CN109787076B - 热致波导结构激光器及激光放大器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种热致波导结构激光器及激光放大器，涉及激光技术领域，热致波导结构激光器包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和谐振腔，谐振腔内设置有晶体光纤；半导体激光器和泵浦激光器设置在耦合透镜组的一侧，谐振腔设置在耦合透镜组的另一侧；耦合透镜组用于将半导体激光器发射的激光与泵浦激光器发射的泵浦光耦合至晶体光纤；半导体激光器用于照射晶体光纤，以使晶体光纤形成热致波导结构。这样利用晶体光纤的热光效应，通过半导体激光器照射晶体光纤使晶体光纤形成热致波导结构，实现了对晶体光纤导波模式的选择与控制；与优化谐振腔方式的激光器相比，简化了晶体光纤激光器的结构，提高了晶体光纤激光器的可靠性。

Description

热致波导结构激光器及激光放大器

技术领域

本发明涉及激光技术领域，尤其是涉及一种热致波导结构激光器及激光放大器。

背景技术

高光束质量、高峰值功率、高平均功率激光器在工业和科研领域具有重要的应用前景。晶体光纤结合了光纤和晶体增益介质的双重优势，既具有光纤激光器高效散热的优点，又具有晶体良好的光谱性能和热机械性能，使得晶体光纤激光器具有结构简单、成本低、稳定性强、增益高等优势，是实现更高峰值功率、更高重复频率激光输出的理想介质。

由于典型晶体光纤直径较大，且信号光在晶体光纤中自由传播，因此晶体光纤无法实现对信号光传播模式的选择与控制，目前通常通过对晶体光纤激光器的谐振腔优化设计来进行模式选择与控制，导致利用晶体光纤实现高光束质量激光输出的激光器结构设计复杂，晶体光纤激光器的可靠性较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种热致波导结构激光器及激光放大器，以简化晶体光纤激光器的结构，提高晶体光纤激光器的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供了一种热致波导结构激光器，包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和谐振腔，所述谐振腔内设置有晶体光纤；所述半导体激光器和所述泵浦激光器设置在所述耦合透镜组的一侧，所述谐振腔设置在所述耦合透镜组的另一侧；所述耦合透镜组用于将所述半导体激光器发射的激光与所述泵浦激光器发射的泵浦光耦合至所述晶体光纤；所述半导体激光器用于照射所述晶体光纤，以使所述晶体光纤形成热致波导结构。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，在所述耦合透镜组的远离所述谐振腔的一侧还设置有合束器或第一双色镜，所述合束器或所述第一双色镜用于使所述半导体激光器发射的激光与所述泵浦激光器发射的泵浦光合为一束后射入所述耦合透镜组。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述谐振腔包括平行平面腔或折叠腔。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述谐振腔包括反射镜和输出镜；所述谐振腔内还设置有准直透镜和调Q器件，所述准直透镜设置在所述晶体光纤与所述输出镜之间，所述调Q器件设置在所述反射镜与所述晶体光纤之间或所述晶体光纤与所述准直透镜之间。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述半导体激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述半导体激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述泵浦激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述泵浦激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，所述半导体激光器、所述泵浦激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述半导体激光器、一个所述泵浦激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述泵浦激光器和所述半导体激光器均包括光纤激光器或光纤耦合半导体激光器。

结合上述第一方面或其任一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，所述热致波导结构激光器还包括能量计，所述能量计设置在所述谐振腔的输出光路上；所述能量计用于测量所述谐振腔输出的激光能量。

第二方面，本发明实施例还提供一种激光放大器，包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和晶体光纤；所述半导体激光器和所述泵浦激光器设置在所述耦合透镜组的一侧，所述晶体光纤设置在所述耦合透镜组的另一侧；所述耦合透镜组用于将所述半导体激光器发射的激光、所述泵浦激光器发射的泵浦光和种子源发射的种子光耦合至所述晶体光纤；所述半导体激光器用于照射所述晶体光纤使所述晶体光纤形成热致波导结构。

