CN109802208A - 用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 - Google Patents
用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109802208A CN109802208A CN201910181626.XA CN201910181626A CN109802208A CN 109802208 A CN109802208 A CN 109802208A CN 201910181626 A CN201910181626 A CN 201910181626A CN 109802208 A CN109802208 A CN 109802208A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonant cavity
- metal layer
- planar waveguide
- layer
- millimetre
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
本发明涉及通信技术领域，特别是涉及一种用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法，所述滤波器包括第一金属层、第二金属层和中间介质层，中间介质层上设置有金属化阵列；第一层金属层的表面设置有共面波导输入端、共面波导输出端，其中共面波导输入端设置在第一金属层表面的左侧，共面波导输出端设置在在第一金属层表面的右侧；金属化阵列和第一金属层、第二金属层从左到右依次构成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔；本发明体积重量小、谐振器频率高、响应时间短；由于材料采用硅，得力于硅的硬度大、导热性能好、密度小，器件具有优良的机械电气性能。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，特别是涉及一种用于毫米波通信的基片集成波 导滤波器及其制备方法。
背景技术
近年来由于全球移动通讯行业、物联网智能技术、卫星通信技术以及各种 短距离传输技术的迅猛发展，无线通信系统也迫切地需要得到更快更好地发展 升级。另一方面从使用角度上来讲，现行的无线通信技术可使用周期正在不断 缩短，用户、企业和社会在越来越离不开无线通信技术的发展时，也更加需要 无线通信技术能够朝着高带宽传输、连接方式多样化、通信质量高品质以及通 信设备小型化的趋势不断发展更新。我国未来下一代移动通信技术-第五代移动 通信(5G)的相关研究工作早在2013年2月就由工信部、科技部和发改委联 合成立“IMT-2020(5G)推进组”，作为国内研究5G无线通信技术以及加强国际合作的基础平台。目前，国内关于5G网络构架、5G频段分析评估、5G原型系 统设计等研究工作均已展开。而5G分低频段(6GHz以下)和高频段(毫米波)， 但是对于5G通信时代的无线频率需求所预测的带宽宽度都在1.5GHz左右，在 低频频段几乎不可能开发出连续可用的宽带频谱资源，因此全球研究者们把关 注点放在了高于10GHz频率的频段-甚至于微波毫米波段的频段，这也将会是首 次把通信信息系统的工作频段推向这么高的阶段。实现了频谱带宽的提升也即 实现了数据的超高速传输，毫米波毋庸置疑是最合适的候选频段，它也称为了 5G通信技术的关键之一。目前，中国、韩国、俄罗斯、日本、美国、德国、 欧盟在内的多个国家对5G通信频段的划分都至少为两个频段，大都集中在 24.25～43.5GHz频带范围内。
毫米波技术的发展是无线通信系统的演进过程，实际上，在毫米波段内着 大量的应用，比如无线网络，汽车雷达，图像传感器，以及生物医学设备。对 于大多数系统，是否能够成功地开发并应用于实际，取决于这门技术的可行性， 成本效益，以及生产规模。因此，小型化、高度集成化、低成本的技术开发在 毫米波商业应用领域中是最迫切也是最关键的需求。近几年，出现了一个十分 有商业化潜力的技术——基片集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide，SIW)， 它可以集成于介质基板中，并且具有低插损、低辐射、高功率容量等特性，能 够使微波毫米波系统小型化。基片集成波导有着设计简单、容易加工的特点因 而大受业界的欢迎，它集合了大多平面印刷电路和金属波导的优势。它不仅仅 有着类似于微带线的优点，即结构紧凑、制作简单、灵活和成本低的优势；还 保持着传统金属波导的低辐射、低损耗、高品质因数、高功率容量、易于其它 平面电路集成的特点。
目前常见的制作滤波器器件的技术有印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)技术，低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技术， 由于这些介质基板的介电常数较低，使得制作毫米波滤波器的尺寸过大，不能 满足毫米波电路的需求。
发明内容
