CN110044940A - 一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置 - Google Patents

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马占文
姚泽恩
张宇
黄智武
王俊润
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material

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Abstract

本发明公开了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，中子发生器包括氘离子源、引出电极和氘靶；3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，γ射线探头与氘靶之间放置样品，第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与数据处理系统电性连接。本发明采用氘靶，氘氘反应产生快中子和伴随3He粒子，通过伴随3He粒子成像可获得被检测样品的元素成分和分布信息，且氘靶无放射性，制备简单，便于运输，价格低廉，大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。

Description

一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置
技术领域
本发明属于中子照相技术领域，尤其涉及一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置。
背景技术
在氘氚核反应T(d，n)4He中，产生一个快中子的同时还会产生一个伴随4He粒子，4He粒子和中子方向相反，因此可以通过测量4He粒子的出射方向得到出射中子的出射方向，该方法可以降低透射成像时散射中子的干扰，进而提高成像的质量，基于这一原理发展出了氘氚反应伴随粒子成像方法。这一技术在检测爆炸物和毒品方面有着独特的优势，因此，氘氚反应伴随粒子成像技术在港口、机场等的安检中有着重要作用。
对于传统的氘氚伴随粒子成像方法而言，所使用的氘氚中子发生器至关重要，然而，氘氚中子发生器中靶材料是具有放射性的氚，氚靶因具有放射性而属于被管制核材料，故其价格昂贵且获取途径复杂，不利于该技术的推广应用。此外，氚靶的购买保存以及运输流程严格且复杂，影响了氘氚伴随粒子成像设备的维护和使用。
综上所述，现有技术存在的问题是：氘氚中子伴随粒子成像设备由于需要采用放射性的氚靶作为靶材料，氚靶的放射性特征导致氘氚反应伴随粒子成像设备难以在实际中推广应用，导致运行维护成本高。
发明内容
针对上述背景技术中存在的不足，本发明提供了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置。
本发明是这样实现的，一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，所述中子发生器包括氘离子源、位于发生器外壳内的引出电极和氘靶；中子发生器的一侧设置3He粒子位置探测器，中子发生器的另一侧外部设置γ能谱探测器；所述3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，所述探测头与第一数据获取处理系统电性连接，所述探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；所述γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，所述γ射线探头与第二数据获取处理系统电性连接，所述γ射线探头与氘靶之间放置样品，所述第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与所述数据处理系统电性连接。
优选地，所述氘靶为自注入靶或者预注入靶。
优选地，所述3He粒子位置探测器为硅二极管探测器。
优选地，所述γ能谱探测器为高纯锗探测器、BGO探测器、NaI探测器中的一种。
相比于现有技术的缺点和不足，本发明具有以下有益效果：
1.本发明的靶材料采用氘靶，氘离子与氘靶发生作用产生一个2.5MeV快中子的同时产生一个伴随3He粒子，通过伴随3He粒子成像可以获取被检测样品元素成分的同时知道元素的分布信息。
2.本发明可以利用氘氘中子反应实现伴随粒子成像，与氚靶相比，所用氘靶不但制备简单，运输方便，价格低廉，而且其不具有放射性，操作维护简单，易于获取，大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置的结构示意图。
图2是本发明实施例提供的数据处理系统的工作流程图。
图中：1-中子发生器；1-1-氘离子源；1-2-氘离子束；1-3-引出电极；1-4-粒子透射窗；1-5-外壳；1-6-氘靶；2-3He粒子位置探测器；2-1-探测头；2-2-第一数据获取处理系统；3-γ能谱探测器；3-1-γ射线探头；3-2-第二数据获取处理系统；4-数据处理系统。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器1、3He粒子位置探测器2、γ能谱探测器3和数据处理系统4，中子发生器1包括氘离子源1-1、位于发生器外壳1-5内的引出电极1-3和氘靶1-6，氘靶1-6可以是自注入靶，也可以是预注入靶。中子发生器1的一侧设置3He粒子位置探测器2，中子发生器1的另一侧外部设置γ能谱探测器3。3He粒子位置探测器2可采用硅二极管探测器，3He粒子位置探测器2包括探测头2-1和第一数据获取处理系统2-2，探测头2-1与第一数据获取处理系统2-2电性连接，探测头2-1设置于发生器外壳1-5中，探测头2-1与氘靶1-6之间设置有粒子透射窗1-4。γ能谱探测器3可采用高纯锗探测器、BGO探测器或者NaI探测器，γ能谱探测器3包括γ射线探头3-1和第二数据获取处理系统3-2，γ射线探头3-1与第二数据获取处理系统3-2电性连接，γ射线探头3-1与氘靶1-6之间放置样品，第一数据获取处理系统2-2和第二数据获取处理系统3-2均与数据处理系统4电性连接。
本发明的工作原理如下：当中子发生器1运行时，引出电极1-3从氘离子源1-1引出氘离子束1-2，氘离子束1-2轰击氘靶1-6发生氘氘聚变核反应D(d，n)3He，释放出一个能量约为2.5MeV的快中子和一个能量约为0.82MeV的3He粒子，根据动量守恒定律，快中子和3He粒子将会相背的从氘靶1-6射出。其中，3He粒子从粒子透射窗1-4出射到达3He粒子位置探测器2的探测头2-1被探测，第一数据获取处理系统2-2获取到3He粒子到达3He粒子位置探测器2的位置信息和时间信息后输出信号到数据处理系统4。与此同时，快中子将会从中子发生器1出射到达样品并与样品发生核反应释放γ射线，γ射线被γ能谱探测器3的γ射线探头3-1所探测，探测到的γ射线的能量和探测时间经过第二数据获取处理系统3-2处理后输出到数据处理系统4中，数据处理系统4的工作流程如图2所示，数据处理系统4首先判断获得的3He粒子位置探测器的信号与γ能谱探测器3的信号是否同时发生，若否，则该信号为干扰信号，属无效事件，若是，则该信号为有效信号，进行下一步处理，根据γ能谱探测器3的有效信号对射线能谱进行反演得到样品中与中子发生反应的元素类型，根据3He粒子位置探测器获得的3He粒子的位置信息，计算出出射中子的发生方向，然后根据样品的布局得到中子到达样品的位置坐标(x，y)，最后通过元素类型和位置坐标(x，y)得到被检测样品(x，y)处的成分和组成元素。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，其特征在于，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，所述中子发生器包括氘离子源、位于发生器外壳内的引出电极和氘靶；中子发生器的一侧设置3He粒子位置探测器，中子发生器的另一侧外部设置γ能谱探测器；所述3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，所述探测头与第一数据获取处理系统电性连接，所述探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；所述γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，所述γ射线探头与第二数据获取处理系统电性连接，所述γ射线探头与氘靶之间放置样品，所述第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与所述数据处理系统电性连接。
2.如权利要求1所述的氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，其特征在于，所述氘靶为自注入靶或者预注入靶。
3.如权利要求1或2所述的氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，其特征在于，所述3He粒子位置探测器为硅二极管探测器。
4.如权利要求1或2所述的氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，其特征在于，所述γ能谱探测器为高纯锗探测器、BGO探测器、NaI探测器中的一种。
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