CN110113847A - 一种led控制方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提出了一种LED控制方法和设备，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于控制待控LED，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管。本方案提出了一种控制系统，以及基于该控制系统的控制方案，实现了对频率区间在1KHZ‑20KHZ的LED的开关控制，填补了频率区间在1KHZ‑20KHZ的LED的开关控制的技术空白，且本方案中的控制系统，包括驱动电路，快速快感器件与采样电路，结构非常简单，且设置有采样，易于维护与保养，利于实现对频率区间在1KHZ‑20KHZ的LED的长期稳定的开关控制。

Description

一种LED控制方法和设备

技术领域

本发明涉及LED控制领域，特别涉及一种LED控制方法和设备。

背景技术

在现有LED(Light Emitting Diode，发光二极管)控制的应用技术中，对于LED的控制，目前已有的控制技术只存在1KHZ以下的LED开关控制，针对高频的开关控制，例如申请号为201810164212.1，名称为一种水冷型大功率高频开关电源装置，其实现了高频开关，但是该方案应用在大型的电力系统中，涉及到的装置体积庞大，且无法应用到LED的控制方案中，而针对1KHZ以上的LED开关控制，特别是1KHZ-20KHZ的LED开关控制，目前没有合适的方法，而目前已有的1KHZ以下的低频LED控制方法无法应对高频下1KHZ-20KHZ的LED的开关控制，导致目前在1KHZ-20KHZ这个频段下的LED开关控制处于空白状态。

由此，目前需要一种控制1KHZ-20KHZ的LED开关控制方案。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提出了一种LED控制方法和设备，提出了一种控制系统，以及基于该控制系统的控制方案，实现了对频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的开关控制，填补了频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的开关控制的技术空白，且本方案中的控制系统，包括驱动电路，快速快感器件与采样电路，结构非常简单，且设置有采样，易于维护与保养，利于实现对频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的长期稳定的开关控制。

具体的，本发明提出了以下具体的实施例：

本发明实施例提出了一种LED控制方法，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该方法包括：

在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；

所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

在一个具体的实施例中，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

在一个具体的实施例中，所述开关管为碳化硅MOSFET。

在一个具体的实施例中，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。

在一个具体的实施例中，所述反馈信号包括由所述电压计检测到的电压信号与由所述电流计所检测到的电流信号。

在一个具体的实施例中，所述控制系统均设置在控制板上，所述控制板上设置有所述控制系统的开关；该方法还包括：

将所述反馈信号输入到所述控制板上，以判断是否反馈信号的数值不在正常的预设范围内；

若判断结果为是，则基于所述开关执行预设的保护流程。

本发明实施例还提出了一种LED控制设备，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该设备包括：

第一处理模块，用于在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；并通过所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

反馈模块，用于在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

控制模块，用于通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

在一个具体的实施例中，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

在一个具体的实施例中，所述开关管为碳化硅MOSFET。

在一个具体的实施例中，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。

以此，本发明实施例提出了一种LED控制方法和设备，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该方法包括：在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。本方案提出了一种控制系统，以及基于该控制系统的控制方案，实现了对频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的开关控制，填补了频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的开关控制的技术空白，且本方案中的控制系统，包括驱动电路，快速快感器件与采样电路，结构非常简单，且设置有采样，易于维护与保养，利于实现对频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的长期稳定的开关控制。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提出的一种LED控制方法中所涉及到的控制系统的结构示意图；

图2为本发明实施例提出的一种LED控制方法中所涉及到的控制系统的结构示意图；

图3为本发明实施例提出的一种LED控制方法的流程示意图；

图4为本发明实施例提出的一种LED控制设备的结构示意图。

具体实施方式

在下文中，将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。

在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。

实施例1

本发明实施例1公开了一种LED控制方法，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的如图1以及图2所示的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容(图2中的C1)、检测电阻(图2中的R1)、电压计(图2中的V1)、保险丝(图2中的F1)、变压器(图2中的D1)、电流计(图2中的I1)、第一限流电阻(图2中的R2)；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源(图2中的DC)并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED(图2中的A1)；所述驱动电路包括运算放大器(图2中的H1)、第二电容(图2中的C3)、第二限流电阻(图2中的R3)、电感(图3中的L1)；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容(图2中的C1)与开关管(图2中的Q1)；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；如图3所示，该方法包括：

步骤101、在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号(如图2中的S1)到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

步骤102、在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

步骤103、通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

具体的步骤101与步骤102之间并不存在先后关系。

具体的，控制信号先经过驱动电路进行驱动放大，在经过快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED，与此同时，由受控直流电源产生的LED工作电压信号先被采样，生成反馈信号，后续LED工作电压信号被输送到待控LED,在待控LED处综合提升了驱动能力之后的控制信号与LED工作电压信号，耦合生成驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，并以此通过所生成的高频方波电压实现对待控LED的开关控制。

在一个具体的实施例中，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

具体的，本方案可以对一个LED灯珠进行控制，也可以对多颗LED灯珠的组合体进行控制，具体的待控LED的数量可以根据实际的需要进行灵活的调整，具体的当待控LED数量变化时，则可以通过调节受控直流电源所输出的电压来进行适应性匹配。

在一个具体的实施例中，所述开关管为碳化硅MOSFET。

具体的，采用碳化硅MOSFET，其中的碳化硅(SiC)材质的热导系数几乎是一般Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的频率下工作。

