CN109672436A - 对光轴键盘进行光衰补偿的方法 - Google Patents

Abstract

本发明关于一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法，其中光轴键盘包含多个按键单元，多个按键单元中的任一按键单元包含红外光产生器，且该方法包含：读取记忆装置以取得光轴键盘的使用时间信息，其中使用时间信息指出红外光产生器的累计使用时间；基于光衰时间对照表，依据使用时间信息取得光轴键盘的光衰信息，其中光衰时间对照表指出红外线产生器随累计使用时间的红外光强度变化；以及依据光衰信息，控制红外光产生器的红外光强度。本发明能依据光轴键盘中的红外光产生器的使用状况来进行相对应的强度补偿，以避免光轴键盘因光衰问题而失效。

Description

对光轴键盘进行光衰补偿的方法

技术领域

本发明涉及光轴键盘(或称光机(optical mechanical)键盘，诸如具有通过光感应制动的按键的键盘)，尤其涉及一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法。

背景技术

由于光轴键盘是利用红外光产生器所产生的红外光以及相对应的感测装置来运作的，因此光轴键盘的寿命会受到其内的红外光产生器影响。例如：红外光产生器因自身特性而有光衰寿命的问题，当所产生的红外光的强度随着累计使用时间的增加而减弱，可能造成光轴键盘进行扫描时判断失效。因此，需要一种新颖的方法，来解决光轴键盘因光衰寿命所产生的问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下，解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法，以侦测光衰的程度并进行相对应的补偿。

根据本发明的一方面，本发明提供一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法。该光轴键盘具有记忆装置、光衰时间对照表及多个按键单元，每个按键单元包含红外光产生器，且该方法包含：

读取该记忆装置以取得该光轴键盘的使用时间信息，其中该使用时间信息指出该红外光产生器的累计使用时间；

基于该光衰时间对照表，依据该使用时间信息取得该光轴键盘的光衰信息，其中该光衰时间对照表记载了该红外光产生器随累计使用时间的红外光强度变化；以及

依据该光衰信息，控制该红外光产生器的红外光强度。

作为可选的技术方案，该光轴键盘还具有计时器，该方法还包含：

在该光轴键盘操作的期间，利用该计时器产生该使用时间信息，并将该使用时间信息储存于该记忆装置中；以及

在该光轴键盘操作的期间，每经过特定时间周期就更新一次储存于该记忆装置中的该使用时间信息。

作为可选的技术方案，读取该记忆装置以取得该光轴键盘的该使用时间信息的步骤还包含：

每经过该特定时间周期就读取一次该记忆装置以取得该光轴键盘的该使用时间信息。

根据本发明的另一方面，本发明还提供另一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法。该光轴键盘包含记忆装置及多个按键单元，每个按键单元包含红外光产生器以及侦测元件，且该方法包含：

在该光轴键盘上电后，通过该侦测元件依据该红外光产生器所产生的红外光强度产生电压值；

依据该电压值产生该红外光产生器的补偿信息；

将该补偿信息储存至该记忆装置中；以及

在该光轴键盘进行正常运作时，依据该补偿信息增强该红外光强度。

作为可选的技术方案，该补偿信息包含：

补偿强度段数，表示该红外光强度的增强量；

异常标帜，其中，在补偿运作中，该异常标帜为真则表示该补偿运作为异常，而该异常标帜为假则表示该补偿运作为正常；

重新补偿次数，其表示该补偿运作为异常的连续次数；以及

初始电压值，其表示在未按下该按键单元时该侦测元件所产生的电压电位。

作为可选的技术方案，依据该电压值产生该红外光产生器的补偿信息的步骤包含：

当该电压值大于该初始电压值，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数。

作为可选的技术方案，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该电压值与该初始电压值之间的差距所对应的调整量小于预定调整段数时，依据该调整量调整该补偿强度段数。

作为可选的技术方案，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该电压值与该初始电压值之间的差距所对应的调整量大于预定调整段数时，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数。

作为可选的技术方案，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该重新补偿次数达到预定次数时，依据该调整量调整该补偿强度段数。

作为可选的技术方案，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该重新补偿次数未达到该预定次数时，依据该预定调整段数调整该补偿强度段数。

综上所述，本发明能依据该光轴键盘中的红外光产生器的使用状况，例如光衰状况，来进行相对应的强度补偿，以避免该光轴键盘因光衰问题而失效。另外，依据本发明的实施例来进行光衰补偿不会大幅增加额外成本，因此，本发明能在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下，解决相关技术的问题。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的光轴键盘的示意图。

