CN110121138B - 一种高灵敏度、高信噪比的mems麦克风及其制造方法 - Google Patents

一种高灵敏度、高信噪比的mems麦克风及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种高灵敏度、高信噪比的MEMS麦克风及其制造方法。该MEMS麦克风包括从下到上设置的半导体衬底、背板和振动膜，三者相互之间通过介质层隔离；背板中形成有多个释放孔，其中，位于背板中心的释放孔为圆形孔，位于背板最外面的三圈释放孔为梯形孔。本发明所提供的MEMS麦克风，通过将背板最外面3圈小孔的形状全部改为梯形，并使三圈梯形小孔满足一定的排布方式，提高了MEMS麦克风的信噪比。同时，通过对MEMS麦克风生产过程中用到的背板光掩模和AR刻蚀掩膜的形状和尺寸进行改动，使得CMP之后在背板上方的介质层中不会形成凹陷，从而提高了振动膜的平整度，最终提高了MEMS麦克风的灵敏度。

Description

一种高灵敏度、高信噪比的MEMS麦克风及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种MEMS麦克风，同时涉及MEMS麦克风的制造方法，属于微电子机械系统(MEMS)技术领域。
背景技术
MEMS麦克风属于电容式麦克风。电容式麦克风的主要结构为两块电容极板，即振动膜和背板，由中间的空气隙相绝缘隔离。它的工作原理是传入的声压波通过背板中的孔，引起振动膜的形变，从而使得振动膜和背板这二个极板之间的距离产生变化，导致电容值发生改变，从而转换为电信号输出，实现声信号到电信号的转换。
MEMS麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风，简单的说就是一个电容器集成在微硅晶片上，可以采用表贴工艺进行制造，能够承受很高的回流焊温度，容易与CMOS工艺及其它音频电路相集成，并具有改进的噪声消除性能与良好的RF及EMI抑制能力。由于可以利用持续微缩的CMOS工艺技术，MEMS麦克风可以做得很小，使得它可以广泛地应用到手机、笔记本电脑、平板电脑和摄像机等便携设备中。
麦克风的灵敏度与振动膜的平整度息息相关。振动膜的形成与下层的介质层及背板的形态有关。在现有MEMS麦克风的在线生产及检测中，发明人发现当在背板上方沉积氧化物形成介质层时，经过CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)之后，在一些小尺寸的圆形释放孔的对应位置氧化物有大概0.4μm深的凹陷，并且这种凹陷在后面生产的流程中会被传递到上层的振动膜,从而导致振动膜平整度变差，这样振动膜在工作时会形成一些噪声,导致灵敏度偏低。同时，由于0.4μm的凹陷非常深，没有办法通过对生产工艺进行小改动来改善它。因此，需要对现有MEMS麦克风的结构或生产工艺进行改进，以提高振动膜的平整度，进而提高麦克风的灵敏度。
同时，如果可以同步提高MEMS麦克风的信噪比，将会获得性能更为优异的MEMS麦克风产品。
发明内容
本发明所要解决的首要技术问题在于提供一种高灵敏度、高信噪比的MEMS麦克风。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供上述MEMS麦克风的制造方法。
为了实现上述发明目的，本发明采用下述技术方案：
一种MEMS麦克风，包括从下到上设置的半导体衬底、背板和振动膜，三者相互之间通过介质层隔离；所述背板中有多个释放孔，其中，位于所述背板中心的释放孔为圆形孔，位于所述背板最外面的N圈释放孔至少部分为梯形孔，N为自然数。
其中较优地，位于所述背板最外面的N圈释放孔全部为梯形孔。
其中较优地，所述背板中心的释放孔的尺寸大于所述背板最外面的N圈释放孔的尺寸。
其中较优地，所述梯形孔的上底、下底和高在1-5μm之间取值。
其中较优地，所述背板最外面的三圈释放孔，最内圈梯形孔顶朝内，外面两圈梯形孔顶朝外。
其中较优地，最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距大于第二圈梯形孔和最外圈梯形孔之间的间距。
一种上述MEMS麦克风的制造方法，包括如下步骤：
(1)在半导体衬底上形成第一介质层，并在第一介质层表面沉积背板材料形成背板；
(2)通过对所述背板进行图形化形成多个释放孔，其中，位于所述背板中心的释放孔为圆形孔，位于所述背板最外面的N圈释放孔至少部分为梯形孔，N为自然数；
(3)在所述背板表面沉积介质层，并通过AR刻蚀和CMP去除背板上表面沉积的多余物质；
(4)再次沉积介质层，并沉积振动膜材料形成振动膜；然后，形成引线窗口、保护层并沉积电连接部，最后，形成背腔和前腔。
其中较优地，位于所述背板最外面的N圈释放孔全部为梯形孔。
其中较优地，在所述步骤(2)中，使用背板掩膜形成背板中的释放孔；所述背板掩膜中部形成圆形孔，所述背板掩膜最外面形成N圈梯形孔，每个梯形孔的尺寸和背板中将要形成的梯形孔的尺寸相等。
其中较优地，在所述步骤(3)中，使用AR刻蚀掩膜对所述背板表面的介质层进行刻蚀，AR刻蚀掩膜包括最外面的N圈梯形掩膜部分，N圈梯形掩膜部分的分布形态和背板掩膜中梯形孔的分布形态相同，每个梯形掩膜部分和背板中对应的梯形孔同心设置，每个梯形掩膜部分的尺寸大于背板中对应梯形孔的尺寸。
本发明所提供的MEMS麦克风，通过将背板最外面3圈小孔的形状全部改为梯形，并使三圈梯形孔满足一定的排布方式，提高了MEMS麦克风的信噪比。同时，通过对MEMS麦克风生产过程中用到的背板掩模和AR刻蚀掩膜的形状和尺寸进行改动，使得CMP之后在背板上方的介质层中不会形成凹陷，从而提高了振动膜的平整度，最终提高了MEMS麦克风的灵敏度。
附图说明
图1是一种MEMS麦克风的剖视示意图；
图2是图1所示MEMS麦克风的生产过程中所用到的AR刻蚀掩膜的俯视示意图；
图3是现有MEMS麦克风生产过程中，AR刻蚀的原理示意图；
图4是现有MEMS麦克风中，振动膜中的凹陷的形成原理示意图；
图5是改进后的背板掩膜的俯视示意图；
图6是改进后的AR刻蚀掩膜的俯视示意图；
图7是改进后的AR刻蚀的原理示意图；
图8～图18是改进后的MEMS麦克风的制造过程中对应形成的器件结构的剖视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的发明内容做进一步地详细说明。
图1所示是一种MEMS麦克风的结构示意图。MEMS麦克风包括从下到上设置的半导体衬底1、背板2和振动膜3，三者相互之间通过介质层4隔离。其中，半导体衬底1中部形成有上下贯通的背腔。在半导体衬底1之上形成有第一介质层，在第一介质层中部对应于半导体衬底1的背腔的位置具有与背腔相通的空心区域，且空心区域的边缘超过背腔边界。背板2形成于第一介质层上，背板2作为麦克风的电容下极板，背板2中部悬空设于半导体衬底1的背腔和第一介质层的空心区域之上，并且，背板2中形成有多个圆形的第一释放孔，其中，中部的释放孔孔径较大，最外面的三圈释放孔的孔径较小。在背板2之上形成有第二介质层，第二介质层中部对应于背腔的位置具有可通过第一释放孔与背腔相连的空心区域。振动膜3形成于第二介质层之上，振动膜3作为麦克风的电容上极板，振动膜3中部悬空设于第二介质层的空心区域之上，在振动膜3中形成有第二释放孔。在上述结构中，背板2、第二介质层和振动膜3所围成的内部空腔形成一个前腔，作为隔离麦克风上下极板的空气隙；在背板2的上表面的中部还设置有多个凸起结构6，用于防止背板2和振动膜3的粘连。第一介质层和第二介质层可以使用同样的材料，第一介质层和第二介质层具有超出背板2的边缘部分，并且两者的边缘部分结合，第一介质层和第二介质层整体构成介质层4。在介质层4中形成有通向半导体衬底1上表面的第一引线窗口和通向背板2上表面的第二引线窗口，在振动膜3的上部及介质层4的外部还形成有保护层5，保护层5中形成有通向振动膜3上表面的第三引线窗口，并且，保护层5将振动膜3中部的悬空部暴露在外。在上述三个引线窗口中分别设置有电连接部7，电连接部7可以通过引线从引线窗口中向上引出。
