CN109962400A - 一种光束质量转化装置 - Google Patents
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- 238000002407 reforming Methods 0.000 title claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
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Abstract
本发明公开了一种光束质量转化装置,其装置包括:半导体激光器;碟片激光器;掺镱石英光纤三部分组成。本发明利用光束质量M2<200的半导体激光器对多冲程碟片激光器进行端面泵浦,获得连续多模、高光光转换效率激光输出,M2<50。以碟片激光器输出的激光作为二级泵浦源,对掺镱石英光纤进行同带泵浦,获得具有低量子亏损(2%),高光‑光转化效率,近衍射极限(M2<2)的激光输出。本发明巧妙的利用了半导体激光器的高效性,碟片激光器的高效散热性和同带泵浦掺镱石英光纤输出的低量子亏损特性,实现了高功率,高光束质量的转化方法。
Description
技术领域
本发明涉及全固态激光器领域,具体涉及到一种光束质量转化装置领域。
背景技术
由于掺Yb3+激光介质通常受到严重的热效应的限制,高功率、高光束质量、高转化效率全固态激光器进展缓慢。如今随着同带泵浦技术的出现,基于半导体激光器和碟片激光器的同带泵浦的Yb:YAG激光器正成为获得高功率、高光束质量、高转化效率的全固态激光器的研究热点。Yb3+掺杂的Yb:YAG浓度可达20%,通过利用940nm波长的泵浦光进行泵浦,YAG:YAG晶体可以发射中心波长为1050nm和1030nm两个主要激光波长。通过利用碟片激光器的高效散热性,可将全固态激光器热量进行分担,将极小的热量带到同带泵浦的掺镱石英光纤中,从而实现具有低量子亏损(2%以内)的同带泵浦激光器,并获得高功率近衍射极限M2<2的激光输出。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光束质量转化装置,利用半导体激光器和碟片激光器作为一、二级泵浦源,同带泵浦Yb3+掺杂的光纤增益介质,其量子效率极高,光束质量接近衍射极限的激光输出,而且能很好的解决热效应问题,同时输出激光为光纤输出单模激光。
一种光束质量转化装置,包括半导体激光器,碟片激光器,掺镱石英光纤组成;
半导体激光器作为一级泵浦源的泵浦激光进入碟片激光器对碟片激光器进行泵浦,获得具有高光-光(70%以上)转化效率的多模激光输出;利用碟片激光器输出的激光,作为二级泵浦源对掺镱石英光纤进行同带泵浦(量子亏损<2%),经掺镱石英光纤后输出,实现了高光束质量(M2<2)的转化装置。
所述的半导体激光器,采用中心波长为940nm、969nm砷化镓激光器作为一级泵浦源。
所述的碟片激光器,采用24、32、48冲程碟片激光器作为二级泵浦源。增益介质为Yb:YAG;碟片激光器输出激光器为多模激光,其输出波长为1030nm、1050nm;
所述的掺镱石英光纤,其增益介质为Yb3+,掺杂的基质为二氧化硅,经过二级泵浦后的激光器的输出波长为1080nm;光纤增益介质Yb3+掺杂摩尔浓度15-20%。
所述的第一级半导体泵浦源光束质量M2<200,二级泵浦碟片激光器光束质量M2<50,最后获得的掺镱石英光纤可获得光束质量M2<2的高光束质量的激光输出。
本发明提供的一种光束质量转化装置及方法,该装置采用模块化设计,结构简单,易于维护。
本发明巧妙的利用了半导体激光器的高效性,碟片激光器的高效散热性和同带泵浦掺镱石英光纤输出的低量子亏损特性,实现了高功率,高光束质量的转化方法。
附图说明
图1为实施例1的一种光束质量转化装置
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白,以下结合具体实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。该具体实施例以一种光束质量转化装置进行解释说明。
如图1所示,一种光束质量转化装置,包括半导体激光器1,碟片激光器3,掺镱石英光纤5组成。其特征在于:半导体激光器1作为一级泵浦源对碟片激光器3进行泵浦2,获得具有高光-光(70%)转化效率的多模激光输出;利用碟片激光器3输出的激光,作为二级泵浦源对掺镱石英光纤进行同带泵浦4(量子亏损<2%),实现了高光束质量(M2<2)的转化装置。
所述的半导体激光器1采用中心波长为940nm、969nm砷化镓激光器作为一级泵浦源,其阵列或者为单管形式。
所述的碟片激光器3采用24、32、48冲程碟片激光器3作为二级泵浦源。增益介质为Yb:YAG;碟片激光器3输出激光器为多模激光,其输出波长为1030nm、1050nm;
所述的碟片激光器3主要包括:反射棱镜和非球面反射聚焦镜,其中反射棱镜用来转折泵浦光,实现多冲程泵浦碟片晶体的目的。非球面反射聚焦镜是利用平行光如何到其反射面后聚焦于焦点位置的特性的反射元件。
