CN109579989B - 基于非周期光栅化栅漏极mosfet太赫兹探测器 - Google Patents
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- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 title description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的源极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅漏极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度，实现窄带太赫兹探测。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹探测器技术领域，更具体的说，是涉及一种基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器。
背景技术
太赫兹波是电磁波谱上介于微波与红外光之间的电磁波，其频率在0.1～10THz左右，波长对应3mm～30μm。太赫兹技术是目前信息科学技术研究的前沿与热点领域之一，近几年来，受到世界各国研究机构的广泛关注。美、日、欧等发达国家先后将太赫兹技术评定为“改变未来世界的十大技术”和“国家支柱技术十大重点战略目标”，投入巨资来夯实在太赫兹领域的国际地位。太赫兹具备广泛的应用前景，在天体物理学、材料科学、生物医学、环境科学、光谱与成像技术、信息科学技术等领域有着广泛的技术应用。太赫兹技术能够显著提升我国在航空航天、空间通信、生物医疗、甚至是食品检测等方面的实力。而作为太赫兹应用基础的太赫兹探测器是太赫兹安防、检测的关键部件。
在太赫兹频段由于任何导体引线都会带来极其严重的寄生效应，使得绝大多数基于III-V/II-VI族工艺的探测器性能难以控制，甚至出现不工作的情况，从而制约了这类太赫兹探测器的实用化。发展基于CMOS兼容工艺的室温太赫兹探测器是太赫兹探测和阵列成像实现低成本、大规模推广的基础。而目前现有的基于CMOS兼容工艺的探测器普遍存在响应速度慢、灵敏度低、价格昂贵、通常需要在低温下工作等诸多缺点,这在很大程度上限制了太赫兹技术的集成应用和发展。因此发展具有高响应度、高灵敏度、价格低廉的CMOS兼容的室温太赫兹探测器成为了太赫兹技术集成应用和发展进程中迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明提供一种基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，通过调节栅漏极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节，从而提高太赫兹探测器的探测灵敏度；通过光刻、纳米压印和人工微结构材料的调控引入非周期性且具有各种不同图案形式的光栅结构替代原有金属栅MOSFET的栅漏极，实现由CMOS兼容的低维半导体材料(如纳米线)制备的栅漏极光栅化，使栅漏极与太赫兹波产生共振，增强等离子体谐振效应，从而提高探测器的响应速度。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；
所述金属栅MOSFET的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，所述金属栅MOSFET的源极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；所述低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；
所述电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容，所述反馈电阻连接于低噪声前置放大器的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻一端连接低噪声前置放大器的反向输入端，另一端经二号隔直电容接地，所述三号隔直电容一端连接低噪声前置放大器的输出端，另一端接地。
所述一号偏置电压源和一号偏置电阻用于给金属栅MOSFET提供直流供电，通过调节金属栅MOSFET栅漏极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节。
与现有技术相比，本发明的技术方案所带来的有益效果是：
(1)本发明基于硅基CMOS工艺，便于与后端电路集成，易于实现大规模量产，进而缩减探测器成本。
(2)本发明可通过调节栅漏极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节。
(3)本发明采用光栅化金属栅MOSFET栅漏极的方法可降低空间中微弱的太赫兹信号与栅上金属结构和漏区金属结构激发出来的等离子体在传播过程中的扩散和损耗问题。
(4)本发明无须使用天线，可有效避免片上天线损耗大、增益和辐射效率低、通过DRC设计规则验证难度大等问题；芯片面积大大减小，极大地降低了生产成本。
(5)本发明可利用光栅对光的谐振原理等调控作用，使光栅化的栅漏极与太赫兹波产生共振，从而提高光电转换效率。
附图说明
图1是一种具有非周期性光栅化栅漏极结构及不同光栅图案形式的金属栅MOSFET示意图；
图2是基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器电路图。
附图标记：Vb1一号偏置电压源，Vb2二号偏置电压源，Rb1一号偏置电阻，Rb2二号偏置电阻，C1一号隔直电容，C2二号隔直电容，C3三号隔直电容，Q1金属栅MOSFET，Q2低噪声前置放大器，Rf反馈电阻，Rg接地电阻，GND地。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的描述。
本发明基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，如图1和图2所示，包括具有非周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET Q1、低噪声前置放大器Q2和电压反馈回路。
所述金属栅MOSFET Q1的栅极Grating-Gate和漏极Grating-D均用于接收太赫兹信号。所述金属栅MOSFET Q1的栅极Grating-Gate经一号偏置电阻Rb1连接加载有一号偏置电压源Vb1，用于给金属栅MOSFET Q1提供直流供电，可以通过调节金属栅MOSFET Q1栅极Grating-Gate电极和漏极Grating-D电极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。其中，一号偏置电压源Vb1为固定直流偏置电压源。
所述金属栅MOSFET Q1的源极S和低噪声前置放大器Q2的正向输入端之间连接有一号隔直电容C1。所述低噪声前置放大器Q2的正向输入端经二号偏置电阻Rb2还连接二号偏置电压源Vb2。其中，二号偏置电阻Rb2和二号偏置电压源Vb2用于给低噪声前置放大器Q2供电；二号偏置电压源Vb2为固定直流偏置电压源。
