CN109596167A - 一种设备生产测试方法、系统和测试终端 - Google Patents
一种设备生产测试方法、系统和测试终端 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种设备生产测试方法、系统和测试终端，应用于测试终端的方法包括：接收外部输入的测试指令；针对每一个待测试设备，根据测试指令向待测试设备供电；将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；通过SRAM内的测试固件对待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；将校准参数写入待测试设备的预设区域内；停止向待测试设备供电，以使待测试设备擦除SRAM内的测试固件。本方案能够节省设备的存储空间。
Description
技术领域
本发明涉及物联网技术领域，特别涉及一种设备生产测试方法、系统和测试终端。
背景技术
设备生产检测是指采用各类检测仪器对设备各项指标进行检测，以达到保障安全使用的目的，提高产品的生产质量。
目前，在对设备进行生产测试时，需要先将测试固件写入设备的闪存中，再通过闪存中的测试固件对设备进行生产测试。
但是，测试固件在生产测试之后就不再使用，将测试固件存放在设备的闪存中，会占用闪存相当一部分的存储空间，造成设备存储空间的浪费。
发明内容
本发明实施例提供了一种设备生产测试方法、系统和测试终端，能够节省设备的存储空间。
第一方面，本发明提供了一种设备生产测试方法，应用于测试终端，包括：
接收外部输入的测试指令；
针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述测试指令向所述待测试设备供电；
将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；
将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；
停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
优选地，
所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
则，
所述通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数，包括：
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；
所述将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
优选地，
所述预设区域，包括：电可编程熔丝EFUSE；
则，
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
优选地，
在所述将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之后，在所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
优选地，
在所述根据所述测试指令向所述待测试设备供电之后，在所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备是否处于写入模式；
如果是，执行所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的SRAM内；
否则，输出测试模式错误的提示信息。
第二方面，本发明提供了一种测试终端，包括：
接收模块，用于接收外部输入的测试指令；
供电模块，用于针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述接收模块接收的所述测试指令向所述待测试设备供电；
测试模块，用于将预设的测试固件写入到所述供电模块供电的所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
优选地，
所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
所述测试模块，用于通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
优选地，
所述预设区域，包括：EFUSE；
所述测试模块，用于将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
优选地，
所述处理模块，进一步用于确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述测试模块，用于将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
第三发明，本发明提供了一种设备生产测试系统，包括：至少一个第二方面任一所述测试终端和至少一个待测试设备；
每一个所述待测试设备，用于在上电时，存储任一所述测试终端写入到SRAM内的测试固件，以及存储写入所述测试固件的所述测试终端写入到预设区域内的校准参数，并在断电时，擦除所述SRAM内的所述测试固件。
在应用于测试终端的设备生产测试方法中，测试终端在接收到外部输入的测试指令时，可以确定对外部的待测试设备进行生产测试，因此可以向待测试设备供电与其建立连接，再将预设的测试固件写入在建立连接的待测试设备的SRAM内，通过写入后的测试固件测试校准待测试设备的性能参数，获得校准参数，并将校准参数写入待测试设备中的预设区域内，最后对待测试设备进行断电，即可完成待测试设备的生产测试，由于断电后的测试固件不复存在，实现测试固件即用即擦，不再固定占用设备的存储空间，从而实现节省设备存储空间的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的一种设备生产测试方法的流程图；
图2是本发明一实施例提供的一种测试终端的结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的一种设备生产测试系统的结构示意图；
