CN110071368A - 基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,包括馈线结构、辐射结构、及馈电结构,天线的馈线结构从下往上依次为馈线下层金属地、馈线介质层,辐射结构包含多个辐射单元,本发明通过两种辐射结构激励起相位差为π/2的两种线极化波从而构成圆极化;本发明的天线单元结构可以抵消反射波在输入端口处的影响,抑制OSB,实现90°侧射;本发明采用SIIG馈线结合相应的辐射单元,单元尺寸与单元间距较小,可以实现小型化。

Description

基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线
技术领域
本发明属于漏波天线技术领域,涉及SIIG技术、天线小型化技术以及开放阻带(Open Stop Band,OSB)抑制技术,具体为一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线。
背景技术
相比于线极化天线,圆极化天线具有以下优势:1,可接收任意极化方向的线极化波,减小极化适配损耗,可以高效、准确传输信号.;2,可以有效抑制反射波的干扰,因此圆极化天线被广泛应用于雷达探测、航天、通信等领域。在各种圆极化天线中,平面漏波圆极化天线由于其具有馈电网络简单、低剖面、易于集成等特点受到关注。
例如文献“T.R.Cameron,A.T.Sutinjo and M.Okoniewski,《A circularlypolarized broadside radiating“herringbone”array design with the leaky-waveapproach》,IEEE Antennas Wirel.Propag.Lett.,vol.9,pp.826-829,2010”,文献“P.Chen,W.Hong,Z.Kuai and J.Xu,《A substrate integrated waveguide circularpolarized slot radiator and its linear array》,IEEE AntennasWirel.Propag.Lett.,vol.8,pp.120-123,2009”以及文献“T.Hori and T.Itanami,《Circularly polarized linear array antenna using a dielectric image line》,IEEE Trans.Micro.Theo.Tech.,vol.MTT-29,no.9,pp.967-970,1981”,这些文献分别采用微带线、基片集成波导(The substrate integrated waveguide,SIW)以及镜像波导作为馈线,单元均采用两个结构尺寸相同的、间距约为四分之一个波导波长的辐射结构组合为一个”鱼骨“形式的圆极化辐射单元。由于这种单元的结构特性,这种漏波圆极化天线在各个频点的方向图中轴比低于3dB的波束宽度较窄,且轴比带宽也较窄,难以实现宽波束以及大角度扫描的应用。又如,文献“C.Jin and A.Alphones,《Broadband beam scanningcircularly polarised leaky-wave antenna based on modified substrateintegrated waveguide》,Electronics Lett.,vol.49,no.5,pp.316-318,2013”中采用两种形式单元分别激励水平极化波和垂直极化波,并引入π/2的相位差,这种形式可以使天线达到较大的轴比带宽,从而实现大角度扫描,然而其增益较低,并且受OSB的影响,难以实现90°侧射。
如文献“M.M.Sabahi,A.A.Heidari and M.Movahhedi,《A compact CRLHcircularly polarized leaky-wave antenna based on substrate integratedwaveguide》,IEEE Trans.Ant.Propaga.,vol.66,no.9,pp.967-970,2018”中提出一种左右手复合结构的圆极化漏波天线。其馈线为SIW,单元也是由相位差为π/2的垂直、水平两种线极化左右手复合辐射结构组成。由于左右手复合辐射结构的性质,这种天线可以实现90°侧射,并且具有较高的增益以及较宽的轴比带宽。然而其单元结构面积以及单元间距较大,难以实现小型化。又如文献“F.Lyu,F.Meng,G.Yang,D.Erni,Q.Wu and K.Wu,《Periodic SIWleaky-wave antenna with large circularly polarized beam scanning range》,IEEEAntennas Wirel.Propag.Lett.,vol.16,pp.2493-2496,2017”中提出另一种采用SIW作为馈线,在其顶部开横槽和纵槽组合的圆极化漏波天线。其产生圆极化的原理也是通过横纵槽分别激励起相位差为π/2的垂直、水平两种线极化,同时由于其单元结构的不对称性,也对抑制了OSB的影响,实现了过90°的大角度扫描。然而同样受其单元尺寸以及单元间距的影响,难以实现小型化。
