底；
位于所述支撑衬底上的键合结构；
位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；
位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；
位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；
相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；
在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
在一种实施方式中，所述键合结构包括依次位于所述支撑衬底上的第二键合层和位于所述第二键合层上的第一键合层；
所述第一键合层内包括多个间隔设置的所述反射结构，相邻两个所述反射结构之间间隔第一设定距离。
在一种实施方式中，所述反射结构包括位于所述第一键合层内且间隔设置的保护层，以及位于所述保护层内的欧姆接触反射层；
相邻两个保护层之间间隔所述第一设定距离，相邻两个欧姆接触反射层之间间隔第二设定距离；所述第二设定距离大于所述第一设定距离。
在一种实施方式中，相邻两个发光单元之间间隔第三设定距离，所述第三设定距离小于所述第一设定距离。
在一种实施方式中，每个发光单元包括依次位于所述第一键合层上的P型层、发光层和N型层；
所述发光层在第一电极和第二电极通电后发射红光、蓝光或者绿光。
第二方面，本申请实施例提供了一种集成式二极管芯片的制备方法，包括：
在生长衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成于所述生长衬底上的N型层、发光层和P型层；
在所述外延结构上依次形成间隔设置的反射结构，以及包覆所述反射结构且与所述外延结构接触的第一键合层；
将预先制备的支撑衬底和位于所述支撑衬底上的第二键合层倒置后，与所述第一键合层键合，以形成键合结构；
去除所述生长衬底后，对所述外延结构进行蚀刻形成与每个所述反射结构对应的发光单元；
在相邻两个发光单元之间制备与所述第一键合层接触的且凸出所述发光单元的反射堤坝；
在每个发光单元上形成第一电极，以及在所述支撑衬底背面形成第二电极；
在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到所述集成式二极管芯片，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
在一种实施方式中，所述在所述外延结构上依次形成间隔设置的反射结构，以及包覆所述反射结构且与所述外延结构接触的第一键合层，包括：
在所述P型层上形成间隔设置的欧姆接触反射层，相邻两个欧姆接触反射层之间间隔第二设定距离；
在每个所述欧姆接触反射层上形成包覆该欧姆接触反射层的保护层；相邻两个保护层之间间隔第一设定距离，所述第一设定距离小于所述第二设定距离，每个保护层和对应的欧姆接触反射层构成一个反射结构；
在所述保护层和暴露的P型层上形成包覆所述保护层的所述第一键合层。
在一种实施方式中，所述去除所述生长衬底后，对所述外延结构进行蚀刻形成与每个所述反射结构对应的发光单元，包括：
去除所述生长衬底后，依次蚀刻所述N型层、所述发光层和所述P型层，形成与所述欧姆接触反射层对应的发光单元，相邻两个发光单元之间间隔第三设定距离，所述第三设定距离小于所述第一设定距离。
在一种实施方式中，所述反射堤坝为分布式布拉格反射层。
在一种实施方式中，所述发光层在第一电极和第二电极通电后的发射光为红光、蓝光或绿光，所述在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到所述集成式二极管芯片，包括：
在其中一个所述发光单元上涂覆第一种光转换材料，形成第一光转换膜；
在另一个所述发光单元上涂覆第二种光转换材料，形成第二光转换膜；
所述第一光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色与所述第二光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色不同。
第三方面，本申请实施例提供了一种显示屏灯珠装置，包括第一方面所述的集成式二极管芯片。
本申请实施例提供的集成式二极管芯片，包括支撑衬底；位于支撑衬底上的键合结构；位于键合结构内且间隔设置的反射结构；位于键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个发光单元上的第一电极，以及位于支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
