CN110098662A - 磁耦合系数增强系统 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种磁耦合系数增强系统，包括配置在发射装置外壳内的发射线圈模块、配置在接收装置外壳内的接收线圈模块以及配置在保护壳体内的磁通引导体，磁通引导体靠近发射线圈模块与接收线圈模块；磁通引导体用于提供在发射线圈模块与接收线圈模块之间磁阻最小的磁路。本发明能够提高电磁耦合过程中接受线圈模块接收到的有效交变磁通量，从而使得在发射线圈模块输出的交变磁场能量一定的情况下，接收线圈模块输出更多能量。

Description

磁耦合系数增强系统

技术领域

本发明涉及无线电能传输领域，尤其涉及一种可以在提高发射线圈模块与接收线圈模块的磁耦合系数增强的系统，用于提高无线电能传输的传递效率与功率。

背景技术

随着无线充电技术的发展，无线发射设备与无线待充电设备/接收设备逐渐得到了广泛的应用。无线发射设备与无线接收设备一般采用通过交变电流驱动的线圈转换为交变磁场进行磁耦合形式的能量传递，因此当磁耦合系数降低时，如果无线发射设备的输入功率一定的情况下，无线接收设备能够接收到并转换出的能量也会降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种磁耦合系数增强系统，能够在无线充电发射设备与无线充电接收设备空间位置不变情况下，提高耦合系数，实现无线发射设备的输入功率一定的情况下，无线接收设备能够接收到并转换出更多的能量。

为实现上述目的，本发明提出一种磁耦合系数增强系统，包括配置在接收装置壳体内的具有一个或多个具有第一边缘圈与第二边缘圈的螺旋线圈的接收子线圈模块的接收线圈模块，和配置在发射装置壳体内的具有一个或多个具有第一边缘圈与第二边缘圈的螺旋线圈的发射子线圈模块的发射线圈模块，以及位于发射线圈模块和接收线圈模块之间的设计有涡流破坏结构的磁通引导体模块；

其中，磁通引导体模块用于提高发射线圈模块和接收线圈模块之间的耦合系数，以引导发射子线圈模块产生的磁场优先穿过该磁通引导体模块后再穿过对应的接收子线圈模块第一边缘圈然后在从此接收子线圈模块第二边缘圈再最终返回到此发射子线圈模块，或以引导发射子线圈模块产生的磁场优先穿过该磁通引导体模块后再穿过对应的接收子线圈模块第二边缘圈然后在从此接收子线圈模块第二边缘圈再最终返回到此发射子线圈模块，或引导发射子线圈模块产生的磁场优先穿过对应的接收子线圈模块第一边缘圈后再从此接收子线圈模块的第二边缘圈穿过该磁通引导体模块以从该磁通引导体模块回到发射线圈模块，或引导发射子线圈模块产生的磁场优先穿过对应的接收子线圈模块第二边缘圈后再从此接收子线圈模块的第二边缘圈穿过该磁通引导体模块以从该磁通引导体模块回到发射线圈模块。

其中，所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一发射子线圈模块第一边缘圈最近点距离不大于第一阈值的部分，在此发射子线圈模块第一边缘圈磁通出入面上投影的第一投影面积不小于第二阈值，且所述第一投影面积不小于1/2位于此发射子线圈模块第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线内，

较佳地，所述第一阈值为此发射子线圈模块第一边缘圈在其磁通出入面上投影的内轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第二阈值为发射子线圈模块在其第一边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10；

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一接收子线圈模块第一边缘圈最近点距离不大于第三阈值的部分，在此接收子线圈模块磁通第一边缘圈出入面上投影的第二投影面积不小于第四阈值，且所述第二投影面积不小于1/10 位于此接收子线圈模块第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线内，