为了满足毫米波电路的需求，本发明提出一种用于毫米波通信的基片集成 波导滤波器及其制备方法，所述滤波器包括：第一金属层1和第二金属层3，第 一金属层1和第二金属层3之间设置有中间介质层2以及金属化阵列；第一层 金属层的表面设置有共面波导输入端11、共面波导输出端12，其中共面波导输 入端11设置在第一金属层1表面的左侧，共面波导输出端12设置在在第一金 属层1表面的右侧；金属化阵列和第一金属层1、第二金属层3从左到右依次构 成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔，其中第 一谐振腔与共面波导输入端11连接，第五谐振腔与所述共面波导输出端12连 接，且第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔之间 依次串联连接。
进一步的，金属化阵列、第一金属层1和第二金属层3均采用金构成。
进一步的，金属化阵列包括第一水平孔对21、第二水平孔对22、第三水平 孔对23、第四水平孔对24、第五水平孔对25、第一垂直孔对210以及第二垂直 孔对211，所述第一水平孔对21、第二水平孔对22、第三水平孔对23、第四水 平孔对24、第五水平孔对25从左到右依次设置在中间介质层2上，所述第一垂 直孔对210以及第二垂直孔对211依次从上到下设置在中间介质层2上。
进一步的，每对水平孔对包括两个孔槽，分别位于中间介质层2的上下两 边，两个孔槽之间相距的距离为谐振腔的总长度；每对垂直孔对包括两个孔槽， 分别位于中间介质程度额左右两边，两个孔槽之间的距离为谐振腔的宽度。
进一步的，所述孔槽是在中间介质层2上的通槽，且该通槽的宽度为 0.25mm～0.3mm。
进一步的，第一谐振腔和第二谐振腔之间通过第一耦合窗口26串联，第二 谐振腔和第三谐振腔之间通过第二耦合窗口27串联，第三谐振腔和第四谐振腔 之间通过第三耦合窗口28串联，第四谐振腔和第五谐振腔之间通过第四耦合窗 口29串联。
进一步的，第一耦合窗口26和第四耦合窗口29的长度为1.2mm，第二耦 合窗口27和第三耦合窗口28的长度为1.4mm。
进一步的，共面波导输入端11和共面波导输入端11结构相同，且共面波 导输入端11和共面波导输入端11以第一金属层1上端中心位置与下端中心位 置的中位线呈镜面对称，分别位于第一金属层1的左右两端，且共面波导输入 端11包括两条通过刻蚀第一金属层1形成的“L”型微带线，此两条金属导带 的以第一金属层1右端中心位置与左端中心位置之间的连线呈镜面对称。
本发明最突出的优点是微型化：体积重量小、谐振器频率高、响应时间短； 由于材料采用硅，得力于硅的硬度大、导热性能好、密度小，器件具有优良的 机械电气性能；另外微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)工 艺与集成电路(IntegratedCircuit，IC)工艺相似，可实现大规模的批量化生产， 大大降低了射频MEMS器件的生产成本。
附图说明
图1是现有技术中基片集成波导结构图；
图2是本发明在三维电磁仿真软件中搭建的谐振器模型；
图3是本发明的中心频率随谐振器的长L_SWI的变化曲线图；
图4是本发明的中心频率随谐振器的宽W_SWI的变化曲线图；
图5是本发明提取耦合窗口长度的双腔谐振器模型图
图6是本发明的耦合系数随耦合窗口长度的变化曲线图；
图7是本发明基片集成波导结构图；
图8是本发明的仿真特性曲线图；
图9是本发明的基片集成波导分层结构示意图；
图10是MEMS工艺的具体流程图；
图11是本发明的仿真特性曲线图与基片集成波导器件的测试曲线图的对比 图；
其中，1，第一金属层；11、共面波导输入端；12、共面波导输出端；2、 中间介质层；21、第一水平孔对；22、第二水平孔对；23、第三水平孔对；24、 第四水平孔对；25、第五水平孔对；26、第一耦合窗口；27、第二耦合窗口； 28、第三耦合窗口；29、第四耦合窗口；210、第一垂直孔对；211、第二垂直 孔对；3、第二金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例提供一种用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，该滤波器包括 第一金属层1、第二金属层3和中间介质层2，中间介质层2上设置有金属化阵 列；第一层金属层的表面设置有共面波导输入端11、共面波导输出端12，其中 共面波导输入端11设置在第一金属层1表面的左侧，共面波导输出端12设置 在在第一金属层1表面的右侧；金属化阵列、中间介质层2、第一金属层1、第 二金属层3从左到右依次构成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐 振腔、第五谐振腔，其中第一谐振腔与共面波导输入端11连接，第五谐振腔与 所述共面波导输出端12连接，且第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四 谐振腔、第五谐振腔之间依次串联连接。
进一步的，金属化阵列、第一金属层1和第二金属层3均采用金构成。
进一步的，金属化阵列包括第一水平孔对21、第二水平孔对22、第三水平 孔对23、第四水平孔对24、第五水平孔对25、第一垂直孔26对以及第二垂直 孔对211，所述第一水平孔对21、第二水平孔对22、第三水平孔对23、第四水 平孔对24、第五水平孔对25从左到右依次设置在中间介质层2上，所述第一垂 直孔对210以及第二垂直孔对211依次从上到下设置在中间介质层2上。
