CN109980021A - 一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括n型硅衬底，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层、氧化钼空穴选择层、第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，n型硅衬底底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层、n型重掺非晶硅层、第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层，第一电极层包括若干截面为倒三角形的金属栅线，第三电极层包括若干截面为三角形的金属栅线，第二电极层和第四电极层均包括若干截面为矩形的金属栅线，本发明具有结构简单、制造难度低、电池效率和短路电流都比较高的优点。

Description

一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的是涉及一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池。
背景技术
随着传统化石能源的储量日益减少，环境污染问题的加剧，新能源代替传统能源必将成为一种趋势，在新能源领域中太阳能有着清洁无污染、资源总量比较丰富、使用比较便捷、安全系数比较高等优点，成为世界各国重点关注和重点扶持发展的新兴战略产业。太阳能电池是利用光生伏特效应直接将太阳能转化为电能的新能源器件，在众多太阳能电池中，异质结太阳能电池是目前最具有高效产业化的硅基太阳能电池。这几年随着光伏技术的创新发展，基于提高效率和降低成本的问题，涌现出了一些新结构的高效晶硅太阳能电池，异质结双面太阳能电池成了比较热门的研究方向，吸引了许多研究机构和高校的研究兴趣，在渔光互补项目的应用前景非常广阔。
在常规的扩散发射极晶硅太阳能电池中，为了增加光通量，采用的方法是制备出均匀的金字塔陷光结构，从而降低晶硅电池表面的反射率，晶硅太阳能电池表面织构化制备出均匀的陷光结构，间接地增加了光通量，对太阳光的充分利用，但是制造难度比较高，且制造成本也比较昂贵，异质结双面太阳能电池的陷光结构设计不太完善，电池效率和短路电流都比较低，对太阳光利用不太充分。
故如何解决上述技术问题，对于本领域技术人员来说很有现实意义。
发明内容
本发明的目的在于：为了解决现有异质结双面太阳能电池的陷光结构采用金字塔式结构，制造难度比较高，且制造成本也比较昂贵，陷光结构设计不太完善，电池效率和短路电流都比较低，对太阳光利用不太充分的技术问题，本发明提供一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池。
本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层、氧化钼空穴选择层、第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，n型硅衬底底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层、n型重掺非晶硅层、第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层，第一电极层包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层和第四电极层均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。
进一步地，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层均包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。
进一步地，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层的厚度均为50～200nm。
进一步地，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层均包括掺锡氧化铟。
进一步地，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层的厚度均为50～100nm。
进一步地，金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um。
进一步地，所有金属栅线A和金属栅线B的材质均为铜、铜合金、银、银合金中的任一种。
进一步地，n型硅衬底的厚度为60～200um，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均为5～10nm，氧化钼空穴选择层的厚度为50～200nm，n型重掺非晶硅层的厚度为10～200nm。
本发明的有益效果如下：
1、本发明中的空穴选择层采用过渡金属氧化钼，氧化钼是宽带隙半导体，是异质结双面太阳电池的窗口层材料，可增加光通量有利于激发出更多的少数载流子空穴，电池正面采用第一透明导电氧化物层叠加具有若干截面为倒三角形的金属栅线A的第一电极层，再叠加第二透明导电氧化物层和具有若干截面为矩形的金属栅线B的第二电极层，从而形成叠层陷光结构，取代了传统的金字塔式陷光结构，制造难度低，且制造成本也低，该结构有利于载流子的收集，太阳光照射时，利用中间截面为倒三角形的电极的多次反射增加了光的利用率，该叠层陷光结构降低了界面的入射光的反射，提升了异质结双面太阳电池的电池效率和短路电流密度，同理，电池背面也采用对称的叠层陷光结构，即采用第三透明导电氧化物层叠加具有若干截面为三角形的金属栅线A的第三电极层，再叠加第四透明导电氧化物层和具有若干截面为矩形的金属栅线B的第四电极层，由于异质结双面太阳电池的对称性，电池正面的叠层陷光结构也同样适用于电池背面的叠层陷光结构制备，设备利用率高，从而提高了对太阳光的利用率，同时增加了异质结太阳电池的双面率和发电量，具有很大的市场应用价值。
2、第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层均包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺鸽氧化铟中的任一种，在可见光的短波段，光谱响应加强，内量子效率增加，制备叠层陷光更加有优势，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层的厚度均为50～200nm，设计合理。第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层均包括掺锡氧化铟，掺锡氧化铟能与氧化钼空穴选择层、金属栅线A及金属栅线B形成更好的欧姆接触，降低接触电阻，且掺锡氧化铟和氧化钼空穴选择层都属于宽带隙材料，导带与价带的势垒比较小，有利于载流子的传输，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层的厚度均为50～100nm，设计合理。
3、金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um，合理设计金属栅线A和金属栅线B的尺寸规格，保证光的多次反射从而增加光的利用率。
附图说明
图1是本发明一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池的结构示意图；
图2是实施例2的结构示意图；
图3是实施例3的结构示意图。