较佳地，所述第三阈值为此接收子线圈模块在其第一边缘圈磁通出入面上投影的内轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第四阈值为接收子线圈模块在其第一边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10。所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一发射子线圈模块第二边缘圈最近点距离不大于第五阈值的部分，在此发射子线圈模块第二边缘圈磁通出入面上投影的第三投影面积不小于第六阈值，且所述第三投影面积不小于1/10位于此发射子线圈模块第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线外，

较佳的，所述第五阈值为此发射子线圈模块在其第二边缘圈磁通出入面上投影的外轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第六阈值为发射子线圈模块在其第二边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10；

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一接收子线圈模块第二边缘圈最近点距离不大于第七阈值的部分，在此接收子线圈模块第二边缘圈磁通出入面上投影的第四投影面积不小于第八阈值，且所述第四投影面积不小于1/2 位于此接收子线圈模块第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线外，

较佳的，所述第七阈值为此接收子线圈模块在其第二边缘圈磁通出入面上投影的外轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第八阈值为接收子线圈模块在其第二边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10。

其中，所述磁通引导体模块为星形、球形、山型、环形、蜂窝形、柱形、瓦型、条型、线形、马鞍形、螺旋型中的一种或者多种组合。

其中，所述磁通引导体模块为如下之一：

磁通引导体本体和磁通引导体外壳；

磁通引导体本体；

其中，磁通引导体本体由采用了具有涡流破坏结构的软磁材料制成，所述软磁材料包括但不限于软磁铁氧体、非晶软磁材料、纳米晶软磁材料、硅钢之一或组合；

磁通引导体本体外形为星形、球形、山型、环形、蜂窝形、柱形、瓦型、条型、线形、马鞍形、螺旋型中的一种或者多种组合。

本发明的磁耦合系数增强系统，由于在无线接收装置的接收线圈和无线发射装置的发射线圈之间的磁通引导体，提高了耦合系数，提供了一个“磁场从发射子线圈模块到对应接收子线圈模块第一边缘圈再从此接收子线圈模块第二边缘圈返回此发射子线圈模块的最低磁阻的磁路”，因此在无线充电发射设备与无线充电接收设备空间位置不变情况下，且无线发射设备的输入功率一定的情况下，无线接收设备能够接收到并转换出更多的能量。

附图说明

图1a、图1b和图1c是发射子线圈模块与接收子线圈模块不同情况下的耦合系数变化示意图。

图2a、图2b和图2c是本发明实施例的磁耦合系数增强系统的组成结构示意图；

图3a、图3b和图3c是本发明实施例的磁耦合系数增强系统中磁通走向的示意图；

图4示出了本发明的实施例中磁通引导体到发射或接收子线圈模块第一边缘圈最近点距离不大于第一或第三阈值的部分，在此发射或接收子线圈模块第一边缘圈磁通出入面上投影的第一或第三投影面积的示意图；

图5示出了本发明的实施例中磁通引导体到发射或接收子线圈模块第二边缘圈最近点距离不大于第五或第七阈值的部分，在此发射或接收子线圈模块第一边缘圈磁通出入面上投影的第六或第八投影面积的示意图；

图6a、图6b和图6c示出了磁通引导体涡流破坏结构的示意图；

图7示出了磁通引导体模块高度与发射线圈模块或接收线圈模块最大尺寸的关系示意图；

图8a和8b示出了第一引线从内向外绕出第一边缘圈和第二引线从外向内绕出第二边缘圈的示意图。

图9a和9b示出了螺旋线圈第一边缘圈和第二边缘圈磁通出入面的示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

如图1a、1b和1c所示，发射子线圈模块的螺旋线圈201与接收子线圈模块的螺旋线圈202，存在三种耦合关系，分别是：

磁通901从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后穿过接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302内部然后再从接收线圈子模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304外部发出最终从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201 的第一边缘圈301内部，这种情况下耦合系数很大，有利于发射线圈模块向接收线圈模块传递能量；

磁通901从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后直接从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部，这种情况下耦合系数是极小的，不利于发射线圈模块向接收线圈模块传递能量；