进一步的，每对水平孔对包括两个孔槽，分别位于中间介质层2的上下两 边，两个孔槽之间相距的距离为谐振腔的总长度；每对垂直孔对包括两个孔槽， 分别位于中间介质程度额左右两边，两个孔槽之间的距离为谐振腔的宽度；在 现有技术中，基片集成波导的结构图如图1，包括在介质层上设置有两排金属化 通孔，可以通过金属化瞳孔的半径、相邻两个金属化通孔中心之间的距离来计 算谐振腔的宽度，表示为：
其中，λ为波长，表示为c0为光速，f0是中心频率；εr为中间 介质层2的介电常数，在本发明中，中间介质层2采用高阻硅材料，即εr＝11.9 是高阻硅的介电常数；
选择上面所述谐振腔的总长度以及谐振腔的宽度的过程包括：在三维电磁 仿真软件(High Frequency Structure Simulator，HFSS)13.0中搭建如图2所示 的的谐振器模型，对该模型中的长L_SIW和宽W_SIW进行扫描参数得到如图 3所示的中心频率f0随长L_SIW的变化以及如图4所示的中心频率f0随W_SIW 的变化曲线图。从图3和图4的仿真曲线图上找出中心频率f0所相对应的长 L_SIW和宽W_SIW。
进一步的，所述孔槽是在中间介质层2上的通槽，且该通槽的宽度为 0.25mm～0.3mm；因为本发明是通过MEMS工艺加工制作出实物的，所以考虑 MEMS工艺中的感应耦合等离子体(Inductively coupled plasma，ICP)深硅刻蚀 技术的立体加工能力，所以将图1中的金属通孔用图2中的通槽所替代，这样 不仅简化了工艺流程而且形成以致密的金属侧壁，更好地防止电磁波的泄漏。
进一步的，第一谐振腔和第二谐振腔之间通过第一耦合窗口26串联，第二 谐振腔和第三谐振腔之间通过第二耦合窗口27串联，第三谐振腔和第四谐振腔 之间通过第三耦合窗口28串联，第四谐振腔和第五谐振腔之间通过第四耦合窗 口29串联。
进一步的，第一耦合窗口26和第四耦合窗口29的长度为1.2mm，第二耦 合窗口27和第三耦合窗口28的长度为1.4mm；该长度的获取包括：根据图5 所示的双腔谐振器模型模型，提取本发明耦合窗口长度，其中L是耦合窗口的 长度，通过公式2计算本发明的耦合系数值，其中gi为本发明的归一化元件值， FBW为本发明的相对带宽；通过计算得到本发明的第一谐振腔和第二谐振腔间 的耦合系数与第四谐振腔和第五谐振腔间的耦合系数相等，为K12＝K45＝0.1098； 第二谐振腔和第三谐振腔间的耦合系数与第三谐振腔和第四谐振腔间的耦合系 数相等，为K23＝K34＝0.08068。
在三维电磁仿真软件HFSS13.0中搭建如图5所示的双腔谐振器模型图，通 过对耦合窗口长度L进行扫描参数分析，得到如图6所示的耦合系数随耦合窗 口长度L的曲线图，从图中找出与K12＝K45＝0.1098和K23＝K34＝0.08068所相对应 的耦合窗口长度L的值。
进一步的，共面波导输入端11和共面波导输入端11结构相同，且共面波 导输入端11和共面波导输入端11以第一金属层1上端中心位置与下端中心位 置的中位线呈镜面对称，分别位于第一金属层1的左右两端，且共面波导输入 端11包括两条通过刻蚀第一金属层1形成的“L”型微带线，此两条金属导带的 以第一金属层1右端中心位置与左端中心位置之间的连线呈镜面对称，如图， 共面波导输入端11的“L”型微带线由两条微带线相互垂直构成，其中一条微带 线与水平孔槽对平行，该微带线的宽一般取0.33mm，该微带线的右端与另一条 微带线左端的底部连接，另一条微带线一般长0.47mm，宽0.52mm。
如图9和图7，本发明在三维电磁仿真软件HFSS13.0中搭建的结构图，在 本实施例中，滤波器的整体大小为9.45×4.8×0.4mm3；第一水平孔槽、第二水平 孔槽、第四水平孔槽、第五水平孔槽的长度均为1.6mm，第三水平孔槽的长度 为1.65mm，构成金属阵列的孔槽的宽度均为0.27mm，第一耦合窗口26、第四 耦合窗口29的长度为1.2mm，第二耦合窗口27、第三耦合窗口28的长度均为 1.4mm，每个耦合窗口的宽度均为0.142mm；共面波导输入端11或者共面波导 输出端12的两条“L”型微带线之间的距离为0.22mm两条“L”型微带线之间形成 的50欧姆的金属微带线；对上述参数进行扫参分析，得到如图8所示的仿真特 性曲线图，在该曲线图上S11为反射系数，S21为传输系数，采样图中m1～m7 这七个点，可以得出：该滤波器的通带带宽为24.25-27.5GHz，中心频率处插入 损耗小于0.5dB，回波损耗均大于16dB，在f0±4.25GHz处带外抑制优于35dB， 滤波器的性能良好。
实施例2
本实施例提供一种用于毫米波通信的基片集成波导滤波器的制备方法，如 图10，包括：
(1)表面准备，对双抛高阻硅片进行清洗并进行甩干以充分去除晶圆表面 的污染；
(2)正面和背面磁控溅射金属铝，选取金属Al作为阻挡层来保证后续的 深硅刻蚀中能够达到所要求的刻蚀深度；
(3)涂胶，即用旋涂法在表面涂敷一层厚度为8um的光刻胶；
(4)软烘焙，即通过加热使光刻胶溶液部分蒸发；
(5)对准和曝光，即掩膜板与晶圆的精确对准，并使光刻胶曝光；
(6)显影，即去除未曝光的光刻胶；
(7)硬烘焙，即对溶剂的继续蒸发；
(8)正面金属Al刻蚀以及深硅刻蚀，利用ICP深硅刻蚀设备进行硅片孔 腔结构的刻蚀；
(9)去除光刻胶，即将晶圆上的光刻胶去除；
(10)溅射前烘焙，将需要溅射种子层的晶圆放入烘箱烘烤1小时；
(11)溅射种子层，对烘焙后的晶圆溅射粘附层，该粘附层包括溅射30nm 厚的铬金属层和200nm厚的金金属层。；
(12)重复步骤(3)～步骤(7)对晶圆进行光刻，制造出局部电镀加厚用 光刻胶掩膜图形；