本发明实施例带来了以下有益效果：

本发明实施例中，热致波导结构激光器包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和谐振腔，谐振腔内设置有晶体光纤；半导体激光器和泵浦激光器设置在耦合透镜组的一侧，谐振腔设置在耦合透镜组的另一侧；耦合透镜组用于将半导体激光器发射的激光与泵浦激光器发射的泵浦光耦合至晶体光纤；半导体激光器用于照射晶体光纤，以使晶体光纤形成热致波导结构。本发明实施例提供的热致波导结构激光器及激光放大器利用了晶体光纤的热光效应，通过半导体激光器照射晶体光纤来改变晶体光纤的折射率，使晶体光纤形成热致波导结构，从而实现了对晶体光纤导波模式的选择与控制。该热致波导结构激光器具有结构简单、稳定性高，能有效实现晶体光纤信号光传播模式控制的特点，且实用性和适用性强；与优化谐振腔方式的激光器相比，简化了晶体光纤激光器的结构，提高了晶体光纤激光器的可靠性。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种热致波导结构激光器的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种激光放大器的结构示意图。

图标：

101-半导体激光器；102-泵浦激光器；103-合束器；104-耦合透镜组；105-反射镜；106-晶体光纤；107-调Q器件；108-准直透镜；109-输出镜；110-能量计；201-第一双色镜；202-第二双色镜；203-第三双色镜；300-种子源。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

目前受限于晶体光纤制备技术，目前典型晶体光纤直径小于1毫米，长度约数厘米。在抽运过程中，泵浦光在晶体光纤中以全反射的形式传输，而信号光则自由传播，因此可以将晶体光纤看作长度较短的大模场光纤。光纤激光器主要利用单模光纤、弯曲选模等方式实现高光束质量激光输出，然而由于晶体光纤直径较大，且无法实现较小曲率半径的弯曲，导致目前常用的光纤选模技术在晶体光纤激光器中无法适用。对于晶体光纤激光器，目前主要通过空间谐振腔优化设计实现高光束质量激光输出。

通过优化晶体光纤谐振腔的方式对晶体光纤激光器进行模式选择与控制时，会导致晶体光纤激光器的设计复杂，系统可靠性较低，不利于长期使用。基于此，本发明实施例提供的一种热致波导结构激光器及激光放大器，利用晶体光纤的热致波导结构，在非包层结构晶体光纤纤芯直径较大的情况下，对晶体光纤输出光束的模式进行控制，从而实现高光束质量激光输出。

为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种热致波导结构激光器进行详细介绍。

实施例一：

本发明实施例提供了一种热致波导结构激光器，利用晶体光纤的热光效应，在晶体光纤内部实现特定的折射率分布，形成晶体光纤热致波导结构，实现对晶体光纤信号光传播模式的控制与选择，从而实现高光束质量、高峰值功率脉冲激光输出。该热致波导结构激光器适用于直径大于100μm的晶体光纤，例如直径在100μm-1mm范围内的晶体光纤均可以用于该热致波导结构激光器。

图1为本发明实施例提供的一种热致波导结构激光器的结构示意图，如图1所示，该热致波导结构激光器包括半导体激光器101、泵浦激光器102、耦合透镜组104和谐振腔，谐振腔内设置有晶体光纤106；半导体激光器101和泵浦激光器102设置在耦合透镜组104的一侧，谐振腔设置在耦合透镜组104的另一侧；耦合透镜组104用于将半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光耦合至晶体光纤106；半导体激光器101用于照射晶体光纤106，以使晶体光纤106形成热致波导结构。

具体地，半导体激光器101主要用于照射晶体光纤106，因晶体光纤106对半导体激光器101所发射的激光的吸收产热而形成热致波导结构，从而通过改变半导体激光器101的功率，可以实现对晶体光纤106内光传播模式的控制与选择。泵浦激光器102主要用于为该热致波导结构激光器提供泵浦能量，可选地，泵浦激光器102可以采用连续或准连续的方式进行泵浦，从而降低泵浦光对晶体光纤106的热效应。如图1所示，耦合透镜组104将半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的左端。晶体光纤106通过吸收泵浦光以及谐振腔的正反馈作用产生激光(信号光)。