可见，本申请实施例提供的集成式二极管芯片，包括多个间隔设置的发光单元，且多个第一电极，在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，且不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换，这样该集成式二极管芯片在发光时可以发射不同颜色的光，另外该集成式二极管芯片共用一个第二电极，使得该芯片相比现有技术需要做固晶打线的地方减少了，另外由于相邻两个发光单元之间设置的凸出发光单元的反射堤坝，故减少了不同发光单元在发光时的相互影响，从而由本申请实施例制备的集成式二极管芯片构成的灯珠能够做到体积更小，从而由本申请实施例制备的集成式二极管芯片构成的灯珠在形成显示屏时能够提高显示屏的分辨率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的一种集成式二极管芯片的结构示意图；
图2示出了本申请实施例所提供的一种集成式二极管芯片的制备方法流程图；
图3示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第一子结构图；
图4示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第二子结构图；
图5示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第三子结构图；
图6示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第四子结构图；
图7示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第五子结构图；
图8示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第六子结构图；
图9示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第七子结构图；
图10示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第八子结构图；
图11示出了本申请实施例所提供的集成式二极管芯片制备过程中的第九子结构图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例1
本申请实施例1提供了一种集成式二极管芯片，如图1所示，包括：
支撑衬底11；位于支撑衬底11上的键合结构12；位于键合结构12内且间隔设置的反射结构13；位于键合结构12上且与每个反射结构13对应的发光单元14；位于每个发光单元14上的第一电极15，以及位于支撑衬底11背面的第二电极16；相邻两个发光单元14之间设置的凸出发光单元14的反射堤坝17；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元14上的光转换膜18，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
这里的支撑衬底具有良好的导热及导电性能，支撑衬底可以为硅Si、锗Ge等半导体材料，亦可为铜Cu，钼Mo、镍Ni等金属材料或其的合金。
这里的键合结构12包括依次位于支撑衬底11上的第二键合层122和位于第二键合层122上的第一键合层121，由图1可以看到，在第一键合层121和第二键合层122之间在键合时形成了键合界面123。
这里第一键合层的材料为可以为金Au、锡Sn、铟In、镍Ni、铜Cu等或其的合金材料，总厚度1.0-10.0um，优选2.0-8.0um，更优选4.0-6.0um；第二键合层的材料同样可以为金Au、锡Sn、铟In、镍Ni、铜Cu等或其的合金材料，总厚度1.0-10.0um，优选2.0-8.0um，更优选4.0-6.0um。
第一键合层121内包括多个间隔设置的反射结构13，相邻两个反射结构13之间间隔第一设定距离。
具体地，反射结构13包括位于第一键合层121内且间隔设置的保护层131，以及位于保护层131内的欧姆接触反射层132；
相邻两个保护层131之间间隔第一设定距离，相邻两个欧姆接触反射层132之间间隔第二设定距离；第二设定距离大于所述第一设定距离。
这里第一键合层完全包覆间隔设置的反射结构，这里的每个反射结构包括保护层和欧姆接触反射层，欧姆接触反射层位于保护层内部，且相邻两个欧姆接触反射层之间的距离大于相邻两个保护层之间的距离。
其中，欧姆接触反射层能够对发光层发射到欧姆接触反射层的光进行反射，使得集成式二极管芯片发射的光向上发出，保护层用于保护其对应的欧姆接触反射层。
具体地，每个发光单元14包括依次位于第一键合层121上的P型层141、发光层142和N型层143，这里的发光层142可以为量子阱发光层。
发光层在第一电极和第二电极通电后发射红光、蓝光或者绿光。
本申请实施例包括多个间隔设置的发光单元，且相邻两个发光单元之间间隔第三设定距离，第三设定距离小于相邻两个保护层之间的第一设定距离。
本申请实施例中，相邻两个发光单元14之间设置的凸出发光单元的反射堤坝，这里的反射波堤坝为高绝缘反射的分布式布拉格反射DBR结构，为高低折射率透明材料的循环搭配结构，例如二氧化硅SiO2/二氧化钛TiO2、氟化镁MgF/二氧化碳TiO2等的多层结构，其总厚度2-10um，优选4-8um，更优选5-6um。
本申请实施例中，至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，这里不同发光单元上的光转换膜对接收到的光进行不同颜色的转换，比如发光单元发射蓝光，这里的光转换膜可以包括绿光转换膜和红光转换膜，红光转换膜将接收的蓝光转换为红光，绿光转换膜将接收的蓝光转换为绿光。