附图标记：1-n型硅衬底，2-第一本征非晶硅层，3-氧化钼空穴选择层，4-第一透明导电氧化物层，5-第一电极层，6-第二透明导电氧化物层，7-第二电极层，8-第二本征非晶硅层，9-n型重掺非晶硅层，10-第三透明导电氧化物层，11-第三电极层，12-第四透明导电氧化物层，13-第四电极层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
如图1所示，本实施例提供一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底1，n型硅衬底1顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层2、氧化钼空穴选择层3、第一透明导电氧化物层4、第一电极层5、第二透明导电氧化物层6和第二电极层7，n型硅衬底1底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层8、n型重掺非晶硅层9、第三透明导电氧化物层10、第三电极层11、第四透明导电氧化物层12和第四电极层13，第一电极层5包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层11包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层7和第四电极层13均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。
本实施例中，本发明中的空穴选择层采用过渡金属氧化钼，氧化钼是宽带隙半导体，是异质结双面太阳电池的窗口层材料，可增加光通量有利于激发出更多的少数载流子空穴，电池正面采用第一透明导电氧化物层叠加具有若干截面为倒三角形的金属栅线A的第一电极层，再叠加第二透明导电氧化物层和具有若干截面为矩形的金属栅线B的第二电极层，从而形成叠层陷光结构，取代了传统的金字塔式陷光结构，制造难度低，且制造成本也低，该结构有利于载流子的收集，太阳光照射时，利用中间截面为倒三角形的电极的多次反射增加了光的利用率，该叠层陷光结构降低了界面的入射光的反射，提升了异质结双面太阳电池的电池效率和短路电流密度，同理，电池背面也采用对称的叠层陷光结构，即采用第三透明导电氧化物层叠加具有若干截面为三角形的金属栅线A的第三电极层，再叠加第四透明导电氧化物层和具有若干截面为矩形的金属栅线B的第四电极层，由于异质结双面太阳电池的对称性，电池正面的叠层陷光结构也同样适用于电池背面的叠层陷光结构制备，设备利用率高，从而提高了对太阳光的利用率，同时增加了异质结太阳电池的双面率和发电量，具有很大的市场应用价值。
实施例2
如图2所示，本实施例是实施例1的另一种实施例，包括n型硅衬底1，n型硅衬底1顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层2、氧化钼空穴选择层3、第一透明导电氧化物层4、第一电极层5、第二透明导电氧化物层6、第二电极层7、第二透明导电氧化物层6和第二电极层7，n型硅衬底1底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层8、n型重掺非晶硅层9、第三透明导电氧化物层10、第三电极层11、第四透明导电氧化物层12、第四电极层13，第一电极层5包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层11包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层7和第四电极层13均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。
本实施例中，在实施例1的基础上在电池正面增加了第二透明导电氧化物层和第二电极层，加强了叠层陷光结构，光的反射次数增多，从而进一步提高了对太阳光的利用率，增加了电池的发电量，但相对实施例1中的电池制造成本较高。
实施例3
如图3所示，本实施例是实施例1的另一种实施例，包括n型硅衬底1，n型硅衬底1顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层2、氧化钼空穴选择层3、第一透明导电氧化物层4、第一电极层5、第二透明导电氧化物层6和第二电极层7，n型硅衬底1底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层8、n型重掺非晶硅层9、第三透明导电氧化物层10和第四电极层13，第一电极层5包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层11包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层7和第四电极层13均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。
本实施例中，在实施例1的基础上在电池背面去掉了第三电极层和第四透明导电氧化物层，制得的电池主要为单面照射的电池，制造成本相对较低。
实施例4
如图1到2所示，本实施例是在实施例1或2的基础上做了进一步优化，具体是，第二透明导电氧化物层6和第四透明导电氧化物层12均包括掺钼氧化铟(IMO)、掺钛氧化铟(ITiO)、掺钨氧化铟(IW0)中的任一种，第二透明导电氧化物层6和第四透明导电氧化物层12的厚度均为50～200nm，第一透明导电氧化物层4和第三透明导电氧化物层10均包括掺锡氧化铟(ITO)，第一透明导电氧化物层4和第三透明导电氧化物层10的厚度均为50～100nm。
本实施例中，掺钼氧化铟(IM0)、掺钛氧化铟(ITiO)、掺钨氧化铟(IWO)在可见光的短波段，光谱响应加强，内量子效率增加，制备叠层陷光更加有优势，第二透明导电氧化物层和第四透明导电氧化物层的厚度均为50～200nm，设计合理。第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层均包括掺锡氧化铟(ITO)，掺锡氧化铟(ITO)能与氧化钼空穴选择层、金属栅线A及金属栅线B形成更好的欧姆接触，降低接触电阻，且掺锡氧化铟(ITO)和氧化钼空穴选择层都属于宽带隙材料，导带与价带的势垒比较小，有利于载流子的传输，第一透明导电氧化物层和第三透明导电氧化物层的厚度均为50～100nm，设计合理。
实施例5
如图1到3所示，本实施例是在实施例1或2或3的基础上做了进一步优化，具体是，金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um，合理设计金属栅线A和金属栅线B的尺寸规格，保证光的多次反射从而增加光的利用率，所有金属栅线A和金属栅线B的材质均为铜、铜合金、银、银合金中的任一种，可选择材料较多。
实施例6
如图1到3所示，本实施例是在实施例1或2或3的基础上做了进一步优化，具体是，n型硅衬底1的厚度为60～200um，第一本征非晶硅层2和第二本征非晶硅层8的厚度均为5～10nm，氧化钼空穴选择层3的厚度为50～200nm，n型重掺非晶硅层9的厚度为10～200nm。
实施例1中的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池的制备步骤如下：
S1：选用一块掺杂浓度为1016～1021/cm3的n型硅衬底，对n型硅衬底进行清洗，并在上表面和下表面制作绒面结构，n型硅衬底可为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底；
S2：在n型硅衬底上表面制备第一本征非晶硅层，n型硅衬底下表面制备第二本征非晶硅层，制备时使用热丝化学气相沉积(HWCVD)，使用的气体为硅烷；