所述电压反馈回路主要由反馈电阻Rf、接地电阻Rg、二号隔直电容C2和三号隔直电容C3组成。所述反馈电阻Rf连接于低噪声前置放大器Q2的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻Rg一端连接低噪声前置放大器Q2的反向输入端，另一端经二号隔直电容C2接地GND，所述三号隔直电容C3一端连接低噪声前置放大器Q2的输出端，另一端接地GND。其中，通过改变反馈电阻Rf和接地电阻Rg的阻值可以实现低噪声前置放大器Q2增益的调节。
本发明基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器的输出电压信号为直流电压信号，该直流电压信号的大小与太赫兹信号的辐射强度成正比，根据本发明太赫兹探测器输出电压信号的大小可以得到入射太赫兹信号的强度信息，从而实现太赫兹探测。
尽管上面结合附图对本发明的功能及工作过程进行了描述，但本发明并不局限于上述的具体功能和工作过程，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (2)
1.一种基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有非周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；
所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的源极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；
所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；
所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔直电容(C2)和三号隔直电容(C3)，所述反馈电阻(Rf)连接于低噪声前置放大器(Q2)的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻(Rg)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的反向输入端，另一端经二号隔直电容(C2)接地(GND)，所述三号隔直电容(C3)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的输出端，另一端接地(GND)；
所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，其中，通过调节金属栅MOSFET(Q1)栅漏极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，所述光栅化结构参数包括光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式。
2.根据权利要求1所述的基于非周期光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，所述一号偏置电压源(Vb1)和一号偏置电阻(Rb1)用于给金属栅MOSFET(Q1)提供直流供电。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811458949.0A CN109579989B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基于非周期光栅化栅漏极mosfet太赫兹探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811458949.0A CN109579989B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基于非周期光栅化栅漏极mosfet太赫兹探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109579989A CN109579989A (zh) | 2019-04-05 |
| CN109579989B true CN109579989B (zh) | 2021-04-06 |
Family
ID=65926654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811458949.0A Active CN109579989B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 基于非周期光栅化栅漏极mosfet太赫兹探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109579989B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111834732B (zh) * | 2019-04-22 | 2022-03-18 | 南京大学 | 基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420225B1 (en) * | 2005-11-30 | 2008-09-02 | Sandia Corporation | Direct detector for terahertz radiation |
| CN105244387A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-01-13 | 重庆大学 | 一种光电导探测器 |
| US20160172527A1 (en) * | 2012-12-03 | 2016-06-16 | Sandia Corporation | Photodetector with Interdigitated Nanoelectrode Grating Antenna |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811458949.0A patent/CN109579989B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420225B1 (en) * | 2005-11-30 | 2008-09-02 | Sandia Corporation | Direct detector for terahertz radiation |
| US20160172527A1 (en) * | 2012-12-03 | 2016-06-16 | Sandia Corporation | Photodetector with Interdigitated Nanoelectrode Grating Antenna |
| CN105244387A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-01-13 | 重庆大学 | 一种光电导探测器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109579989A (zh) | 2019-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |