CN110083479A - 一种智能电能表的eeprom数据保护方法 - Google Patents

一种智能电能表的eeprom数据保护方法 Download PDF

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Abstract

一种智能电能表的EEPROM数据保护方法,包括智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块,所述智能电能表参数保护模块中设有EEPROM不同片区的参数双备份区以及MCU的FLASH参数固化区,所述智能电能表电量保护模块中设有MCU的RAM内的两电量存储区和EEPROM不同片区的电量双备份区,EEPROM数据保护方法包括以下步骤:步骤(1)、通过智能电能表参数保护模块进行功能模块内部使用参数操作和系统定时检查参数操作;步骤(2)、通过智能电能表电量保护模块进行电量存储操作和电量读取操作。保证电能表的参数可靠性,电量数据可靠性。

Description

一种智能电能表的EEPROM数据保护方法
技术领域
本发明涉及智能电能表领域,特别涉及一种智能电能表的EEPROM数据保护方法。
背景技术
国家电网于2009年开始推行智能电能表方案,并于09年和13年分别颁布《09版智能电能表规范》和《13版智能电能表规范》,目前智能电能表已累计挂网运行上亿只。随着智能表长时间的运行,如09年智能表目前已挂网运行8年,相关可靠性的问题开始逐渐暴露,因智能表故障导致用户电费纠纷的案例也逐渐增多,影响社会舆情。其中一个典型故障案例就是智能电能表的EEPROM(电可擦可编程只读存储器)失效,导致电能表工作异常和电量丢失,此类故障容易造成用户投诉,处理难度大、费用高。
目前单相智能电能表设计方案基本为:MCU(单片机)、EEPROM、计量芯片、RS485接口和变压器电源。其中智能电能表的运行参数和电量存储在EEPROM中,该器件是智能电能表的核心器件,但随着挂网多年表计出现越来越多因EEPROM故障而导致表计工作异常的现象来看,现有技术至少存在以下两个缺点:
1、EEPROM器件使用寿命未设计好;
造成EEPROM寿命减少主要由三个原因造成,一是元器件本身出厂不良;二是电路参数未匹配好,电气性能未最优化;三是软件擦写频繁。
2、软件未设计参数和电量数据保护机制;
因软件未设计参数和电量数据保护机制,当EEPROM失效时,因参数获取发生混乱,导致表计运行混乱;因电量未做相应备份等机制,导致电量丢失。
目前有采用电能表掉电保护数据存贮方法,在电能表的MCU的RAM中设置掉电保护数据块、指针PA、指针PB,将需要掉电保护的数据集中在一起并加上CRC校验,存入掉电保护数据块中;在电能表的非易失性存贮器中设置循环备份存贮区A和循环备份存贮区B,在循环备份存贮区A和循环备份存贮区B中均设置若干个用于存贮掉电保护数据块中数据的备份数据区块;在掉电时只写入了2个数据块,对整流电解电容的储能要求较低,容易满足要求。但该种方法只能针对掉电时保护数据进行存贮,不能针对EEPROM失效时对数据进行保护。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的现状,提供一种在EEPROM失效时仍能够确保参数可靠性以及电量可靠性的智能电能表的EEPROM数据保护方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:包括智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块,其中,所述智能电能表参数保护模块中设有EEPROM不同片区的参数双备份区以及MCU的FLASH参数固化区,所述智能电能表电量保护模块中设有MCU的RAM内的两电量存储区和EEPROM不同片区的电量双备份区,EEPROM数据保护方法包括以下步骤:
步骤(1)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表参数保护模块进行功能模块内部使用参数操作和系统定时检查参数操作,确保智能电能表表计正常运行;
步骤(2)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表电量保护模块进行电量存储操作和电量读取操作,确保智能电能表的电量正常。
在上述方案中,具体的,所述智能电能表参数保护模块实现功能模块内部使用参数操作,包括如下步骤:
步骤(1-1a)、在功能模块内部锁定需要使用的参数;
步骤(1-2a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-3a);
步骤(1-3a)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-5a);
步骤(1-5a)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9a),反之则转入步骤(1-7a);
步骤(1-7a)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8a)、使用RAM内的参数值作为功能模块内部使用参数执行功能,结束;
步骤(1-9a)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8a)。
具体的,所述智能电能表参数保护模块实现系统定时检查参数操作,包括如下步骤:
步骤(1-1b)、系统定时检查开始,每分钟执行m次;其中m为正整数;
步骤(1-2b)、对RAM内的所有参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-3b);
步骤(1-3b)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-5b);
步骤(1-5b)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9b),反之则转至步骤(1-7b);
步骤(1-7b)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8b)、结束返回;
步骤(1-9b)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8b)。
进一步的,通过智能电能表电量保护模块实现电量存储过程,包括如下步骤:
步骤(2-1a)、电量累计加0.01kwh处理;
步骤(2-2a)、判断功率是否为反向,如果功率为反向时,转入步骤(2-3a);反之则转入步骤(2-4a);
步骤(2-3a)、对RAM内的反向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-4a)、对RAM内的正向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-5a)、获取当前费率;
步骤(2-6a)、当前费率电量加上0.01kwh;
步骤(2-7a)、当前总电量加上0.01kwh;
步骤(2-8a)、RAM的两个电量存储区配置成复位不清零,并分别更新RAM内的两个电量存储区的数据,并分别重新计算CRC校验值;
步骤(2-9a)、判断步骤(2-8a)中电量是否为整数,当电量为整数时,转入步骤(2-10a);反之,转至步骤(2-12a);
步骤(2-10a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第一电量备份区内;
步骤(2-11a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第二电量备份区内;
步骤(2-12a)、结束。
进一步的,通过智能电能表电量保护模块实现电量读取过程,包括如下步骤:
步骤(2-1b)、通讯访问电量数据;
步骤(2-2b)、判断RAM内的第一个电量存储区的当前电量的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-3b);
步骤(2-3b)、判断RAM的第二个电量存储区的当前电量的CRC校验正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-4b);
步骤(2-4b)、读取EEPROM中的第一个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-5b)、判断EEPROM中的当前第一个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-6b);
步骤(2-6b)、读取EEPROM中的第二个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-7b)、判断EEPROM中的当前第二个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-8b);
步骤(2-8b)、提示访问错误,转至步骤(2-10b);
步骤(2-9b)、结束通讯并返回数据,转至步骤(2-10b);
步骤(2-10b)、结束。
作为改进,所述EEPROM数据读取数据操作包括以下步骤:
步骤(3-1a)、EEPROM数据的读操作开始;
步骤(3-2a)、带CRC读取EEPROM的数据,读取数据长度加k;其中,k为正整数;
步骤(3-3a)、将EEPROM的数据读取k次,并进行对比,如果k次读取的数据对比一致,则转入步骤(3-4a),反之,则转至步骤(3-5a);
步骤(3-4a)、将读取的数据进行CRC校验,判断是否校验正确,如果校验正确则读取EEPROM数据成功,结束;反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-5a)、重复n次步骤(3-3a)的数据读取k次和对比操作,若n次结果一致时,则转至步骤(3-4a),反之则转入步骤(3-6a);其中,n为正整数;
步骤(3-6a)、判断是否有未读取的备份数据,如有则转至步骤(3-7a);反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-7a)、带CRC读取备份数据,读取长度加k,并转至步骤(3-3a)。
进一步的,所述EEPROM数据写入数据操作包括以下步骤:
步骤(3-1b)、EEPROM数据的写操作开始;
步骤(3-2b)、带CRC写EEPROM数据,计算写数据的CRC,写数据长度加上k;
步骤(3-3b)、写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,一致则转入步骤(3-4b),反之,则转至步骤(3-6b);
步骤(3-4b)、将此数据写入EEPROM备份区中;
步骤(3-5b)写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,如果一致则写入EEPROM数据成功,结束;反之则写入EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-6b)、重复n次写同一EEPROM数据,若n次写入EEPROM数据后读取并对比一致时,则转至步骤(3-4b),反之则EEPROM写入数据失败,结束。
作为优选,所述读取次数k的取值范围为2~5,重复次数的取值范围为2~7。
为了在EEPROM出现故障时及时通知工作人员采集和保护数据,及时更换电能表,还包括EEPROM故障上报模块,电能表的EEPROM故障上报模块通过无线、载波、微功率无线或RS485接口及时上报。
具体的,所述无线方式为GPRS或CDMA形式。
与现有技术相比,本发明的优点在于:通过设置智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块以及EEPROM故障上报模块,在EEPROM部分或整体出现故障时,仍能保证智能电能表表计正常运行和电量数据的正常,从而保证参数可靠性,电量数据可靠性,减少用户电费纠纷。通过及时上报EEPROM故障,方便工作人员及时发现智能电能表故障。
附图说明
图1为本发明实施例的读取数据操作的流程图;
图2为本发明实施例的写入数据操作的流程图;
图3为本发明实施例的功能模块内部使用参数操作的流程图;
图4为本发明实施例的系统定时检查参数操作的流程图;
图5为本发明实施例的电量存储过程的流程图;
图6为本发明实施例的电量读取过程的流程图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
一种智能电能表的EEPROM数据保护方法包括智能电能表参数保护模块、智能电能表电量保护模块和EEPROM故障上报模块,其中,智能电能表参数保护模块中设有EEPROM不同片区的参数双备份区以及MCU的FLASH参数固化区,智能电能表电量保护模块中设有MCU的RAM内的两电量存储区和EEPROM不同片区的电量双备份区,电能表的EEPROM故障上报模块通过无线、载波、微功率无线或RS485接口及时上报;无线方式为GPRS或CDMA形式。
EEPROM数据保护方法包括以下步骤:
步骤(1)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表参数保护模块进行功能模块内部使用参数操作和系统定时检查参数操作,确保智能电能表表计正常运行;
具体的,功能模块内部使用参数操作参见图3所示,包括如下步骤:
步骤(1-1a)、在功能模块内部锁定需要使用的参数;
步骤(1-2a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-3a);
步骤(1-3a)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-5a);
步骤(1-5a)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9a),反之则转入步骤(1-7a);
步骤(1-7a)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8a)、使用RAM内的参数值作为功能模块内部使用参数执行功能,结束;
步骤(1-9a)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8a)。
具体的,系统定时检查参数操作,参见图4所示,包括如下步骤:
步骤(1-1b)、系统定时检查开始,每分钟执行m次;其中m为正整数;本实施例中每分钟执行次数m的取值范围为1~3,其中本实施例中m=2;
步骤(1-2b)、对RAM内的所有参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-3b);
步骤(1-3b)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-5b);
步骤(1-5b)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9b),反之则转至步骤(1-7b);
步骤(1-7b)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8b)、结束返回;
步骤(1-9b)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8b)。
步骤(2)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表电量保护模块进行电量存储操作和电量读取操作,确保智能电能表的电量正常。
具体的,电量存储过程参见图5所示,包括如下步骤:
步骤(2-1a)、电量累计加0.01kwh处理;
步骤(2-2a)、判断功率是否为反向,如果功率为反向时,转入步骤(2-3a);反之则转入步骤(2-4a);
步骤(2-3a)、对RAM内的反向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-4a)、对RAM内的正向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-5a)、获取当前费率;
步骤(2-6a)、当前费率电量加上0.01kwh;
步骤(2-7a)、当前总电量加上0.01kwh;
步骤(2-8a)、RAM的两个电量存储区配置成复位不清零,并分别更新RAM内的两个电量存储区的数据,并分别重新计算CRC校验值;
步骤(2-9a)、判断步骤(2-8a)中电量是否为整数,当电量为整数时,转入步骤(2-10a);反之,转至步骤(2-12a);
步骤(2-10a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第一电量备份区内;
步骤(2-11a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第二电量备份区内;
步骤(2-12a)、结束。
具体的,电量读取过程参见图6所示,包括如下步骤:
步骤(2-1b)、通讯访问电量数据;
步骤(2-2b)、判断RAM内的第一个电量存储区的当前电量的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-3b);
步骤(2-3b)、判断RAM的第二个电量存储区的当前电量的CRC校验正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-4b);
步骤(2-4b)、读取EEPROM中的第一个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-5b)、判断EEPROM中的当前第一个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-6b);
步骤(2-6b)、读取EEPROM中的第二个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-7b)、判断EEPROM中的当前第二个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-8b);
步骤(2-8b)、提示访问错误,转至步骤(2-10b);
步骤(2-9b)、结束通讯并返回数据,转至步骤(2-10b);
步骤(2-10b)、结束。
在上述的EEPROM数据读取数据操作参见图1所示,包括以下步骤:
步骤(3-1a)、EEPROM数据的读操作开始;
步骤(3-2a)、带CRC读取EEPROM的数据,读取数据长度加k;其中,k为正整数;
步骤(3-3a)、将EEPROM的数据读取k次,并进行对比,如果k次读取的数据对比一致,则转入步骤(3-4a),反之,则转至步骤(3-5a);
步骤(3-4a)、将读取的数据进行CRC校验,判断是否校验正确,如果校验正确则读取EEPROM数据成功,结束;反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-5a)、重复n次步骤(3-3a)的数据读取k次和对比操作,若n次结果一致时,则转至步骤(3-4a),反之则转入步骤(3-6a);其中,n为正整数;
步骤(3-6a)、判断是否有未读取的备份数据,如有则转至步骤(3-7a);反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-7a)、带CRC读取备份数据,读取长度加k,并转至步骤(3-3a)。
EEPROM数据写入数据操作参见图2所示,包括以下步骤:
步骤(3-1b)、EEPROM数据的写操作开始;
步骤(3-2b)、带CRC写EEPROM数据,计算写数据的CRC,写数据长度加上k;
步骤(3-3b)、写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,一致则转入步骤(3-4b),反之,则转至步骤(3-6b);
步骤(3-4b)、将此数据写入EEPROM备份区中;
步骤(3-5b)写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,如果一致则写入EEPROM数据成功,结束;反之则写入EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-6b)、重复n次写同一EEPROM数据,若n次写入EEPROM数据后读取并对比一致时,则转至步骤(3-4b),反之则EEPROM写入数据失败,结束。
在本实施例中,读操作和写操作中的读取次数k的取值范围为2~5,重复次数n的取值范围为2~7,为了在提高读取数据的可靠性同时相应提高读取速率,本实施例中读取次数k=2,重复次数n=3,每次读取2次的数据进行对比,读写操作中的CRC校验、两次对比操作和重复3次读取和对比,保证了数据传输的正确性和可靠性。在使用中,通过设置智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块以及EEPROM故障上报模块,在EEPROM部分或整体出现故障时,仍能保证智能电能表表计正常运行和电量数据的正常。

Claims (10)

1.一种智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:包括智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块,其中,所述智能电能表参数保护模块中设有EEPROM不同片区的参数双备份区以及MCU的FLASH参数固化区,所述智能电能表电量保护模块中设有MCU的RAM内的两电量存储区和EEPROM不同片区的电量双备份区,EEPROM数据保护方法包括以下步骤:
步骤(1)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表参数保护模块进行功能模块内部使用参数操作和系统定时检查参数操作,确保智能电能表表计正常运行;
步骤(2)、当EEPROM部分区故障或整体故障时,通过智能电能表电量保护模块进行电量存储操作和电量读取操作,确保智能电能表的电量正常。
2.根据权利要求1所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述智能电能表参数保护模块实现功能模块内部使用参数操作,包括如下步骤:
步骤(1-1a)、在功能模块内部锁定需要使用的参数;
步骤(1-2a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-3a);
步骤(1-3a)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8a),反之则转入步骤(1-5a);
步骤(1-5a)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6a)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9a),反之则转入步骤(1-7a);
步骤(1-7a)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8a)、使用RAM内的参数值作为功能模块内部使用参数执行功能,结束;
步骤(1-9a)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8a)。
3.根据权利要求1所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述智能电能表参数保护模块实现系统定时检查参数操作,包括如下步骤:
步骤(1-1b)、系统定时检查开始,每分钟执行m次;其中m为正整数;
步骤(1-2b)、对RAM内的所有参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-3b);
步骤(1-3b)、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM;
步骤(1-4b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-8b),反之则转入步骤(1-5b);
步骤(1-5b)、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM;
步骤(1-6b)、对RAM内的参数值执行CRC校验,若CRC校验正确则转至步骤(1-9b),反之则转至步骤(1-7b);
