CN109828242A - 一种发射机控制保护系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器，VEE欠压保护器，高功率电阻，PMOSFET开关管，功率放大器，电源管理单元，功放栅极驱动单元；本发明提供了一种多功能的发射机驱动控制和健康保护方案，实现每个组件通道的同时检测，能有效的为雷达发射机系统提供保护。相对于传统的发射机控制保护方案更灵活，集成度更高，能够满足不同的发射机控制保护需求。
Description
技术领域
本发明涉及一种发射机控制保护系统，属于集成电路设计与制造技术领域。
背景技术
随着雷达系统小型化、集成化需求的发展，对高集成度阵面的检测和健康管理变得越来越重要。现有雷达系统采用的是统一检测方法，即对整体进行性能和功能检测，尚不能对组件通道进行参数检测和详细的控制，无法满足系统运行过程中的精准检测与保护的需求。
发明内容
针对以上问题，本发明提供了一种多功能的发射机驱动控制和健康保护方案，实现每个组件通道的同时检测，能有效的为雷达发射机系统提供保护。相对于传统的发射机控制保护方案更灵活，集成度更高，能够满足不同的发射机控制保护需求。
为了解决以上问题，本发明采用了如下技术方案：一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器，VEE欠压保护器，高功率电阻R，PMOSFET开关管，功率放大器，电源管理单元，功放栅极驱动单元；
温度检测和控制单元的输出端与逻辑门输入端相连；
电流检测和控制单元的输入端与高功率电阻R的一端相连；
电流检测和控制单元的输出端与逻辑门输入端相连；
逻辑门的输入端与脉宽调制控制器的输出端相连；
逻辑门的输入端同时与VEE欠压保护器的输出端相连；
逻辑门的输出端与高压驱动器的输入端相连；
高压驱动器的输出端与PMOSFET开关管的栅极相连；
高压驱动器的输出端同时与PMOSFET开关管的漏极相连；
脉宽调制控制器的输入端与TTL输入信号端相连；
高功率电阻R的一端与电源VCC相连；
高功率电阻R的另一端与PMOSFET开关管的源极相连；
PMOSFET开关管的漏极与功率放大器的输入端相连；
功率放大器的另一端接地；
电源管理单元跟需要供电的单元相连；
功放栅极驱动单元的输出端与功率放大器的输入端相连；
温度检测和控制单元利用片上或者片外温度传感器，将温度信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过温控制信号；电流检测和控制单元利用片外高功率电阻R，将电压信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过流控制信号；逻辑门对过温、过流、脉宽调制信号、VEE欠压控制信号等进行处理，控制高压驱动器的输出，其输出控制PMOSFET开关管的栅极；当关闭PMOSFET开关管时，功率放大器无供电；脉宽调制控制器用于对输入TTL信号进行脉宽和占空比检测；VEE欠压保护器检测VEE信号，当VEE信号过低时关闭高压驱动器的信号；电源管理单元给温度检测和控制单元、电流检测和控制单元、逻辑门、高压驱动器以及脉宽调制控制器供电；功放栅极驱动单元产生的基准电压经过预放大和驱动后给功率放大器提供直流偏置。
所述温度检测和控制单元包括温度传感器、开关、电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口SPI；所述温度传感器包括片上温度传感器和片外温度传感器；片上温度传感器和片外温度传感器的输出端分别和开关的输入端相连，开关的输出和电平移位放大器的输入端相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门；寄存器通过接口SPI进行通信，温度检测和控制单元有片外和片上温度传感器检测两种模式可以选择，内置高精度电平移位放大器和模数转换器，电平移位放大器用于信号的放大和共模电平的转换，模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中；当检测的温度过高时，相对设定的温度阈值，可通过接口SPI调整，比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。
所述电流检测和控制单元包括电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口；电平移位放大器的输入端和外部高功率电阻R相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门；寄存器通过接口SPI进行通信；
电流检测和控制单元要求片外高功率电阻阻值小，电阻上压降低，在保证转换效率的同时提高系统的电流检测能力；电平移位放大器将高压域的高功率电阻R上的压降信号转换到低压域。模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中。比较器比较寄存器中的阈值和电平移位放大器的输出值，输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。过流检测阈值通过接口SPI片外可调，忽略上电过冲导致的过流影响，当检测过流时比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管，响应时间由比较器的速度和逻辑门的延迟决定。
