CN109771837A - 一种闭环控制的光强度恒定技术 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种闭环控制的光强度恒定技术,包括光强度采集电路、光强度采集转换电路、控制电路、隔离驱动电路、高压产生电路,所述控制电路包括控制芯片U1,控制芯片U1的型号为STM32F417,控制芯片U1采用3.3V直流电压驱动,所述光强度采集电路与光强度采集转换电路信号连接,光强度采集转换电路连接在控制芯片U1的第15脚,所述隔离驱动电路连接在控制芯片U1的第67脚与第68脚之间,隔离驱动电路的末端与高压产生电路连接,高压产生电路的末端电连接有紫外灯管LP1,高压产生电路通过紫外灯管LP1与光强度采集电路光信号连接。通过恒定的光强度,便于医护人员规律的调整光照时间,保证良好的治疗效果。
Description
技术领域
本发明涉及医学光疗技术领域,具体是涉及一种闭环控制的光强度恒定技术。
背景技术
白癜风是一种常见的、难治愈的色素脱失性皮肤病,其病因和发病机制尚未清楚,临床表现为皮肤黏膜白斑,常见于背、腕、手臂、颜面、颈项等,是世界皮肤病的三大顽症之一,并伴随有葡萄腺炎等并发症,目前临床治疗一般采用激素治疗、光疗、光化学疗法等方法对病灶进行治疗。其中的光疗方法一般采用窄波紫外线对病灶进行照射治疗,每个疗程中,每次治疗都需要足够的照射时间(即治疗剂量)。
目前的紫外线光疗仪中,由于紫外线光强度上下不定,在光疗过程中照射时间难以把控,光照时间过长容易产生二次伤害,而光照时间过短又无法达到良好的治疗效果。
发明内容
本发明为克服上述情况不足,旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。
一种闭环控制的光强度恒定技术,包括光强度采集电路、光强度采集转换电路、控制电路、隔离驱动电路、高压产生电路,所述控制电路包括控制芯片U1,控制芯片U1的型号为STM32F417,控制芯片U1采用3.3V直流电压驱动,所述光强度采集电路与光强度采集转换电路信号连接,光强度采集转换电路连接在控制芯片U1的第15脚,所述隔离驱动电路连接在控制芯片U1的第67脚与第68脚之间,隔离驱动电路的末端与高压产生电路连接,高压产生电路的末端电连接有紫外灯管LP1,高压产生电路通过紫外灯管LP1与光强度采集电路光信号连接。
进一步地,所述光强度采集电路包括感光二极管PD1,电流发送器N2,电流发送器N2的型号为XTR105P,感光二极管PD1的负极与电流发送器N2的第13脚电连接,感光二极管PD1的正极与电流发送器N2的第2脚电连接,电流发送器N2的第10脚与第7脚之间跨接有电容C10,所述光强度采集转换电路与电流发送器N2的第7脚电连接。
进一步地,所述光强度采集转换电路包括仪表放大器U24,仪表放大器U24的型号为AD620A,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚电连接,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚连接有电阻R70,仪表放大器的第6脚与控制芯片U1的第15脚之间连接有电阻R79,控制芯片U1的第15脚上连接有稳压二极管D6并经过稳压二极管D6接地,仪表放大器U24的第5脚接地。
进一步地,所述隔离驱动电路包括隔离器芯片U21、驱动电压VDD,隔离器芯片U21的型号为Si8233BB-D-IS1,隔离器芯片U21的第1脚、第2脚分别与控制芯片U1的第67脚、第68脚电连接,隔离器芯片U21的第5脚与控制芯片U1的第5脚电连接,隔离器芯片U21的第16脚与驱动电压VDD之间连接有二极管D11,二极管D11的负极与隔离器芯片U21的第16脚电连接,隔离器芯片U21的第14脚与第16脚之间跨接有并联的电容C52、电容C53,隔离器芯片U21的第11脚与驱动电压VDD电连接,隔离器芯片U21的第14脚与高压产生电路电连接。
进一步地,所述高压产生电路包括变压器T1,变压器T1的初级与隔离器芯片U21的第14脚电连接且连接有300V初级电压,变压器T1的次级与紫外灯管LP1电连接。
与现有技术相比,本发明取得的有益效果为:本发明结构新颖,通过光强度采集电路光强度大小被控制芯片采集,控制芯片控制隔离驱动电路的输出频率从而调整高压产生电路输出的电压,进而对光强度进行调整恒定,通过恒定的光强度,便于医护人员规律的调整光照时间,保证良好的治疗效果。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中控制电路的电路原理图;
图2为本发明中光强度采集电路的电路原理图;
图3为本发明中光强度采集转换电路的电路原理图;
图4为本发明中隔离驱动电路的电路原理图;
图5为本发明中高压产生电路的电路原理图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5,一种闭环控制的光强度恒定技术,包括光强度采集电路、光强度采集转换电路、控制电路、隔离驱动电路、高压产生电路,所述控制电路包括控制芯片U1,控制芯片U1的型号为STM32F417,控制芯片U1采用3.3V直流电压驱动,所述光强度采集电路与光强度采集转换电路信号连接,光强度采集转换电路连接在控制芯片U1的第15脚,所述隔离驱动电路连接在控制芯片U1的第67脚与第68脚之间,隔离驱动电路的末端与高压产生电路连接,高压产生电路的末端电连接有紫外灯管LP1,高压产生电路通过紫外灯管LP1与光强度采集电路光信号连接。
进一步地,所述光强度采集电路包括感光二极管PD1,电流发送器N2,电流发送器N2的型号为XTR105P,感光二极管PD1的负极与电流发送器N2的第13脚电连接,感光二极管PD1的正极与电流发送器N2的第2脚电连接,电流发送器N2的第10脚与第7脚之间跨接有电容C10,所述光强度采集转换电路与电流发送器N2的第7脚电连接。
进一步地,所述光强度采集转换电路包括仪表放大器U24,仪表放大器U24的型号为AD620A,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚电连接,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚连接有电阻R70,仪表放大器的第6脚与控制芯片U1的第15脚之间连接有电阻R79,控制芯片U1的第15脚上连接有稳压二极管D6并经过稳压二极管D6接地,仪表放大器U24的第5脚接地。
进一步地,所述隔离驱动电路包括隔离器芯片U21、驱动电压VDD,隔离器芯片U21的型号为Si8233BB-D-IS1,隔离器芯片U21的第1脚、第2脚分别与控制芯片U1的第67脚、第68脚电连接,隔离器芯片U21的第5脚与控制芯片U1的第5脚电连接,隔离器芯片U21的第16脚与驱动电压VDD之间连接有二极管D11,二极管D11的负极与隔离器芯片U21的第16脚电连接,隔离器芯片U21的第14脚与第16脚之间跨接有并联的电容C52、电容C53,隔离器芯片U21的第11脚与驱动电压VDD电连接,隔离器芯片U21的第14脚与高压产生电路电连接。
进一步地,所述高压产生电路包括变压器T1,变压器T1的初级与隔离器芯片U21的第14脚电连接且连接有300V初级电压,变压器T1的次级与紫外灯管LP1电连接。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (5)
1.一种闭环控制的光强度恒定技术,包括光强度采集电路、光强度采集转换电路、控制电路、隔离驱动电路、高压产生电路,其特征在于,所述控制电路包括控制芯片U1,控制芯片U1的型号为STM32F417,控制芯片U1采用3.3V直流电压驱动,所述光强度采集电路与光强度采集转换电路信号连接,光强度采集转换电路连接在控制芯片U1的第15脚,所述隔离驱动电路连接在控制芯片U1的第67脚与第68脚之间,隔离驱动电路的末端与高压产生电路连接,高压产生电路的末端电连接有紫外灯管LP1,高压产生电路通过紫外灯管LP1与光强度采集电路光信号连接。
2.根据权利要求书1所述一种闭环控制的光强度恒定技术,其特征在于,所述光强度采集电路包括感光二极管PD1,电流发送器N2,电流发送器N2的型号为XTR105P,感光二极管PD1的负极与电流发送器N2的第13脚电连接,感光二极管PD1的正极与电流发送器N2的第2脚电连接,电流发送器N2的第10脚与第7脚之间跨接有电容C10,所述光强度采集转换电路与电流发送器N2的第7脚电连接。
3.根据权利要求书2所述一种闭环控制的光强度恒定技术,其特征在于,所述光强度采集转换电路包括仪表放大器U24,仪表放大器U24的型号为AD620A,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚电连接,仪表放大器U24的第3脚与电流发送器N2的第7脚连接有电阻R70,仪表放大器的第6脚与控制芯片U1的第15脚之间连接有电阻R79,控制芯片U1的第15脚上连接有稳压二极管D6并经过稳压二极管D6接地,仪表放大器U24的第5脚接地。
4.根据权利要求1所述一种闭环控制的光强度恒定技术,其特征在于,所述隔离驱动电路包括隔离器芯片U21、驱动电压VDD,隔离器芯片U21的型号为Si8233BB-D-IS1,隔离器芯片U21的第1脚、第2脚分别与控制芯片U1的第67脚、第68脚电连接,隔离器芯片U21的第5脚与控制芯片U1的第5脚电连接,隔离器芯片U21的第16脚与驱动电压VDD之间连接有二极管D11,二极管D11的负极与隔离器芯片U21的第16脚电连接,隔离器芯片U21的第14脚与第16脚之间跨接有并联的电容C52、电容C53,隔离器芯片U21的第11脚与驱动电压VDD电连接,隔离器芯片U21的第14脚与高压产生电路电连接。
5.根据权利要求4所述一种闭环控制的光强度恒定技术,其特征在于,所述高压产生电路包括变压器T1,变压器T1的初级与隔离器芯片U21的第14脚电连接且连接有300V初级电压,变压器T1的次级与紫外灯管LP1电连接。
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