步骤(1-7b)、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM;
步骤(1-8b)、结束返回;
步骤(1-9b)、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内,并转至步骤(1-8b)。
4.根据权利要求1所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:通过智能电能表电量保护模块实现电量存储过程,包括如下步骤:
步骤(2-1a)、电量累计加0.01kwh处理;
步骤(2-2a)、判断功率是否为反向,如果功率为反向时,转入步骤(2-3a);反之则转入步骤(2-4a);
步骤(2-3a)、对RAM内的反向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-4a)、对RAM内的正向电量进行CRC校验,转入步骤(2-5a);
步骤(2-5a)、获取当前费率;
步骤(2-6a)、当前费率电量加上0.01kwh;
步骤(2-7a)、当前总电量加上0.01kwh;
步骤(2-8a)、RAM的两个电量存储区配置成复位不清零,并分别更新RAM内的两个电量存储区的数据,并分别重新计算CRC校验值;
步骤(2-9a)、判断步骤(2-8a)中电量是否为整数,当电量为整数时,转入步骤(2-10a);反之,转至步骤(2-12a);
步骤(2-10a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第一电量备份区内;
步骤(2-11a)、将电量存储区电量写入EEPROM的第二电量备份区内;
步骤(2-12a)、结束。
5.根据权利要求1所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:通过智能电能表电量保护模块实现电量读取过程,包括如下步骤:
步骤(2-1b)、通讯访问电量数据;
步骤(2-2b)、判断RAM内的第一个电量存储区的当前电量的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-3b);
步骤(2-3b)、判断RAM的第二个电量存储区的当前电量的CRC校验正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-4b);
步骤(2-4b)、读取EEPROM中的第一个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-5b)、判断EEPROM中的当前第一个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-6b);
步骤(2-6b)、读取EEPROM中的第二个电量备份区当前电量数据;
步骤(2-7b)、判断EEPROM中的当前第二个电量备份区的电量数据的CRC校验是否正确,正确则转至步骤(2-9b);反之,转入步骤(2-8b);
步骤(2-8b)、提示访问错误,转至步骤(2-10b);
步骤(2-9b)、结束通讯并返回数据,转至步骤(2-10b);
步骤(2-10b)、结束。
6.根据权利要求2或3或5所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述EEPROM数据读取数据操作包括以下步骤:
步骤(3-1a)、EEPROM数据的读操作开始;
步骤(3-2a)、带CRC读取EEPROM的数据,读取数据长度加k;其中,k为正整数;
步骤(3-3a)、将EEPROM的数据读取k次,并进行对比,如果k次读取的数据对比一致,则转入步骤(3-4a),反之,则转至步骤(3-5a);
步骤(3-4a)、将读取的数据进行CRC校验,判断是否校验正确,如果校验正确则读取EEPROM数据成功,结束;反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-5a)、重复n次步骤(3-3a)的数据读取k次和对比操作,若n次结果一致时,则转至步骤(3-4a),反之则转入步骤(3-6a);其中,n为正整数;
步骤(3-6a)、判断是否有未读取的备份数据,如有则转至步骤(3-7a);反之则读取EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-7a)、带CRC读取备份数据,读取长度加k,并转至步骤(3-3a)。
7.根据权利要求2或3或4所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述EEPROM数据写入数据操作包括以下步骤:
步骤(3-1b)、EEPROM数据的写操作开始;
步骤(3-2b)、带CRC写EEPROM数据,计算写数据的CRC,写数据长度加上k;
步骤(3-3b)、写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,一致则转入步骤(3-4b),反之,则转至步骤(3-6b);
步骤(3-4b)、将此数据写入EEPROM备份区中;
步骤(3-5b)写完后同时读数据操作进行读取,并进行对比是否一致,如果一致则写入EEPROM数据成功,结束;反之则写入EEPROM数据失败,结束;
步骤(3-6b)、重复n次写同一EEPROM数据,若n次写入EEPROM数据后读取并对比一致时,则转至步骤(3-4b),反之则EEPROM写入数据失败,结束。
8.根据权利要求7所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述读取次数k的取值范围为2~5,重复次数n的取值范围为2~7。
9.根据权利要求1所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:还包括EEPROM故障上报模块,电能表的EEPROM故障上报模块通过无线、载波、微功率无线或RS485接口及时上报。
10.根据权利要求9所述的智能电能表的EEPROM数据保护方法,其特征在于:所述无线方式为GPRS或CDMA形式。
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