图2为依据本发明一实施例中多个按键单元的示意图。

图3为依据本发明一实施例的光衰时间对照表。

图4为依据本发明一实施例的对光轴键盘进行光衰补偿的工作流程。

图5为依据本发明一实施例的光轴键盘的示意图。

图6为依据本发明一实施例的对光轴键盘进行光衰补偿的工作流程。

具体实施方式

有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的一种较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

图1为依据本发明一实施例的光轴键盘100的示意图，其中光轴键盘100可包含按键阵列10、控制器20、记忆装置30以及计时器40，且按键阵列10可包含多个按键单元(诸如按键单元110)以及对应的选择电路(诸如选择电路120)。在本实施例中，控制器20可耦接至按键阵列10中的按键单元110以及选择电路120，且另耦接至记忆装置30以及计时器40，其中控制器20可利用选择电路120控制按键单元110输出一输出电压(可称为“PT电压”，其中PT可表示此电压为光敏晶体管的输出电压)至控制器20，但本发明不限于此。

图2为依据本发明一实施例中多个按键单元诸如第一按键单元110_1与第二按键单元110_2的示意图，其中第一按键单元110_1与第二按键单元110_2中任一者可作为图1所示的按键单元110的例子，且第一按键单元110_1与第二按键单元110_2可分别耦接至光轴键盘100中的第一选择电路120_1与第二选择电路120_2。第一按键单元110_1可包含红外光产生器诸如第一红外光发光二极管(infrared Light-emitting diode,IR LED)112_1、侦测元件诸如第一光敏晶体管(phototransistor)114_1、第一负载电阻116_1以及第一遮光板118_1，其中第一负载电阻116_1耦接于第一红外光发光二极管112_1与第一选择电路120_1之间；第二按键单元110_2可包含第二红外光发光二极管112_2、第二光敏晶体管114_2、第二负载电阻116_2以及第二遮光板118_2，其中第二负载电阻116_2耦接于第二红外光发光二极管112_2与第二选择电路120_2之间；但本发明不限于此。举例来说，光轴键盘100可为(30*6)的光轴键盘，即光轴键盘100可包含180个与第一按键单元110_1或第二按键单元110_2的架构类似的按键单元，相关领域者于阅读以上说明后应可了解不同按键单元数量的架构，在此不赘述。

在本实施例中，由于第一按键单元110_1未被按下，其内的第一遮光板118_1不会被设置于第一红外光发光二极管112_1与第一光敏晶体管114_1之间，而由于第二按键单元110_2被按下，其内的第二遮光板118_2会被设置于第二红外光发光二极管112_2与第二光敏晶体管114_2之间，如此一来，当光轴键盘100依序对第一按键单元110_1与第二按键单元110_2进行扫描时可依据输出至输出端子PT_OUT的电压电位判断对应的按键单元是否有被按下，其中输出端子PT_OUT可耦接至图1所示的控制器20。例如，当光轴键盘100开启第一选择电路120_1时，第一红外光发光二极管112_1可产生红外光，而第一光敏晶体管114_1可接收到第一红外光发光二极管112_1所产生的红外光而导通，使得耦接至输出端子PT_OUT的第一输出端PT1从第一电压电位(例如高电位)被拉至第二电压电位(例如低电位)；当光轴键盘100开启第二选择电路120_2时，第二红外光发光二极管112_2可产生红外光，而第二光敏晶体管114_2因第二遮光板118_2无法接收到第二红外光发光二极管112_2所产生的红外光，使得耦接至输出端子PT_OUT的第二输出端PT2维持在第一电压电位。换句话说，当输出端子PT_OUT的电压电位为第一电压电位，则表示对应的按键单元(例如第二按键单元110_2)有被按下，相对地，当输出端子PT_OUT的电压电位为第二电压电位，则表示对应的按键单元(例如第一按键单元110_1)未被按下。熟习此技艺者应可了解与光轴键盘100的运作相关的实施细节，为简明起见，在此不赘述。

图3为依据本发明一实施例的光衰时间对照表300(例如：发光二极管制造商所提供的光衰时间对照表)，光衰时间对照表300可存储于记忆装置30内，其中光衰时间对照表300可指出第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2随累计使用时间的红外光强度变化。如图3所示，红外光发光二极管的红外光强度会随着时间逐渐衰减。为了避免第一按键单元110_1与第二按键单元110_2因其内的第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的光衰问题而失效，控制器20可依据光衰时间对照表300来控制第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度。

图4为依据本发明一实施例的对光轴键盘100进行光衰补偿的工作流程400。本发明所提出的方法可依据光轴键盘100中的第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的累计使用时间，来调整供应给第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的电流大小，以补偿第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度。

在步骤410中，光轴键盘100上电。

在步骤420中，光轴键盘100中的控制器20可读取记忆装置(诸如记忆装置30，记忆装置30例如为闪存(flash memory))以取得光轴键盘100的使用时间信息，其中该使用时间信息指出该红外光产生器(例如第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2)的累计使用时间(例如：20000小时)。

在步骤430中，基于光衰时间对照表(诸如图3所示的光衰时间对照表300)，控制器20可依据该使用时间信息取得光轴键盘100的光衰信息(例如：相对功率为60％)。

在步骤440中，控制器20可依据该光衰信息来控制第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度，例如：将电流调整为1.67倍，如此一来，虽然第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的累计使用时间不停增加，但其红外光强度能维持一致而不会衰减。其中上述控制红外光强度的机制并非对本发明的限制，例如，第一选择电路120_1与第二选择电路120_2中每一者可包含切换式电流源，以供应不同的电流大小；又例如，第一负载电阻116_1与第二负载电阻116_2中每一者可包含可变电阻，来调整第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度。熟习此技艺者应可了解各种针对红外光强度的调整方法，在此不赘述。

在步骤450中，控制器20可启动光轴键盘100中的计时器(诸如计时器40)，以使得计时器40开始进行计时，也就是说，在光轴键盘100操作的期间，计时器40可产生该使用时间信息以记录该累计使用时间。

在步骤460中，光轴键盘100可进入正常的操作模式，例如：进行按键扫描取得按键指令。另外，在光轴键盘100操作的期间，控制器20可依据特定时间周期来持续地更新储存于记忆装置30的使用时间信息，以供光轴键盘100下一次上电后能取得更新后的使用时间信息。例如，控制器20每经过该特定时间周期(例如24分钟)就从计时器40取得累计使用时间，以更新储存于记忆装置30的使用时间信息所记录的累计使用时间。

在某些实施例中，控制器20可依据特定时间周期诸如上述特定时间周期来动态地控制第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度，例如：每经过该特定时间周期(例如24分钟)，就读取一次记忆装置30以取得光轴键盘100的使用时间信息，尤指最新的使用时间信息，并依据最近的使用时间信息来控制第一红外光发光二极管112_1与第二红外光发光二极管112_2的红外光强度，但本发明不限于此。

图5为依据本发明一实施例的光轴键盘500的示意图，其中光轴键盘500可当作光轴键盘100的一个例子。如图5所示，控制器50可通过电压侦测电路52(例如：模拟数字转换电路)用来接收或侦测按键单元110所产生的输出电压(诸如上述PT电压)，以供控制器50依据该输出电压值控制按键单元110中的红外光产生器(例如图2所示的第一红外光发光二极管112_1或第二红外光发光二极管112_2)的红外光强度(红外光强度的增强量可称为“IR补偿段数”，其中IR表示红外光)。

表1

PT电压(V)	IR补偿段数
		0.16～0.26	无须补偿
0.26～0.36	1
		0.36～0.46	2
0.46～0.56	3
		0.56～0.66	4
0.66～0.76	5
		0.76～0.86	6
0.86～0.96	7
		0.96～1.06	8
1.06～1.16	9
		1.16～1.26	10
1.26～1.36	11
		1.36～1.46	12
1.46～1.56	13
		1.56～1.66	14
1.66～1.76	15
		1.76～1.86	16
1.86～1.96	17

表1为侦测到的PT电压与对应的IR补偿段数的对照表的例子，例如，当按键单元110所产生的PT电压为0.2V，其代表按键单元110中的红外光产生器(例如图2所示的第一红外光发光二极管112_1或第二红外光发光二极管112_2)的红外光强度大于或等于特定强度，无须进行补偿；又例如，当按键单元110所产生的PT电压为0.5V，其代表按键单元110中的红外光产生器的红外光强度所需的IR补偿段数为3。

在本实施例中，光轴键盘500上电后，控制器50(尤指其内的电压侦测电路52)可接收到通过侦测元件诸如按键单元110中的光敏晶体管(例如图2所示的第一光敏晶体管114_1或第二光敏晶体管114_2)所产生的PT电压，其中该PT电压是依据按键单元110中的红外光产生器(例如图2所示的第一红外光发光二极管112_1或第二红外光发光二极管112_2)的红外光强度所产生的电压值，例如，在该红外光强度尚未衰减，即其强度大于预定强度，该电压值可低于预定电压值(例如0.26V)；又例如，该红外光强度随着时间衰减而低于该预定强度，该电压值可高于该预定电压值(例如0.26V)；但本发明不限于此。控制器50可依据该PT电压产生按键单元110中的红外光产生器(例如图2所示的第一红外光发光二极管112_1或第二红外光发光二极管112_2)的补偿信息，其中该补偿信息可包含补偿强度段数IR_COMP、异常标帜COMP_WARNING、重新补偿次数IR_RECOMP以及初始电压值PT_INIT。在本实施例中，补偿强度段数IR_COMP可表示红外光强度的增强量(即段数)，而初始电压值PT_INIT可表示在未按下按键单元110时其内的光敏晶体管(例如图2所示的第一光敏晶体管114_1或第二光敏晶体管114_2)所产生的PT电压。在补偿运作中，异常标帜COMP_WARNING为真(true)可表示该补偿运作为异常(例如：在按键单元110被按下时进行扫描，使得控制器50将此结果误判为光衰所造成)，而该异常标帜为假(false)则表示该补偿运作为正常。另外，重新补偿次数IR_RECOMP可表示该补偿运作为异常的连续次数，例如：当该PT电压所对应到的IR补偿段数超过预定调整段数(例如IR补偿段数为5，而该预定调整段数为3)，控制器50可先依据该预定调整段数进行补偿(或者先不调整段数)并且将重新补偿次数IR_RECOMP增加一次。完成一次补偿运作后，控制器50可将该补偿信息储存(或更新)至记忆装置(诸如记忆装置30)中，而光轴键盘500即可依据该补偿信息增强按键单元110的红外光强度以进行正常运作诸如键盘输入操作。

请注意，上述补偿运作可分别针对光轴键盘500中的全部按键单元来进行，举例来说，上述全部按键单元均可具有各自的补偿信息以分别进行补偿运作，相关领域者于阅读以上说明后应可了解将上述补偿运作类推到全部按键单元的实施方式，在此不赘述。为简明起见，后续实施细节均以单一按键单元(诸如按键单元110)为例来说明。

在某些实施例中，上述补偿运作可能因为光轴键盘500被用户误按，使得控制器50接收到的PT电压异常地高于初始电压值PT_INIT，为了避免控制器50误认为按键单元110需要以非常高的调整量(诸如表1所示的IR补偿段数的段数调整量)来进行补偿，控制器50需连续地接收到异常地高于初始电压值PT_INIT的PT电压多次才会以对应于此PT电压的调整量进行补偿。

举例来说，控制器50接收到的PT电压为0.3V，其大于按键单元110的初始电压值PT_INIT(例如0.26V)，控制器50可依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数(例如，依据表1可判断其对应的IR补偿段数为1)，由于此调整量(1段)小于预定调整段数(例如3段)，控制器50可依据此调整量调整该补偿强度段数IR_COMP(例如从段数1增加为段数2)。

又例如，控制器50接收到的PT电压为0.9V，其大于按键单元110的初始电压值PT_INIT(例如0.26V)，控制器50可依据该电压值与该初始电压值PT_INIT之间的差距调整补偿强度段数IR_COMP(例如，依据表1可判断其对应的IR补偿段数为7)，由于此调整量(7段)大于该预定调整段数(例如3段)，控制器50在此次补偿运作可依据该预定调整段数(3段)来调整补偿强度段数IR_COMP，而不是依据此调整量(7段)来调整，或者，控制器50在此次补偿运作可先不进行调整，并且将此次补偿运作视为异常(例如将异常标帜COMP_WARNING设为“真”)，而将重新补偿次数IR_RECOMP增加一次，但本发明不限于此。

再举一例，依据控制器50所收到的PT电压与该初始电压值PT_INIT之间的差距所决定的调整量已连续多次地大于该预定调整段数，换句话说，重新补偿次数IR_RECOMP已达到预定次数(例如三次)，控制器50即可将此次补偿运作视为正常(并非按键误按所造成)并将异常标帜COMP_WARNING设为「假(false)」，以依据此调整量调整补偿强度段数IR_COMP。

图6为依据本发明一实施例的对光轴键盘500进行光衰补偿的工作流程600，需注意的是，只要不妨碍本发明的实施，一个或多个步骤可于工作流程600中被修改、新增或删除。

在步骤610中，光轴键盘500上电。

在步骤620中，控制器50可接收按键单元110的PT电压，其中该PT电压是依据按键单元110中的红外光产生器(例如图2所示的第一红外光发光二极管112_1或第二红外光发光二极管112_2)的红外光强度所产生。

在步骤630中，控制器50可判断该PT电压是否大于初始电压值PT_INIT，若是，进入步骤640；否则，进入步骤660。

在步骤640中，控制器50可判断该PT电压所对应的调整量(例如表1所示的IR补偿段数)是否大于预定调整段数，若是(例如IR补偿段数为5而该预定调整段数为3)，进入步骤650；否则(例如IR补偿段数为2而该预定调整段数为3)，进入步骤670。

在步骤650中，控制器50可判断按键单元110的重新补偿次数IR_RECOMP是否达到预定次数，若是，进入步骤690；否则，进入步骤680。

在步骤660中，由于该PT电压值不大于初始电压值PT_INIT，控制器50不需调整补偿强度段数IR_COMP即可让光轴键盘500进入正常模式进行击键。

在步骤670中，由于步骤640中所述的调整量不大于该预定调整段数(例如IR补偿段数为2而该预定调整段数为3)，控制器50可依据该调整量调整补偿强度段数IR_COMP(例如：增加2段)。

在步骤680中，由于步骤650中所述的重新补偿次数IR_RECOMP不大于该预定次数，例如重新补偿次数IR_RECOMP为两次而该预定次数为三次，控制器50可将此次补偿运作视为异常，并依据步骤640所述的预定补偿段数来调整补偿强度段数IR_COMP(例如：增加3段)。

在步骤690中，由于重新补偿次数IR_RECOM已达到步骤650所述的预定次数，控制器50可将此次补偿运作视为正常，并依据步骤640所述的调整量来调整补偿强度段数IR_COMP(例如：增加5段)。

综上所述，本发明所提出的光衰补偿方法能依据按键单元中的红外光产生器的红外光强度衰减状况来进行相关的补偿运作，此外，依据本发明所提供的实施例来实施不会增加许多成本，因此，本发明能在没有副作用或较不会带来副作用的情况下，解决光轴键盘因光衰而造成的按键失效问题。

藉由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的保护范围加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的权利要求的保护范围内。因此，本发明的权利要求的保护范围应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。

Claims (10)

1.一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法，其特征在于，该光轴键盘具有记忆装置、光衰时间对照表及多个按键单元，每个按键单元包含红外光产生器，且该方法包含：

读取该记忆装置以取得该光轴键盘的使用时间信息，其中该使用时间信息指出该红外光产生器的累计使用时间；

基于该光衰时间对照表，依据该使用时间信息取得该光轴键盘的光衰信息，其中该光衰时间对照表记载了该红外光产生器随累计使用时间的红外光强度变化；以及

依据该光衰信息，控制该红外光产生器的红外光强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该光轴键盘还具有计时器，该方法还包含：

在该光轴键盘操作的期间，利用该计时器产生该使用时间信息，并将该使用时间信息储存于该记忆装置中；以及

在该光轴键盘操作的期间，每经过特定时间周期就更新一次储存于该记忆装置中的该使用时间信息。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，读取该记忆装置以取得该光轴键盘的该使用时间信息的步骤还包含：

每经过该特定时间周期就读取一次该记忆装置以取得该光轴键盘的该使用时间信息。

4.一种对光轴键盘进行光衰补偿的方法，其特征在于，该光轴键盘包含记忆装置及多个按键单元，每个按键单元包含红外光产生器以及侦测元件，且该方法包含：

在该光轴键盘上电后，通过该侦测元件依据该红外光产生器所产生的红外光强度产生电压值；

依据该电压值产生该红外光产生器的补偿信息；

将该补偿信息储存至该记忆装置中；以及

在该光轴键盘进行正常运作时，依据该补偿信息增强该红外光强度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该补偿信息包含：

补偿强度段数，表示该红外光强度的增强量；

异常标帜，其中，在补偿运作中，该异常标帜为真则表示该补偿运作为异常，而该异常标帜为假则表示该补偿运作为正常；

重新补偿次数，其表示该补偿运作为异常的连续次数；以及

初始电压值，其表示在未按下该按键单元时该侦测元件所产生的电压电位。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，依据该电压值产生该红外光产生器的补偿信息的步骤包含：

当该电压值大于该初始电压值，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该电压值与该初始电压值之间的差距所对应的调整量小于预定调整段数时，依据该调整量调整该补偿强度段数。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，依据该电压值与该初始电压值之间的差距调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该电压值与该初始电压值之间的差距所对应的调整量大于预定调整段数时，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该重新补偿次数达到预定次数时，依据该调整量调整该补偿强度段数。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，依据该重新补偿次数判断是否以该调整量调整该补偿强度段数的步骤包含：

当该重新补偿次数未达到该预定次数时，依据该预定调整段数调整该补偿强度段数。