半导体激光器101发射的激光波长与泵浦激光器102发射的泵浦光波长不同，例如，对于掺铒晶体光纤，半导体激光器101发射的激光波长可以为970nm，泵浦激光器102发射的泵浦光波长可以为1532nm，信号光波长可以为1645nm或1617nm。

上述热致波导结构激光器的工作原理如下：晶体光纤106对于半导体激光器101发射的激光具有较强的吸收，由于晶体光纤106的热光效应从而导致晶体光纤106的折射率发生变化。当晶体光纤106热致折射率分布满足热致波导条件而形成热致波导结构时，可实现对晶体光纤106导波模式的选择与控制。通过控制热致波导条件(半导体激光器101的功率)，实现晶体光纤106一定阶数模式激光输出，如基模输出。

上述热致波导结构激光器具有结构简单、稳定性高，能有效实现晶体光纤信号光传播模式控制的特点，且实用性和适用性强，具有实现高光束质量、高峰值功率脉冲激光输出的潜力；与优化谐振腔方式的激光器相比，简化了晶体光纤激光器的结构，提高了晶体光纤激光器的可靠性。

可选地，泵浦激光器102和半导体激光器101均包括光纤激光器或光纤耦合半导体激光器。

可选地，上述谐振腔包括平行平面腔或折叠腔。其中，平行平面腔由两块平行平面反射镜组成；折叠腔可以为四镜折叠腔、五镜折叠腔或七镜折叠腔等。如图1所示，由反射镜105和输出镜109构成谐振腔。反射镜105用于对晶体光纤106产生的激光进行反射，晶体光纤106产生的激光经输出镜109输出。

可选地，如图1所示，在耦合透镜组104的远离谐振腔的一侧还设置有合束器103，合束器103用于使半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光合为一束后射入耦合透镜组104。通过合束器103简化了系统光路。

可选地，如图1所示，上述谐振腔内还设置有准直透镜108和调Q器件107。具体地，准直透镜108设置在晶体光纤106与输出镜109之间，准直透镜108用于对晶体光纤106产生的激光进行准直。优选地，准直透镜108到晶体光纤106近端的距离约等于其焦距。调Q器件107可以设置在谐振腔内的任一位置处。考虑到当调Q器件107设置在准直透镜108与输出镜109之间时，要求调Q器件107具有较大的通光孔径，优选地，调Q器件107设置在反射镜105与晶体光纤106之间或晶体光纤106与准直透镜108之间。例如，如图1所示，调Q器件107设置在晶体光纤106与准直透镜108之间。

可选地，如图1所示，上述热致波导结构激光器还包括能量计110，能量计110设置在谐振腔的输出光路上；能量计110用于测量谐振腔输出的激光能量(输出镜109输出的信号光能量)。

图2为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图，图2中使用双色镜替代图1中的合束器103对泵浦激光器102和半导体激光器101进行空间光合束。其中，双色镜又称二向色镜，其特点是对一定波长的光几乎完全透过，而对另一些波长的光几乎完全反射。

如图2所示，在耦合透镜组104的远离谐振腔的一侧还设置有第一双色镜201，第一双色镜201用于使半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光合为一束后射入耦合透镜组104。具体地，如图2所示，半导体激光器101发射的激光经第一双色镜201反射进入耦合透镜组104，泵浦激光器102发射的泵浦光经第一双色镜201透射进入耦合透镜组104。需要说明的是，图2仅为示例，半导体激光器101和泵浦激光器102的位置可以互换。

图3为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图，图3中半导体激光器101采用双端照射的方式在晶体光纤106中形成热致波导结构。如图3所示，在图1的基础上，半导体激光器101和耦合透镜组104均为两个，谐振腔的两侧均设置有一个半导体激光器101和一个耦合透镜组104；靠近谐振腔输出端(输出镜109)一侧(即图3中的谐振腔右侧)的耦合透镜组104与谐振腔之间设置有第二双色镜202。