当光转换膜为红光转换膜时，其材料可以是磷光体或量子点，材料可为MAlSiNx:Re(1≤x≤5)组成的氮化物磷光体/量子点或具有MD:Re组成的磷光体/量子点，M是从钯Ba、锶Sr、钙Ca中选择的至少一种，D是从硫S、硒Se、碲Te中选择的至少一种，Re是从铕Eu、钇Y、镧La、铈Ce、钕Nd、钷Pm、钐Sm中选择的至少一种。
当光转换膜为绿光转换膜时，其材料可为磷光体或量子点，材料可为M2SiO4:Re组成的硅酸盐磷光体/量子点或具有MA2D4:Re组成的磷光体/量子点，M是从钯Ba、锶Sr、钙Ca中选择的至少一种，A是从钙Ca、铝Al、铟In中选择的至少一种，D是从硫S、硒Se、碲Te中选择的至少一种，Re是从铕Eu、钇Y、镧La、铈Ce、钕Nd、钷Pm、钐Sm中选择的至少一种。
更具体地，本申请实施例提供的集成式二极管芯片，包括三个保护层、三个欧姆接触反射层以及三个发光单元，可以看出，每个发光单元的N型层上均设置有第一电极，其中有两个发光单元上形成包覆第一电极的光转换膜，本申请实施例中的光转换膜，一个为红光转换膜，一个为绿光转换膜，分别位于集成式二极管芯片边缘的两个发光单元上，另外本申请实施例中的发光单元为蓝光发光单元，则位于中间的发光单元在通电后发射蓝光。
比如，发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元上设置第一光转换膜，第二发光单元上不设置光转换膜，第三发光单元上设置第二光转换膜，其中第一光转换膜可以为红光转换膜，第二光转换膜可以绿光转换膜。
其中，第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元都在集成在同一二极管芯片中，这样该二极管芯片即构成了集成式二极管芯片，其在发光时可以发射不同颜色的光，另外该集成式二极管芯片共用一个第二电极，该芯片相比现有技术需要做固晶打线的地方减少了，另外由于相邻两个发光单元之间设置的凸出发光单元的反射堤坝，故减少了不同发光单元在发光时的相互影响，因为由本申请实施例制备的灯珠能够做到体积更小，从而能够在形成显示屏时提高显示屏的分辨率。
实施例2
本申请实施例2提供了一种集成式二极管芯片的制备方法，如图2所示，包括以下方法流程S201～S207：
S201，在生长衬底上形成外延结构，外延结构包括依次形成于生长衬底上的N型层、发光层和P型层。
这里的生长衬底10可以为氧化铝Al2O3、碳化硅SiC、硅Si、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、磷化镓GaP等，这里的发光层可以为量子阱发光层，在生长衬底10上依次生长N型层143、发光层142和P型层141，得到如图3所示的结构。
S202，在外延结构上依次形成间隔设置的反射结构，以及包覆所述反射结构且与外延结构接触的第一键合层。
具体地，步骤S202，在外延结构上依次形成间隔设置的反射结构，以及包覆反射结构且与外延结构接触的第一键合层，包括以下步骤(1)～(3)：
(1)在P型层上形成间隔设置的欧姆接触反射层，相邻两个欧姆接触反射层之间间隔第二设定距离。
在P型层141上制作欧姆接触反射层132，该欧姆接触反射层可以包括三部分，每部分之间的间距即第二设定距离为a，欧姆接触反射层为多层结构，材料可为银Ag、铝Al、金Au、铂Pt等金属材料，总厚度100-500nm，优选200-400nm，更优选250-300nm，得到如图4所示的结构。
(2)在每个欧姆接触反射层上形成包覆该欧姆接触反射层的保护层；相邻两个保护层之间间隔第一设定距离，第一设定距离小于第二设定距离，每个保护层和对应的欧姆接触反射层构成一个反射结构。
在每个欧姆接触反射层132上形成包覆该欧姆接触反射层132的保护层131，这里保护层131因包覆欧姆接触反射层132，故其与P型层141也会接触，相邻两个保护层的间隔即第一设定距离为b，这里的b为2-10um，优选4-8um，更优选6-7um，保护层131的材料可为铂Pt、钛Ti、钨W、镍Ni或其的合金材料，总厚度100-800nm，优选200-700nm，更优选400-500nm，得到如图5所示的结构。
(3)在保护层和暴露的P型层上形成包覆保护层的第一键合层。
在保护层131和暴露的P型层141上制作第一键合层121，使得第一键合层121完全覆盖保护层131和P型层141，得到如图6所示的结构。
S203，将预先制备的支撑衬底和位于支撑衬底上的第二键合层倒置后，与第一键合层键合，以形成键合结构。
这里预先准备支撑衬底11，这里的支撑衬底具有良好的导热及导电性能，支撑衬底可以为硅Si、锗Ge等半导体材料，亦可为铜Cu，钼Mo、镍Ni等金属材料或其的合金，在支撑衬底11上制备第二键合层122，第二键合层的材料同样可以为金Au、锡Sn、铟In、镍Ni、铜Cu等或其的合金材料，总厚度1.0-10.0um，优选2.0-8.0um，更优选4.0-6.0um，得到如图7所示的结构。
