CN110052682A - 一种dd6单晶和gh5188合金真空钎焊方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,包括以下步骤:1)准备阶段:对待焊件表面进行清理;2)装配阶段:用针管将膏状的Ni82CrSiB钎料置于DD6单晶与GH5188合金之间;3)钎焊连接阶段:将装配好的试样置于真空度大于10‑2Pa的钎焊设备中;4)焊后解剖阶段:将试件用线切割解剖,镶样,在金相显微镜下测量钎料铺展长度。本发明所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,工艺简单合理,采用真空炉中钎焊方法,钎焊过程无须添加钎剂及其他保护措施,高真空环境配合合理的工艺参数设定,使得整个构件无变形,无微观裂纹、气孔和夹杂等缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及钎焊技术领域,尤其是涉及一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法。
背景技术
DD6单晶是镍基单晶高温合金,具有高温强度高,综合性能好,组织稳定等优点,GH5188合金是钴基高温合金,具有良好的高温性能。由于DD6单晶中含有较高含量的Al(5.2%~6.2%),导致DD6单晶钎焊性较差。针对Al含量较高的DD6单晶合金,常见的方法是通过焊前表面预处理,即表面镀镍,厚度20μm~50μm,这种方法成本高,周期长,效率低。
发明内容
有鉴于此,本发明旨在公开一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,以实现DD6单晶与GH5188合金的较好连接。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,包括以下步骤:
1)准备阶段:对待焊件表面进行清理,除去表面的杂质、油污以及氧化膜,利用金相砂纸进行研磨光滑,研磨后将待焊试样置于丙酮中,采用超声波清洗,并进行烘干处理;
2)装配阶段:用针管将膏状的Ni82CrSiB钎料置于DD6单晶与GH5188合金之间,控制一定的钎焊间隙,其中,DD6单晶在上,GH5188合金在下,以搭接的方式放入真空炉;
3)钎焊连接阶段:将装配好的试样置于真空度大于10-2Pa的钎焊设备中,将温度分别置于1035℃、1050℃、1080℃,进行真空钎焊,以10℃的速率升温至800℃,保温15min~25min,再以8℃的速率升温至钎焊温度,保温15min~20min,最后随炉冷却至室温,完成焊接;
4)焊后解剖阶段:将试件用线切割解剖,镶样,在金相显微镜下测量钎料铺展长度。
进一步的,所述步骤2)中的钎焊间隙为0.05mm。
进一步的,所述步骤2)中DD6单晶和GH5188合金的搭接宽为度5mm。
相对于现有技术,本发明所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法具有以下优势:
本发明所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,工艺简单合理,采用真空炉中钎焊方法,钎焊过程无须添加钎剂及其他保护措施,高真空环境配合合理的工艺参数设定,使得整个构件无变形,无微观裂纹、气孔和夹杂等缺陷,有助于获得力学性能良好的钎焊接,以达到成本低,效率高的效果。
具体实施方式
下面将结合实施例来详细说明本发明。
实施例1
一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,包括以下步骤:
1)准备阶段:对待焊件表面进行清理,除去表面的杂质、油污以及氧化膜,利用金相砂纸进行研磨光滑,研磨后将待焊试样置于丙酮中,采用超声波清洗,并进行烘干处理;
2)装配阶段:用针管将膏状的Ni82CrSiB钎料置于DD6单晶与GH5188合金之间,控制钎焊间隙为0.05mm,其中,DD6单晶在上,GH5188合金在下,以搭接的方式放入真空炉,DD6单晶和GH5188合金的搭接宽为度5mm;
3)钎焊连接阶段:将装配好的试样置于真空度大于10-2Pa的钎焊设备中,将温度分别置于1035℃、1050℃、1080℃,进行真空钎焊,以10℃的速率升温至800℃,保温15min~25min,再以8℃的速率升温至钎焊温度,保温15min~20min,最后随炉冷却至室温,完成焊接;
4)焊后解剖阶段:将试件用线切割解剖,镶样,在金相显微镜下测量钎料铺展长度。
本发明所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,工艺简单合理,采用真空炉中钎焊方法,钎焊过程无须添加钎剂及其他保护措施,高真空环境配合合理的工艺参数设定,使得整个构件无变形,无微观裂纹、气孔和夹杂等缺陷,有助于获得力学性能良好的钎焊接,以达到成本低,效率高的效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)准备阶段:对待焊件表面进行清理,除去表面的杂质、油污以及氧化膜,利用金相砂纸进行研磨光滑,研磨后将待焊试样置于丙酮中,采用超声波清洗,并进行烘干处理;
2)装配阶段:用针管将膏状的Ni82CrSiB钎料置于DD6单晶与GH5188合金之间,控制一定的钎焊间隙,其中,DD6单晶在上,GH5188合金在下,以搭接的方式放入真空炉;
3)钎焊连接阶段:将装配好的试样置于真空度大于10-2Pa的钎焊设备中,将温度分别置于1035℃、1050℃、1080℃,进行真空钎焊,以10℃的速率升温至800℃,保温15min~25min,再以8℃的速率升温至钎焊温度,保温15min~20min,最后随炉冷却至室温,完成焊接;
4)焊后解剖阶段:将试件用线切割解剖,镶样,在金相显微镜下测量钎料铺展长度。
2.根据权利要求1所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,其特征在于:所述步骤2)中的钎焊间隙为0.05mm。
3.根据权利要求1所述的一种DD6单晶和GH5188合金真空钎焊方法,其特征在于:所述步骤2)中DD6单晶和GH5188合金的搭接宽为度5mm。
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