S3：在第一本征非晶硅层上表面沉积氧化钼空穴选择层，选用磁控溅射的高纯钼靶材制备，纯度规格99.9％，磁控溅射的气体为氧气，然后在第二本征非晶硅层下表面沉积n型重掺非晶硅层，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备，n型重掺非晶硅层的掺杂浓度为1018～1021/cm3；
S4：在氧化钼空穴选择层上表面依次制备第一透明导电氧化物层、第一电极层、第二透明导电氧化物层和第二电极层，在n型重掺非晶硅层下表面依次制备第三透明导电氧化物层、第三电极层、第四透明导电氧化物层和第四电极层。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，本发明的专利保护范围以权利要求书为准，凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，包括n型硅衬底(1)，其特征在于，n型硅衬底(1)顶部从下到上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、氧化钼空穴选择层(3)、第一透明导电氧化物层(4)、第一电极层(5)、第二透明导电氧化物层(6)和第二电极层(7)，n型硅衬底(1)底部从上到下依次设置有第二本征非晶硅层(8)、n型重掺非晶硅层(9)、第三透明导电氧化物层(10)、第三电极层(11)、第四透明导电氧化物层(12)和第四电极层(13)，第一电极层(5)包括若干截面为倒三角形的间隔布置的金属栅线A，第三电极层(11)包括若干截面为三角形的间隔布置的金属栅线A，第二电极层(7)和第四电极层(13)均包括若干截面为矩形的间隔布置的金属栅线B，金属栅线B与金属栅线A的位置一一对应。
2.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第二透明导电氧化物层(6)和第四透明导电氧化物层(12)均包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。
3.根据权利要求2所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第二透明导电氧化物层(6)和第四透明导电氧化物层(12)的厚度均为50～200nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第一透明导电氧化物层(4)和第三透明导电氧化物层(10)均包括掺锡氧化铟。
5.根据权利要求4所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，第一透明导电氧化物层(4)和第三透明导电氧化物层(10)的厚度均为50～100nm。
6.根据权利要求1所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，金属栅线A的宽为50～80um，高为10～30um，金属栅线B的宽为50～80um，高为10～50um。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，所有金属栅线A和金属栅线B的材质均为铜、铜合金、银、银合金中的任一种。
8.根据权利要求7所述的一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池，其特征在于，n型硅衬底(1)的厚度为60～200um，第一本征非晶硅层(2)和第二本征非晶硅层(8)的厚度均为5～10nm，氧化钼空穴选择层(3)的厚度为50～200nm，n型重掺非晶硅层(9)的厚度为10～200nm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022127669A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 隆基绿能科技股份有限公司 叠层光伏器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103633193A (zh) * 2013-11-05 2014-03-12 上海交通大学 一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法
US20160284918A1 (en) * 2013-03-19 2016-09-29 Choshu Industry Co., Ltd. Photovoltaic element and manufacturing method therefor
US20170194525A1 (en) * 2016-01-04 2017-07-06 Win Win Precision Technology Co., Ltd. High power solar cell module
US20180366597A1 (en) * 2017-06-20 2018-12-20 Natcore Technology, Inc. Systems and methods for forming foil contact rear emitter solar cells with carrier selective contacts
CN109309138A (zh) * 2018-12-13 2019-02-05 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN209561420U (zh) * 2019-04-23 2019-10-29 通威太阳能（成都）有限公司 一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160284918A1 (en) * 2013-03-19 2016-09-29 Choshu Industry Co., Ltd. Photovoltaic element and manufacturing method therefor
CN103633193A (zh) * 2013-11-05 2014-03-12 上海交通大学 一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法
US20170194525A1 (en) * 2016-01-04 2017-07-06 Win Win Precision Technology Co., Ltd. High power solar cell module
US20180366597A1 (en) * 2017-06-20 2018-12-20 Natcore Technology, Inc. Systems and methods for forming foil contact rear emitter solar cells with carrier selective contacts
CN109309138A (zh) * 2018-12-13 2019-02-05 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN209561420U (zh) * 2019-04-23 2019-10-29 通威太阳能（成都）有限公司 一种具有叠层陷光结构的异质结双面太阳能电池

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022127669A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 隆基绿能科技股份有限公司 叠层光伏器件

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