然后将图7所示的结构倒置，将第二键合层122与第一键合层121进行键合，比如采用加温加压的键合方式，键合温度100-500℃，优选200-350℃，更优选250-300℃；键合压力1000—5000kg，优选1500-4000kg，更优选2000-2500kg，当第一键合层121和第二键合层122形成键合结构后倒置，即得到如图8所示的结构。
S204，去除生长衬底后，对外延结构进行蚀刻形成与每个反射结构对应的发光单元。
具体地，步骤S204中，去除生长衬底后，对外延结构进行蚀刻形成与每个反射结构对应的发光单元，包括：
去除生长衬底后，依次蚀刻N型层143、发光层142和P型层141，形成与欧姆接触反射层131对应的发光单元14，相邻两个发光单元14之间间隔第三设定距离c，第三设定距离c小于第一设定距离b，得到如图9所示的结构。
S205，在相邻两个发光单元之间制备与第一键合层接触的且凸出发光单元的反射堤坝。
通过沉积、光刻、刻蚀的方式，在间断式的发光单元14侧面制作反射堤坝，其为高绝缘反射的DBR结构，为高低折射率透明材料的循环搭配结构，二氧化硅SiO2/二氧化钛TiO2、氟化镁MgF/二氧化碳TiO2等的多层结构，总厚度2-10um，优选4-8um，更优选5-6um，本申请实施例中，针对单个集成式二极管芯片，除了在相邻两个发光单元之间制备反射堤坝，同时也在集成式二极管芯片的边缘也形成反射堤坝17A，最后得到如图10所示的结构。
这里的反射堤坝为分布式布拉格反射层。
S206，在每个发光单元上形成第一电极，以及在支撑衬底背面形成第二电极。
这里可以通过光刻、蒸镀、剥离、去胶的方式在每个发光单元14上形成第一电极15(负电极)，以及在支撑衬底11背面形成第二电极14(正电极)，得到如图11所示的结构。
S207，在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到集成式二极管芯片，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
具体地，发光层在第一电极和第二电极通电后的发射光为红光、蓝光或绿光，步骤S207，在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到集成式二极管芯片，包括以下步骤(4)～(6)：
(4)在其中一个发光单元14上涂覆第一种光转换材料，形成第一光转换膜18。
(5)在另一个发光单元上涂覆第二种光转换材料，形成第二光转换膜18。
(6)第一光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色与第二光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色不同。
这里不同发光单元上的光转换膜对接收到的光进行不同颜色的转换，比如发光单元发射蓝光，这里的光转换膜可以包括绿光转换膜和红光转换膜，红光转换膜将接收的蓝光转换为红光，绿光转换膜将接收的蓝光转换为绿光。
比如，可以通过光刻或悬涂的方式，在其中一个发光单元上涂覆红光转材料，其可为磷光体或量子点，材料可为MAlSiNx:Re(1≤x≤5)组成的氮化物磷光体/量子点或具有MD:Re组成的磷光体/量子点，M是从Ba、Sr、Ca中选择的至少一种，D是从S、Se、Te中选择的至少一种，Re是从Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm中选择的至少一种；通过光刻或悬涂的方式，在其中另一个发光单元表面涂覆绿光转材料，其可为磷光体或量子点，材料可为M2SiO4:Re(1≤x≤5)组成的硅酸盐磷光体/量子点或具有MA2D4:Re组成的磷光体/量子点，M是从Ba、Sr、Ca中选择的至少一种，A是从Ca、Al、In中选择的至少一种，D是从S、Se、Te中选择的至少一种，Re是从Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm中选择的至少一种，得到如图1所示的结构。
在实际制备集成式二极管芯片时，一般会同时制备多个集成式二极管芯片，然后在沿着预先制备的蚀刻道进行切割、崩裂分裂成多个集成式二极管芯片，最终得到如图1所示的单颗集成式二极管芯片。
实施例3
本申请实施例3提供了一种显示屏灯珠装置，包括实施例1所示的集成式二极管芯片。
本申请实施例提供的集成式二极管芯，包括支撑衬底；位于支撑衬底上的键合结构；位于键合结构内且间隔设置的反射结构；位于键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个发光单元上的第一电极，以及位于支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