所述电源管理单元包括低压差线性稳压器和被供电单元，被供电单元包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器；低压差线性稳压器由高压电源VCC供电，产生的系列电压供给被供电单元。
所述功放栅极驱动单元包括基准电压源、运算放大器、电阻R1和R2、栅极驱动器；功放栅极驱动单元供电由VEE提供；运算放大器的正向输入端接基准输出，负向输入端和电阻R1一端以及电阻R2一端相连；电阻R2一端同时接电阻R1一端，电阻R2另一端接地；电阻R1另一端和运算放大器的输出相连，同时和栅极驱动器的输入端相连；运算放大器的输出端和栅极驱动器的输入端相连；栅极驱动器的输出和功率放大器的输入端相连；
功放栅极驱动单元将基准电压源输入转换为可调的负压输出偏置，用以驱动功率放大器栅极，输出电压范围片外经过电阻R1和R2连续可调；例如基准电压源输出电压为Vref，则运算放大器的输出电压为Vref*(1+R1/R2)；该输出电压经过栅极驱动器驱动功率放大器栅极，栅极驱动器闭环增益为1，具有较大的电容驱动和电流输出能力。
本发明采用高压工艺单芯片集成一种发射机控制保护系统，实现每个组件通道的开关管驱动、电流检测、功放栅极驱动、温度检测、负压检测与保护、输入脉宽和占空比控制的同时检测。其中高压单元部分实现开关管的驱动输出级、电流检测的高压到低压输出的转换、高压低压差线性稳压器等。高压单元为低压单元提供：a)高压低压差线性稳压器的输出，给低压单元供电；b)电流检测高低压转化后的电压值(给低压模数转换器和比较器)。
高压单元供电电压VCC，电源管理单元产生VCC-Vref的电压给驱动输出级，作为PMOSFET的地电源；电源管理单元产生VDD的电压给低压单元，作为温度检测、电流检测低压部分的供电，也同时作为脉宽调制控制器和逻辑门的供电。要求电源管理单元产生的VCC-Vref端具有较大的电流吸纳和抗击穿能力。电流检测高低压转化后的电压要小于模数转换器的输入动态范围，为了最大化利用模数转换器的动态范围，将电流检测最大量程设置为模数转换器的对应满量程。
电流检测过阈值时为了快速关断PMOSFET，比较器可以采用模拟比较器来实现，其不依赖于时钟速率。
有益效果：本发明实现全集成的发射机控制保护和驱动方案，满足不同的发射机驱动和相应的工作状态监测需求，相对传统的PCB实现方式更具有小尺寸、低功耗、高灵活度的特点，能够为用户提供多种功能配置需求。
附图说明
图1发射机控制保护系统的电路原理框图。
具体实施方式
下面结合对本发明做进一步阐述。
如图1所示，本发明提供了一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元100，电流检测和控制单元101，逻辑门102，高压驱动器103，脉宽调制控制器104，VEE欠压保护器105，高功率电阻106，PMOSFET开关管107，功率放大器108，电源管理单元109，功放栅极驱动单元110；温度检测和控制单元100的输出端与逻辑门102输入端相连；电流检测和控制单元101的输入端与高功率电阻106的一端相连；电流检测和控制单元101的输出端与逻辑门102输入端相连；逻辑门102的输入端与脉宽调制控制器104的输出端相连；逻辑门102的输入端同时与VEE欠压保护器105的输出端相连；逻辑门102的输出端与高压驱动器103的输入端相连；高压驱动器103的输出端与PMOSFET开关管107的栅极相连；高压驱动器103的输出端同时与PMOSFET开关管107的漏极相连；脉宽调制控制器104的输入端与TTL输入信号端相连；高功率电阻106的一端与电源VCC相连；高功率电阻106的另一端与PMOSFET开关管107的源极相连；
PMOSFET开关管107的漏极与功率放大器108的输入端相连；功率放大器108的另一端接地；电源管理单元109跟需要供电的单元相连；功放栅极驱动单元110的输出端与功率放大器108的输入端相连。
所述温度检测和控制单元100包括温度传感器、开关、电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口SPI；所述温度传感器包括片上温度传感器和片外温度传感器；片上温度传感器和片外温度传感器的输出端分别和开关的输入端相连，开关的输出和电平移位放大器的输入端相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门102；寄存器通过接口SPI进行通信。温度检测和控制单元有片外和片上温度传感器，检测范围根据需求来调整，内置高精度电平移位放大器和模数转换器，电平移位放大器用于信号的放大和共模电平的转换，模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中。当检测的温度过高时，比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。
所述电流检测和控制单元101包括电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口SPI；电平移位放大器的输入端和外部高功率电阻106相连，电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门102；寄存器通过接口SPI进行通信。电流检测和控制单元要求片外高功率电阻阻值小，电阻上压降低，在保证转换效率的同时提高系统的电流检测能力。电平移位放大器将高压域的高功率电阻R上的压降信号转换到低压域。模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中。比较器比较寄存器中的阈值和电平移位放大器的输出值，输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。过流检测阈值通过接口SPI片外可调，忽略上电过冲导致的过流影响，当检测过流时比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管，响应时间由比较器的速度和逻辑门的延迟决定。
所述电源管理单元109包括低压差线性稳压器和被供电单元，被供电单元包括温度检测和控制单元100，电流检测和控制单元101，逻辑门102，高压驱动器103，脉宽调制控制器104；低压差线性稳压器由高压电源VCC供电，产生的系列电压供给被供电单元。
所述功放栅极驱动单元110包括基准电压源、运算放大器、电阻R1和R2、栅极驱动器；功放栅极驱动单元供电由VEE提供；运算放大器的正向输入端接基准输出，负向输入端和电阻R1一端以及电阻R2一端相连；电阻R2一端同时接电阻R1一端，电阻R2另一端接地；电阻R1另一端和运算放大器的输出相连，同时和栅极驱动器的输入端相连；运算放大器的输出端和栅极驱动器的输入端相连；栅极驱动器的输出和功率放大器的输入端相连。功放栅极驱动单元将基准电压源输入转换为可调的负压输出偏置，用以驱动功率放大器栅极，输出电压范围片外经过电阻R1和R2连续可调。例如基准电压源输出电压为Vref，则运算放大器的输出电压为Vref*(1+R1/R2)。该输出电压经过栅极驱动器驱动功率放大器栅极，栅极驱动器闭环增益为1，具有较大的电容驱动和电流输出能力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种发射机控制保护系统，其特征在于，包括温度检测和控制单元(100)，电流检测和控制单元(101)，逻辑门(102)，高压驱动器(103)，脉宽调制控制器(104)，VEE欠压保护器(105)，高功率电阻R(106)，PMOSFET开关管(107)，功率放大器(108)，电源管理单元(109)，功放栅极驱动单元(110)；
温度检测和控制单元(100)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；
电流检测和控制单元(101)的输入端与高功率电阻R(106)的一端相连；
电流检测和控制单元(101)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；
逻辑门(102)的输入端与脉宽调制控制器(104)的输出端相连；
逻辑门(102)的输入端同时与VEE欠压保护器(105)的输出端相连；
逻辑门(102)的输出端与高压驱动器(103)的输入端相连；
高压驱动器(103)的输出端与PMOSFET开关管(107)的栅极相连；
高压驱动器(103)的输出端同时与PMOSFET开关管(107)的漏极相连；
脉宽调制控制器(104)的输入端与TTL输入信号端相连；
高功率电阻R(106)的一端与电源VCC相连；
高功率电阻R(106)的另一端与PMOSFET开关管(107)的源极相连；
PMOSFET开关管(107)的漏极与功率放大器(108)的输入端相连；
功率放大器(108)的另一端接地；
电源管理单元(109)跟需要供电的单元相连；
功放栅极驱动单元(110)的输出端与功率放大器(108)的输入端相连；
温度检测和控制单元(100)利用片上或者片外温度传感器，将温度信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过温控制信号；电流检测和控制单元(101)利用片外高功率电阻R(106)，将电压信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过流控制信号；逻辑门(102)对过温、过流、脉宽调制信号、VEE欠压控制信号进行处理，控制高压驱动器(103)的输出，其输出控制PMOSFET开关管(107)的栅极；当关闭PMOSFET开关管(107)时，功率放大器(108)无供电；脉宽调制控制器(104)用于对输入TTL信号进行脉宽和占空比检测；VEE欠压保护器(105)检测VEE信号，当VEE信号过低时关闭高压驱动器(103)的信号；电源管理单元(109)给温度检测和控制单元(100)、电流检测和控制单元(101)、逻辑门(102)、高压驱动器(103)以及脉宽调制控制器(104)供电；功放栅极驱动单元(110)产生的基准电压经过预放大和驱动后给功率放大器(108)提供直流偏置。
2.根据权利要求1所述的一种发射机控制保护系统，其特征在于，所述温度检测和控制单元(100)包括温度传感器、开关、电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口SPI；所述温度传感器包括片上温度传感器和片外温度传感器；片上温度传感器和片外温度传感器的输出端分别和开关的输入端相连，开关的输出和电平移位放大器的输入端相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门(102)；寄存器通过接口SPI进行通信，温度检测和控制单元有片外和片上温度传感器检测两种模式可以选择，内置高精度电平移位放大器和模数转换器，电平移位放大器用于信号的放大和共模电平的转换，模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中；当检测的温度过高时，相对设定的温度阈值，可通过接口SPI调整，比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。
3.根据权利要求1所述的一种发射机控制保护系统，其特征在于，所述电流检测和控制单元(101)包括电平移位放大器、模数转换器、比较器、寄存器、接口；电平移位放大器的输入端和外部高功率电阻R(106)相连；电平移位放大器的输出端和模数转换器的输入端相连；电平移位放大器的输出端同时和比较器的输入端相连；模数转换器的输出端和寄存器的输入端相连；比较器的输入端和寄存器的输出端相连；比较器的输出端同时输出过温控制逻辑给逻辑门(102)；寄存器通过接口SPI进行通信；
电流检测和控制单元要求片外高功率电阻阻值小，电阻上压降低，在保证转换效率的同时提高系统的电流检测能力；电平移位放大器将高压域的高功率电阻R上的压降信号转换到低压域。模数转换器将放大后的模拟信号转换为数字信号，存储于寄存器中。比较器比较寄存器中的阈值和电平移位放大器的输出值，输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管。过流检测阈值通过接口SPI片外可调，忽略上电过冲导致的过流影响，当检测过流时比较器输出的逻辑电平经过逻辑门和高压驱动器后关闭PMOSFET开关管，响应时间由比较器的速度和逻辑门的延迟决定。
4.根据权利要求1所述的一种发射机控制保护系统，其特征在于，所述电源管理单元(109)包括低压差线性稳压器和被供电单元，被供电单元包括温度检测和控制单元(100)，电流检测和控制单元(101),逻辑门(102)，高压驱动器(103)，脉宽调制控制器(104)；低压差线性稳压器由高压电源VCC供电，产生的系列电压供给被供电单元。
5.根据权利要求1所述的一种发射机控制保护系统，其特征在于，所述功放栅极驱动单元(110)包括基准电压源、运算放大器、电阻R1和R2、栅极驱动器；功放栅极驱动单元供电由VEE提供；运算放大器的正向输入端接基准输出，负向输入端和电阻R1一端以及电阻R2一端相连；电阻R2一端同时接电阻R1一端，电阻R2另一端接地；电阻R1另一端和运算放大器的输出相连，同时和栅极驱动器的输入端相连；运算放大器的输出端和栅极驱动器的输入端相连；栅极驱动器的输出和功率放大器的输入端相连；
功放栅极驱动单元将基准电压源输入转换为可调的负压输出偏置，用以驱动功率放大器栅极，输出电压范围片外经过电阻R1和R2连续可调；当基准电压源输出电压为Vref,则运算放大器的输出电压为Vref*(1+R1/R2)；该输出电压经过栅极驱动器驱动功率放大器栅极，栅极驱动器闭环增益为1。
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111324052A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 北京华航无线电测量研究所 | 一种基于ttl电平控制的电源功率管理装置 |
| CN112130162A (zh) * | 2019-06-05 | 2020-12-25 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 利用多个联网的lidar集成电路的lidar系统 |
| CN114337628A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 华南理工大学 | 一种高压集成电路及其控制方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201303322Y (zh) * | 2008-09-17 | 2009-09-02 | 三维通信股份有限公司 | Uhf宽频带发射机的功放保护装置 |
| KR20110008872A (ko) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 구동 회로 |
| CN102075148A (zh) * | 2011-01-13 | 2011-05-25 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器过温保护电路 |
| CN205229462U (zh) * | 2015-11-25 | 2016-05-11 | 江苏星宇芯联电子科技有限公司 | 一种北斗卫星导航通信模块 |
| CN105676189A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-15 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种功率发射机 |
| WO2018192497A1 (zh) * | 2017-04-18 | 2018-10-25 | 福建亿芯源半导体股份有限公司 | Olt收发一体芯片 |
| CN108919194A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-30 | 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 | 一种分级式高功率固态雷达发射机控制、监测与保护方法 |
| CN209784523U (zh) * | 2019-03-21 | 2019-12-13 | 中国电子科技集团公司第十四研究所 | 一种发射机控制保护系统 |
-
2019
- 2019-03-21 CN CN201910216683.7A patent/CN109828242B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201303322Y (zh) * | 2008-09-17 | 2009-09-02 | 三维通信股份有限公司 | Uhf宽频带发射机的功放保护装置 |
| KR20110008872A (ko) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 구동 회로 |
| CN102075148A (zh) * | 2011-01-13 | 2011-05-25 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器过温保护电路 |
| CN205229462U (zh) * | 2015-11-25 | 2016-05-11 | 江苏星宇芯联电子科技有限公司 | 一种北斗卫星导航通信模块 |
| CN105676189A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-15 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种功率发射机 |
| WO2018192497A1 (zh) * | 2017-04-18 | 2018-10-25 | 福建亿芯源半导体股份有限公司 | Olt收发一体芯片 |
| CN108919194A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-30 | 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 | 一种分级式高功率固态雷达发射机控制、监测与保护方法 |
| CN209784523U (zh) * | 2019-03-21 | 2019-12-13 | 中国电子科技集团公司第十四研究所 | 一种发射机控制保护系统 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111324052A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 北京华航无线电测量研究所 | 一种基于ttl电平控制的电源功率管理装置 |
| CN112130162A (zh) * | 2019-06-05 | 2020-12-25 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 利用多个联网的lidar集成电路的lidar系统 |
| CN112130162B (zh) * | 2019-06-05 | 2024-06-11 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 利用多个联网的lidar集成电路的lidar系统 |
| CN114337628A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 华南理工大学 | 一种高压集成电路及其控制方法 |
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| Publication number | Publication date |
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