CN109657570A - 一种用于指纹识别的传感器模组及去噪方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种用于指纹识别的传感器模组及去噪方法、显示装置，涉及光学指纹识别技术领域，能够解决现有的光学指纹识别技术中由于传感器单元的横向噪声和光照噪声较大而引起指纹成像质量较差的问题。所述传感器模组包括阵列排布的多个传感器单元，位于同一列的多个传感器单元组成一个传感器单元组；传感器模组包括第一区域和第二区域；位于第一区域的传感器单元组为第一传感器单元组，位于第二区域的传感器单元组为第二传感器单元组；第一传感器单元组上设置有遮光结构，遮光结构用于阻挡第一传感器单元组接收光线。本发明用于OLED显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及光学指纹识别技术领域，尤其涉及一种用于指纹识别的传感器模组及去噪方法、显示装置。
背景技术
目前光学指纹识别技术正在如火如荼的进行，光学指纹识别技术可以突破识别距离1mm左右，比电容式指纹识别的300um的识别距离提升了大概3倍。在实现光学指纹识别技术时，需要阵列排布大量的传感器单元，每个传感器单元均包括一个PIN(Photo-Diode，光电二极管)、以及控制该PIN的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。然而在做技术验证的过程中发现，控制PIN的TFT在频繁开关时会引起比较大的横向噪声(即TFT的栅极引起的噪声)，而该横向噪声会严重影响指纹成像质量；同时，TFT受到光线照射时也会引起光照噪声，该光照噪声同样会影响指纹成像质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种用于指纹识别的传感器模组及去噪方法、显示装置，能够解决现有的光学指纹识别技术中由于传感器单元的横向噪声和光照噪声较大而引起指纹成像质量较差的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种用于指纹识别的传感器模组，包括阵列排布的多个传感器单元，位于同一列的多个传感器单元组成一个传感器单元组；所述传感器模组包括第一区域和第二区域；位于所述第一区域的传感器单元组为第一传感器单元组，位于所述第二区域的传感器单元组为第二传感器单元组；所述第一传感器单元组上设置有遮光结构，所述遮光结构用于阻挡所述第一传感器单元组接收光线。
可选的，所述第一区域分布在所述传感器模组一侧的边缘位置或相对两侧的边缘位置。
可选的，所述遮光结构为遮光胶带或遮光膜。
可选的，所述传感器模组包括多条栅线、多个积分电路以及正极电位端；所述传感器单元包括薄膜晶体管和光电二极管；所述薄膜晶体管的第一极连接所述光电二极管的负极，所述光电二极管的正极连接所述正极电位端；位于同一列的所述薄膜晶体管的第二极连接同一积分电路的输入端；位于同一行的所述薄膜晶体管的栅极连接同一栅线。
可选的，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的光电二极管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的光电二极管。
可选的，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管和光电二极管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管和光电二极管。
可选的，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管；所述第二传感器单元组中的薄膜晶体管的上方设置有所述遮光结构，所述遮光结构还用于阻挡光线照射所述第二传感器单元组中的薄膜晶体管。
另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括OLED显示模组、以及上述任意一种所述的用于指纹识别的传感器模组。
可选的，所述传感器模组位于所述OLED显示模组的基板与发光层之间。
可选的，所述传感器模组位于所述OLED显示模组的背光侧。
可选的，所述显示装置还包括设置在所述OLED显示模组与所述传感器模组之间的光路结构；所述光路结构用于对经过的光线的光路进行矫正；所述遮光结构位于所述OLED显示模组与所述光路结构之间，或者位于所述光路结构与所述传感器模组之间。
再一方面，本发明实施例提供一种用于上述任意一种所述的用于指纹识别的传感器模组的去噪方法，所述去噪方法包括：采集所述第一传感器单元组的参考行传感器单元的第一输出电流；其中，所述参考行为所述传感器单元阵列中的任意一行；根据所述第一输出电流获取参考行基础电流；采集所述第二传感器单元组的所述参考行传感器单元的第二输出电流；获取每个所述第二输出电流与所述基础电流的差值，并将所述差值作为所述第二传感器单元组的所述参考行传感器单元的去噪后电流。
可选的，所述根据所述第一输出电流获取参考行基础电流具体为：当所述第一输出电流为一个时，将所述第一输出电流作为参考行基础电流；当所述第一输出电流为多个时，获取多个所述第一输出电流的平均值，并将所述平均值作为参考行基础电流。