可见，本申请实施例提供的集成式二极管芯片，包括多个间隔设置的发光单元，且多个第一电极，在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，且不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换，这样该集成式二极管芯片在发光时可以发射不同颜色的光，另外该集成式二极管芯片共用一个第二电极，使得该芯片相比现有技术需要做固晶打线的地方减少了，另外由于相邻两个发光单元之间设置的凸出发光单元的反射堤坝，故减少了不同发光单元在发光时的相互影响，从而由本申请实施例制备的集成式二极管芯片构成的灯珠能够做到体积更小，从而由本申请实施例制备的集成式二极管芯片构成的灯珠在形成显示屏时能够提高显示屏的分辨率。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种集成式二极管芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底；
位于所述支撑衬底上的键合结构；
位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；
位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；
位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；
相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；
在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
2.根据权利要求1所述的集成式二极管芯片，其特征在于，所述键合结构包括依次位于所述支撑衬底上的第二键合层和位于所述第二键合层上的第一键合层；
所述第一键合层内包括多个间隔设置的所述反射结构，相邻两个所述反射结构之间间隔第一设定距离。
3.根据权利要求2所述的集成式二极管芯片，其特征在于，所述反射结构包括位于所述第一键合层内且间隔设置的保护层，以及位于所述保护层内的欧姆接触反射层；
相邻两个保护层之间间隔所述第一设定距离，相邻两个欧姆接触反射层之间间隔第二设定距离；所述第二设定距离大于所述第一设定距离。
4.根据权利要求3所述的集成式二极管芯片，其特征在于，相邻两个发光单元之间间隔第三设定距离，所述第三设定距离小于所述第一设定距离。
5.根据权利要求2所述的集成式二极管芯片，其特征在于，每个发光单元包括依次位于所述第一键合层上的P型层、发光层和N型层；
所述发光层在第一电极和第二电极通电后发射红光、蓝光或者绿光。
6.一种集成式二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在生长衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成于所述生长衬底上的N型层、发光层和P型层；
在所述外延结构上依次形成间隔设置的反射结构，以及包覆所述反射结构且与所述外延结构接触的第一键合层；
将预先制备的支撑衬底和位于所述支撑衬底上的第二键合层倒置后，与所述第一键合层键合，以形成键合结构；
去除所述生长衬底后，对所述外延结构进行蚀刻形成与每个所述反射结构对应的发光单元；
在相邻两个发光单元之间制备与所述第一键合层接触的且凸出所述发光单元的反射堤坝；
在每个发光单元上形成第一电极，以及在所述支撑衬底背面形成第二电极；
在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到所述集成式二极管芯片，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延结构上依次形成间隔设置的发射结构，以及包覆所述反射结构且与所述外延结构接触的第一键合层，包括：
在所述P型层上形成间隔设置的欧姆接触反射层，相邻两个欧姆接触反射层之间间隔第二设定距离；
在每个所述欧姆接触反射层上形成包覆该欧姆接触反射层的保护层；相邻两个保护层之间间隔第一设定距离，所述第一设定距离小于所述第二设定距离，每个保护层和对应的欧姆接触反射层构成一个反射结构；
在所述保护层和暴露的P型层上形成包覆所述保护层的所述第一键合层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述生长衬底后，对所述外延结构进行蚀刻形成与每个所述反射结构对应的发光单元，包括：
去除所述生长衬底后，依次蚀刻所述N型层、所述发光层和所述P型层，形成与所述欧姆接触反射层对应的发光单元，相邻两个发光单元之间间隔第三设定距离，所述第三设定距离小于所述第一设定距离。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述发光层在第一电极和第二电极通电后的发射光为红光、蓝光或绿光，所述在至少两个发光单元上设置包覆位于该发光单元上的光转换膜后，得到所述集成式二极管芯片，包括：
在其中一个所述发光单元上涂覆第一种光转换材料，形成第一光转换膜；
在另一个所述发光单元上涂覆第二种光转换材料，形成第二光转换膜；
所述第一光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色与所述第二光转换膜对接收到的光进行转换后的颜色不同。
10.一种显示屏灯珠装置，其特征在于，包括权利要求1至5任一所述的集成式二极管芯片。
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