可以发现,现有方案一般通过分别激励相位差为π/2的垂直、水平两种线极化波来实现漏波圆极化天线的大角度扫描;通过引入左右手复合结构或不对称结构来抑制OSB影响实现90°侧射。然而这些漏波天线多采用微带线、SIW等作为馈线,使其单元间距以及单元尺寸难以缩减,因此难以实现小型化。为解决这些问题,本发明采用基片集成镜像介质波导(The substrate integrated image guide,SIIG)作为馈线,以两种金属贴片组合构成圆极化辐射单元,在实现圆极化90°侧射的基础上实现小型化性能。
发明内容
本发明的目的是针对圆极化漏波天线难以同时实现90°侧射、大角度扫描以及小型化性能的问题提出一种以SIIG为馈线的圆极化漏波天线,结合一种新型的圆极化金属贴片单元,利用SIIG以及单元的特性,在实现90°侧射、大角度扫描的前提下实现天线的小型化。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:包括馈线结构1,辐射结构2及馈电结构3,
所述天线的馈线结构1从下往上依次为馈线下层金属地12,馈线介质层11,其中馈线介质层11沿中轴线左右对称设置两个空气孔区域112,两个空气孔区域112之间为中心传输带111;
辐射结构2包含多个辐射单元,辐射单元包括激励水平极化波结构21以及激励垂直极化波结构22,二者的相对位置使激励的两个线极化波存在π/2的相位差,激励水平极化波结构21包括两个倾斜角度相同、倾斜方向相反的金属条,所述两个金属条的中点在传输带中轴线113上,所述两个金属条在传输带中轴线113上的间距d为二分之一个波导波长;激励垂直极化波结构22为成V形的金属条,其位于激励水平极化波结构21的两个金属条中间并偏离传输带中轴线113,馈线结构1与辐射结构2构成天线的辐射部分;
所述馈电结构3从下往上依次包含馈电结构下层金属地33、馈电结构介质层32、上层金属31,馈电结构下层金属地33上开底层圆形槽331,馈电结构介质层32上与底层圆形槽331的位置对应处有贯穿馈电介质的金属化通孔321,上层金属31上与底层圆形槽331的位置对应处开顶层圆形槽311,贯穿馈电介质的金属化通孔321和顶层圆形槽311和底层圆形槽331三者圆心重合,贯穿馈电结构下层金属地33、馈电结构介质层32、上层金属31三层的SIW过渡结构金属化通孔34排布成SIW过渡结构,贯穿馈电介质的金属化通孔321和顶层圆形槽311和底层圆形槽331三者都位于SIW过渡结构内部,同轴探针插入贯穿馈电介质的金属化通孔321中,同轴探针突出馈电结构介质层32的部分由金属腔体35盖住;在SIW过渡结构和馈线结构的相交处,上层金属31的中轴线上开渐变形槽312,渐变形槽312沿从馈电结构3到馈线结构1的方向逐渐变宽,以与馈线结构1实现阻抗匹配;在上层金属31截止处,横向排列多个贯穿馈电结构介质层和馈电结构下层金属地的金属化通孔36,馈线结构的中轴线和馈电结构的中轴线重合。
作为优选方式,在与馈线电磁波传播方向垂直的方向上,多个辐射部分并列排放,将原有的一维线阵扩展为二维面阵,进而进行二维赋形;所组成二维面阵的馈线结构共用馈线介质层11以及馈线下层金属地12。
作为优选方式,中心传输带宽度为6mm,两侧打孔区域各有5排非金属化孔形成的空气孔区域,非金属化孔直径为1.8mm,周期为2mm,每个非金属化孔和其右侧相邻的上下两个非金属化孔成正三角形排布。
作为优选方式,辐射结构2包含11个单元,单元间距为8.4mm;水平极化辐射结构21的每个金属条宽为1mm,长为5.4mm,两个金属条在传输带中轴线113上的间距d为4mm,每个金属条的倾斜角度为16°。
作为优选方式,垂直极化辐射单元22成V形的金属条偏离传输带中轴线0.6mm,成V形的金属条长度l为2.8mm,宽度为0.5mm,深度h为0.65mm。
作为优选方式,每个辐射单元包括两个平行的金属条。
本发明的工作原理在于:
对于辐射单元,其中的激励水平极化波结构21由两个尺寸相同,倾斜角度大小相同、方向相反的金属条组成,间距d约为二分之一个波导波长,设激励电场大小为E0,则在角度θ=0处,二者组合的场可以表示为式(1):
对于垂直极化辐射结构22,则在角度θ=0°处的场可以表示为式(2):
由式(1)和式(2)可知,水平极化和垂直极化波存在π/2的相位差,只需调整单元尺寸使二者电场幅值相等就可以实现圆极化,并且圆极化单元尺寸约为二分之一个波导波长。同时结合SIIG具有波导波长短以及受到不连续性扰动易产生较强辐射的特性,这种天线单元面积小且具有较强的辐射能力。
