CN109582243B - 主控内存的存储扩展方法、装置、可读存储介质及系统 - Google Patents

主控内存的存储扩展方法、装置、可读存储介质及系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种主控内存的存储扩展方法，包括：根据数据应用需求，确认基于所述数据应用需求对应的内存存储空间的空间量；根据数据应用内存存储空间的空间量，确认基于预设scrap flash controller的目标scrap flash数量，其中所述目标scrap flash包括一个或者多个；最后将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用内存存储空间。本发明还公开了一种主控内存的存储扩展装置、可读存储介质及系统。本发明以当前的数据存储需求封装scrap Flash以及Flash，并通过封装后的Flash存储数据和扩展内存，实现了最低成本下提高应用性能的有益效果。

Description

主控内存的存储扩展方法、装置、可读存储介质及系统
技术领域
本发明涉及存储扩展应用的技术领域，尤其涉及一种主控内存的存储扩展方法、装置、存储介质及系统。
背景技术
存储主控的Buff(内存扩展)大小对芯片的成本有较大的影响，设计Buff大小在芯片量产之后固定不变，随着应用开发的功能上越加复杂，性能要求上不断提高，Buff大小成为制约因素。现有技术在解决Buff大小的问题时，通过把一部分数据存储到Flash(闪存)，在需要使用时动态从Flash读取到Buff使用，而应用此种方式降低了芯片的使用性能。另外，若是存储主控内部集成其他类型Cache(缓存，如DRAM)作为Buff的补充来解决buff大小的问题时，会使主控芯片的成本大大增加。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种主控内存的存储扩展方法，旨在解决现有技术在主控扩展内存时成本大的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种主控内存的存储扩展方法，包括以下内容：
在确认有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用内存存储空间的空间量；
根据数据应用内存存储空间的空间量，确认与预设的scrap flash controller对应的目标scrap flash数量，所述目标scrap flash包括一个或者多个；
将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flashcontroller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。
优选地，所述的根据数据应用内存存储空间的空间量，确认与预设的scrap flashcontroller对应的目标scrap flash数量，所述目标scrap flash包括一个或者多个的步骤之前，还包括：
根据特定flash的buff容量，选取与当前目标数据量匹配的目标flash，所述目标flash包括普通flash及scrap flash。
优选地，所述将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间的步骤，还包括：
通过预设的scrap flash controller读取已封装的目标扩展Flash的封装参数，并基于读取到的封装参数以预设的命令执行基于所述数据应用存储空间的数据应用操作。
优选地，所述主控内存的存储扩展方法，还包括：
构建预设的scrap Flash controller；
在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息。
优选地，所述在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息的步骤，还包括：
根据已添加可应用的Flash信息，以所述Flash的设备类型标记所述Flash的应用类型，所述设备类型包括普通Flash及scrap Flash。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种主控内存的存储扩展装置，所述主控内存的存储扩展装置包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
本发明还提供一种可读存储介质，所述存储介质上存储有主控内存的存储扩展程序，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时实现如上所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
本发明还提供一种主控内存的存储扩展系统，所述主控内存的存储扩展系统在执行时实现如上所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
本发明实施例提出的一种主控内存的存储扩展方法，在确认有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用存储空间的空间量；根据已确认的数据应用存储空间的空间量，和待应用flash Buff容量大小确认对应目标scrap flash，其中所述目标scrap flash包括一个或者多个；将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。以当前的数据存储需求封装scrap Flash以及普通Flash，并通过封装后的Flash存储数据，主控不需要集成DRAM即可实现内存扩展需求，且封装后的Flash在应用时通过一致的命令及时序进行数据存储时也实现了提高数据搬移效率的有益效果。
附图说明
图1为本发明主控内存的存储扩展方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明主控内存的存储扩展方法第二实施例的流程示意图；
图3为scrap flash访问的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例的主要解决方案是：根据数据应用需求，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用内存存储空间的空间量；根据已确认的数据应用内存存储空间的空间量，和待应用Flash Buff容量大小确认对应目标数量的scrap flash，其中所述目标scrapflash包括一个或者多个；将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。
由于现有技术的存储方案中主控集成DRAM的方式使得内存扩展时，DRAM本身成本高，且在应用时Flash数据与DRAM数据之间的数据相互搬移难以实现，导致数据搬移效率低。