上述MEMS麦克风的制造方法包括如下步骤：在半导体衬底1上形成第一介质层；在第一介质层表面沉积作为麦克风电容下极板的背板材料；对背板2进行图形化，形成多个第一释放孔；填充第二介质层并去除背板2上表面沉积的多余物质；再次沉积第二介质层并图形化，在第二介质层中部形成多个通向背板表面的深槽；在深槽中填充作为凸起结构6的材料，并再次沉积第二介质层；沉积作为麦克风电容上极板的振动膜材料并图形化，在振动膜3中形成第二释放孔；在振动膜3表面沉积保护材料并图形化，形成覆盖振动膜的保护层；对由第一介质层和第二介质层组成的介质层4图形化，形成MEMS麦克风轮廓，并形成自上表面向下分别与背板2或半导体衬底1相连的两个引线窗口；沉积保护层5并图形化，形成第三引线窗口；向三个引线窗口中沉积金属层并图形化，形成电连接部；自半导体衬底1底面进行背面刻蚀至第一介质层，将对应于背板中部的衬底材料去除，形成背腔；进行释放工艺，去除与背腔轮廓对应的介质层部分，最终形成MEMS麦克风结构。
为了改善振动膜的平整度，发明人对MEMS麦克风的结构及制造过程进行了深入研究，并尝试对振动膜、背板等的形状、结构及MEMS麦克风的制造过程进行了改进。
如图1所示的MEMS麦克风结构中，背板2采用圆形释放孔，其中心位置的圆形释放孔的直径大于边缘位置的N圈(N为自然数)圆形释放孔的直径。在图1中，以在背板2最外面分布有3圈小圆孔为例进行说明，其中，相邻2圈小圆孔之间的间距相等，并且每圈中的多个小圆孔均匀排列。在上述制造过程中，在背板2中填充第二介质层后去除背板2表面沉积的多余物质的过程中，一般通过AR刻蚀(Active Area Reverse Etch)和CMP(ChemicalMechanical Polishing，化学机械抛光)两步进行处理，其中使用的AR刻蚀掩膜10的形状如图2所示，AR刻蚀掩膜10中对应于背板2最外面的三圈小圆孔的位置分别对应设置有多个圆形的掩膜部分，每个圆形掩膜部分的直径和背板2的小圆孔的直径相等，例如，均为3μm。发明人经过研究发现，如图3所示，在对背板2表面沉积的第二介质层AR刻蚀的过程中，由于最外面的圆形掩膜部分覆盖的尺寸较小，在第二介质层中对应于小圆孔的位置容易形成细高的氧化物颗粒8，并在氧化物颗粒8的边缘形成空缺的凹割部分9；如图4所示，在CMP的过程中，这些细高的氧化物颗粒8容易从根部断裂，从而在第二介质层中形成0.4μm深的凹陷；当在第二介质层表面沉积振动膜3时，这种凹陷会被传递上去，在振动膜3中形成相应凹陷，造成振动膜3的不平整。
在本发明中，为了防止在CMP的过程中发生氧化物颗粒的断裂，发明人通过改变AR刻蚀掩膜的形状和尺寸，改变了氧化物颗粒的形状，增强了氧化物颗粒的稳定性，使其在CMP的过程中不易断裂，从而可以经过CMP工艺形成平面。具体来说，通过将AR刻蚀掩膜中对应于背板最外面3圈释放孔位置的掩膜部分的尺寸扩大，使AR刻蚀掩膜中最外面3圈掩膜部分的尺寸大于背板最外面3圈释放孔的尺寸，使其边缘向外扩展，增大掩膜部分覆盖的面积，从而可以在小孔对应位置形成较粗壮的氧化物颗粒，防止其在CMP过程中断裂。
此外，在改进的过程中，发明人曾将圆形释放孔的形状改变为三角形、六边形、梯形孔等各种形状。最终，发明人发现，当将背板最外面的三圈圆形释放孔改变为梯形孔时，麦克风的信噪比可以得到显著提高。本发明提供了一种MEMS麦克风，包括从下到上设置的半导体衬底、背板和振动膜，三者相互之间通过介质层隔离；其中，背板中有多个释放孔，位于背板中心的释放孔为圆形孔，位于背板最外面的N圈(N为自然数)释放孔至少部分为梯形孔。当将位于背板最外面的N圈释放孔全部设置为梯形孔时，效果最佳。根据不同产品的需求，在背板最外面设置的N圈释放孔优选为5圈之内。在背板中心的释放孔的尺寸大于背板最外面的N圈释放孔的尺寸。其中，对于圆形释放孔来说，释放孔的尺寸指释放孔的直径；对于梯形释放孔来说，释放孔的尺寸指释放孔的上底、下底及高。在上述结构中，在背板中心的圆形释放孔的直径分别大于梯形释放孔的上底、下底及高。