所述的掺镱石英光纤5增益介质为Yb3+,掺杂的基质为二氧化硅,经过二级泵浦后的激光器的输出波长为1080nm;光纤增益介质Yb3+掺杂摩尔浓度15-20%,该同带泵浦范围可获得极高的光-光转化效率,理论光-光转化效率可达98%,该系统光-光转化效率可达70%以上,是实现光束质量转化的重要环节。由于其具有的高量子效率98%,仅为2%的量子亏损,其可输出超高功率激光器,同时仅会产生极少的热量。通过利用微通道冷却技术即可将该热量散失掉。
所述的一种光束质量转化装置及方法,第一级半导体泵浦源1光束质量M2<200,二级泵浦碟片激光器3光束质量M2<50,最后同带泵浦4获得的掺镱石英光纤5可获得光束质量M2<2的高光束质量的激光输出。
所述装置中,1030nm同带泵浦碟片激光器3作为1050nm掺镱石英光纤5的同带泵浦源,通过光纤波分复用器耦合进入掺镱石英光纤5,基态能级吸收1030nm泵浦从能级2F7/2跃迁至高能级2F5/2,从激发态2F5/2跃迁至2F7/2,这种准三能级结构中会产生1050nm的光子。1050nm激光的产生是通过使用长度很短的高掺杂的掺镱光纤和窄带光纤布拉格光栅实现的,由于激光纵模间距与激光腔腔长相关,减少激光腔腔长可以增大激光纵模间距,利于单纵模的选取,而窄带光纤布拉格光栅可以进一步限制输出激光的波长范围,最终获得窄线宽1050nm单频激光输出。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种光束质量转化装置,其特征在于:包括半导体激光器(1),碟片激光器(3),掺镱石英光纤(5)组成;
半导体激光器作为一级泵浦源的泵浦激光进入碟片激光器对碟片激光器进行泵浦(2);利用碟片激光器(3)输出的激光,作为二级泵浦源对掺镱石英光纤(5)进行同带泵浦(4),经掺镱石英光纤(5)后输出,实现了高光束质量的转化装置。
2.根据权利要求1所述的一种光束质量转化装置,其特征在于:半导体激光器(1)采用中心波长为940nm和/或969nm砷化镓激光器作为一级泵浦源。
3.根据权利要求1所述的一种光束质量转化装置,其特征在于:碟片激光器(3)采用24、32或48冲程碟片激光器(3)作为二级泵浦源;增益介质为Yb:YAG;碟片激光器(3)输出激光器为多模激光,其输出中心波长为1030nm、1050nm。
4.根据权利要求1所述的一种光束质量转化装置,其特征在于:掺镱石英光纤(5)增益介质为Yb3+,掺杂的基质为二氧化硅,经过二级泵浦后的激光器的输出波长为1080nm;光纤采用高Yb3+掺杂摩尔浓度15-20%。
5.根据权利要求1所述的一种光束质量转化装置,其特征在于:第一级半导体泵浦源(1)光束质量M2<200,二级泵浦碟片激光器(3)光束质量M2<50,最后获得的掺镱石英光纤(5)可获得光束质量M2<2的高光束质量的激光输出。
6.一种利用权利要求1-5任一所述光束质量转化装置进行光束质量转化的方法,其特征在于:以半导体激光器作为一级泵浦对碟片激光器进行泵浦(2),获得具有高光-光(70%以上)转化效率的多模激光输出;利用碟片激光器(3)输出的激光,作为二级泵浦源对掺镱石英光纤(5)进行同带泵浦(4)(量子亏损<2%),实现高光束质量(M2<2)的转化。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711341763.2A CN109962400A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种光束质量转化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711341763.2A CN109962400A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种光束质量转化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109962400A true CN109962400A (zh) | 2019-07-02 |
Family
ID=67018291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711341763.2A Pending CN109962400A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | 一种光束质量转化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109962400A (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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