具体地，如图3所示，第二双色镜202用于使谐振腔右侧的半导体激光器101发射的激光透射进入晶体光纤106并对从谐振腔输出的信号光进行反射，以实现对晶体光纤106的双端照射。谐振腔左侧的耦合透镜组104将谐振腔左侧的半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的左端；谐振腔右侧的耦合透镜组104将谐振腔右侧的半导体激光器101发射的激光聚焦在晶体光纤106的右端(为了防止影响信号光的传输，未在图3中准确地示意出谐振腔右侧的耦合透镜组104的聚焦位置，下同)。

图4为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图，图4中泵浦激光器102采用双端泵浦的方式对晶体光纤106进行泵浦。如图4所示，在图1的基础上，泵浦激光器102和耦合透镜组104均为两个，谐振腔的两侧均设置有一个泵浦激光器102和一个耦合透镜组104；靠近谐振腔输出端一侧(即图4中的谐振腔右侧)的耦合透镜组104与谐振腔之间设置有第二双色镜202。

具体地，如图4所示，第二双色镜202用于使泵浦激光器102发射的泵浦光透射进入晶体光纤106并对从谐振腔输出的信号光进行反射，以实现对晶体光纤106的双端泵浦。谐振腔左侧的耦合透镜组104将谐振腔左侧的半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的左端；谐振腔右侧的耦合透镜组104将谐振腔右侧的泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的右端。

图5为本发明实施例提供的另一种热致波导结构激光器的结构示意图，图5中半导体激光器101采用双端照射的方式在晶体光纤106中形成热致波导结构，同时泵浦激光器102采用双端泵浦的方式对晶体光纤106进行泵浦。如图5所示，在图1的基础上，半导体激光器101、泵浦激光器102、合束器103和耦合透镜组104均为两个，谐振腔的两侧均设置有一个半导体激光器101、一个泵浦激光器102、一个合束器103和一个耦合透镜组104；靠近谐振腔输出端一侧(即图5中的谐振腔右侧)的耦合透镜组104与谐振腔之间设置有第二双色镜202。

具体地，如图5所示，第二双色镜202用于使谐振腔右侧的半导体激光器101发射的激光和泵浦激光器102发射的泵浦光透射进入晶体光纤106，并对从谐振腔输出的信号光进行反射，以实现对晶体光纤106的双端照射和双端泵浦。谐振腔左侧的耦合透镜组104将谐振腔左侧的半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的左端；谐振腔右侧的耦合透镜组104将谐振腔右侧的半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光聚焦在晶体光纤106的右端。

实施例二：

本发明实施例提供了一种激光放大器，利用晶体光纤的热致波导结构，实现对晶体光纤信号光传播模式的控制与选择。

图6为本发明实施例提供的一种激光放大器的结构示意图，如图6所示，该激光放大器包括半导体激光器101、泵浦激光器102、耦合透镜组104和晶体光纤106；半导体激光器101和泵浦激光器102设置在耦合透镜组104的一侧，晶体光纤106设置在耦合透镜组104的另一侧；耦合透镜组104用于将半导体激光器101发射的激光、泵浦激光器102发射的泵浦光和种子源300发射的种子光耦合至晶体光纤106；半导体激光器101用于照射晶体光纤106使晶体光纤106形成热致波导结构。

在一种可能的实现方式中，可以通过合束器使半导体激光器101发射的激光、泵浦激光器102发射的泵浦光和种子源300发射的种子光合为一束后射入耦合透镜组104。

在另一种可能的实现方式中，可以通过两个双色镜使半导体激光器101发射的激光、泵浦激光器102发射的泵浦光和种子源300发射的种子光合为一束后射入耦合透镜组104。例如，其中一个双色镜用于将半导体激光器101发射的激光反射至另一个双色镜，并使泵浦激光器102发射的泵浦光透射至该另一个双色镜；该另一个双色镜用于使半导体激光器101发射的激光和泵浦激光器102发射的泵浦光透射至耦合透镜组104，并将种子源300发射的种子光反射至耦合透镜组104。