磁通901从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后穿过接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302内部然后再从接收线圈子模块的螺旋线圈202的第一边缘圈301内部发出最终从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201 的第一边缘圈301内部，这种情况耦合系数也是极小的，不利于发射线圈模块向接收线圈模块传递能量。

图2a、2b和2c示出了三种磁通引导体本体203与发射子线圈模块的螺旋线圈201和接收子线圈模块的螺旋线圈202的空间示意图，分别是：

磁通引导体本体203更加靠近发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301和接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302；

磁通引导体本体203更加靠近发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303和接收子线圈模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304；

磁通引导体本体203有部分组成，分别靠近发射子线圈模块的螺旋线圈 201的第一边缘圈301和接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302，以及发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303和接收子线圈模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304。

如图3a、3b和3c所示的三种磁通引导体本体203与发射子线圈模块的螺旋线圈201和接收子线圈模块的螺旋线圈202的空间位置情况下磁通走向的示意图，分别是：

磁通从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后，首先进入磁通引导体203然后再从磁通引导体203发出，穿过接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302内部然后再从接收线圈子模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304外部发出最终从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301 内部；

磁通从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后，首先穿过接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302内部然后再从接收线圈子模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304外部发出，然后进入磁通引导体203然后再从磁通引导体203发出，最终从发射子线圈模块的螺旋线圈 201的第二边缘圈303外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部；

磁通从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部发出后，首先进入磁通引导体203然后再从磁通引导体203发出，穿过接收子线圈模块的螺旋线圈202的第一边缘圈302内部然后再从接收线圈子模块的螺旋线圈202的第二边缘圈304外部发出，然后进入磁通引导体203然后再从磁通引导体203发出，最终从发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303 外部回到发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内部。

以磁通引导体203靠近发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301 为例，图4中磁通引导体的点状虚线包括的点状区域401为磁通引导体203 上距离发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301最近点距离不大于第一阈值的部分的外表面轮廓线，所述点状虚线包括的点状区域401在图9a 所示出的第一边缘圈301的磁通出入面501上的投影为实线包括的斜线区域 402，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301内发出的磁通大部分或全部会从所述点状区域401进入磁通引导体203。所述第一阈值为此发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301在其磁通出入面501上投影的内轮廓线上两点间的最远距离B的1/2，并且实线包括的斜线区域402的面积不小于第二阈值，所述第二阈值为发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301在其第一边缘圈301的磁通出入面501上投影面积的1/10，且实线包括的斜线区域402的面积不小于1/2位于此发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301在其第一边缘圈301磁通出入面501上投影的轮廓线内。

以磁通引导体203靠近发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303 为例，图5中磁通引导体的点状虚线包括的点状区域403为磁通引导体203 上距离发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303最近点距离不大于第三阈值的部分的外表面轮廓线，所述点状虚线包括的点状区域403在图9b 所示出的第二边缘圈303的磁通出入面502上的投影为实线包括的斜线区域 404，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303内发出的磁通大部分或全部会从所述点状区域403进入磁通引导体203。所述第一阈值为此发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303在其磁通出入面502上投影的内轮廓线上两点间的最远距离A的1/2，并且实线包括的斜线区域402的面积不小于第六阈值，所述第六阈值为发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303在其第二边缘圈303的磁通出入面502上投影面积的1/10，且实线包括的斜线区域404的面积不小于1/2位于此发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈303在其第二边缘圈303磁通出入面502上投影的轮廓线外。

图6a示出的是在垂直于磁通引导体本体203内的磁通901方向上，采用多个接触电阻极大的软磁材料204拼接成磁通引导体本体203；图6b示出的是在沿着磁通引导体本体203内的磁通901方向上，采用具有切口的软磁材料204；图6c示出的是在沿着磁通引导体本体203内的磁通901方向上，在磁通引导体本体203外侧表面安装软磁材料503。