梯形孔的上底、下底和高均可以在1-5μm之间取值。具体来说，通过将直径Φ＝3μm的圆形孔变为上底a＝2.5μm、下底b＝3μm、高h＝3μm的梯形孔，可以在大致保持释放孔的面积的基础上，使麦克风的信噪比得到提高。同时，如果使最内圈梯形孔顶朝内，外面2圈梯形孔顶朝外，并使最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距大于第二圈梯形孔和最外圈梯形孔之间的间距时，麦克风的信噪比可以得到进一步提高。本文中，所述梯形孔的顶指梯形孔的上底侧。例如，可以将最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距设置为5-15μm，而将第二圈梯形孔和最外圈梯形孔之间的间距设置为小于上述间距的数值。
当背板最外面的三圈小圆孔均改变为梯形孔时，在其生产过程中所使用的背板掩膜和AR刻蚀掩膜的形状也发生了相应改变。改进后的背板掩膜20的形状如图5所示，其中，背板掩膜20覆盖背板2，并在背板掩膜20中部对应于背板2中的圆形孔的位置形成圆形孔21，圆形孔21的直径与将要形成的背板中心圆形孔的直径相等，背板掩膜20最外面对应于三圈梯形孔的部分改为梯形孔22，每个梯形孔22的尺寸和背板2中将要形成的梯形孔的尺寸相等，梯形孔22的上底a1＝2.5μm、下底b1＝3μm、高h1＝3μm，并且，背板掩膜20最外面三圈梯形孔中，最内圈梯形孔22顶朝内，外面2圈梯形孔22顶朝外，最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距为10μm。
改进后的AR刻蚀掩膜23的形状如图6所示，其中，AR刻蚀掩膜23中部对应于圆形释放孔的位置仍然使用圆形掩膜部分24，圆形掩膜部分24的直径与背板中心圆形孔的直径相等；AR刻蚀掩膜23最外面对应于三圈梯形孔的部分改为梯形掩膜部分25，每个梯形掩膜部分和背板中对应的梯形孔同心设置，梯形掩膜部分25的尺寸相对于梯形孔的尺寸增大，优选为等比例或等尺寸放大，从而可以在不改变氧化物颗粒重心的基础上增大氧化物颗粒，使其变得粗壮，从而提高氧化物颗粒的稳定性，并最大程度地减少AR刻蚀和CMP过程对下方释放孔的影响，进而提高MEMS麦克风的灵敏度。例如，分别将梯形掩膜部分25的上底a2、下底b2和高b2增大1μm，使梯形掩膜部分25的上底a2＝3.5μm、下底b2＝4μm、高h2＝4μm；AR刻蚀掩膜23中的三圈梯形掩膜部分的分布形态和背板掩膜中梯形孔的分布形态相同：其中，对应于最内圈梯形孔的梯形掩膜部分顶朝内，外面2圈梯形掩膜部分顶朝外，由于最内圈梯形掩膜部分和第二圈梯形掩膜部分相对于对应的梯形孔中心分别向外增加了0.5μm，最内圈梯形掩膜部分和第二圈梯形掩膜部分之间的间距变为了9μm。
使用改进后的AR刻蚀掩膜23进行AR刻蚀的工艺如图7所示，在对背板2表面沉积的第二介质层AR刻蚀的过程中，由于最外面的三圈梯形掩膜部分的面积均大于背板中的梯形孔，其所覆盖的尺寸较大，在第二介质层中对应于梯形孔的位置可以形成较为粗壮的氧化物颗粒28；虽然在上述过程中，在氧化物颗粒28的边缘同样会形成凹割部分，但由于这些较为粗壮的氧化物颗粒28比较耐磨，不容易从根部断裂，从而在CMP的过程中，不会在第二介质层中形成凹陷；当在第二介质层表面沉积振动膜3时，可以获得较为平整的振动膜3，从而提高了振动膜3的均匀度，可以提高MEMS麦克风的灵敏度。
下面结合图8至图18所示的结构图，对改进后的MEMS的制造过程进行详细介绍。
步骤一：如图8所示，在半导体衬底100的上表面沉积氧化物形成第一介质层101，并在第一介质层101表面沉积作为麦克风电容下极板的背板材料。其中，背板105可以采用由氮化物102+多晶硅103+氮化物104组成的三层结构。
步骤二：如图9所示，通过对背板105进行图形化，形成多个第一释放孔105’。在图形化的过程中，需要使用图5所示的背板掩膜20。通过在背板105的表面按照背板掩膜20的形状和大小涂覆光刻胶，然后刻蚀，可以在背板105内部形成多个第一释放孔105’；其中，在背板105中部对应于背板掩膜20的圆形孔21的部分形成圆形的释放孔，在背板105最外面对应于背板掩膜20的三圈梯形孔22的位置形成等尺寸的梯形的释放孔，梯形孔的上底a＝2.5μm、下底b＝3μm、高h＝3μm；三层梯形孔中，最内圈梯形孔顶朝内，外面2圈梯形孔顶朝外，最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距为10μm，并将第二圈梯形孔和最外圈梯形孔之间的间距设置为小于10μm的数值。
步骤三：如图10和图11所示，在背板105表面沉积第二介质层，并通过AR刻蚀和CMP去除背板105上表面沉积的多余物质，达到填充第一释放孔105’的效果。其中，第二介质层可以采用和第一介质层101同样的氧化物。如图11所示，经过第三步处理之后，在半导体衬底100上方形成了介质层106。
具体来说，在背板105表面沉积第二介质层，通过在第二介质层的表面涂布光刻胶形成图6所示的AR刻蚀掩膜23，然后进行AR刻蚀，去除大颗粒的氧化物。其中，将光刻胶按照图6中所示的圆形掩膜部分24和梯形掩膜部分25的形状和大小进行涂布。如图10所示，经过AR刻蚀后，除去对应于背板105中的释放孔105’的位置，可以初步去除背板表面其他区域的氧化物；而在圆形掩膜部分24和梯形掩膜部分25下方分别形成了较为粗壮的氧化物颗粒。在CMP的过程中，这些氧化物不容易断裂，从而可以经过CMP工艺，在背板和第二介质层的上表面获得图11所示的较平整的平面。
本发明通过对步骤二中所使用的背板掩膜进行改进，在背板105的最外面形成了三圈梯形孔；并通过对步骤三中所使用的AR刻蚀掩膜进行改进，消除了在背板表面沉积的第二介质层中的凹陷，保证了在第二介质层表面沉积的振动膜的均匀度和平整度；从而同时提高了灵敏度和信噪比。
由于本申请未对其余的步骤进行改进，下面结合图12至图18对之后的步骤进行简述。
如图12所示，再次沉积第二介质层并图形化，在第二介质层中部形成多个通向背板表面的深槽107’。经过上述处理之后，在半导体衬底100上方形成了介质层107。在对第二介质层图形化的过程中需要使用相应的D imp l e掩膜。
如图13和14所示，在深槽107’中填充作为凸起结构的材料108，并再次沉积第二介质层。经过上述步骤后，在半导体衬底100上方形成了介质层109。
如图15所示，沉积作为麦克风电容上极板的振动膜材料并图形化，在振动膜110中形成第二释放孔110’。
如图16所示，在振动膜110表面沉积保护材料并图形化，形成覆盖振动膜的保护层111；对由第一介质层和第二介质层组成的介质层109图形化，形成MEMS麦克风轮廓，并形成自上表面向下分别通向半导体衬底100或背板105的引线窗口113和114；在振动膜110和介质层109的表面沉积保护层112并图形化，形成通向振动膜110的第三引线窗口115。
如图17所示，向三个引线窗口中沉积金属层并图形化，形成与半导体沉底100连接的电连接部116、与背板105连接的电连接部117和与振动膜110连接的电连接部118。自半导体衬底100底面进行背面刻蚀至第一介质层101，将对应于背板中部的衬底材料去除，形成背腔119。
最后，如图18所示，进行释放工艺，去除与背腔119轮廓对应的介质层部分，形成前腔120，形成MEMS麦克风结构。
以上对本发明所提供的实施例进行了具体介绍，其中以在背板最外面分布3圈梯形孔为例进行了介绍，在实际生产中，在背板边缘也可以分布2圈、4圈或更多圈梯形孔，而在背板最外面分布的释放孔的形状也并不限于梯形孔，也可以包括圆形孔或其他形状的孔，其中至少部分为梯形孔即可。
综上所述，本发明所提供的MEMS麦克风，通过将背板最外面3圈小孔的形状全部改为梯形，并使三圈梯形孔满足一定的排布方式，提高了MEMS麦克风的信噪比。同时，通过对MEMS麦克风生产过程中用到的背板掩模和AR刻蚀掩膜的形状和尺寸进行改动，不仅提高了信噪比，同时使得CMP之后在背板上方的介质层中不会形成凹陷，可以极大地改善CMP后介质层表面的均匀性，从而也极大改善了振动膜的均匀性，提高了振动膜的平整度，最终提高了MEMS麦克风的灵敏度。上述改进，只需要更换MEMS麦克风制造过程中所用到的两层掩膜，其他任何工艺都不需要改变，即可获得高灵敏度、高信噪比的MEMS麦克风，并且MEMS麦克风结构非常简单，成本低廉，可实现大规模量产。
以上对本发明所提供的高灵敏度、高信噪比的MEMS麦克风及其制造方法进行了详细的说明。对本领域的一般技术人员而言，在不背离本发明实质精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都将构成对本发明专利权的侵犯，将承担相应的法律责任。

Claims (9)

1.一种MEMS麦克风，包括从下到上设置的半导体衬底、背板和振动膜，三者相互之间通过介质层隔离，其特征在于：
所述背板中有多个释放孔，其中，位于所述背板中心的释放孔为圆形孔，位于所述背板最外面的N圈释放孔至少部分为梯形孔，N为大于零的自然数；
所述背板中心的释放孔的直径大于所述背板最外面的所述梯形孔的上底、下底和高。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，位于所述背板最外面的N圈释放孔全部为梯形孔。
3.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述梯形孔的上底、下底和高在1-5μm之间取值。
4.如权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述背板最外面的三圈释放孔，最内圈梯形孔的上底边朝内，外面两圈梯形孔的上底边朝外。
5.如权利要求4所述的MEMS麦克风，其特征在于，最内圈梯形孔和第二圈梯形孔之间的间距大于第二圈梯形孔和最外圈梯形孔之间的间距。
6.一种用于制造权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在半导体衬底上形成第一介质层，并在第一介质层表面沉积背板材料形成背板；
(2)通过对所述背板进行图形化形成多个释放孔，其中，位于所述背板中心的释放孔为圆形孔，位于所述背板最外面的N圈释放孔至少部分为梯形孔，N为大于零的自然数；所述背板中心的释放孔的直径大于所述背板最外面的所述梯形孔的上底、下底和高；
(3)在所述背板表面沉积介质层，并通过AR刻蚀和CMP去除背板上表面沉积的多余物质；
(4)再次沉积介质层，并沉积振动膜材料形成振动膜；然后，形成引线窗口、保护层并沉积电连接部，最后，形成背腔和前腔。
7.如权利要求6所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，位于所述背板最外面的N圈释放孔全部为梯形孔。
8.如权利要求7所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，使用背板掩膜形成背板中的释放孔；所述背板掩膜中部形成圆形孔，所述背板掩膜最外面形成N圈梯形孔，每个梯形孔的尺寸和背板中将要形成的梯形孔的尺寸相等。
9.如权利要求7所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，使用AR刻蚀掩膜对所述背板表面的介质层进行刻蚀，AR刻蚀掩膜包括最外面的N圈梯形掩膜部分，N圈梯形掩膜部分的分布形态和背板掩膜中梯形孔的分布形态相同，每个梯形掩膜部分和背板中对应的梯形孔同心设置，每个梯形掩膜部分的尺寸大于背板中对应梯形孔的尺寸。
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