CN109832098A - 一种草坪铺植工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种草坪铺植方法，通过对种植场地进行整理、杀菌、覆沙、喷水、铺植、压实、养护等步骤，使草坪能够快速生长，迅速形成草坪景观，提高草坪覆盖度至95％以上、降低病虫害、杂草的发生率；其中多次平整场地和压实处理，增加场地的平整程度减少覆沙用量并增加草坪根系与场地的接触，一方面有利于草坪根系吸收水分和养分，另一方面有利于草坪更好地覆盖住场地以保水保土；此外草坪采用错缝铺植的方式，能够有效防止因缝隙一致造成的土壤及水分、养分流失。

Description

一种草坪铺植工艺

技术领域

本发明涉及一种绿化景观营造方法，尤其是涉及一种草坪铺植工艺。

背景技术

草坪是常见的园林绿化景观，在现代城市绿化中也起到越来越重要的作用，草坪建植的方法有籽播、喷播、植生带、铺植等，其中铺植由于其能够快速营造绿化效果，建植速度快，因此一直是草坪建植的主要手段。关于草坪铺植的工艺方法研究较多，例如中国专利申请CN105284351A公开了一种草坪铺设方法，通过土地的平整与耕翻、排水及灌溉系统、铺沙、草皮铺植等步骤，达到了促进草坪快速成型和生长的效果，但在草坪生长过程中，如何既能促进草坪快速生长又能保水保肥是该草坪铺设方法无法做到的。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种能够促进草坪快速生长又能有效保持土壤水分和肥力的草坪铺植方法。

本发明的技术方案是提供一种草坪铺植方法，步骤包括：

S1.对种植场地进行翻耕、清理、整细土壤颗粒，初次平整后对场地进行挖填方及土方造型；精细平整，将土块破碎至直径2cm以下以便保证后期草坪铺种的平整度和整体景观效果，后开挖边界沟；

S2.对整理后的种植场地用药剂杀菌、除杂草，后进行压实处理，然后覆沙，覆沙厚度为2～3cm，覆沙能够填平不平整区域，同时增加草坪的透气性有利于草坪生根；

S3.草坪铺植前20～36h对场地进行均匀喷水，渗入土壤深度为5～10cm，将草坪块错缝铺植；后进行压实处理，并浇水；

S4.后期养护，包括修剪、除草、浇水、施肥、杀菌除虫、打孔松土。

所述步骤S1中的边界沟沟宽为10～15cm，沟深15～20cm，隔离草坪与灌木以体现两者的层次感，同时能够防止草坪自由生长至灌木内，破坏整体景观效果。

所述步骤S2中的药剂为多菌灵、乙草胺、丁草胺、西玛津、氟乐灵、果尔、阿特拉津、莠去津、乙莠混剂中的一种或多种。

所述步骤S2在压实处理前还包括用改良剂改良土壤土质，所述改良剂为酸性土壤改良剂、碱性土壤改良剂、土壤营养改良剂中的一种或多种。

所述酸性土壤改良剂为石灰或者新型土壤改良剂中的一种或两种。

所述碱性土壤改良剂为石膏、过磷酸钙、硫酸亚铁或者新型土壤改良剂中的一种或多种。

所述土壤营养改良剂为营养土、有机肥、泥炭中的一种或多种，改善土壤板结并提高土壤肥力。

所述步骤S1中平整后的场地坡度为0.3～0.5％，不得有坑洼。

所述步骤S2覆沙所用沙子为泥质河沙，其成分更适合草坪生长，不含有海沙中常见的氯化物，有利于草坪后期生长和养护。

所述步骤S3中草坪块错缝铺植时草坪与灌木交界处(即边界沟沿处)用整块草坪块铺植，不仅能达到更好的景观效果，还能够更好地覆盖场地并固定场地中的水分和土壤，避免因草坪块生长不及时或者碎落而导致地面裸露。

所述步骤S3还包括草坪块错缝铺植后在草坪块间填满细土并拍实，使草坪根系能充分接触土壤迅速生长并布满铺种区域。

所述步骤S3还包括在草坪块错缝铺植后进行修边处理。

所述步骤S3压实后浇水以浇透为原则，即脚踩有明显下陷印记；在浇透水12～24h后，对草坪进行二次碾压，以人脚踩有轻微印记为宜，以达到再次增加草坪平整度的目的。

本发明的优点和有益效果：通过对种植场地进行整理、杀菌、覆沙、喷水、铺植、压实养护等步骤，使草坪能够快速生长，迅速形成草坪景观，提高草坪覆盖度至95％以上、降低病虫害、杂草的发生率；其中多次平整场地和压实处理，增加场地的平整程度减少覆沙用量并增加草坪根系与场地的接触，一方面有利于草坪根系吸收水分和养分，另一方面有利于草坪更好地覆盖住场地保水保土；此外草坪采用错缝铺植的方式，能够有效防止因缝隙一致造成的土壤及水分、养分流失。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明。

本发明提供一种草坪铺植方法，包括如下步骤：

S1.利用机械(PC60/PC120挖机)对拟种植场地进行初平，翻耕深度不宜小于30cm以保证植物根系的良好生长、疏松土质，避免板结，后清理影响草坪生长的杂物，例如砖石、混凝土、树根、杂草等，并将大粒径土块击碎，根据设计要求或结合现场实际，进行相应的挖填方及土方造型，要求坡面顺滑、饱满无积水，坡度应达到0.3％-0.5％，不得有坑洼；

S2.人工对场地进行精细平整，再次将土块破碎至直径不大于2cm，使种植区域内土块均匀，并根据草坪线放样挖出草坪与灌木的边界沟，沟宽10～15cm、沟深15-20cm，要求顺滑流畅、饱满自然；此条边界沟作用有二，一是关乎到草坪与灌木的空间感、层次感的表达，二是防止草坪自由生长至灌木内，破坏整体景观效果；

S3.完成地形整理后，及时进行打药以对土壤进行杀菌和封闭式除杂草，以防止来年大面积的霉菌及杂草危害；所用药剂可以采用多菌灵、乙草胺；

S4.采用新型土壤改良剂对土壤情况进行相应改良，此外还可以通过增施营养土、有机肥、泥炭等改善土壤板结状况并有效提高土壤肥力；

S5.使用滚筒或草坪碾压机对已完成地形整理的区域进行压实，使草坪与土壤层紧密结合无明显缝隙，以增加草坪铺种的平整度，一方面能呈现更好的景观效果，另一方面则相对节省了覆沙用量；

S6.碾压完成后进行覆沙，一方面能找平局部因人工精整及碾压工序后仍不平整饱满的区域，另一方面能增加草坪透气性，使草坪更易生根；覆沙以泥质河沙为宜，忌用海沙，厚度控制在2-3cm；

S7.草坪铺植前一天对场地进行喷水，喷水时喷头45°倾斜向上，让水滴自然降落，喷水宜均匀，渗入土壤5～10cm，以湿润土壤从而增加草坪根系与土壤的接触程度，草坪铺植时采用立桩拉线的方法以更好地控制标高，铺植时宜错缝铺植，相互挤严而不漏缝，草块间应填满细土并随时用木拍拍实，草坪与灌木接口处需用整块草坪块铺植后，再对草坪进行修边处理且边缘要修整齐；

S8.铺植完成后，使用滚筒或草坪碾压机进行压实，使草坪与面层土壤紧致无空隙，然后及时跟进浇水，浇水以浇透(脚踩有明显下陷印记)为原则；草坪浇水宜喷头45度倾斜朝上，如下雨状自然落下喷灌，忌直接将喷头冲向草坪；同时对长势不好的草坪，宜配合浇水跟进氮肥催绿，一般以尿素、复合肥为宜；根据土质，在浇完水一天之后，对草坪进行二次碾压，一般以人脚踩有轻微印记为宜，以达到再次增加草坪平整度及促进草坪根系生长的目的；

S9.后期养护中充分结合修剪、除草、浇水、施肥、杀菌除虫、打孔松土等以保持良好的景观效果。

采用上述草坪铺植方法铺植草坪，结合后期养护管理，成坪后覆盖度不低于95％，单块裸露面积不大于25cm²，杂草及病虫害的面积不大于5％。

本发明实施例涉及到的材料、试剂和实验设备，如无特别说明，均为符合绿化景观种植领域的市售产品。

以上所述，仅为本发明的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的核心技术的前提下，还可以做出改进和润饰，这些改进和润饰也应属于本发明的专利保护范围。与本发明的权利要求书相当的含义和范围内的任何改变，都应认为是包括在权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种草坪铺植方法，其特征在于，步骤包括：

S1.对种植场地进行翻耕、清理、整细土壤颗粒，初次平整后对场地进行挖填方及土方造型；再次平整，将土块破碎至直径2cm以下，后开挖边界沟；

S2.对整理后的种植场地用药剂杀菌、除杂草，后进行压实处理，然后覆沙，覆沙厚度为2～3cm；

S3.草坪铺植前20～36h对场地进行均匀喷水，将草坪块错缝铺植；后进行压实处理，并浇水。

2.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S1中的边界沟沟宽为10～15cm，沟深15～20cm。

3.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S2中的药剂为多菌灵、乙草胺、丁草胺、西玛津、氟乐灵、果尔、阿特拉津、莠去津、乙莠混剂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S2在压实处理前还包括用改良剂改良土壤土质，所述改良剂为酸性土壤改良剂、碱性土壤改良剂、土壤营养改良剂中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述酸性土壤改良剂为石灰或者新型土壤改良剂中的一种或两种。

6.根据权利要求4所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述碱性土壤改良剂为石膏、过磷酸钙、硫酸亚铁或者新型土壤改良剂中的一种或多种。

7.根据权利要求4所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述土壤营养改良剂为营养土、有机肥、泥炭中的一种或多种，改善土壤板结并提高土壤肥力。

8.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S2覆沙所用沙子为泥质河沙。

9.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S3还包括草坪块错缝铺植后在草坪块间填满细土并拍实。

10.根据权利要求1所述的草坪铺植方法，其特征在于，所述步骤S3压实后浇水，在浇水12～24h后，对草坪进行二次碾压。