(13)湿法腐蚀，用湿法处理的方式腐蚀出所需要的电路图形；
(14)电镀Au，在晶圆上电镀2um的金层；
(15)去胶剥离，使用正胶剥离液NMP浸泡10min；
(16)切片分析，利用砂轮划切技术将单支滤波器切割成型。
图11是本发明的仿真特性曲线图与基片集成波导器件的测试曲线图的对比 图，从图11可以看出吻合度比较高。其中，本发明制备方法制备的滤波器，实 测滤波器中心频率处的插入损耗为-1dB，回波损耗优于-12.5dB。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶 部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“外”、“前部”、“中 央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅 是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须 具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、 “固定”、“旋转”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可 拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互 作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据 具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言， 可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变 化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，包括第一金属层(1)、第二金属层(3)和中间介质层(2)，中间介质层(2)上设置有金属化阵列，其特征在于，第一层金属层(1)的表面设置有共面波导输入端(11)、共面波导输出端(12)，其中共面波导输入端(11)设置在第一金属层(1)表面的左侧，共面波导输出端(12)设置在第一金属层(1)表面的右侧；金属化阵列和第一金属层(1)、金属化阵列和第二金属层(3)从左到右依次构成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔，其中第一谐振腔与共面波导输入端(11)连接，第五谐振腔与所述共面波导输出端(12)连接，且第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔之间依次串联连接。
2.根据权利要求1所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，金属化阵列、第一金属层(1)和第二金属层(3)均采用金构成。
3.根据权利要求1所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，金属化阵列包括第一水平孔对(21)、第二水平孔对(22)、第三水平孔对(23)、第四水平孔对(24)、第五水平孔对(25)、第一垂直孔对(210)以及第二垂直孔对(211)，所述第一水平孔对(21)、第二水平孔对(22)、第三水平孔对(23)、第四水平孔对(24)、第五水平孔对(25)从左到右依次设置在中间介质层(2)上，所述第一垂直孔对(210)以及第二垂直孔对(211)依次从上到下设置在中间介质层(2)上。
4.根据权利要求3所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，每对水平孔对包括两个孔槽，分别位于中间介质层(2)的上下两边，两个孔槽之间相距的距离为谐振腔的总长度；每对垂直孔对包括两个孔槽，分别位于中间介质程度额左右两边，两个孔槽之间的距离为谐振腔的宽度。
5.根据权利要求4所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述孔槽是在中间介质层(2)上的通槽，且该通槽的宽度为0.25mm～0.3mm。
6.根据权利要求1所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，第一谐振腔和第二谐振腔之间通过第一耦合窗口(26)串联，第二谐振腔和第三谐振腔之间通过第二耦合窗口(27)串联，第三谐振腔和第四谐振腔之间通过第三耦合窗口(28)串联，第四谐振腔和第五谐振腔之间通过第四耦合窗口(29)串联。
7.根据权利要求6所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，第一耦合窗口(26)和第四耦合窗口(29)的长度为1.2mm，第二耦合窗口(27)和第三耦合窗口(28)的长度为1.4mm。
8.根据权利要求1所述的用于毫米波通信的基片集成波导滤波器，其特征在于，共面波导输入端(11)和共面波导输入端(11)结构相同，且共面波导输入端(11)和共面波导输入端(11)以第一金属层(1)上端中心位置与下端中心位置的中位线呈镜面对称，分别位于第一金属层(1)的左右两端，且共面波导输入端(11)包括两条通过刻蚀第一金属层(1)形成的“L”型微带线，此两条金属导带的以第一金属层(1)右端中心位置与左端中心位置之间的连线呈镜面对称。
9.用于毫米波通信的基片集成波导滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)表面准备，对双抛高阻硅片进行清洗并进行甩干以充分去除晶圆表面的污染；
(2)正面和背面磁控溅射金属铝，选取金属Al作为阻挡层来保证后续的深硅刻蚀中能够达到的刻蚀深度；
(3)涂胶，即用旋涂法在表面涂敷一层厚度为8um的光刻胶；
(4)软烘焙，即通过加热使光刻胶溶液部分蒸发；
(5)对准和曝光，即将掩膜板与晶圆的精确对准，并使光刻胶曝光；
(6)显影，即去除未曝光的光刻胶；
(7)硬烘焙，即对溶剂的继续蒸发；
(8)正面金属Al刻蚀以及深硅刻蚀，利用感应耦合等离子体ICP深硅刻蚀设备进行硅片孔腔结构的刻蚀；
(9)去除光刻胶，即将晶圆上的光刻胶去除；
(10)溅射前烘焙，将需要溅射种子层的晶圆放入烘箱烘烤1小时；
(11)溅射种子层，对烘焙后的晶圆溅射粘附层，该粘附层包括溅射30nm厚的铬金属层和200nm厚的金金属层；
(12)重复步骤(3)～步骤(7)对晶圆进行光刻，制造出局部电镀加厚用光刻胶掩膜图形；
(13)湿法腐蚀，用湿法处理的方式腐蚀出所需要的电路图形；
(14)电镀Au，在晶圆上电镀2um的金层；
(15)去胶剥离，使用正胶剥离液NMP浸泡10min；
(16)切片分析，利用砂轮划切技术将单支滤波器切割成型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910181626.XA CN109802208A (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910181626.XA CN109802208A (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109802208A true CN109802208A (zh) | 2019-05-24 |
Family
ID=66562723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910181626.XA Pending CN109802208A (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109802208A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111463528A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 上海迈铸半导体科技有限公司 | 一种微带线滤波器及其制备方法 |
| CN112164847A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-01-01 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 一种毫米波滤波器 |
| CN112234023A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-01-15 | 中国电子科技集团公司第九研究所 | 一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法 |
| CN112713376A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-27 | 赣州市深联电路有限公司 | 一种毫米波基片集成波导结构及其制备方法 |
| CN114142193A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-04 | 昆山鸿永微波科技有限公司 | 一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217207A (zh) * | 2008-01-11 | 2008-07-09 | 东南大学 | 基片集成波导双模椭圆响应滤波器 |
| US20090243762A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Xiao-Ping Chen | Waveguide filter |
| CN102361113A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-02-22 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 硅基多层腔体滤波器 |
| EP3200271A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-02 | Northrop Grumman Systems Corporation | Voltage controlled tunable filter |
| CN207602747U (zh) * | 2017-12-25 | 2018-07-10 | 石家庄创天电子科技有限公司 | 基片集成波导滤波器以及谐振器 |
| CN207690974U (zh) * | 2017-12-25 | 2018-08-03 | 石家庄创天电子科技有限公司 | 基片集成波导滤波器 |