本发明实施例提供的用于指纹识别的传感器模组及去噪方法、显示装置，所述传感器模组包括阵列排布的多个传感器单元，位于同一列的多个传感器单元组成一个传感器单元组；传感器模组包括第一区域和第二区域；位于第一区域的传感器单元组为第一传感器单元组，位于第二区域的传感器单元组为第二传感器单元组；第一传感器单元组上设置有遮光结构，遮光结构用于阻挡第一传感器单元组接收光线。相较于现有技术，本发明实施例提供的用于指纹识别的传感器模组中，通过利用遮光结构将一部分传感器单元进行遮挡，被遮挡的传感器单元由于没有接受到光线，因而其输出电流是由横向噪声和/或光照噪声引起的，因此可以将被遮挡的第一区域的传感器单元的输出电流作为基准值，对接受光线的第二区域的传感器单元的输出电流进行校准，这样就实现了传感器模组的横向噪声和/或光照噪声的滤除，提高了指纹成像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的传感器模组结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第一区域和第二区域示意图；
图3为本发明另一实施例提供的传感器模组结构示意图；
图4为本发明再一实施例提供的传感器模组结构示意图；
图5为本发明实施例提供的传感器单元结构示意图；
图6为本发明实施例提供的传感器模组驱动时序图；
图7为本发明实施例提供的显示装置结构示意图；
图8为本发明另一实施例提供的显示装置结构示意图；
图9为本发明再一实施例提供的显示装置结构示意图；
图10为本发明实施例提供的用于指纹识别的传感器模组的去噪方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种用于指纹识别的传感器模组10，如图1至图9所示，包括阵列排布的多个传感器单元11，位于同一列的多个传感器单元组成一个传感器单元组；传感器模组10包括第一区域12和第二区域13；位于第一区域12的传感器单元组为第一传感器单元组，位于第二区域13的传感器单元组为第二传感器单元组；第一传感器单元组上设置有遮光结构14，遮光结构14用于阻挡第一传感器单元组接收光线。
其中，被遮光结构14遮挡的第一传感器单元组可以为一个，也可以为多个，本发明实施例对于其设置数量不做限定；第一传感器单元组可以是靠近边缘位置的传感器单元组，也可以是靠近中间位置的传感器单元组，本发明实施例对于其分布位置亦不做限定。在实际应用中，参考图1和图2所示，可以设置第一区域12分布在传感器模组10一侧的边缘位置或相对两侧的边缘位置，即第一传感器单元组为位于最边缘的传感器单元组，这样传感器模组10的中间大片位置就为可以用作指纹识别的第二区域13，这种分布方式可以提高用户进行指纹识别时的用户体验。
参考图7至图9所示，第一传感器单元组上方设置有遮光结构14，遮光结构14可以阻挡第一传感器单元组接收光线。遮光结构14为可以遮挡光线的结构，其可以通过遮光材料制作而成。在实际应用中，遮光结构14可以是遮光胶带或遮光薄膜等，具体的，遮光薄膜可以是BM(Black-Matrix，黑矩阵)。
这样一来，相较于现有技术，本发明实施例提供的用于指纹识别的传感器模组中，通过利用遮光结构将一部分传感器单元进行遮挡，被遮挡的传感器单元由于没有接受到光线，因而其输出电流是由横向噪声和/或光照噪声引起的，因此可以将被遮挡的第一区域的传感器单元的输出电流作为基准值，对接受光线的第二区域的传感器单元的输出电流进行校准，这样就实现了传感器模组的横向噪声和/或光照噪声的滤除，提高了指纹成像质量。
在本发明的一些实施例中，参考图1所示，传感器模组10还包括多条栅线Gate、多个积分电路15以及正极电位端VD；传感器单元11包括薄膜晶体管TFT和光电二极管PIN；薄膜晶体管TFT的第一极连接光电二极管PIN的负极，光电二极管PIN的正极连接正极电位端VD；位于同一列的薄膜晶体管TFT的第二极连接同一积分电路15的输入端；位于同一行的薄膜晶体管TFT的栅极连接同一栅线Gate。
参考图1和图6所示，传感器模组10在工作时，栅线Gate是逐行扫描的，即TFT是逐行打开的。示例的，当Gate1在高电平时，与Gate1连接的第一行TFT打开，其余栅线Gate均为低电平，即其余行的TFT均为关闭状态，这样每个积分电路的输出电流(包含谷脊信号的光电流)为第一行中与每个积分电路连接的传感器单元11的输出电流；当Gate2在高电平时，与Gate2连接的第2行TFT打开，其余栅线Gate均为低电平，即其余行的TFT均为关闭状态，这样每个积分电路的输出电流为第二行中与每个积分电路连接的传感器单元11的输出电流，依次类推，可以采集到所有传感器单元11的输出电流。
参考图1和图7所示，遮光结构14覆盖第一传感器单元组中的薄膜晶体管TFT和光电二极管PIN，遮光结构14用于阻挡光线照射第一传感器单元组中的薄膜晶体管TFT和光电二极管PIN。由于第一区域12的传感器单元11中的TFT和PIN均没有接受光线，其输出电流包含横向噪声，因而可以利用每行中位于第一区域12的传感器单元11的输出电流来校准对应行的位于第二区域13的传感器单元11的输出电流，以此来去除传感器模组10的横向噪声。具体的校准方式有多种，示例的，可以获取每行中遮挡区域的多个传感器单元11的输出电流的平均值或中值，或者平均值与中值的平均值作为该行的基础电流，然后该行中第二区域的传感器单元11的输出电流减去该行的基础电流，可以得到该行中第二区域的传感器单元11的去噪后电流，这样就实现了传感器模组10的横向噪声的滤除，提高了指纹成像质量。
在本发明的另一些实施例中，遮光结构14覆盖第一传感器单元组中的光电二极管PIN，遮光结构14用于阻挡光线照射第一传感器单元组中的光电二极管PIN。参考图3所示，由于第一区域12的传感器单元11中的PIN没有接受光线，即PIN不进行光电转换，但TFT正常开关，其输出电流包含横向噪声和TFT的光照噪声，因而可以利用每行中第一区域12的传感器单元11的输出电流来校准对应行的第二区域13的传感器单元11的输出电流，以此来去除传感器模组10的横向噪声和TFT光照噪声。具体的校准方式有多种，示例的，可以获取每行中遮挡区域的多个传感器单元11的输出电流的平均值或中值，或者平均值与中值的平均值作为该行的基础电流，然后该行中第二区域13的传感器单元11的输出电流减去该行的基础电流，可以得到该行中第二区域13的传感器单元11的去噪后电流，这样就实现了传感器模组10的横向噪声和TFT光照噪声的滤除，提高了指纹成像质量。
在本发明的再一些实施例中，遮光结构14覆盖第一传感器单元组中的薄膜晶体管TFT，遮光结构14用于阻挡光线照射第一传感器单元组中的薄膜晶体管TFT；第二传感器单元组中的薄膜晶体管TFT的上方设置有遮光结构14，遮光结构14还用于阻挡光线照射第二传感器单元组中的薄膜晶体管TFT。参考图4所示，由于光线照射在TFT上会引起TFT上的光照噪声，因而将第一传感器单元组和第二传感器单元组中的薄膜晶体管TFT利用遮光结构14进行遮挡，以防止光线照射，这样TFT依然可以进行正常的开关工作，而每个传感器单元11输出的电流中就直接滤除了TFT上的光照噪声影响，因而提高了指纹成像质量。
在本发明的一些实施例中，参考图5所示，每个传感器单元11均包括两个薄膜晶体管TFT；两个所述薄膜晶体管TFT连接同一个光电二极管PIN，遮光结构14覆盖两个薄膜晶体管TFT中的一个。这样可以采用从被遮挡的TFT输出的电流作为该传感器单元11的输出电流，该输出电流中直接滤除了TFT光照噪声的影响，因而提高了指纹成像质量。
本发明另一实施例提供一种显示装置，参考图7至图9所示，包括OLED显示模组20、以及上述任意一种所述的用于指纹识别的传感器模组10。其中，传感器模组10可以位于OLED显示模组20的内部，参考图8所示，传感器模组10位于OLED显示模组20的基板21与发光层22之间；传感器模组10也可以位于OLED显示模组20的一侧，参考图7所示，本发明实施例对此不做限定。
当传感器模组10位于OLED显示模组20的背光侧时，参考图9所示，显示装置还可以包括设置在OLED显示模组20与传感器模组10之间的光路结构30；光路结构30用于对经过的光线的光路进行矫正。在实际应用中，光路结构30一般为光纤准直器。此时遮光结构14可以位于OLED显示模组20与光路结构30之间，也可以位于光路结构30与传感器模组10之间，本发明实施例对此亦不做限定。
本发明再一实施例提供一种用于上述任意一种所述的用于指纹识别的传感器模组的去噪方法，如图10所示，所述去噪方法包括：
步骤101、采集第一传感器单元组的参考行传感器单元的第一输出电流；其中，所述参考行为所述传感器单元阵列中的任意一行。
步骤102、根据第一输出电流获取参考行的基础电流。
所述参考行的基础电流为能够表征所述参考行传感器单元横向噪声的电流。在实际应用中，当第一输出电流为一个时，可以将第一输出电流作为参考行的基础电流；当第一输出电流为多个时，所述参考行的基础电流可以为多个第一输出电流的平均值或中值，或者为中值与平均值的平均值等。
步骤103、采集第二传感器单元组的参考行传感器单元的第二输出电流。
步骤104、获取每个第二输出电流与基础电流的差值，并将差值作为第二传感器单元组的参考行传感器单元的去噪后电流。
这样就实现了第二传感器单元组(即位于第二区域的传感器单元组)的参考行传感器单元的输出电流的校准，去除了传感器模组的横向噪声以及OLED显示模组与传感器模组之间的耦合噪声，从而提高了指纹成像质量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，包括阵列排布的多个传感器单元，位于同一列的多个传感器单元组成一个传感器单元组；
所述传感器模组包括第一区域和第二区域；位于所述第一区域的传感器单元组为第一传感器单元组，位于所述第二区域的传感器单元组为第二传感器单元组；
所述第一传感器单元组上设置有遮光结构，所述遮光结构用于阻挡所述第一传感器单元组接收光线。
2.根据权利要求1所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述第一区域分布在所述传感器模组一侧的边缘位置或相对两侧的边缘位置。
3.根据权利要求1所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述遮光结构为遮光胶带或遮光膜。
4.根据权利要求1所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述传感器模组包括多条栅线、多个积分电路以及正极电位端；
所述传感器单元包括薄膜晶体管和光电二极管；
所述薄膜晶体管的第一极连接所述光电二极管的负极，所述光电二极管的正极连接所述正极电位端；
位于同一列的所述薄膜晶体管的第二极连接同一积分电路的输入端；
位于同一行的所述薄膜晶体管的栅极连接同一栅线。
5.根据权利要求4所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的光电二极管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的光电二极管。
6.根据权利要求4所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管和光电二极管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管和光电二极管。
7.根据权利要求4所述的用于指纹识别的传感器模组，其特征在于，所述遮光结构覆盖所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管，所述遮光结构用于阻挡光线照射所述第一传感器单元组中的薄膜晶体管；
所述第二传感器单元组中的薄膜晶体管的上方设置有所述遮光结构，所述遮光结构还用于阻挡光线照射所述第二传感器单元组中的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括OLED显示模组、以及权利要求1至7中任意一项所述的用于指纹识别的传感器模组。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述传感器模组位于所述OLED显示模组的基板与发光层之间。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述传感器模组位于所述OLED显示模组的背光侧。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置在所述OLED显示模组与所述传感器模组之间的光路结构；所述光路结构用于对经过的光线的光路进行矫正；所述遮光结构位于所述OLED显示模组与所述光路结构之间，或者位于所述光路结构与所述传感器模组之间。
12.一种用于权利要求1至6中任意一项所述的用于指纹识别的传感器模组的去噪方法，其特征在于，所述去噪方法包括：
采集所述第一传感器单元组的参考行传感器单元的第一输出电流；其中，所述参考行为所述传感器单元阵列中的任意一行；
根据所述第一输出电流获取参考行的基础电流；
采集所述第二传感器单元组的所述参考行传感器单元的第二输出电流；
获取每个所述第二输出电流与所述基础电流的差值，并将所述差值作为所述第二传感器单元组的所述参考行传感器单元的去噪后电流。
13.根据权利要求12所述的用于指纹识别的传感器模组的去噪方法，其特征在于，所述根据所述第一输出电流获取参考行的基础电流具体为：
当所述第一输出电流为一个时，将所述第一输出电流作为参考行的基础电流；
当所述第一输出电流为多个时，获取多个所述第一输出电流的平均值，并将所述平均值作为参考行的基础电流。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101082521A (zh) * | 2006-05-30 | 2007-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及使用该半导体装置的电子设备 |
| CN107422560A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其检测方法及显示装置 |
| CN107958243A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 主动式指纹识别像素电路、驱动方法及显示面板 |
| US20180225498A1 (en) * | 2015-09-30 | 2018-08-09 | Apple Inc. | Finger biometric sensor for generating three dimensional fingerprint ridge data and related methods |
| CN208045494U (zh) * | 2018-04-04 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器及指纹识别设备 |
-
2018
- 2018-12-03 CN CN201811464999.XA patent/CN109657570B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101082521A (zh) * | 2006-05-30 | 2007-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及使用该半导体装置的电子设备 |
| US20180225498A1 (en) * | 2015-09-30 | 2018-08-09 | Apple Inc. | Finger biometric sensor for generating three dimensional fingerprint ridge data and related methods |
| CN107422560A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其检测方法及显示装置 |
| CN107958243A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 主动式指纹识别像素电路、驱动方法及显示面板 |
| CN208045494U (zh) * | 2018-04-04 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器及指纹识别设备 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| HORST ZIMMERMANN ET AL.: "Blue-Enhanced PIN Finger Photodiodes in a 0.35-μm SiGe BiCMOS Technology", 《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》 * |
| 严利民: "硅基有机发光二极管微显示器的驱动技术研究", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109657570B (zh) | 2021-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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