CN109660121A - 一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路 - Google Patents

一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种低传输功耗的星载直流‑直流变换器合路输出电路,包括第一直流‑直流变换器D1、第二直流‑直流变换器D1、第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第一肖特基二极管V1、第二肖特基二极管V2、第一理想二极管控制器D3和第二理想二极管控制器D4;其中,一次电源正线输入端分别与D1、D2的一次电源输入端相连;所述直流‑直流变换器的输出端与所述NMOS管的源极相连,肖特基二极管正极与NMOS管的源极相连,负极与NMOS管的漏极相连,所述理想二极管控制器的控制端与NMOS管的栅极相连;所述理想二极管控制器检测NMOS管源极和漏极之间的电压降,以调整供电输出电流的大小;Q1与Q2的源极短接在一起,作为输出端。

Description

一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路
技术领域
本发明涉及航天器二次电源变换技术领域,尤其涉及一种星载直流-直流变换器合路输出电路。
背景技术
直流-直流变换器将星载一次电源变换为用电设备所需的二次电源电压,为保证供电可靠性,一般采用两只直流-直流变换器并联的设计方式,在一只发生故障的情况下,另一只仍能正常供电输出,保证星上设备的正常工作。
隔离式直流-直流变换器在航天器设备中广泛应用,多采用双路热备直流-直流变换器给负载供电。设计中,每只直流-直流变换器的输出端都串联有一只二极管,两只二极管的阴极短接在一起,然后输出至用电设备。该设计保证了二次电源供电的可靠性,但由于二极管的固有特性,在不同电流及不同温度条件下,二极管的压降都会有较大变化,从而导致用电设备电源输入端的电压在较大范围内波动,而且两只直流-直流变换器存在交替输出的情况,在用电设备对电压波动范围要求较高的场合,可能会导致设备无法正常工作。
另外,在负载电流较大的情况下,消耗在二极管上的功率较大,使得功率传输效率降低,而且给二极管的散热设计带来了困难。
鉴于此问题,需要设计一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路,可以保证用电设备电源输入的电压稳定,也可以提高功率传输效率。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本发明提供了提供一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路。本发明具体通过如下技术方案实现:
一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路,所述电路包括第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器、第一熔断器、第二熔断器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第一理想二极管控制器和第二理想二极管控制器;其中,一次电源正线输入端分别与第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器的一次电源输入端相连;所述直流-直流变换器的输出端与所述NMOS管的源极相连,所述肖特基二极管正极与NMOS管的源极相连,所述肖特基二极管负极与NMOS管的漏极相连,所述理想二极管控制器的控制端与NMOS管的栅极相连;所述理想二极管控制器检测NMOS管源极和漏极之间的电压降,以调整供电输出电流的大小;所述第一NMOS管与第二NMOS管的源极短接在一起,作为输出端。
所述电路还包括第一熔断器、第二熔断器,所述第一熔断器连接在一次电源正线输入端与所述第一直流-直流变换器的一次电源输入端之间,所述第二熔断器连接在一次电源正线输入端与所述第二直流-直流变换器的一次电源输入端之间。
作为本发明的进一步改进,所述直流-直流变换器的一次电源输入端连接有滤波电容,所述直流-直流变换器的二次电源输出端连接有滤波电容。
作为本发明的进一步改进,所述直流-直流变换器具有远端补偿功能;所述直流-直流变换器的远端补偿正输入端连接至二次电源输出端,所述直流-直流变换器的远端补偿负端接地。
作为本发明的进一步改进,所述第一NMOS管与第二NMOS管为低导通阻抗的NMOS管。
作为本发明的进一步改进,所述理想二极管控制器的GATE脚连接至NMOS管的栅极,理想二极管控制器的SOURCE端连接至NMOS管的源极,理想二极管控制器的OUT端连接至NMOS管的漏极。
本发明的有益效果是:与现有技术相比,本发明的电路简单可靠,适应性强,可在保证双路直流-直流变换器实现热备份的前提下,实现了在不同负载电流和不同温度下,合路输出电压稳定,波动范围较小,并且显著提高了功率传输效率,提高了输出电压设计安全裕度,器件的热设计变得简单。
附图说明
图1是本发明的星载直流-直流变换器合路输出电路的原理图;
图2是本发明的星载直流-直流变换器合路输出电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图说明及具体实施方式对本发明进一步说明。
如图1所示,本发明的低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路,包括第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器、第一熔断器、第二熔断器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第一理想二极管控制器和第二理想二极管控制器。其中,所述直流-直流变换器具有远端补偿功能;一次电源正线输入端分别通过第一熔断器、第二熔断器与第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器的输入端相连;直流-直流变换器的输出端与NMOS管的源极相连,肖特基二极管正极与NMOS管的源极相连,肖特基二极管负极与NMOS管的漏极相连,理想二极管控制器的控制端与NMOS管的栅极相连,理想二极管控制器检测NMOS管源极和漏极之间的电压降,以调整供电输出电流的大小;第一NMOS管与第二NMOS管的源极短接在一起,作为输出端。
图2为本发明的星载直流-直流变换器合路输出电路的电路图。其中,VBUS为一次电源输入正线,PGND为一次电源地线,S-BUS为两只直流-直流变换器经合路二极管后输出的二次电源正线,GND为二次电源地线。VBUS分别经过熔断器F1和F2连接至D1和D2的+Vin端,在滤波电容或直流-直流变换器输入端发生短路故障的情况下,可以快速熔断,保证一次供电母线的安全。C1和C2为直流-直流变换器D1的一次电源输入提供滤波作用,C6和C7为直流-直流变换器D2的一次电源输入提供滤波作用。C3、C4和C5为直流-直流变换器D1的二次电源输出提供滤波作用,C8、C9和C10为直流-直流变换器D2的二次电源输出提供滤波作用。D1和D2的+S端,即远端补偿正输入端,分别连接至+Vo。-S端,即远端补偿负端,连接至GND。
优选地,D1和D2为具有远端补偿功能的直流-直流变换器,直流-直流变换器的型号在这里不作限定,只要能够实现本发明的直流-直流变换器都可以,作为本领域技术人员能够挑选出实现本发明的直流-直流变换器)
直流-直流变换器D1的输出端+Vo,连接至NMOS管Q1的源极,肖特基二极管V1正极连接至Q1的源极,肖特基二极管V1的负极连接至Q1的漏极;直流-直流变换器D2的输出端+Vo,连接至NMOS管Q2的源极,肖特基二极管V2正极连接至Q2的源极,肖特基二极管V2的负极连接至Q2的漏极;Q1和Q2的漏极短接在一起,给负载供电。Q1和Q2为低导通阻抗的NMOS管。V1和V2的作用是:即使在理想二极管控制器或NMOS管出现开路故障情况下,仍能给后级负载供电。
D3和D4为理想二极管控制器(型号可采用LTC4359,这里的型号只是举例,只要能够实现本发明的理想二极管控制器都可以,作为本领域技术人员能够挑选出实现本发明的理想二极管控制器),GATE脚分别连接至NMOS管Q1和Q2的栅极,理想二极管控制器可根据NMOS管源极和漏极之间的压降情况,调整供电输出电流的大小,不但可以起到均流的作用,使得D1和D2输出电流基本一致,降低了每只直流-直流变换器上的热耗,输出功率传输损耗较肖特基合路二极管损耗降低了80%以上,而且两只直流-直流变换器的输出相互之间无影响,是相互隔离的。从而实现合路输出和低传输功耗的目的。
本发明具有如下特点:
(1)主备直流-直流变换器输出端经由理想二极管控制器和NMOS管实现合路功能,给负载供电电压稳定,变化幅度较小;
(2)NMOS管选择低导通阻抗的器件,可将功率传输损耗较肖特基合路二极管损耗降低80%以上;
(3)设计方式灵活,适应性强,可根据负载电流大小选择合适的NMOS管即可满足需要;
(4)主备份直流-直流变换器可实现均流输出,每只直流-直流变换器的热耗降低,有利于产品的散热设计和延长产品的使用寿命。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种低传输功耗的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述电路包括第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第一理想二极管控制器和第二理想二极管控制器;其中,所述直流-直流变换器具有远端补偿功能;一次电源正线输入端分别与第一直流-直流变换器、第二直流-直流变换器的一次电源输入端相连;所述直流-直流变换器的输出端与所述NMOS管的源极相连,所述肖特基二极管正极与NMOS管的源极相连,所述肖特基二极管负极与NMOS管的漏极相连,所述理想二极管控制器的控制端与NMOS管的栅极相连;所述理想二极管控制器检测NMOS管源极和漏极之间的电压降,以调整供电输出电流的大小;所述第一NMOS管与第二NMOS管的源极短接在一起,作为输出端。
2.根据权利要求1所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述电路还包括第一熔断器、第二熔断器,所述第一熔断器连接在一次电源正线输入端与所述第一直流-直流变换器的一次电源输入端之间,所述第二熔断器连接在一次电源正线输入端与所述第二直流-直流变换器的一次电源输入端之间。
3.根据权利要求1所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述直流-直流变换器具有远端补偿功能。
4.根据权利要求1所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:直流-直流变换器的一次电源输入端连接有滤波电容,所述直流-直流变换器的二次电源输出端连接有滤波电容。
5.根据权利要求3所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述直流-直流变换器的远端补偿正输入端连接至二次电源输出端,所述直流-直流变换器的远端补偿负端接地。
6.根据权利要求1所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述第一NMOS管与第二NMOS管为低导通阻抗的NMOS管。
7.根据权利要求1所述的星载直流-直流变换器合路输出电路,其特征在于:所述理想二极管控制器的GATE脚连接至NMOS管的栅极,理想二极管控制器的SOURCE端连接至NMOS管的源极,理想二极管控制器的OUT端连接至NMOS管的漏极。
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