激励垂直极化波结构22成V形,V形的双臂可抵消激励水平极化波结构21的两个倾斜金属条产生的能量反射在天线输入端口处的影响,抑制OSB的影响,从而实现波束指向θ=90°侧射。
对于周期性漏波天线来说,其单元间距由其波束指向以及馈线的波导波长决定。对于漏波天线来说,在波束指向确定的条件下,单元间距与波导波长成正比。由于SIIG波导波长短,其单元间距也较短,进一步缩小天线尺寸。
综上,本发明的有益效果为:
1.本发明提出一种基于SIIG的金属贴片圆极化单元,通过两种辐射结构激励起相位差为π/2的两种线极化波从而构成圆极化;
2.本发明的天线单元结构可以抵消反射波在输入端口处的影响,抑制OSB,实现90°侧射;
3.本发明采用SIIG馈线结合相应的辐射单元,单元尺寸与单元间距较小,可以是实现小型化。
附图说明
图1是本发明实施例1的整体结构图。
图2是本发明实施例1的馈线结构顶视图。
图3是本发明实施例1的馈线结构侧视图。
图4是本发明实施例1的辐射单元结构图。
图5是本发明实施例1的馈电结构侧视图。
图6是本发明实施例1的馈电结构顶视图。
图7是本发明实施例1的馈电结构底视图。
图8是本发明实施例2的辐射单元结构图
图9是本发明实施例3的多个辐射部分结构图。
1为馈线结构,2为辐射结构,21为激励水平极化波结构,22为激励垂直极化波结构,3为馈电结构,12为馈线下层金属地,11为馈线介质层,111为中心传输带,112为空气孔区域,113为传输带中轴线,31为上层金属,311为顶层圆形槽,312为渐变形槽,32为馈电结构介质层,321为贯穿馈电介质的金属化通孔,33为馈电结构下层金属地,331为底层圆形槽,34为SIW过渡结构金属化通孔,35为金属腔体,36为贯穿馈电结构介质层与馈电结构下层金属地的金属化通孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步阐述。
实施例1
一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:包括馈线结构1,辐射结构2及馈电结构3,
所述天线的馈线结构1从下往上依次为馈线下层金属地12,馈线介质层11,其中馈线介质层11沿中轴线左右对称设置两个空气孔区域112,两个空气孔区域112之间为中心传输带111;
辐射结构2包含多个辐射单元,辐射单元包括激励水平极化波结构21以及激励垂直极化波结构22,二者的相对位置使激励的两个线极化波存在π/2的相位差,激励水平极化波结构21包括两个倾斜角度相同、倾斜方向相反的金属条,一个倾角为α1,一个倾角为α2,α1=α2,所述两个金属条的中点在传输带中轴线113上,所述两个金属条在传输带中轴线113上的间距d为二分之一个波导波长;激励垂直极化波结构22为成V形的金属条,其位于激励水平极化波结构21的两个金属条中间并偏离传输带中轴线113,馈线结构1与辐射结构2构成天线的辐射部分;
所述馈电结构3从下往上依次包含馈电结构下层金属地33、馈电结构介质层32、上层金属31,馈电结构下层金属地33上开底层圆形槽331,馈电结构介质层32上与底层圆形槽331的位置对应处有贯穿馈电介质的金属化通孔321,上层金属31上与底层圆形槽331的位置对应处开顶层圆形槽311,贯穿馈电介质的金属化通孔321和顶层圆形槽311和底层圆形槽331三者圆心重合,贯穿馈电结构下层金属地33、馈电结构介质层32、上层金属31三层的SIW过渡结构金属化通孔34排布成SIW过渡结构,贯穿馈电介质的金属化通孔321和顶层圆形槽311和底层圆形槽331三者都位于SIW过渡结构内部,同轴探针插入贯穿馈电介质的金属化通孔321中,同轴探针突出馈电结构介质层32的部分由金属腔体35盖住;在SIW过渡结构和馈线结构的相交处,上层金属31的中轴线上开渐变形槽312,渐变形槽312沿从馈电结构3到馈线结构1的方向逐渐变宽,以与馈线结构1实现阻抗匹配;在上层金属31截止处,横向排列多个贯穿馈电结构介质层和馈电结构下层金属地的金属化通孔36以抑制能量泄露。
馈线结构的中轴线和馈电结构的中轴线重合。
本实施例提供一种基于SIIG的圆极化漏波天线,其结构如图1所示,包括馈线结构1,辐射结构2及馈电结构3。本实施实例中天线阵列长度为84mm,工作在Ku波段,中心频率13.6GHz,电长度为3.9λ0,波束指向为90°,辐射圆极化波。
本实施例中,天线的馈线结构的顶视和侧视图分别如图2、图3所示,介质基板的相对介电常数为10.9,厚度为2.54mm,金属厚度为0.5盎司。中心传输带宽度为6mm,两侧打孔区域各有5排非金属化孔形成的空气孔区域,孔直径为1.8mm,周期为2mm,每个非金属化孔和其右侧相邻的上下两个非金属化孔成正三角形排布。
辐射结构2包含11个单元,单元间距为8.4mm,水平极化辐射结构21的每个金属条宽为1mm,长为5.4mm,两个金属条在传输带中轴线113上的间距d为4mm,每个金属条的倾斜角度为16°。
垂直极化辐射单元22成V形的金属条偏离传输带中轴线0.6mm,成V形的金属条长度l为2.8mm,金属条宽度为0.5mm,深度h为0.65mm。
实施例2
如图8,本实施例和实施例1的区别在于:每个辐射单元的水平极化辐射结构中的两个单根金属条变为两个平行的金属条。
实施例3
如图9所示,本实施例和实施例1的区别在于:在与馈线电磁波传播方向垂直的方向上,多个辐射部分并列排放,将原有的一维线阵扩展为二维面阵,进而进行二维赋形;所组成二维面阵的馈线结构共用馈线介质层11以及馈线下层金属地12。
以上所述,上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:包括馈线结构(1),辐射结构(2)及馈电结构(3),
所述天线的馈线结构(1)从下往上依次为馈线下层金属地(12),馈线介质层(11),其中馈线介质层(11)沿中轴线左右对称设置两个空气孔区(112),两个空气孔区域(112)之间为中心传输带(111);
辐射结构(2)包含多个辐射单元,辐射单元包括激励水平极化波结构(21)以及激励垂直极化波结构(22),二者的相对位置使激励的两个线极化波存在π/2的相位差,激励水平极化波结构(21)包括两个倾斜角度相同、倾斜方向相反的金属条,所述两个金属条的中点在传输带中轴线(113)上,所述两个金属条在传输带中轴线(113)上的间距d为二分之一个波导波长;激励垂直极化波结构(22)为成V形的金属条,其位于激励水平极化波结构(21)的两个金属条中间并偏离传输带中轴线(113),馈线结构(1)与辐射结构(2)构成天线的辐射部分;
所述馈电结构(3)从下往上依次包含馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31),馈电结构下层金属地(33)上开底层圆形槽(331),馈电结构介质层(32)上与底层圆形槽(331)的位置对应处有贯穿馈电介质的金属化通孔(321),上层金属(31)上与底层圆形槽(331)的位置对应处开顶层圆形槽(311),贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者圆心重合,贯穿馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31)三层的SIW过渡结构金属化通孔(34)排布成SIW过渡结构,贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者都位于SIW过渡结构内部,同轴探针插入贯穿馈电介质的金属化通孔(321)中,同轴探针突出馈电结构介质层(32)的部分由金属腔体(35)盖住;在SIW过渡结构和馈线结构的相交处,上层金属(31)的中轴线上开渐变形槽(312),渐变形槽(312)沿从馈电结构(3)到馈线结构(1)的方向逐渐变宽,以与馈线结构(1)实现阻抗匹配;在上层金属(31)截止处,横向排列多个贯穿馈电结构介质层和馈电结构下层金属地的金属化通孔(36),馈线结构的中轴线和馈电结构的中轴线重合。
2.根据权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:在与馈线电磁波传播方向垂直的方向上,多个辐射部分并列排放,将原有的一维线阵扩展为二维面阵,进而进行二维赋形;所组成二维面阵的馈线结构共用馈线介质层(11)以及馈线下层金属地(12)。
3.根据权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:中心传输带宽度为6mm,两侧打孔区域各有5排非金属化孔形成的空气孔区域,非金属化孔直径为1.8mm,周期为2mm,每个非金属化孔和其右侧相邻的上下两个非金属化孔成正三角形排布。
4.根据权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:辐射结构(2)包含11个单元,单元间距为8.4mm;水平极化辐射结构(21)的每个金属条宽为1mm,长为5.4mm,两个金属条在传输带中轴线(113)上的间距d为4mm,每个金属条的倾斜角度为16°。
5.根据权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:垂直极化辐射单元(22)成V形的金属条偏离传输带中轴线0.6mm,成V形的金属条长度l为2.8mm,宽度为0.5mm,深度h为0.65mm。
6.根据权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的圆极化漏波天线,其特征在于:每个辐射单元包括两个平行的金属条。
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