相较于一般的开关管，其开关损耗大幅降低，且由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，最重要的，还可以适用于更高的工作频率，利于实现对1KHZ-20KHZ频率区间的待控LED进行开关控制。

在一个具体的实施例中，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。

在一个具体的实施例中，所述反馈信号包括由所述电压计检测到的电压信号与由所述电流计所检测到的电流信号。

具体的，反馈信号可以包括电流信号与电压信号，以及由此电流信号与电压信号所得到的功率信号，后续基于反馈信号可以判断整个控制装置是否正常，是否需要进行保护流程。

在一个具体的实施例中，所述控制系统均设置在控制板上，所述控制板上设置有所述控制系统的开关；该方法还包括：

将所述反馈信号输入到所述控制板上，以判断是否反馈信号的数值不在正常的预设范围内；

若判断结果为是，则基于所述开关执行预设的保护流程。

具体的，整个系统可以设置在控制板上，该控制板上设置有控制器，控制器内设置有正常的反馈信号的数值区间，以此，当获取到反馈信号之后，可以与预设的正常的数值区间进行比对，若不在正常的预设范围内，则可以执行预设的保护流程，例如可以中断对待控LED的控制，具体的可以以切断整个控制系统电源的方式来进行，也可以生成警示信息，对操作人员来进行提醒

实施例2

为了对本发明进行进一步的说明，本发明实施例还提出了一种LED控制设备，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；如图4所示，该设备包括：

第一处理模块201，用于在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；并通过所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

反馈模块202，用于在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

控制模块203，用于通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

在一个具体的实施例中，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

在一个具体的实施例中，所述开关管为碳化硅MOSFET。

在一个具体的实施例中，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。

以此，本发明实施例提出了一种LED控制方法和设备，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该方法包括：在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。本方案提出了一种控制系统，以及基于该控制系统的控制方案，实现了对频率区间在1000HZ-20KHZ的LED的开关控制，填补了频率区间在1000HZ-20KHZ的LED的开关控制的技术空白，且本方案中的控制系统，包括驱动电路，快速快感器件与采样电路，结构非常简单，且设置有采样，易于维护与保养，利于实现对频率区间在1KHZ-20KHZ的LED的长期稳定的开关控制。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。

本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。

上述本发明序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。

以上公开的仅为本发明的几个具体实施场景，但是，本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED控制方法，其特征在于，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该方法包括：

在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；

所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

2.如权利要求1所述的一种LED控制方法，其特征在于，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

3.如权利要求1所述的一种LED控制方法，其特征在于，所述开关管为碳化硅MOSFET。

4.如权利要求1所述的一种LED控制方法，其特征在于，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。

5.如权利要求1所述的一种LED控制方法，其特征在于，所述反馈信号包括由所述电压计检测到的电压信号与由所述电流计所检测到的电流信号。

6.如权利要求1或5所述的一种LED控制方法，其特征在于，所述控制系统均设置在控制板上，所述控制板上设置有所述控制系统的开关；该方法还包括：

将所述反馈信号输入到所述控制板上，以判断是否反馈信号的数值不在正常的预设范围内；

若判断结果为是，则基于所述开关执行预设的保护流程。

7.一种LED控制设备，其特征在于，应用于包括驱动电路、快速开关器件、采样电路的控制系统，所述控制系统用于针对频率1KHZ-20KHZ的待控LED开关控制，所述采样电路包括第一电容、检测电阻、电压计、保险丝、变压器、电流计、第一限流电阻；所述第一电容与所述检测电阻均与受控直流电源并连；所述电压计与所述检测电阻并连；所述保险丝与所述受控直流电源的正极连接；所述变压器的初级线圈的一端连接所述保险丝，另一端连接所述第一限流电阻；所述变压器的次级线圈连接所述电流计；所述第一电流电阻连接所述待控LED；所述驱动电路包括运算放大器、第二电容、第二限流电阻、电感；其中，所述运算放大器的输出端并列有第二电容，所述第二电容的一端接地；所述运算放大器的输出端还串连接有所述第二限流电阻；所述电感的一端连接所述第二电容接地的一端；所述开关快速开关器件包括第三电容与开关管；其中，所述开关管的G极连接所述第二限流电阻与所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接所述电感与所述开关管的D极；所述开关管的D极接地；所述开关管的S极连接所述待控LED；该设备包括：

第一处理模块，用于在所述运算放大器的输入端输入用于控制LED的控制信号到驱动电路，以通过所述驱动电路中的运算放大器提升所述控制信号的驱动能力；将提升后的控制信号输入所述快速开关器件；并通过所述快速开关器件将提升后的控制信号输送到待控LED；

反馈模块，用于在所述采样电路接入由所述受控直流电源产生的LED工作电压信号，通过所述采样电路中的电压计与所述电流计对所述LED工作电压信号进行采样，以生成反馈信号；

控制模块，用于通过所述采样电路将所述LED工作电压信号输送到待控LED,以基于提升后的控制信号与所述LED工作电压信号耦合成可驱动所述待控LED工作的频率区间为1KHZ-20KHZ的高频方波电压，实现对所述待控LED的开关控制。

8.如权利要求7所述的一种LED控制设备，其特征在于，所述待控LED为单个LED灯柱或多颗LED灯珠的组合模组。

9.如权利要求7所述的一种LED控制设备，其特征在于，所述开关管为碳化硅MOSFET。

10.如权利要求7所述的一种LED控制设备，其特征在于，所述控制信号的电压范围为3.3v-12V，所述控制信号为占空比为0％-99.9％的脉冲信号。