在又一种可能的实现方式中，如图6所示，在耦合透镜组104的远离晶体光纤106的一侧还设置有合束器103和第三双色镜203，第三双色镜203设置在合束器103与耦合透镜组104之间，合束器103用于使半导体激光器101发射的激光与泵浦激光器102发射的泵浦光合为一束后射入第三双色镜203，第三双色镜203用于使半导体激光器101发射的激光和泵浦激光器102发射的泵浦光透射至耦合透镜组104，并将种子源300发射的种子光反射至耦合透镜组104。

需要说明的是，上面三种实现方式仅为示例，可以根据需要采用合束器和双色镜之一或其任意组合，来实现将半导体激光器101发射的激光、泵浦激光器102发射的泵浦光和种子源300发射的种子光合束到耦合透镜组104的目的。

本发明实施例提供的激光放大器与上述实施例一的热致波导结构激光器类似，区别在于没有谐振腔和调Q器件，因此热致波导结构激光器中除谐振腔和调Q器件之外的各个附加技术特征(诸如准直透镜、双端照射、双端泵浦等)均可以应用于激光放大器，这里不再赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的激光放大器的具体工作过程，可以参考前述热致波导结构激光器实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本发明实施例提供的激光放大器，与上述实施例提供的热致波导结构激光器具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种热致波导结构激光器，其特征在于，包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和谐振腔，所述谐振腔内设置有晶体光纤；所述半导体激光器和所述泵浦激光器设置在所述耦合透镜组的一侧，所述谐振腔设置在所述耦合透镜组的另一侧；

所述耦合透镜组用于将所述半导体激光器发射的激光与所述泵浦激光器发射的泵浦光耦合至所述晶体光纤；所述半导体激光器用于照射所述晶体光纤，以使所述晶体光纤形成热致波导结构；所述晶体光纤内的光传播模式由所述半导体激光器的功率决定；

所述半导体激光器发射的激光波长与所述泵浦激光器发射的泵浦光波长不同。

2.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，在所述耦合透镜组的远离所述谐振腔的一侧还设置有合束器或第一双色镜，所述合束器或所述第一双色镜用于使所述半导体激光器发射的激光与所述泵浦激光器发射的泵浦光合为一束后射入所述耦合透镜组。

3.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述谐振腔包括平行平面腔或折叠腔。

4.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述谐振腔包括反射镜和输出镜；所述谐振腔内还设置有准直透镜和调Q器件，所述准直透镜设置在所述晶体光纤与所述输出镜之间，所述调Q器件设置在所述反射镜与所述晶体光纤之间或所述晶体光纤与所述准直透镜之间。

5.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述半导体激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述半导体激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

6.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述泵浦激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述泵浦激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

7.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述半导体激光器、所述泵浦激光器和所述耦合透镜组均为两个，所述谐振腔的两侧均设置有一个所述半导体激光器、一个所述泵浦激光器和一个所述耦合透镜组；靠近所述谐振腔输出端一侧的耦合透镜组与所述谐振腔之间设置有第二双色镜。

8.根据权利要求1所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述泵浦激光器和所述半导体激光器均包括光纤激光器或光纤耦合半导体激光器。

9.根据权利要求1－8中任一项所述的热致波导结构激光器，其特征在于，所述热致波导结构激光器还包括能量计，所述能量计设置在所述谐振腔的输出光路上；所述能量计用于测量所述谐振腔输出的激光能量。

10.一种激光放大器，其特征在于，包括半导体激光器、泵浦激光器、耦合透镜组和晶体光纤；所述半导体激光器和所述泵浦激光器设置在所述耦合透镜组的一侧，所述晶体光纤设置在所述耦合透镜组的另一侧；

所述耦合透镜组用于将所述半导体激光器发射的激光、所述泵浦激光器发射的泵浦光和种子源发射的种子光耦合至所述晶体光纤；所述半导体激光器用于照射所述晶体光纤使所述晶体光纤形成热致波导结构；所述晶体光纤内的光传播模式由所述半导体激光器的功率决定；

所述半导体激光器发射的激光波长与所述泵浦激光器发射的泵浦光波长不同。