| CN108649301A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-10-12 | 江苏硅华电子科技有限公司 | 一种宽带mems交指型滤波器及其制备方法 |
-
2019
- 2019-03-11 CN CN201910181626.XA patent/CN109802208A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217207A (zh) * | 2008-01-11 | 2008-07-09 | 东南大学 | 基片集成波导双模椭圆响应滤波器 |
| US20090243762A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Xiao-Ping Chen | Waveguide filter |
| CN102361113A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-02-22 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 硅基多层腔体滤波器 |
| EP3200271A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-02 | Northrop Grumman Systems Corporation | Voltage controlled tunable filter |
| CN207602747U (zh) * | 2017-12-25 | 2018-07-10 | 石家庄创天电子科技有限公司 | 基片集成波导滤波器以及谐振器 |
| CN207690974U (zh) * | 2017-12-25 | 2018-08-03 | 石家庄创天电子科技有限公司 | 基片集成波导滤波器 |
| CN108649301A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-10-12 | 江苏硅华电子科技有限公司 | 一种宽带mems交指型滤波器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 沈平等: "毫米波硅片集成MEMS滤波器", 《微波学报》 * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111463528A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 上海迈铸半导体科技有限公司 | 一种微带线滤波器及其制备方法 |
| CN111463528B (zh) * | 2020-04-09 | 2022-05-13 | 上海迈铸半导体科技有限公司 | 一种微带线滤波器及其制备方法、mems传感器 |
| CN112164847A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-01-01 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 一种毫米波滤波器 |
| CN112234023A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-01-15 | 中国电子科技集团公司第九研究所 | 一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法 |
| CN112234023B (zh) * | 2020-12-16 | 2021-03-16 | 中国电子科技集团公司第九研究所 | 一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法 |
| CN112713376A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-27 | 赣州市深联电路有限公司 | 一种毫米波基片集成波导结构及其制备方法 |
| CN114142193A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-04 | 昆山鸿永微波科技有限公司 | 一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109802208A (zh) | 用于毫米波通信的基片集成波导滤波器及其制备方法 | |
| Byford et al. | Demonstration of RF and microwave passive circuits through 3-D printing and selective metalization | |
| Shang et al. | WR-3 band waveguides and filters fabricated using SU8 photoresist micromachining technology | |
| Hao et al. | Compact super-wide bandpass substrate integrated waveguide (SIW) filters | |