本发明提供一种解决方案，以当前的数据存储需求封装scrap Flash以及Flash，并通过封装后的Flash存储数据，不需要配置DRAM即可实现内存扩展的数据存储需求，且封装后的Flash在应用时通过一致的命令及时序进行数据搬移的效率也得到了提高。
参照图1，图1为本发明主控内存的存储扩展方法第一实施例的流程示意图，所述主控内存的存储扩展方法包括：
步骤S10，在确认有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用内存存储空间的空间量；
基于当前的数据应用操作，在确认当前有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求的数据应用存储空间的空间量，所述基于所述数据应用需求的数据应用存储空间的需求取决于实际应用code size和对缓存数据量的需求，以及基于当前数据应用所在的终端性能所决定的，因此，基于所述实际应用code size、缓存数据量需求、终端性能可得到基于当前数据应用需求的数据应用存储空间的空间量。
步骤S20，根据数据应用内存存储空间的空间量，确认与预设的scrap flashcontroller对应的目标scrap flash数量，所述目标scrap flash包括一个或者多个；
基于已确认的数据应用存储空间的空间量，调用预设的scrap flash controller模块，读取可应用的scrap flash，以通过读取结果确认符合当前已确认的所述数据应用存储空间的空间量，其中，在读取所述scrap flash确认可应用的数据应用空间时，其可应用的数据存储空间还可包括普通flash，而普通flash与scrap flash的应用存在区别，因此，所述的根据数据应用内存存储空间的空间量，确认与预设的scrap flash controller对应的目标scrap flash数量，所述目标scrap flash包括一个或者多个的步骤之前，还包括：
根据特定flash的buff容量，选取与当前目标数据量匹配的目标flash，所述目标flash包括普通flash及scrap flash。
基于当前的数据应用需求，在确认有基于所述数据应用需求的数据应用存储空间的空间量之后，根据已登记的特定buff容量的flash，确定目标flash。或者，还可通过在预设的flash集合区域读取预设flash的buff容量的方式确定所述flash的buff容量。如此，根据已确认的flash的buff容量，选取与已确认的数据应用需求的数据应用存储空间的空间量匹配的对应目标flash，其flash的数量可包括一个或多个。在实际应用中，所述预设的flash集合区域所包括的flash的应用类型包括普通flash及scrap flash，而普通flash与scrap flash的区别在于，scrap flash在应用时，其擦除和写入次数超过寿命指标后，其数据存储的稳定性不可控，且Scrap Flash不存在特性设置和擦除编程等复杂操作，只有简单的Cache写读操作；因此，在确认基于当前数据应用存储的空间量的对应flash为scrapflash时，通过预设的scrap flash controller进行调用及应用，所述scrap flashcontroller为独立管理scrap flash设备的管理模块，在确认基于当前数据应用存储空间的空间量的对应flash时，通过读取所述flash的缓存信息确认所述flash的buff，所述在预设的flash集合区域读取预设flash的buff容量，并选取与当前目标数据量匹配的目标flash步骤，包括：
读取flash的缓存信息，以根据读取到的所述缓存信息确认所述flash的buff容量。
在实际应用中，不同flash的内部缓存级数不同，但访问时序命令基本一致，、对于scrap flash，通过预设的scrap flash controller模拟接近buff访问的方式，进而简化scrap flash的使用，简化主控的内存扩展。
步骤S30，将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。
将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash将已确认的目标scrap flash连接到flash controller；所述目标扩展flash，只有主控内存扩展需求时，可以由全部scrap flash封装；既有主控内存的扩展需求，还有大量数据的存储需求时，需要一部分scrap flash，一部分普通Flash一起封装。因此，若当前需封装的flash还有普通flash，则将普通flash以及scrap flash按照scrap flash之间的封装方式一样将scrap flash与flash封装到一起，按不同片选连接到flash controller。在实际应用中，为提高scrapflash的写读效率，新增DMA3模块，以配合连接到的flash controller模块，实现flash与scrap flash或者scrap flash之间的快速且独立的数据搬移。进一步的，增加DMA3配合flash controller实现数据搬移时，通过封装参数进行命令操作，即所述将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间的步骤，还包括：
通过预设的scrap flash controller读取已封装的目标扩展Flash的封装参数，并基于读取到的封装参数以预设的DMA3命令执行基于所述数据应用存储空间的数据应用操作。
在实际应用时，通过预设的scrap flash controller读取封装的目标扩展flash的封装参数进行应用，其应用结构与应用流程可如图3所述，图3为scrap flash访问的流程示意图。如图3所述，应用方看到的多级Register空间是连续的，Mcu Core按照Ctrl Ram的结构设置Scrap Flash Controller模块参数，并启动Dma2，Scrap Flash Controller模块会根据Flash物理参数和命令参数，自动转换出时序操作命令，从而简化Scrap Flash的访问。
本实施例中，通过当前的数据存储需求封装scrap Flash以及Flash，并通过封装后的Flash存储数据，不需要配置DRAM即可实现内存扩展的数据存储需求，且封装后的Flash在应用时通过一致的命令及时序进行数据存储时也实现了提高数据搬移效率的有益效果。
参考图2，图2为本发明主控内存的存储扩展方法第二实施例的流程示意图，基于上述所示的第一实施例，所述主控内存的存储扩展方法，还包括：
步骤S40，构建预设的scrap Flash controller；
步骤S50，在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息。
本实施例中，基于当前的数据应用需求，为实现scrap flash的封装及调用，构建预设的scrap Flash controller，并基于已构建的所述scrap Flash controller，添加可应用的flash信息，其登记至所述scrap Flash controller的flash主要指scrap flash，其登记的方式包括将可应用的scrap flash连接至当前应用终端，或者挂载在所述应用终端。基于当前的数据应用需求，在将flash登记至所述scrap Flash controller模块时，根据登记到的flash类型，标记所述flash的应用类型，即所述在已构建的所述scrap Flashcontroller中添加可应用的Flash信息的步骤，还包括：
根据已添加可应用的Flash信息，以所述Flash的设备类型标记所述Flash的应用类型，所述设备类型包括普通Flash及scrap Flash。
根据已登记的flash信息，以所述flash的设备类型标记所述flash的应用类型，应用类型的标记方式与已构建的所述scrap Flash controller模块中的基于应用类型的相关内容决定，其设备类型包括但不限于普通flash及scrap flash。
此外，本发明实施例还提出一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有主控内存的存储扩展程序，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时实现如下操作：
在确认有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用内存存储空间的空间量；
根据数据应用内存存储空间的空间量，确认与预设的scrap flash controller对应的目标scrap flash数量，所述目标scrap flash包括一个或者多个；
最后通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。
进一步地，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时还实现如下操作：
根据特定flash的buff容量，选取与当前目标数据量匹配的目标flash，所述目标flash包括普通flash及scrap flash。
进一步地，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时还实现如下操作：
通过预设的scrap flash controller读取已封装的目标扩展Flash的封装参数，并基于读取到的封装参数以预设的命令执行基于所述数据应用存储空间的数据应用操作。
进一步地，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时还实现如下操作：
构建预设的scrap Flash controller；
在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息。
进一步地，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时还实现如下操作：
根据已添加可应用的Flash信息，以所述Flash的设备类型标记所述Flash的应用类型，所述设备类型包括普通Flash及scrap Flash。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、药品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、药品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、药品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，可以理解本发明的核心理念是将Scrap Flash Buff模拟为主控可访问Buff，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可集成到任意通过Flash存储数据的存储方案中。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种主控内存的存储扩展方法，其特征在于，所述主控内存的存储扩展方法包括以下步骤：
在确认有数据应用需求时，确认基于所述数据应用需求对应的数据应用内存存储空间的空间量；
根据数据应用内存存储空间的空间量及特定flash的buff容量，自选取的与目标数据量匹配的目标flash中确认与预设的scrap flash controller对应的目标scrap flash数量，所述目标flash包括普通flash及scrap flash，且所述目标scrap flash包括一个或者多个；
将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flashcontroller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间。
2.如权利要求1所述的主控内存的存储扩展方法，其特征在于，所述将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash，并通过预设的scrap flash controller调用所述目标扩展flash作为所述数据应用存储空间的步骤之前，还包括：
通过预设的scrap flash controller读取已封装的目标扩展Flash的封装参数，并基于读取到的封装参数以预设的命令执行将已确认的目标scrap flash封装为目标扩展flash的步骤。
3.如权利要求1至2任一项所述的主控内存的存储扩展方法，其特征在于，所述主控内存的存储扩展方法，还包括：
构建预设的scrap Flash controller；
在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息。
4.如权利要求3所述的主控内存的存储扩展方法，其特征在于，所述在已构建的所述scrap Flash controller中添加可应用的Flash信息的步骤之后，还包括：
根据已添加可应用的Flash信息，以所述Flash的设备类型标记所述Flash的应用类型，所述设备类型包括普通Flash及scrap Flash。
5.一种主控内存的存储扩展装置，其特征在于，所述主控内存的存储扩展装置包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的主控内存的存储扩展程序，所述主控内存的存储扩展程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
6.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有主控内存的存储扩展程序，所述主控内存的存储扩展程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
7.一种主控内存的存储扩展系统，其特征在于，所述主控内存的存储扩展系统在执行时实现如权利要求1至4中任一项所述主控内存的存储扩展方法的步骤。
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