CN109817652B - 一种图像传感器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种图像传感器及其制备方法，包括感光器件层、光路调节层及滤光片层，感光器件层内包括至少一个感光区域；滤光片层包括至少一个由金属格栅隔离的滤光片；光路调节层设置在滤光片层和感光器件层之间，包括层叠式排列设置的多层透明物质，多层透明物质的折射率沿滤光片至感光器件层的方向依次减小，这样当红外光线入射至多层透明物质中时，会产生不同程度的折射，从而增加红外光学的光学路径，便于所述感光区域更好地吸收所述红外光。并且可以根据图像传感器的实际光路调节需求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种图像传感器及其制备方法。
背景技术
图像传感器的量子效率是所收集的电荷数量与入射到图像传感器(例如光电二极管)的有源区域上的光子数量之比。这个量可以表征图像传感器对光的感光度。
近红外光学信号(即，波长处于700纳米至1000纳米之间的光线)的频路小，穿透能力小，因此传感器的光敏区域的硅对这些波长的红外光的吸收量较小，量子效率较低。
现有技术中存在能够改善对红外光的吸收的图像传感器，例如通过反射现象调节光线在硅中的光学路径，通过在图像传感器的有源区中设置衍射元件以通过衍射现象增强光线的光学路径等。
现有技术中的上述图像传感器虽然都能一定程度上改善图像传感器对光线的吸收，但是，仍然存在一定的缺陷，例如通过反射调节光线的光学路径的方法并不适用于硅厚度较小的图像传感器，通过增加衍射元件来调节光线的光学路径的方法显然会增加图像传感器的制备难度等。
发明内容
鉴于现有技术的上述缺陷和不足，本发明提供了一种图像传感器及其制备方法，该图像传感器能够有效增强对红外光线的吸收，并且其制备方法简单，不会显著增加制备成本。
根据本发明的第一方面，本发明提供了一种图像传感器，包括：感光器件层、光路调节层、滤光片层，其中，所述感光器件层内包括至少一个感光区域；所述滤光片层包括与至少一个所述感光区域上下对应设置的至少一个滤光片，至少一个所述滤光片由金属格栅隔离；所述光路调节层设置在所述滤光片层和所述感光器件层之间并且至少部分覆盖所述感光器件层，所述光路调节层包括与所述滤光片和所述感光区域上下对应并层叠式排列设置的多层透明物质，多层所述透明物质具有不同的折射率。
可选地，所述光路调节层包括大于或等于三层的所述透明物质。
优选地，所述图像传感器还包括金属互联层及微透镜阵列，其中，所述金属互联层位于所述感光器件层的下表面，所述金属互联层包括至少一个与所述感光区域上下对应设置的金属互联结构，所述金属互联结构与与其相对应的所述感光区域电连接；所述微透镜阵列包括至少一个与所述滤光片上下对应设置的微透镜。
可选地，至少一个所述滤光片之间还包括外围氧化物，所述外围氧化物沉积并包覆在所述金属格栅的至少一侧的侧壁上。
可选地，多层所述透明物质选自吸光类抗反射涂层、二氧化硅、氮化硅及黑硅组成的群组中的至少三种。
可选地，在所述滤光片至所述感光区域的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。
根据本发明的第二方面，本发明提供了一种图像传感器的制备方法，至少包括如下步骤：
提供包括感光器件层的半导体基板；
在所述感光器件层上方依次沉积至少部分覆盖所述感光器件层的多层透明物质，形成光路调节层；
在所述透明物质上方放置滤光片，以形成滤光片层；其中，
所述感光器件层内包括至少一个感光区域，多层所述透明物质具有不同的折射率。
可选地，所述光路调节层包括大于或等于三层的透明物质。
可选地，所述感光器件层的至少一个所述感光区域由至少一个深沟槽隔离结构隔离，形成所述滤光片层还包括以下步骤：
刻蚀多层所述透明物质，并且沉积金属层形成与所述深沟槽隔离结构上下对应的至少一个金属格栅，在至少一个所述金属格栅之间放置滤光片，形成所述滤光片层。
可选地，形成至少一个所述金属格栅包括以下步骤：
在所述光路调节层上方沉积氧化物层；
经图案化的第一光刻胶层刻蚀所述氧化物层及所述光路调节层至所述沟槽隔离结构停止，形成与所述感光区域之间的深沟槽隔离结构对应的至少一个沟槽结构；
在所述沟槽结构中沉积并填满金属层并对所述金属层进行平坦化；
经图案化的第二光刻胶层刻蚀并去除剩余的所述氧化物层，暴露所述金属层以形成至少一个所述金属格栅。
可选地，形成至少一个所述金属格栅还包括以下步骤：
在每个所述金属格栅周围沉积外围氧化物，所述外围氧化物包覆所述金属格栅的至少一侧的侧壁。
可选地，多层所述透明物质选自吸光类抗反射涂层、二氧化硅、氮化硅及黑硅组成的群组中的至少三种。
可选地，在所述滤光片至所述感光区域的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。
如上所述，本发明的图像传感器及其制备方法具有如下技术效果：
1、所述图像传感器的感光器件层和滤光片层之间设置有由多层透明物质组成的光路调节层，该多层透明物质的折射率不同，并且沿滤光片层至感光器件层的方向依次减小，这样当红外光线入射至该多层透明物质中时，会产生不同程度的折射，从而增加红外光学的光学路径，使得感光器件层能够更好地吸收红外光。
2、光路调节层中透明物质的层数可以改变，例如可以设定其大于或等于三层，这就使得能够根据具体的图像传感器要求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
3、通过常规的沉积、刻蚀等工艺手段即可形成上述光路调节层，形成过程简单、易操作，不会明显受限于图像传感器的尺寸要求，能够在改善图像传感器对红外光的吸收的同时，保证产品的良率。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1显示为本发明实施例一提供的图像传感器的剖面结构示意图。
图2显示为本发明实施例二提供的图像传感器的剖面结构示意图。
图3显示为红外光入射至本发明实施例一或实施例二提供的图像传感器的光路调节层时的光学路径示意图。
图4显示为实施例一的进一步实施例所提供的图像传感器的剖面结构示意图。
图5显示为红外光入射至图4所示的图像传感器的光路调节层时的光学路径示意图。
图6显示为本发明实施例三提供的图像传感器的制备方法的流程图。
图7显示为执行图3所示方法时形成光路调节层的示意图。
图8显示为执行图3所示方法时形成金属格栅过程中沉积氧化物层的示意图。
图9显示为形成金属格栅过程中形成沟槽结构的示意图。
图10显示为形成金属格栅过程中在沟槽结构中沉积金属层的示意图。
图11显示为形成金属格栅过程中形成图案化的第二光刻胶层的示意图。
图12显示为形成金属格栅过程中去除氧化物层形成金属格栅的示意图。
图13显示为在金属格栅周围形成外围氧化物的示意图。
图14显示为在图13所示的结构上方设置滤光片层的示意图。
图15显示为实施例三的一优选实施例中形成金属格栅时沉积金属层的示意图。
图16显示为在图15所示的金属层的上形成掩模层的示意图。
图17显示为刻蚀掩模层和金属层所得结构的示意图。
附图标记
10 金属互联层
101 金属互联结构
102 绝缘区域
20 感光器件层
201 感光区域
202 深沟槽隔离结构
203 感光区域的PN结结构
30 光路调节层
30’ 光路调节层
301 第一透明物质
302 第二透明物质
303 第三透明物质
40 滤光片层
401 滤光片
402 金属格栅
403 外围氧化物
50 微透镜阵列
501 微透镜
600 氧化物层
601 第一光刻胶层
602 沟槽结构
603 金属层
604 第二光刻胶层
605 图形化掩模层
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。并且本发明的附图仅仅是示意性的，并非按照真实尺寸绘制。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
参照附图1-3，本实施例提供一种图像传感器，如图1所示，本实施例的图像传感器包括金属互联层10，感光器件层20、光路调节层30、滤光片层40及微透镜阵列50。
如图1所示，感光器件层20内包括至少一个感光区域201，感光区域201之间由深沟槽隔离结构202隔离。在本实施例的一优选实施例中，至少一个感光区域201可以呈陈列式分布。
如图3所示，在本实施例的一进一步实施例中，感光区域201内还包括PN结结构203。
金属互联层10位于感光器件层20的下表面，金属互联层10包括至少一个金属互联结构101，至少一个金属互联结构101与感光器件层20的若干感光区域201上下一一对应设置。所述金属互联层10还包括绝缘结构102，至少一个金属互联层101位于所述结缘结构102中，由绝缘结构102隔离。
滤光片层40包括至少一个滤光片401，至少一个滤光片401与至少一个感光区域201上下一一对应设置，并且至少一个滤光片401之间由金属格栅402相互隔离。
微透镜阵列50包括至少一个微透镜501，至少一个微透镜501与滤光片401上下一一对应设置。
由图1可以看出，光路调节层30设置在滤光片层40和感光器件层20之间并且覆盖感光器件层20，光路调节层30也是由金属格栅402隔离。并且光路调节层30包括多层透明物质，多层透明物质与至少一个滤光片401和至少一个所述感光区域201上下一一对应并层叠式排列设置。多层透明物质具有不同的折射率以增加红外光的光学路径，便于感光区域201更好地吸收红外光。
光路调节层30可以包括多于或等于三层的透明物质，透明物质的层数可以改变，例如能够根据具体的图像传感器的光路调整需求设定透明物质的层数。例如，在本实施例的一进一步实施例中，光路调节层30包括三层透明物质，例如图1所示的第一透明物质301、第二透明物质302及第三透明物质303。另外，还可以结合金属格栅402的高度来确定透明物质的层数。
在本实施例的进一步实施例中，在所述滤光片401至所述感光区域201的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。例如，在上述具有三层透明物质的进一步实施例中，第三透明物质303、第二透明物质302及第一透明物质301的折射率n3、n2及n1依次减小，即n3>n2>n1。
在本实施例的另一进一步实施例中，所述透明物质可以是不会对图像传感器产生污染的任何透明材料。例如可以包括吸光类抗反射涂层、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、黑硅等。
本实施例提供的图像传感器中包括多层透明物质作为光路调节层，并且多层物质的折射率不同，例如上述的n3>n2>n1。由于该光路调节层的存在，红外光入射至光路调节层时，多层透明物质对入射的红外光进行不同程度的折射，例如，如图3所示，本实施例的进一步实施例中所示的第一透明物质301、第二透明物质302及第三透明物质303对入射的红外光R进行不同程度的折射。这样就增加了红外光R到达感光区域的光学路径，从而便于感光区域201，尤其其中的PN结结构203更好地吸收红外光，由此增强图像传感器对近红外光学信号的量子效率。
然而，在本实施例的一进一步实施例中，如图4所示，光路调节层30’设置在滤光片层40和感光器件层20之间，并且部分覆盖而非完全覆盖感光器件层。如图4所示，光路调节层30’可以覆盖感光区域201的周边区域。如图5所示，这样红外光R从微透镜501入射至感光器件层20，经过感光区域201周边区域覆盖的光路调节层30’时，会被不同程度的折射，由此增加红外光的光学路径，便于感光区域更好地吸收红外光，增强图像传感器对近红外光学信号的量子效率。
另外，本实施例的图像传感器还可以根据图像传感器的实际光路调节需求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
实施例二
本实施例同样提供一种图像传感器，本实施例与实施例一的相同之处不再赘述，其不同之处在于：
如图2所示，在本实施例的图像传感器中，至少一个滤光片401之间还包括外围氧化物403，外围氧化物403沉积在金属格栅402的周围并且包覆金属格栅402的至少一侧的侧壁。外围氧化物403可以保护滤光片401免受可能由金属格栅造成的金属污染。
实施例三
本实施例提供一种图像传感器的制备方法，如图6所示，该制备方法包括如下步骤：
提供包括感光器件层的半导体基板；
在所述感光器件层上方依次沉积多层透明物质，形成光路调节层；
在透明物质上方放置滤光片，以形成滤光片层；其中，
所述感光器件层内包括至少一个感光区域，多层所述透明物质具有不同的折射率。
参照图7-12，并再次参考图1和图3，对所述图像传感器的制备方法进行详细描述。
如图7所示，提供包括感光器件层20的半导体基板，所述感光器件层20内包括至少一个感光区域201，至少一个所述感光区域201之间由深沟槽隔离结构202相互隔离；
上述半导体基板还包括金属互联层10，金属互联层10位于感光器件层20的下表面，所述金属互联层10包括与所述感光区域201上下对应设置的至少一个金属互联结构101，所述金属互联结构101与与其相对应的所述感光区域201电连接。所述金属互联层10还包括绝缘结构102，至少一个金属互联层101位于所述结缘结构102中，由绝缘结构102隔离。
如图7所示，在基板的感光器件层20上依次沉积多层透明物质，形成光路调节层。
然后如图12所示，刻蚀多层透明物质，并且沉积金属层603(如图10所示)形成与深沟槽隔离结构202对应的至少一个金属格栅402。
如图1所示，在上述金属格栅402之间放置滤光片401，以形成滤光片层40。并且在金属格栅402之间及多个滤光片401上方对应地放置微透镜501，形成微透镜阵列50。
在本实施例中，多层所述透明物质具有不同的折射率以增加红外光的光学路径，便于所述感光区域更好地吸收所述红外光。在所述滤光片至所述感光区域的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。
在本实施例的另一进一步实施例中，所述透明物质可以是不会对图像传感器产生污染的任何透明材料。例如可以包括吸光类抗反射涂层、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、黑硅等。
例如在本实施例的一进一步实施例中，透明物质的层数可以改变，例如能够根据具体的图像传感器的光路调整需求设定透明物质的层数。例如，透明物质可以多于或等于三层。如图7所示，在感光器件层20上方依次沉积三层透明物质：第一透明物质301、第二透明物质302及第三透明物质303，其对应的折射率n1、n2及n3依次增大，即n1＜n2＜n3。另外，还可以结合所述金属格栅402的高度确定所述光路调节层30的所述透明物质的层数。
在本实施例的一进一步实施例中，形成金属格栅402具体包括以下步骤：
如图8所示，沉积了包括多层透明物质的光路调节层30之后，在光路调节层30上方沉积第一氧化物层600。如图9所示，在第一氧化物层600上方形成图案化的第一光刻胶层601，经该图案化的第一光刻胶层601刻蚀第一氧化物层600及光路调节层30，至感光器件层20停止，由此形成与至少一个感光区域201之间的深沟槽隔离结构202一一对应的至少一个沟槽结构602。
如图10所示，在沟槽结构602中沉积并填满金属层603并对金属层603进行平坦化，例如可以通过化学机械研磨使其平坦化。
然后如图11所示，在图8所示结构的上方形成图案化的第二光刻胶层604，并经该第二光刻胶层604对氧化物层600进行刻蚀，将氧化物层600去除，如图10所示，暴露金属层603以形成至少一个金属格栅402。在金属格栅402之间依次设置滤光片层40和微透镜阵列50即形成图1所示的图像传感器。
在本实施例的另一优选实施例中，金属格栅402可以由如下步骤形成：
如图15所示，刻蚀光路调节层，以在光路调节层，例如上述的第三透明物质303、第二透明物质302及第一透明物质301中形成与深沟槽隔离结构202对应的沟槽，然后，在该沟槽中及第三透明物质上方沉积金属层603。然后，如图16所示，在金属层603上方形成掩模层605，然后如图17所示，经图形化的光刻胶层刻蚀掩模层605和金属层603至第三透明物质303停止，形成图12所示的金属格栅402。
本实施例中，在感光器件层和滤光片层之间形成有光路调节层。该光路调节层由多层透明物质形成，并且多层透明物质的折射率不同，具体地，沿滤光片层至感光器件层的方向依次减小，例如上述的n3>n2>n1。这样当红外光入射至光路调节层时，多层透明物质对入射的红外光进行不同程度的折射，例如，如图3所示，本实施例的进一步实施例中所示的第一透明物质301、第二透明物质302及第三透明物质303对入射的红外光R进行不同程度的折射。这样就增加了红外光R到达感光区域的光学路径，从而便于感光区域，尤其其中的PN结结构203更好地吸收红外光，增强图像传感器对近红外光学信号的量子效率。
然而，在本实施例的一进一步实施例中，如图4所示，光路调节层30’设置在滤光片层40和感光器件层20之间，并且部分覆盖而非完全覆盖感光器件层。如图4所示，光路调节层30’可以覆盖感光区域201的周边区域。如图5所示，这样红外光R从微透镜501入射至感光器件层20，经过感光区域201周边区域覆盖的光路调节层30’时，会被不同程度的折射，由此增加红外光的光学路径，便于感光区域更好地吸收红外光，由此增强图像传感器对近红外光学信号的量子效率。
另外，本实施例的图像传感器还可以根据图像传感器的实际光路调节需求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
实施例四
本实施例同样提供一种图像传感器的制备方法，该实施例与实施例三的相同之处不再赘述。与实施例三的不同之处在于：
再次参照图12和图2，在本实施例中，在形成图12所示的金属格栅402之后，如图13所示，在金属格栅402周围沉积外围氧化物403，所述外围氧化物403包覆金属格栅402的至少一侧的侧壁。然后如图14所示，在具有该外围氧化物403的金属格栅402之间依次设置滤光片层40，并在滤光片层40上方设置微透镜阵列50，形成图2所示的图像传感器。
在本实施例中，上述外围氧化物403可以进一步隔离滤光片401和金属格栅402，以保护滤光片层40中的滤光片401免受可能由金属格栅402造成的金属污染。
综上，本发明上述实施例提供的图像传感器及其制备方法具有如下技术效果：
1、图像传感器中包括多层透明物质作为光路调节层，并且多层物质的折射率不同，具体地，沿滤光片层至感光器件层的方向依次减小，例如上述的n3>n2>n1。由于该光路调节层的存在，红外光入射至光路调节层时，多层透明物质对入射的红外光进行不同程度的折射，这样就增加了红外光的光学路径，从而便于感光层更好地吸收红外光，增强图像传感器对近红外光学信号的量子效率。
2、本发明的上述光路调节层中透明物质的层数可以改变，例如可以设定其大于或等于三层，这就使得能够根据具体的图像传感器要求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
3、通过常规的沉积、刻蚀等工艺手段即可形成上述光路调节层，形成过程简单、易操作，不会明显受限于图像传感器的尺寸要求，能够在改善图像传感器对红外光的吸收的同时，保证产品的良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (11)
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：感光器件层、光路调节层、滤光片层，其中，
所述感光器件层内包括至少一个感光区域；
所述滤光片层包括与至少一个所述感光区域上下对应设置的至少一个滤光片，至少一个所述滤光片由金属格栅隔离；
所述光路调节层设置在所述滤光片层和所述感光器件层之间并且至少部分覆盖所述感光器件层，所述光路调节层包括与所述滤光片和所述感光区域上下对应并层叠式排列设置的多层透明物质，多层所述透明物质具有不同的折射率，并且，在所述滤光片至所述感光区域的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光路调节层包括大于或等于三层的所述透明物质。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括金属互联层及微透镜阵列，其中，
所述金属互联层位于所述感光器件层的下表面，所述金属互联层包括至少一个与所述感光区域上下对应设置的金属互联结构，所述金属互联结构与与其相对应的所述感光区域电连接；
所述微透镜阵列包括至少一个与所述滤光片上下对应设置的微透镜。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，至少一个所述滤光片之间还包括外围氧化物，所述外围氧化物沉积并包覆在所述金属格栅的至少一侧的侧壁上。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，多层所述透明物质包括二氧化硅、氮化硅。
6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：
提供包括感光器件层的半导体基板；
在所述感光器件层上方依次沉积至少部分覆盖所述感光器件层的多层透明物质，形成光路调节层；
在所述透明物质上方放置滤光片，以形成滤光片层；其中，
所述感光器件层内包括至少一个感光区域，多层所述透明物质具有不同的折射率，并且，在所述滤光片至所述感光区域的自上而下的方向上，依次层叠的多层所述透明物质的折射率n依次减小。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光路调节层包括大于或等于三层的透明物质。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述感光器件层的至少一个所述感光区域由至少一个深沟槽隔离结构隔离，形成所述滤光片层还包括以下步骤：
刻蚀多层所述透明物质，并且沉积金属层形成与所述深沟槽隔离结构上下对应的至少一个金属格栅，在至少一个所述金属格栅之间放置滤光片，形成所述滤光片层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成至少一个所述金属格栅包括以下步骤：
在所述光路调节层上方沉积氧化物层；
经图案化的第一光刻胶层刻蚀所述氧化物层及所述光路调节层至所述沟槽隔离结构停止，形成与所述感光区域之间的深沟槽隔离结构对应的至少一个沟槽结构；
在所述沟槽结构中沉积并填满金属层并对所述金属层进行平坦化；
经图案化的第二光刻胶层刻蚀并去除剩余的所述氧化物层，暴露所述金属层以形成至少一个所述金属格栅。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成至少一个所述金属格栅还包括以下步骤：
在每个所述金属格栅周围沉积外围氧化物，所述外围氧化物包覆所述金属格栅的至少一侧的侧壁。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，多层所述透明物质包括二氧化硅、氮化硅。
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|---|---|---|---|---|
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