图7示出了磁通引导体本体203沿着磁通引导体本体203内磁通901方向上的最大长度D，不超过所述发射线圈模块或接收线圈模块中最大尺寸d 的5倍。

图8a示出了以发射子线圈模块的螺旋线圈201为例，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一引线305由内向外绕制出第一边缘圈301；图8b以发射子线圈模块的螺旋线圈201为例，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二引线306由外向内绕制出第二边缘圈303。

图9a示出了以发射子线圈模块的螺旋线圈201为例，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第一边缘圈301的磁通出入面501；图9b示出了以发射子线圈模块的螺旋线圈201为例，发射子线圈模块的螺旋线圈201的第二边缘圈 302的磁通出入面502。

本发明的实施例中，第一至第八阈值的具体设置方式，使得磁通引导体能够在发射线圈和接收线圈之间形成最适合磁通“优先穿越的路径”，从而能够使得耦合系数得到提高。

较佳地，根据实际使用的需要，内部设置有磁通引导体的保护壳体可以与接收装置的壳体固定连接；或者，内部设置有磁通引导体的保护壳体可以与发射装置一起根据具体需要相对固定安装。

由上述实施例可知，本发明提出的磁耦合系数增强系统，由于在无线接收装置的接收线圈和无线发射装置的发射线圈之间设置了磁通引导体，从而提供了一个“低磁阻的磁路”使得磁通优先通过，使得在无线充电发射设备与无线充电接收设备空间位置不变情况下，且无线发射设备的输入功率一定的情况下，无线接收设备能够接收到并转换出更多的能量，从而使得可以增大接收线圈和发射线圈之间的距离，满足用户对无线充电装置的定制化配置的需要而不会导致接收功率下降。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种磁耦合系数增强系统，配置在发射装置外壳内的发射线圈模块、配置在接收装置外壳内的接收线圈模块，其特征在于：

所述系统还包括磁通引导体模块，靠近发射线圈模块与接收线圈模块；

在发射线圈模块和接收线圈模块空间位置固定情况下，所述磁通引导体模块用于提高发射线圈模块与接收线圈模块之间的耦合系数，使得当发射线圈模块输出的交变磁场能量一定的情况下，接收线圈模块可以接收到更多的交变磁通量用于转换为需要输出的能量；

所述磁通引导体设计有涡流破坏结构，降低交变磁场产生的涡流损耗。

2.如权利要求1所述的磁耦合系数增强系统，其中，所述发射线圈模块，其特征在于：

具有一个或多个饼形、环形、锥形、桶形、波浪形发射子线圈模块，每个子线圈模块具有一个螺旋线圈，

所述螺旋线圈由具有第一引线与第二引线与外部电路实现电连接，所述第一引线与第二引线为所述绕制螺旋线圈的导线的两端，

所述螺旋线圈具有第一边缘圈与第二边缘圈，所述第一边缘圈由所述第一引线从内向外绕制而成，第二边缘圈由所述第二引线从外向内绕制而成；

所述发射子线圈模块为如下之一或组合：

单一层的发射线圈；

单一层的发射线圈和导磁材料；

单一层的发射线圈和包覆发射线圈和导磁材料的壳体；

单一层的发射线圈、导磁材料和包覆发射线圈与导磁材料的壳体；

多层发射线圈层叠组合成的发射线圈体；

多层发射线圈层叠组合成的接收线圈体和导磁材料；

多层发射线圈层叠组成的发射线圈体和包覆发射线圈体的外壳。

多层发射线圈层叠组合成的接收线圈体、导磁材料和包覆发射线圈体和导磁材料的外壳；

所述导磁材料用于限定磁通在发射线圈模块的轨迹。

3.如权利要求1所述的磁耦合系数增强系统，其中，所述接收线圈模块，其特征在于：

具有一个或多个饼形、环形、锥形、桶形、波浪形接收子线圈模块，每个子线圈模块具有一个螺旋线圈，

所述螺旋线圈由具有第一引线与第二引线与外部电路实现电连接，所述第一引线与第二引线为所述绕制螺旋线圈的导线的两端，

所述螺旋线圈具有第一边缘圈与第二边缘圈，所述第一边缘圈由所述第一引线从内向外绕制而成，第二边缘圈由所述第二引线从外向内绕制而成，；

所述接收子线圈模块为如下之一或组合：

单一层的接收线圈；

单一层的接收线圈和导磁材料；

单一层的接收线圈和包覆接收线圈和导磁材料的壳体；

单一层的接收线圈、导磁材料和包覆接收线圈与导磁材料的壳体；

多层接收线圈层叠组合成的接收线圈体；

多层接收线圈层叠组合成的接收线圈体和导磁材料；

多层接收线圈层叠组成的接收线圈体和包覆接收线圈体的外壳。

多层接收线圈层叠组合成的接收线圈体、导磁材料和包覆接收线圈体和导磁材料的外壳；

所述导磁材料用于限定磁通在接收线圈模块的轨迹。

4.如权利要求1所述的磁耦合系数增强系统，其中，所述磁通引导体模块为如下之一：

磁通引导体本体与磁通引导体模块壳体；

磁通引导体本体；

所述磁通引导体模块，其特征还在于：

磁通引导体本体采用了具有涡流破坏结构的软磁材料制成，包括但不限于软磁铁氧体、非晶软磁材料、纳米晶软磁材料、硅钢之一或组合，

外形为星形、球形、山型、环形、蜂窝形、柱形、瓦型、条型、线形、马鞍形、螺旋型中的一种或者多种组合。

5.如权利要求2、3和4所述的磁耦合系数增强系统，其特征在于，

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一发射子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈最近点距离不大于第一阈值的部分，在此发射子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈的磁通出入面上投影的第一投影面积不小于第二阈值，且所述第一投影面积不小于1/2位于此发射子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线内，

所述第一阈值为此发射子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其磁通出入面上投影的内轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第二阈值为发射子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10；

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一接收子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈最近点距离不大于第三阈值的部分，在此接收子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈的磁通出入面上投影的第二投影面积不小于第四阈值，且所述第二投影面积不小于1/10位于此接收子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线内，

所述第三阈值为此接收子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其磁通出入面上投影的内轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第四阈值为接收子线圈模块的螺旋线圈的第一边缘圈在其第一边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10。

6.如权利要求2、3和4所述的磁耦合系数增强系统，其特征在于，

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一发射子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈最近点距离不大于第五阈值的部分，在此发射子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈磁通出入面上投影的第三投影面积不小于第六阈值，且所述第三投影面积不小于1/10位于此发射子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线外，

所述第五阈值为此发射子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的外轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第六阈值为发射子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10；

所述磁通引导体模块上任一点的到所述任一接收子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈最近点距离不大于第七阈值的部分，在此接收子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈磁通出入面上投影的第四投影面积不小于第八阈值，且所述第四投影面积不小于1/2位于此接收子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的轮廓线外，

所述第七阈值为此接收子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影的外轮廓线上两点间的最远距离的1/2，所述第八阈值为接收子线圈模块的螺旋线圈的第二边缘圈在其第二边缘圈磁通出入面上投影面积的1/10。

7.如权利要求4所述的磁耦合系数增强系统，所述磁通引导体本体，通过如下之一或组合，实现涡流破坏效果：

在垂直于磁通引导体本体内的磁场方向上，采用多个接触电阻极大的软磁材料拼接成磁通引导体本体；

在沿着磁通引导体本体内的磁场方向上，采用具有切口的软磁材料；

在沿着磁通引导体本体内的磁场方向上，在磁通引导体本体外侧表面安装软磁材料。

8.如权利要求7所述的磁耦合系数增强系统，所述磁通引导体本体，其特征还在于沿着磁通引导体本体内磁场方向上的最大长度，不超过所述发射线圈模块或接收线圈模块中最大尺寸的5倍。