CN110112199A - 影像感测显示装置以及影像处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种影像感测显示装置及影像处理方法。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一～第四发光元件以及光感测元件。第一～第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一～第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。

Description

影像感测显示装置以及影像处理方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置，且特别涉及一种影像感测显示装置以及影像处理方法。
背景技术
目前，市面上有许多具有指纹辨识装置的个人用电子产品。举例来说，为了保护使用者的隐私，许多智能型手机会附有指纹辨识功能，防止其他人在未经使用者的同意下读取智能型手机中的数据。在一些具有指纹辨识功能的智能型手机中，会利用光感测元件接收指纹反射的光线，藉此得到指纹辨识的功能。为了获得窄边框或无边框的智能型手机，许多厂商试着将光感测元件设置在屏幕的显示区中。然而，设置于显示区中的显示装置限制了像素开口区的大小。
发明内容
本发明的目的在于提供一种影像感测显示装置，能改善光感测元件影响像素开口率的问题。
本发明提供一种影像处理方法，能改善光感测元件影响像素开口率的问题。
本发明的至少一实施例提供一种影像感测显示装置。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一～第四发光元件以及光感测元件。第一～第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一～第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。第一方向不同于第二方向。
本发明的至少一实施例提供一种影像处理方法，包括提供影像感测显示装置、扫描待测物、运算光感测元件产生之多个信号以及显示运算信号后产生的影像。影像感测显示装置包括基板、多个挡墙以及多个感测单元。挡墙及感测单元位于基板上。各感测单元包括第一～第四发光元件以及光感测元件。第一～第四发光元件位于对应的挡墙周围。第一～第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。第一发光元件与第四发光元件为相同颜色的发光元件。光感测元件位于对应的挡墙上。光感测元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的感测层。第一电极与第二电极分别自感测层往第一方向以及第二方向延伸。第一方向不同于第二方向。扫描待测物的方法包括：光感测元件接收第一发光元件被待测物反射的光；光感测元件接收第二发光元件被待测物反射的光；光感测元件接收第三发光元件被待测物反射的光；光感测元件接收第四发光元件被待测物反射的光。
基于上述，发光元件发出的光被待测物所反射，并被光感测元件接收。由于光感测元件位于挡墙上。因此，发光元件发出的光在抵达感测层前所需通过的层较少。藉此，光感测元件产生的光电流较好控制，且均匀性较佳，能够减少色彩或亮度不均(MURA)的问题。此外，光感测元件形成于挡墙上，除了能降低对像素的开口率造成影响外，也能避免光感测元件受到其他于形成光感测元件之前进行的工艺的影响。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图；
图1B是图1A线aa’的剖面示意图；
图1C是图1A线bb’的剖面示意图；
图2是依照本发明的一实施例的一种影像处理方法的流程示意图；
图3A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图；
图3B是图3A线cc’的剖面示意图；
图4是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的剖面示意图；
图5是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图；
图6是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图；
图7是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图；
图8是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。
其中，附图标记
10、10a～10f：影像感测显示装置
100：基板
110、110a～110d：挡墙
120、120a～120d：感测单元
132、134：反射层
200a、200b：像素控制元件
A：主动元件
b：缓冲层
C1、C2：连接结构
ch1、ch2：通道层
D1～D6：发光元件
d1、d2：漏极
e1、e2：电极
H1～H4、O1～O3：开口
h：高度差
i：光