图4是本发明一实施例提供的另一种设备生产测试方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了一种设备生产测试方法，应用于测试终端，包括：
步骤101：接收外部输入的测试指令；
步骤102：针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述测试指令向所述待测试设备供电；
步骤103：将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；
步骤104：通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；
步骤105：将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；
步骤106：停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
本发明实施例提供了一种设备生产测试方法，在应用于测试终端的设备生产测试方法中，测试终端在接收到外部输入的测试指令时，可以确定对外部的待测试设备进行生产测试，因此可以向待测试设备供电与其建立连接，再将预设的测试固件写入在建立连接的待测试设备的SRAM内，通过写入后的测试固件测试校准待测试设备的性能参数，获得校准参数，并将校准参数写入待测试设备中的预设区域内，最后对待测试设备进行断电，即可完成待测试设备的生产测试，由于断电后的测试固件不复存在，实现测试固件即用即擦，不再固定占用设备的存储空间，从而实现节省设备存储空间的目的。
需要说明的是，测试终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式计算机等，但并不局限于此。
在本发明一实施例中，所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
则，
所述通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数，包括：
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；
所述将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
在本发明实施例中，通过运行写入在待测试设备的SRAM内测试固件，可以对待测试设备的功率、频偏以及温度补偿参数进行校准，确定对应的功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值，再将确定的功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值写入待测试设备的预设区域内，待测试设备即可根据预设区域内的功率校准值、频偏校准值实现与外部的终端交互，并温度补偿校准值对设备的温度进行补偿，以使防止设备温度过高或过低影响设备性能。
在本发明一实施例中，所述预设区域，包括：电可编程熔丝EFUSE；
则，
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
在本发明实施例中，在确定待测试设备的功率校准值和频偏校准值之后，不是将功率校准值和频偏校准值写入到待测试设备的闪存中，而是写入待测试设备的EFUSE内，便于待测试设备根据功率校准值和频偏校准值运行的同时，避免占用设备闪存过多的存储空间。
在本发明一实施例中，在所述将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之后，在所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
在本发明实施例中，将待测试设备的对应的MAC地址、校准后确定的功率校准值和频偏校准值写入待测试设备的EFUSE内，不仅便于待测试设备根据写入的参数与外部的终端交互，还可以避免参数占用设备过多的闪存的存储空间。
在本发明一实施例中，在所述根据所述测试指令向所述待测试设备供电之后，在所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备是否处于写入模式；
如果是，执行所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的SRAM内；
否则，输出测试模式错误的提示信息。
在本发明实施例中，在与待测试设备建立连接后，需要先确定待测试设备是否处于写入模式，如果处于写入模式，则可以直接将预设的测试固件写入到待测试设备的SRAM内，以使通过写入后的测试固件对待测试设备进行生产测试，而在确定待测试设备未处于写入模式时，则需要输出提示信息，以提醒工作人员设备无法进行生产测试。
如图2所示，本发明实施例提供了一种测试终端，包括：
接收模块201，用于接收外部输入的测试指令；
供电模块202，用于针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述接收模块201接收的所述测试指令向所述待测试设备供电；
测试模块203，用于将预设的测试固件写入到所述供电模块202供电的所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
在本发明实施例中，接收模块在接收到外部输入的测试指令时，可以确定对外部的待测试设备进行生产测试，因此供电模块可以向待测试设备供电与其建立连接，测试模块再将预设的测试固件写入在建立连接的待测试设备的SRAM内，通过写入后的测试固件测试校准待测试设备的性能参数，获得校准参数，并将校准参数写入待测试设备中的预设区域内，最后对待测试设备进行断电，即可完成待测试设备的生产测试，由于断电后的测试固件不复存在，实现测试固件即用即擦，不再固定占用设备的存储空间，从而实现节省设备存储空间的目的。
在本发明一实施例中所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
所述测试模块，用于通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
在本发明一实施例中，所述预设区域，包括：EFUSE；
所述测试模块，用于将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
在本发明一实施例中，所述处理模块，进一步用于确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述测试模块，用于将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备中的EFUSE内。
在本发明一实施例中，所述测试模块，进一步用于确定所述待测试设备是否处于写入模式；如果是，执行所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的SRAM内；否则，输出测试模式错误的提示信息。
如图3所示，本发明实施例提供了一种设备生产测试系统，包括：至少一个图2中任一所述测试终端301和至少一个待测试设备302；
每一个所述待测试设备301，用于在上电时，存储任一所述测试终端301写入到SRAM内的测试固件和写入到预设区域内的校准参数，并在断电时，擦除所述SRAM内的所述测试固件。
在本发明实施例中，测试终端在对待测试设备进行测试时，可以将用于测试的测试固件写入到待测试设备的SRAM内，以利用测试固件对待测试设备的性能参数进行校准，在获得校准参数后，将校准参数写入到待测试设备的预设区域内，以使待测试设备在断电时，擦除已测试完毕的测试固件，仅存储被写入的校准参数，以使待测试设备利用校准参数运行，同时避免测试固件固定占用设备过多的存储空间，实现节省设备存储空间的目的。
为了更加清楚的说明本发明的技术方案及优点，下面以测试终端为测试电脑、待测试设备为智能冰箱为例，对利用设备生产测试系统如何测试智能冰箱进行详细说明，如图4所示，具体包括以下步骤：
步骤401：测试电脑接收管理人员输入的测试指令。
步骤402：测试电脑根据测试指令向智能冰箱供电。
具体地，管理人员如需对智能冰箱的进行生产测试，可以向测试电脑输入测试指令，这样测试电脑在接收到测试指令时，可以运行预先设置的测试UI，通过测试UI向智能冰箱供电，以完成对智能冰箱的生产测试。
步骤403：测试电脑确定智能冰箱是否处于写入模式，如果是，执行步骤404，否则，执行步骤412。
具体地，在为智能冰箱建立连接后，测试电脑需要通过测试UI确定智能冰箱是否处于写入模式，以确定智能冰箱是否能进行生产测试。
步骤404：测试电脑将预设的测试固件写入到智能冰箱的SRAM内。
具体地，在确定智能冰箱可以进行测试固件写入时，可以通过测试UI，将预先集成在测试UI中的测试固件写入在智能冰箱的SRAM内，由于测试固件在测试完毕后不再使用，并且SRAM在断电后就丢失记录的数据，因此可以避免测试固件占用智能冰箱过多的存储空间，实现节省智能冰箱存储空间的目的。
步骤405：智能冰箱在上电时，存储测试电脑写入到SRAM内的测试固件。
步骤406：测试电脑利用SRAM内的测试固件对智能冰箱的性能参数进行校正，获得校准参数。
具体地，测试电脑通过写入后的测试固件，可以分别测试校准智能冰箱物的功率参数、频偏参数和温度补偿参数，获得对应的功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值，以使智能冰箱利用功率校准值、频偏校准值与外部终端交互，并根据温度补偿校准值调节温度，避免外部环境温度过高或过低影响设备性能，从而影响设备正常运行。
步骤407：测试电脑确定智能冰箱对应的MAC地址。
步骤408：测试电脑将MAC地址、功率校准值和频偏校准值写入智能冰箱中的EFUSE内。
具体地，为了便于智能冰箱与外部的终端交互，除了将校正后的功率校准值和频偏校准值写入智能冰箱中的EFUSE，还需要将智能冰箱对应的MAC地址写入到EFUSE内，以使智能冰箱存储MAC地址、功率校准值和频偏校准值。
步骤409：智能冰箱存储测试电脑写入到EFUSE中的MAC地址、功率校准值和频偏校准值。
步骤410：测试电脑停止向智能冰箱供电。
具体地，在对智能冰箱进行生产测试完毕后，即可通过测试UI对智能冰箱进行断电处理，以使智能冰箱擦除写入EFUSE内的测试固件，实现测试固件即用即擦，不在占用智能冰箱的存储空间。同时，软件开发人员在做应用开发时也无需兼顾测试固件的融合、放置、模式切换等问题，简化了开流流程，节省开发时间，降低待测试设备的开发难度。
步骤411：智能冰箱在断电时，擦除SRAM内的测试固件。
步骤412：测试电脑输出测试模式错误的提示信息。
具体地，在测试电脑在确定智能冰箱未处于测试模式时，通过输出测试模式错误的提示信息，以提示管理人员该智能冰箱无法进行生产测试，以使管理人员根据提示信息确定智能冰箱无法进行生产测试的原因。
本发明各个实施例至少具有如下有益效果：
1、在本发明一实施例中，测试终端在接收到外部输入的测试指令时，可以确定对外部的待测试设备进行生产测试，因此可以向待测试设备供电与其建立连接，再将预设的测试固件写入在建立连接的待测试设备的SRAM内，通过写入后的测试固件测试校准待测试设备的性能参数，获得校准参数，并将校准参数写入待测试设备中的预设区域内，最后对待测试设备进行断电，即可完成待测试设备的生产测试，由于断电后的测试固件不复存在，实现测试固件即用即擦，不再固定占用设备的存储空间，从而实现节省设备存储空间的目的。
2、在本发明一实施例中，通过运行写入在待测试设备的SRAM内测试固件，可以对待测试设备的功率、频偏以及温度补偿参数进行校准，确定对应的功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值，再将确定的功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值写入待测试设备的预设区域内，待测试设备即可根据预设区域内的功率校准值、频偏校准值实现与外部的终端交互，并温度补偿校准值对设备的温度进行补偿，以使防止设备温度过高或过低影响设备性能。
3、在本发明一实施例中，在确定待测试设备的功率校准值和频偏校准值之后，不是将功率校准值和频偏校准值写入到待测试设备的闪存中，而是写入待测试设备的EFUSE内，便于待测试设备根据功率校准值和频偏校准值运行的同时，避免占用设备闪存过多的存储空间。
4、在本发明一实施例中，将待测试设备的对应的MAC地址、校准后确定的功率校准值和频偏校准值写入待测试设备的EFUSE内，不仅便于待测试设备根据写入的参数与外部的终端交互，还可以避免参数占用设备过多的闪存的存储空间
5、在本发明一实施例中，在与待测试设备建立连接后，需要先确定待测试设备是否处于写入模式，如果处于写入模式，则可以直接将预设的测试固件写入到待测试设备的SRAM内，以使通过写入后的测试固件对待测试设备进行生产测试，而在确定待测试设备未处于写入模式时，则需要输出提示信息，以提醒工作人员设备无法进行生产测试。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。
最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种设备生产测试方法，其特征在于，应用于测试终端，包括：
接收外部输入的测试指令；
针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述测试指令向所述待测试设备供电；
将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；
将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；
停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
2.根据权利要求1所述的设备生产测试方法，其特征在于，
所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
则，
所述通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数，包括：
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；
通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；
所述将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
3.根据权利要求2所述的设备生产测试方法，其特征在于，
所述预设区域，包括：电可编程熔丝EFUSE；
则，
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
4.根据权利要求3所述的设备生产测试方法，其特征在于，
在所述将预设的测试固件写入到待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之后，在所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的预设区域内，包括：
将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
5.根据权利要求1至4中任一所述的设备生产测试方法，其特征在于，
在所述根据所述测试指令向所述待测试设备供电之后，在所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内之前，进一步包括：
确定所述待测试设备是否处于写入模式；
如果是，执行所述将预设的测试固件写入到所述待测试设备的SRAM内；
否则，输出测试模式错误的提示信息。
6.一种测试终端，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收外部输入的测试指令；
供电模块，用于针对至少一个设备中的每一个待测试设备，根据所述接收模块接收的所述测试指令向所述待测试设备供电；
测试模块，用于将预设的测试固件写入到所述供电模块供电的所述待测试设备的静态随机存取存储器SRAM内；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的性能参数进行校正，获得校准参数；将所述校准参数写入所述待测试设备的预设区域内；停止向所述待测试设备供电，以使所述待测试设备擦除所述SRAM内的所述测试固件。
7.根据权利要求6所述的测试终端，其特征在于，
所述性能参数，包括：功率参数、频偏参数和温度补偿参数；
所述校准参数，包括：功率校准值、频偏校准值和温度补偿校准值；
所述测试模块，用于通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述功率参数进行校正，获得功率校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的所述频偏参数进行校正，获得频偏校准值；通过所述SRAM内的所述测试固件对所述待测试设备的温度补偿参数进行校正，获得所述温度补偿校准值；将所述功率校准值、所述频偏校准值和所述温度补偿校准值写入所述待测试设备的预设区域内。
8.根据权利要求7所述的测试终端，其特征在于，
所述预设区域，包括：EFUSE；
所述测试模块，用于将所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
9.根据权利要求8所述的测试终端，其特征在于，
所述处理模块，进一步用于确定所述待测试设备对应的MAC地址；
所述测试模块，用于将所述MAC地址、所述功率校准值和所述频偏校准值写入所述待测试设备的EFUSE内。
10.一种设备生产测试系统，其特征在于，包括：至少一个权利要求6至9中任一所述测试终端和至少一个待测试设备；
每一个所述待测试设备，用于在上电时，存储任一所述测试终端写入到SRAM内的测试固件和存储写入所述测试固件的所述测试终端写入到预设区域内的校准参数，并在断电时，擦除所述SRAM内的所述测试固件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811467351.8A CN109596167A (zh) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | 一种设备生产测试方法、系统和测试终端 |
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2018
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