| Deslandes et al. | Single-substrate integration technique of planar circuits and waveguide filters | |
| Deslandes et al. | Millimeter-wave substrate integrated waveguide filters | |
| Shang et al. | Micromachined W-band waveguide and filter with two embedded H-plane bends | |
| WO2015183915A1 (en) | Glass interposer integrated high quality electronic components and systems | |
| Zhang et al. | Miniature broadband bandpass filters using double-layer coupled stripline resonators | |
| Krivovitca et al. | Micromachined silicon-core substrate-integrated waveguides at 220–330 GHz | |
| Turgaliev et al. | LTCC highly loaded cavities for the design of single-and dual-band low-loss miniature filters | |
| JP2022524646A (ja) | ガラスベースの空基板集積導波路デバイス | |
| Bowrothu et al. | 28GHz through glass via (TGV) based band pass filter using through fused silica via (TFV) technology | |
| Khalil et al. | 3-D pyramidal and collective Ku band pass filters made in Alumina by ceramic stereolithography | |
| Rahimi et al. | Integrated low loss RF passive components on glass interposer technology | |
| CN110459847A (zh) | 基于多通孔的电磁耦合交指带通滤波器及设计方法 | |
| Park et al. | Thick 3D printed RF components: Transmission lines and bandpass filters | |
| Rahimi et al. | In-substrate resonators and bandpass filters with improved insertion loss in K-band utilizing low loss glass interposer technology and superlattice conductors | |
| Ke et al. | Design and realisation of low loss air‐filled rectangular coaxial cable with bent quarter‐wavelength supporting stubs | |
| Ke et al. | Micromachined rectangular coaxial line and cavity resonator for 77 GHz applications using SU8 photoresist | |
| Harle et al. | A horizontally integrated micromachined filter | |
| Yang et al. | Low Loss W-Band Packaged Filtering Balun Based on a Modified Quarter-Mode Folded Substrate-Integrated Waveguide Cavity | |
| Leung et al. | On-Chip microwave filters on standard silicon substrate incorporating a low-k BCB dielectric layer | |
| Xiao et al. | Design of W-band quasi-elliptic waveguide filters using non-resonating nodes | |
| Ferrand et al. | Compact quasi planar silicon bandpass filters based on metallic periodic structure for Q and V band applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190524 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |