CN109683224B - 一种基于多pit效应的四通道光学滤波器 - Google Patents

一种基于多pit效应的四通道光学滤波器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，包括二氧化硅衬底、金属层、石墨烯层、两个第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔，所述二氧化硅衬底水平设置，所述金属层水平设置在所述二氧化硅衬底的上端，所述金属层上端设有沿前后方向延伸的条形波导，所述波导的两端分别水平延伸至所述金属层的前后两端，两个所述第一谐振腔分别沿前后方向间隔设置在所述金属层的上端，并分别位于所述波导的左右两侧，两个所述第一谐振腔均与所述波导连通，所述石墨烯层设置在两个所述第一谐振腔之间，并填充在所述波导内。本发明所述的光学滤波器，具有功耗低和尺寸小的优点。

Description

一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器
技术领域
本发明涉及光子集成领域。更具体地说，本发明涉及一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器。
背景技术
光学滤波器可以实现波分复用、带通或带阻的波长选择功能，是光通信技术中的重要器件。随着大规模集成全光器件的发展，光通信波段的多通道光学滤波器小尺寸、低功耗的需求越来越明显，因而实现具有低功耗、小尺寸、易于集成的新的工作机理的动态可调谐多通道光学滤波器显得非常重要。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，包括二氧化硅衬底、金属层、石墨烯层、两个第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔，所述二氧化硅衬底水平设置，所述金属层水平设置在所述二氧化硅衬底的上端，所述金属层上端设有沿前后方向延伸的条形波导，所述波导的两端分别水平延伸至所述金属层的前后两端，两个所述第一谐振腔分别沿前后方向间隔设置在所述金属层的上端，并分别位于所述波导的左右两侧，两个所述第一谐振腔均与所述波导连通，所述石墨烯层设置在两个所述第一谐振腔之间，并填充在所述波导内，所述第二谐振腔和所述第三谐振腔分别设在位于所述金属层上端前方的所述第一谐振腔的前后两侧，所述第四谐振腔和所述第五谐振腔分别设在位于所述金属层上端后方的所述第一谐振腔的前后两侧，所述第二谐振腔、所述第三谐振腔、所述第四谐振腔和所述第五谐振腔内均填充有光学材料，所述波导内填充有空气。
进一步地，所述第一谐振腔、所述第二谐振腔、所述第三谐振腔、所述第四谐振腔和所述第五谐振腔均为矩形腔，其中，所述第一谐振腔的长度方向沿左右方向设置，且位于所述金属层上端前方的所述第一谐振腔的右端与所述波导连通，位于所述金属层上端后方的所述第一谐振腔的左端与所述波导连通，所述第二谐振腔、所述第三谐振腔、所述第四谐振腔和所述第五谐振腔的长度方向均沿前后方向设置。
进一步地，所述第二谐振腔和所述第三谐振腔与位于所述金属层上端前方的所述第一谐振腔的距离均为20nm，所述第四谐振腔和所述第五谐振腔与位于所述金属层上端后方的所述第一谐振腔的距离均为10nm。
进一步地，所述第一谐振腔的长度为600nm，宽度为30nm，两个所述第一谐振腔的间距为50nm。
进一步地，所述第二谐振腔、所述第三谐振腔、所述第四谐振腔和所述第五谐振腔的长度均为45nm，所述第二谐振腔的宽度为105nm，所述第三谐振腔的宽度为115nm，所述第四谐振腔的宽度为90nm，所述第五谐振腔的宽度为130nm。
进一步地，所述金属层由金属金制成。
进一步地，所述金属层的厚度为300nm。
进一步地，所述波导的深度为150nm，宽度为50nm。
进一步地，所述石墨烯层的长度为50nm。
进一步地，所述光学材料为硅。
本发明的有益效果是：本发明公开的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，不仅解决了传统的滤波器需要大的泵浦光强、器件尺寸大和响应速率慢的问题，还解决了传统的滤波器带宽窄、带外抑制性差等问题，并具有以下几个优点：(1)结构简单，超紧凑结构，尺寸小；(2)功耗低，所需泵浦光强值显著降低；(3)滤波器带宽宽、带外抑制性好；(4)在光通信波段，实现了动态可调谐的多通道SPPs光学滤波器。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1为本发明所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器的结构示意图；
图2为多PIT效应透射光谱随泵浦光强的变化规律图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
需要说明的是，下述实施方案中所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法，所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。
如图1-图2所示，本发明的实施例提供一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，包括二氧化硅衬底1、金属层2、石墨烯层3、两个第一谐振腔4、第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8，所述二氧化硅衬底1水平设置，所述金属层2水平设置在所述二氧化硅衬底1的上端，所述金属层2上端设有沿前后方向延伸的条形波导9，所述波导9的两端分别水平延伸至所述金属层2的前后两端，两个所述第一谐振腔4分别沿前后方向间隔设置在所述金属层2的上端，并分别位于所述波导9的左右两侧，两个所述第一谐振腔4均与所述波导9连通，所述石墨烯层3设置在两个所述第一谐振腔4之间，并填充在所述波导9内，所述第二谐振腔5和所述第三谐振腔6分别设在位于所述金属层2上端前方的所述第一谐振腔4的前后两侧，所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8分别设在位于所述金属层2上端后方的所述第一谐振腔4的前后两侧，所述第二谐振腔5、所述第三谐振腔6、所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8内均填充有光学材料，所述波导9内填充有空气。
在上述实施例中，上述实施例所述的滤波器的设计原理为多PIT效应的动态可调谐性，基于SPPs局域光场和PIT效应慢光对光学Kerr效应大的协同增强作用原理，通过将电磁波聚集在金属-电介质界面处，使电磁波与金属中的传输自由电子振荡耦合共振，从而激发形成SPPs波，利用SPPs对光学Kerr效应的增强特性，动态调谐SPPs波导的传输相位，实现多PIT效应的动态可调谐机制，进而可通过实现动态调控滤波器透射光谱的幅度和宽度，以实现调控滤波器滤波功能的目的。其中，SPPs波在等离子体波导中的传输能够克服经典衍射极限的限制，并且能够在纳米尺寸范围内对光波进行操控，金属–电介质–金属(Metal–Dielectric–Metal,简称MDM)波导具有强的光场限制能力和小的器件尺寸，它不仅在较宽的频谱范围内支持亚波长高群速度的模式，而且可以实现长程传输并允许其在纳米量级尺寸内操控和传输光波；PIT效应是传统类EIT效应与表面等离子体激元相结合的产物，具有可在室温下操作，芯片集成的兼容性，透射波段的可调谐性以及带宽的可控性等优点；上述实施例所述的滤波器，第一谐振腔4可作为明模式，由于第一谐振腔4与波导9连通，波导9中传输的SPPs波可直接耦合进入第一谐振腔4中，第一谐振腔4与波导9产生波导耦合作用；第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8均为暗模式，第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4产生近场耦合作用，并通过第一谐振腔4与波导9发生间接耦合作用；信号光和泵浦光过耦合的方式在波导9的边界处输入(波导9的边界处是指波导前端空气与金属层的交界处)，泵浦光作用于金属金和石墨烯-空气的界面处，并激发形成SPPs波，通过改变泵浦光强，以改变石墨烯的折射率，对SPPs波信号光产生交叉相位调制作用，进而改变第一谐振腔4与波导9的波导耦合强度和第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7、第五谐振腔8与第一谐振腔4的近场耦合强度，并通过明模式谐振腔与各个暗模式谐振腔之间的相干相消作用产生动态可调谐的多PIT效应，从而实现动态可调谐的四通道光学滤波器。其中，明模式谐振腔与各个暗模式谐振腔之间的相干相消作用产生四个PIT效应透射窗，当泵浦光强由6.7MW/cm2增加到9.9MW/cm2时，四个PIT效应透射窗的幅度均出现了明显的上升，四个透射窗口的中心波长分别为1280nm、1388nm、1600nm、1788nm。多PIT效应透射窗均受到系统中波导9相移的影响，因此可以动态的对四通道光学滤波器的幅度和带宽进行调控，从而使得带通的部分增加，带阻的部分减小，有利于滤波，并显著降低滤波器的功耗。在可见光和近红外区域，石墨烯具有大的光学Kerr非线性系数(n2＝-1.2×10–7cm2/W)，采用石墨烯–金属复合材料波导结构，利用光学Kerr效应的增强机制可以进一步降低滤波器的调谐泵浦光强，进而可进一步降低滤波器的功耗。本实施例所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，将多PIT效应的动态可调谐性应用于滤波器中，不仅解决了传统的滤波器带宽窄、带外抑制性差等问题，还显著地降低了滤波器的功耗，提高了四通道光学滤波器在宽带高速光通信网络中的应用前景，具有较大的发展潜力。
优选的，所述第一谐振腔4、所述第二谐振腔5、所述第三谐振腔6、所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8均为矩形腔，其中，所述第一谐振腔4的长度方向沿左右方向设置，且位于所述金属层2上端前方的所述第一谐振腔4的右端与所述波导9连通，位于所述金属层2上端后方的所述第一谐振腔4的左端与所述波导9连通，所述第二谐振腔5、所述第三谐振腔6、所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8的长度方向均沿前后方向设置。
在上述实施例中，矩形的第一谐振腔4、第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8具有结构简单和便于工艺制作等优点。
优选的，所述第二谐振腔5和所述第三谐振腔6与位于所述金属层2上端前方的所述第一谐振腔4的距离均为20nm，所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8与位于所述金属层2上端后方的所述第一谐振腔4的距离均为10nm。
在上述实施例中，第二谐振腔5和第三谐振腔6与第一谐振腔4之间的距离直接影响第二谐振腔5和第三谐振腔6与第一谐振腔4之间的近场耦合过程，同理，第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4之间的距离直接影响第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4之间的近场耦合过程，进而影响多PIT效应的动态可调谐性过程。其中，当第二谐振腔5和第三谐振腔6与第一谐振腔4的距离均为20nm，第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4的距离均为10nm时，可保证第二谐振腔5和第三谐振腔6与第一谐振腔4之间的有效耦合，以及第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4之间的有效耦合。
优选的，所述第一谐振腔4的长度为600nm，宽度为30nm，两个所述第一谐振腔4的间距为50nm。
在上述实施例中，当滤波器具有低功耗优点的同时，其器件尺寸的大小也会直接影响滤波器的实用性能和应用前景，当第一谐振腔4的长度为600nm，宽度为30nm时，既能满足滤波器具有低功耗的优点，还可以实现滤波器的超紧凑结构，显著减小了滤波器的尺寸(整个滤波器的面积小于1μm2)，使滤波器具有小尺寸的优势和广阔的应用前景。两个第一谐振腔4之间的间接耦合(相位耦合)作用改变多PIT效应透射光谱，进而影响多PIT效应的动态可调谐性过程，当两个第一谐振腔4的间距为50nm时，PIT效应透射光谱出现滤波器的四个透射窗口。
优选的，所述第二谐振腔5、所述第三谐振腔6、所述第四谐振腔7和所述第五谐振腔8的长度均为45nm，所述第二谐振腔5的宽度为105nm，所述第三谐振腔6的宽度为115nm，所述第四谐振腔7的宽度为90nm，所述第五谐振腔8的宽度为130nm。
在上述实施例中，第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8的长度和宽度直接影响第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8的谐振波长，进而影响其与第一谐振腔4之间的耦合作用以及多PIT效应的动态可调谐性过程。
优选的，所述金属层2由金属金制成。
在上述实施例中，SPPs波在金属金中传输损耗显著小于其他金属，并且金属金在空气中不易氧化。
优选的，所述金属层2的厚度为300nm。
在上述实施例中，当金属层2的厚度为300nm时，滤波器在能实现降低功耗的目的下，还可使滤波器具有较小的器件尺寸。
优选的，所述波导9的深度为150nm，宽度为50nm。
在上述实施例中，当波导9的深度为150nm，宽度为50nm时，可实现滤波器的超紧凑结构。
优选的，所述石墨烯层的长度为50nm。
在上述实施例中，其中，石墨烯层3为单层石墨烯。
优选的，所述光学材料为硅。
在上述实施例中，根据硅的折射率特征，可使得第二谐振腔5、第三谐振腔6、第四谐振腔7和第五谐振腔8与第一谐振腔4的谐振波长靠近，使得滤波器带阻的部分减小，带通的部分增加，有利于滤波器的工作；此外，硅还具有生产成本低，原材料易获得等优点，有利于降低滤波器的造价成本，提高滤波器的实用性能和应用前景。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的实施例。

Claims (10)

1.一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，包括二氧化硅衬底(1)、金属层(2)、石墨烯层(3)、两个第一谐振腔(4)、第二谐振腔(5)、第三谐振腔(6)、第四谐振腔(7)和第五谐振腔(8)，所述二氧化硅衬底(1)水平设置，所述金属层(2)水平设置在所述二氧化硅衬底(1)的上端，所述金属层(2)上端设有沿前后方向延伸的条形波导(9)，所述波导(9)的两端分别水平延伸至所述金属层(2)的前后两端，两个所述第一谐振腔(4)分别沿前后方向间隔设置在所述金属层(2)的上端，并分别位于所述波导(9)的左右两侧，两个所述第一谐振腔(4)均与所述波导(9)连通，所述石墨烯层(3)设置在两个所述第一谐振腔(4)之间，并填充在所述波导(9)内，所述第二谐振腔(5)和所述第三谐振腔(6)分别设在位于所述金属层(2)上端前方的所述第一谐振腔(4)的前后两侧，所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)分别设在位于所述金属层(2)上端后方的所述第一谐振腔(4)的前后两侧，所述第二谐振腔(5)、所述第三谐振腔(6)、所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)内均填充有光学材料，所述波导(9)内填充有空气。
2.根据权利要求1所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔(4)、所述第二谐振腔(5)、所述第三谐振腔(6)、所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)均为矩形腔，其中，所述第一谐振腔(4)的长度方向沿左右方向设置，且位于所述金属层(2)上端前方的所述第一谐振腔(4)的右端与所述波导(9)连通，位于所述金属层(2)上端后方的所述第一谐振腔(4)的左端与所述波导(9)连通，所述第二谐振腔(5)、所述第三谐振腔(6)、所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)的长度方向均沿前后方向设置。
3.根据权利要求2所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述第二谐振腔(5)和所述第三谐振腔(6)与位于所述金属层(2)上端前方的所述第一谐振腔(4)的距离均为20nm，所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)与位于所述金属层(2)上端后方的所述第一谐振腔(4)的距离均为10nm。
4.根据权利要求2所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔(4)的长度为600nm，宽度为30nm，两个所述第一谐振腔(4)的间距为50nm。
5.根据权利要求2所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述第二谐振腔(5)、所述第三谐振腔(6)、所述第四谐振腔(7)和所述第五谐振腔(8)的长度均为45nm，所述第二谐振腔(5)的宽度为105nm，所述第三谐振腔(6)的宽度为115nm，所述第四谐振腔(7)的宽度为90nm，所述第五谐振腔(8)的宽度为130nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述金属层(2)由金属金制成。
7.根据权利要求4所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述金属层(2)的厚度为300nm。
8.根据权利要求1所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述波导(9)的深度为150nm，宽度为50nm。
9.根据权利要求1所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述石墨烯层(3)的长度为50nm。
10.根据权利要求1所述的一种基于多PIT效应的四通道光学滤波器，其特征在于，所述光学材料为硅。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US6967168B2 (en) * 2001-06-29 2005-11-22 The Euv Limited Liability Corporation Method to repair localized amplitude defects in a EUV lithography mask blank
US7444045B2 (en) * 2003-10-14 2008-10-28 3M Innovative Properties Company Hybrid sphere-waveguide resonators

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