GI：栅绝缘层
g1、g2：栅极
I1、I2：绝缘层
L：光感测元件
OB：待测物
SM：遮光层
sr：感测层
s1、s2：源极
T：开关元件
w1、w2：宽度
X1、X2、Z1～Z3：方向
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。图1B是图1A线aa’的剖面示意图。图1C是图1A线bb’的剖面示意图。
请参考图1A与图1B，影像感测显示装置10包括基板100、多个挡墙110以及多个感测单元120。为了方便说明，图1A以一个挡墙110以及一个感测单元120为例。挡墙110及感测单元120位于基板100上。感测单元120包括第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3以及第四发光元件D4以及光感测元件L，且第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3以及第四发光元件D4位于对应的挡墙110周围。在本实施例中，感测单元120包括第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6以及光感测元件L，且第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6位于对应的挡墙110周围。在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6为微型发光二极体管(MicroLED)。
第一发光元件D1与第四发光元件D4为相同颜色的发光元件。第二发光元件D2与第五发光元件D5为相同颜色的发光元件。第三发光元件D3与第六发光元件D6为相同颜色的发光元件。第一～第三发光元件D1～D3包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。在本实施例中，颜色相同的第一发光元件D1与第四发光元件D4位于挡墙110的相对两侧，颜色相同的第二发光元件D2与第五发光元件D5位于挡墙110的相对两侧，且颜色相同的第三发光元件D3与第六发光元件D6位于挡墙110的相对两侧。
在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6除了颜色之外，皆具有类似的构造，因此，图1B以第一发光元件D1为例进行说明。
第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6位于对应的挡墙110周围。第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6分别电性连接自对应的开关元件T。在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6可以藉由不同颗开关元件T分别驱动。
图1B绘示了第一发光元件D1所对应的开关元件T，由于第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6分别对应的开关元件T具有类似的结构，因此仅以第一发光元件D1所对应的开关元件T进行说明。
开关元件T包括栅极g1、通道层ch1、源极s1以及漏极d1。通道层ch1位于基板100上。
在本实施例中，通道层ch1与基板100之间还夹有遮光层SM，且遮光层SM与通道层ch1之间夹有缓冲层b。栅极g1电性连接至扫描线(未绘出)。栅极g1重叠于通道层ch1，且栅极g1与通道层ch1之间夹有栅绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖栅极g1。源极s1与漏极d1位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H1、H2而电性连接至通道层ch1。开口H1、H2至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H1、H2贯穿栅绝缘层GI与第一绝缘层I1。
虽然在本实施例中开关元件T是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，开关元件T也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。
第二绝缘层I2覆盖开关元件T。第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6以及挡墙110位于第二绝缘层I2上。
在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6为水平式发光元件。以第一发光元件D1为例，第一发光元件D1连接至第一连接结构C1与第二连接结构C2，且第一连接结构C1与第二连接结构C2皆连接第一发光元件D1的上侧。第一连接结构C1位于第二绝缘层I2的开口O1中，并电性连接第一发光元件D1与开关元件T的漏极d1。
在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6分别藉由不同个第一连接结构C1而电性连接至不同颗开关元件T，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6可以选择性的藉由第二连接结构C2彼此电性相连，然而本发明不以此为限。
光感测元件L位于对应的挡墙110上。光感测元件L包括第一电极e1、第二电极e2以及位于第一电极e1和第二电极e2之间的感测层sr。感测层sr的宽度w1小于对应的挡墙110的顶面的宽度w2。
第一电极e1与第二电极e2分别自感测层sr往第一方向X1以及第二方向X2延伸。第一方向X1不同于第二方向X2。举例来说，第一方向X1与第二方向X2之间夹90度、180度或其他角度。在其他实施例中，感测层sr与第一电极e1具有相同的图案。换句话说，感测层sr与第一电极e1可以藉由相同的光罩定义出图形，藉此能节省工艺所需的光罩数量，但本发明不以此为限。
在本实施例中，影像感测显示装置10更包括第一反射层132。第一反射层132位于对应的挡墙110上，且第一反射层132与第一电极e1以及第二电极e2分开，藉此避免第一反射层132影响光感测元件L所产生的信号。在本实施例中，第一反射层132与第一电极e1属于同一图案化导电层，藉此能减少工艺所需的光罩数量。
请参考图1A与图1C，感测单元120更包括主动元件A。在本实施例中，主动元件A位于对应的挡墙110下方。藉此，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6彼此间的间距可以较近，且能够排列的较为对称，以提升空间利用率。
主动元件A包括栅极g2、通道层ch2、源极s2以及漏极d2。通道层ch2位于基板100上。
在本实施例中，通道层ch2与基板100之间还夹有遮光层SM，且遮光层SM与通道层ch2之间夹有缓冲层b。栅极g2重叠于通道层ch2，且栅极g2与通道层ch2之间夹有栅绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖栅极g2。源极s2与漏极d2位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H3、H4而电性连接至通道层ch2。开口H3、H4至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H3、H4贯穿栅绝缘层GI与第一绝缘层I1。
虽然在本实施例中主动元件A是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件A也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。
光感测元件L的第一电极e1位于第二绝缘层I2的开口O2中，并电性连接主动元件A的漏极d2。光感测元件L的第二电极e2位于第二绝缘层I2的开口O3中，并电性连接信号线CL。
在本实施例中，光感测元件L的第二电极e2、第一连接结构C1以及第二连接结构C2属于同一图案化导电层，藉此能减少工艺所需的光罩数量。
在本实施例中，光感测元件L的感测层sr所在的位置高于第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6所在的位置，且高度差h介于1微米至25微米。
第一发光元件D1发出的光i被待测物OB所反射，并被光感测元件L的感测层sr接收。由于光感测元件L位于挡墙110上。因此，第一发光元件D1发出的光i在抵达感测层sr前所需通过的层较少(至少不需要通过基板100至挡墙110之间的层)。藉此，光感测元件L产生的光电流较好控制，且均匀性较佳，能够减少色彩或亮度不均(MURA)的问题。
此外，光感测元件L形成于挡墙110上，除了能降低对像素的开口率造成影响外，也能避免光感测元件L受到其他于形成光感测元件L之前进行的工艺的影响(例如形成开关元件T以及主动元件A的工艺)。
图2是依照本发明的一实施例的一种影像处理方法的流程示意图。
请参考图2与图1A～图1C，影像处理方法包括提供影像感测显示装置10、扫描待测物OB、信号运算以及显示影像。
扫描待测物OB的方法包括在不同的时间点亮第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6，使光感测元件L分别接收第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6被待侧物OB反射的光线。
举例来说，扫描待测物OB的方法包括：点亮第一发光元件D1，光感测元件L接收第一发光元件D1被待测物OB反射的光，并产生第一信号。储存第一信号。关闭第一发光元件D1。点亮第二发光元件D2，光感测元件L接收第二发光元件D2被待测物OB反射的光，并产生第二信号。储存第二信号。关闭第二发光元件D2。点亮第三发光元件D3，光感测元件L接收第三发光元件D3被待测物OB反射的光，并产生第三信号。储存第三信号。关闭第三发光元件D3。点亮第四发光元件D4，光感测元件L接收第四发光元件D4被待测物OB反射的光，并产生第四信号。储存第四信号。关闭第四发光元件D4。点亮第五发光元件D5，光感测元件L接收第五发光元件D5被待测物OB反射的光，并产生第五信号。储存第五信号。关闭第五发光元件D5。点亮第六发光元件D6，光感测元件L接收第六发光元件D6被待测物OB反射的光，并产生第六信号。储存第六信号。关闭第六发光元件D6。
在扫描待测物OB之后，进行信号运算。举例来说，运算光感测元件L产生的第一～第六信号。在信号运算后，显示运算信号后产生的影像，例如显示待测物OB的影像。在一些实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6位于显示区中，在显示影像时，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6中的一部分会被点亮，实际上被点亮的发光元件视影像的形状以及颜色而定。换句话说，在一些实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6除了可用于扫描待测物OB的影像，还可以用于显示待测物OB的影像。
在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。在本实施例中，于扫描待测物OB时，不同的时间点亮不同颜色的发光元件，因此，影像感测显示装置10具有全彩扫描的功能。
在本实施例中，相同颜色的发光元件位于不同的位置。举例来说，第一发光元件D1以及第四发光元件D4分别位于光感测元件L的两侧，第二发光元件D2以及第五发光元件D5分别位于光感测元件L的两侧，且第三发光元件D3以及第六发光元件D6分别位于光感测元件L的两侧。因此，相同颜色的发光元件发出的光以不同的入射角被待测物OB反射，藉此可以扫描到更清楚的影像。
在一些实施例中，扫描代测物OB时，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5与第六发光元件D6分别以频率f1驱动。于显示运算信号(例如第一～第六信号)后产生的影像时，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5与第六发光元件D6中的至少部分是以频率f2驱动，频率f1大于等于频率f2。在较高的频率f1下扫描可以减少扫描所需的时间，在较低的频率f2下显示影像能节省所需耗费的电源。
在一些实施例中，扫描代测物OB时，相同颜色的发光元件同时点亮。举例来说，扫描待测物OB的方法包括：同时点亮第一发光元件D1与第四发光元件D4，光感测元件L接收第一发光元件D1与第四发光元件D4被待测物OB反射的光，并产生第一信号。储存第一信号。关闭第一发光元件D1与第四发光元件D4。同时点亮第二发光元件D2与第五发光元件D5，光感测元件L接收第二发光元件D2与第五发光元件D5被待测物OB反射的光，并产生第二信号。储存第二信号。关闭第二发光元件D2与第五发光元件D5。同时点亮第三发光元件D3与第六发光元件D6，光感测元件L接收第三发光元件D3与第六发光元件D6被待测物OB反射的光，并产生第三信号。储存第三信号。关闭第三发光元件D3与第六发光元件D6。
在同一时间同时开启两个发光元件，可以进一步减少扫描所需的时间。
图3A是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。图3B是图3A线cc’的剖面示意图。
在此必须说明的是，图3A和图3B的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3A的影像感测显示装置10a与图1A的影像感测显示装置10的主要差异在于：影像感测显示装置10中，第一电极e1与第二电极e2分别自感测层130往互相相反的第一方向X1以及第二方向X2延伸；影像感测显示装置10a，第一电极e1与第二电极e2分别自感测层130往互相正交的第一方向X1以及第二方向X2延伸。
请参考图3A和图3B，在本实施例中，第一电极e1与第一反射层132相连，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极e1与第一反射层132分开。
在本实施例中，第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6为垂直式发光元件。以第一发光元件D1为例，第一发光元件D1连接至第一连接结构C1以及第二连接结构C2，且第一连接结构C1与第二连接结构C2分别连接第一发光元件D1的下侧与上侧。在本实施例中，第一电极e1、第一反射层132与第一连接结构C1属于同一图案化导电层。在一些实施例中，第一连接结构C1为金属，且第二连接结构C2为透明导电材料，藉此提升光线的利用率。
图4是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的剖面示意图。
在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图4，影像感测显示装置10b的光感测元件L位于对应的挡墙110a上，挡墙110b、110c相邻于挡墙110a。在本实施例中，第一发光元件D1位于挡墙110a与挡墙110b之间，第四发光元件D4位于挡墙110a与挡墙110c之间。
第一反射层132位于挡墙110a上，且第二反射层134位于挡墙110b、110c上。第一反射层132相较于第二反射层134更靠近光感测元件L，且第一反射层132的高度低于第二反射层134的高度。藉此，第一反射层132比较不容意干扰感测元件L，且第一反射层132与第二反射层134能使发光元件所发出的光更为集中，增加光线的利用率。
图5是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。
在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的影像感测显示装置10c与图1A的影像感测显示装置10的主要差异在于：影像感测显示装置10中第二发光元件D2与第三发光元件D3的排列位置不同于影像感测显示装置10c中第二发光元件D2与第三发光元件D3的排列位置。
在图1A的实施例中，第二发光元件D2位于第一发光元件D1的第二方向Z2上，且第三发光元件D3位于第一发光元件D1的第一方向Z1上。在图5的实施例中，第二发光元件D2位于第一发光元件D1的第一方向Z1上，且第三发光元件D3位于第一发光元件D1的第二方向Z2上。
图6是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。
在此必须说明的是，图6的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的影像感测显示装置10d与图5的影像感测显示装置10c的主要差异在于：影像感测显示装置10c中第一发光元件D1和第四发光元件D4的排列位置不同于影像感测显示装置10d中第一发光元件D1和第四发光元件D4的排列位置。
在图6的实施例中，第一发光元件D1位于挡墙110的第二方向Z2上，第四发光元件D4位于挡墙110的第一方向Z1上。
虽然图1A、图5以及图6列举了三种第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6的排列位置，但本发明不限于此。第一发光元件D1、第二发光元件D2、第三发光元件D3、第四发光元件D4、第五发光元件D5以及第六发光元件D6还可以依照其他方式排列。
图7是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。
在此必须说明的是，图7的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图7，影像感测显示装置10e包括基板100、感测单元120a、感测单元120b、感测单元120c、感测单元120d、挡墙110a、挡墙110b、像素控制元件200a以及像素控制元件200b。
感测单元120a的光感测元件L以及感测单元120b的光感测元件L位于同一个挡墙110a上，且感测单元120a的光感测元件L以及感测单元120b的光感测元件L共用同个第二电极e2。
感测单元120c的光感测元件L以及感测单元120d的光感测元件L位于同一个挡墙110b上，且感测单元120c的光感测元件L以及感测单元120d的光感测元件L共用同个第二电极e2。
像素控制元件200a位于相邻的感测单元120a以及感测单元120c之间。像素控制元件200b位于相邻的感测单元120b以及感测单元120d之间。
感测元件L与像素控制元件200a或像素控制元件200b于第三方向Z3上交替排列。
在一些实施例中，像素控制元件200a与像素控制元件200b包括驱动芯片、薄膜晶体管或其他驱动元件。
藉由将像素控制元件200a与像素控制元件200b设置于相邻的感测单元之间，可以增加线路布局的空间利用率。此外，将像素控制元件200a与像素控制元件200b设置于显示区中，可以使影像感测显示装置具有窄边框的优点。
图8是依照本发明的一实施例的一种影像感测显示装置的俯视示意图。
在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图8的影像感测显示装置10f与图7的影像感测显示装置10e的主要差异在于：影像感测显示装置10e中，多个感测单元对应一个挡墙设置；影像感测显示装置10f中，一个感测单元对应一个挡墙设置。
请参考图8，影像感测显示装置10f包括基板100、感测单元120a、感测单元120b、感测单元120c、感测单元120d、挡墙110a、挡墙110b、挡墙110c、挡墙110d、像素控制元件200a以及像素控制元件200b。
感测单元120a的感测元件L设置于挡墙110a上。感测单元120c的感测元件L设置于挡墙110c上。相邻的两个感测单元120a、120c分别对应于相邻的两个挡墙110a、110c，且相邻的两个挡墙110a、110c互相分开。
感测单元120b的感测元件L设置于挡墙110b上。感测单元120d的感测元件L设置于挡墙110d上。相邻的两个感测单元120b、120d分别对应于相邻的两个挡墙110b、110d，且相邻的两个挡墙110b、110d互相分开。
在本实施例中，对应于不同感测单元120a～120d的挡墙110a～110d互相分开，藉此能改善相邻的感测单元120a～120d之间互相干扰的问题。
综上所述，本发明的影像感测显示装置中，发光元件发出的光在抵达感测层前所需通过的层较少(至少不需要通过基板至挡墙之间的层)。藉此，光感测元件产生的光电流较好控制，且均匀性较佳，能够减少色彩或亮度不均(MURA)的问题。
此外，光感测元件形成于挡墙上，除了能降低对像素的开口率造成影响外，也能避免光感测元件受到其他于形成光感测元件之前进行的工艺的影响(例如形成开关元件以及主动元件的工艺)。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种影像感测显示装置，其特征在于，包括：
一基板；
多个挡墙，位于该基板上；以及
多个感测单元，位于该基板上，各该感测单元包括：
一第一发光元件、一第二发光元件、一第三发光元件以及一第四发光元件，位于对应的挡墙周围，其中该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件，且该第一发光元件与该第四发光元件为相同颜色的发光元件；及
一光感测元件，位于该对应的挡墙上，该光感测元件包括：一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极和该第二电极之间的一感测层，其中该第一电极与该第二电极分别自该感测层往一第一方向以及一第二方向延伸，该第一方向不同于该第二方向。
2.根据权利要求1所述的影像感测显示装置，其特征在于，更包括一第一反射层，位于该对应的挡墙上，且该第一反射层与该第一电极以及该第二电极分开。
3.根据权利要求2所述的影像感测显示装置，其特征在于，该第一发光元件连接至一第一连接结构以及一第二连接结构，且该第一反射层与该第一连接结构属于同一图案化导电层。
4.根据权利要求3所述的影像感测显示装置，其特征在于，该第一发光元件为垂直式发光元件，且该第一连接结构与该第二连接结构分别连接该第一发光元件的下侧与上侧。
5.根据权利要求4所述的影像感测显示装置，其特征在于，该第一连接结构为金属，且该第二连接结构为透明导电材料。
6.根据权利要求2所述的影像感测显示装置，其特征在于，更包括一第二反射层，位于相邻于该对应的挡墙的另一挡墙上，其中该第一反射层相较于该第二反射层更靠近该光感测元件，且该第一反射层的高度低于该第二反射层的高度。
7.根据权利要求1所述的影像感测显示装置，其特征在于，各该感测单元更包括一主动元件，位于该对应的挡墙下方。
8.根据权利要求1所述的影像感测显示装置，其特征在于，更包括一像素控制元件，位于相邻的两个感测单元之间。
9.根据权利要求1所述的影像感测显示装置，其特征在于，相邻的两个感测单元分别对应于相邻的两个挡墙，且该相邻的两个挡墙互相分开。
10.一种影像处理方法，其特征在于，包括：
提供一影像感测显示装置，该影像感测显示装置包括：
一基板；
多个挡墙，位于该基板上；及
多个感测单元，位于该基板上，各该感测单元包括：
一第一发光元件、一第二发光元件、一第三发光元件以及一第四发光元件，位于对应的挡墙周围，其中该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件，且该第一发光元件与该第四发光元件为相同颜色的发光元件；及
一光感测元件，位于该对应的挡墙上，该光感测元件包括：一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极和该第二电极之间的一感测层，其中该第一电极与该第二电极分别自该感测层往一第一方向以及一第二方向延伸，该第一方向不同于该第二方向；
扫描一待测物，方法包括：
该光感测元件接收该第一发光元件被该待测物反射的光；
该光感测元件接收该第二发光元件被该待测物反射的光；
该光感测元件接收该第三发光元件被该待测物反射的光；
该光感测元件接收该第四发光元件被该待测物反射的光；
运算该光感测元件产生的多个信号；以及
显示运算该些信号后产生的影像。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，扫描该待测物的方法更包括：
该光感测元件接收该第一发光元件被该待测物反射的光，并产生一第一信号；
储存该第一信号；
该光感测元件接收该第二发光元件被该待测物反射的光，并产生一第二信号；
储存该第二信号；
该光感测元件接收该第三发光元件被该待测物反射的光，并产生一第三信号；
储存该第三信号；
该光感测元件接收该第四发光元件被该待测物反射的光，并产生一第四信号；
储存该第四信号；
运算该第一信号、该第二信号、该第三信号以及该第四信号；以及
显示运算该第一信号、该第二信号、该第三信号以及该第四信号后产生的影像。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，同时点亮该第一发光元件与该第四发光元件。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，于扫描该代测物时，该第一发光元件、该第二发光元件、该第三发光元件与该第四发光元件分别以频率f1驱动；于显示运算该些信号后产生的影像时，该第一发光元件、该第二发光元件、该第三发光元件与该第四发光元件中的至少部分是以频率f2驱动，频率f1大于频率f2。
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