CN109546616A - 过流自保护安全输出电路及其使用方法、激光雷达 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种过流自保护安全输出电路及其使用方法、激光雷达。其中，该过流自保护安全输出电路包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路；上述主控电路，用于向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路，与上述主控电路相连接，用于根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路，与上述推挽输出电路相连接，用于实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。本发明解决了现有的电路的过流处理方法，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低的技术问题。

Description

过流自保护安全输出电路及其使用方法、激光雷达

技术领域

本发明涉及电路的过流保护领域，具体而言，涉及一种过流自保护安全输出电路及其使用方法、激光雷达。

背景技术

在安全激光控制领域，需要利用激光雷达的某一输出接口的电平高低值来控制外部设备的工作，在实际的使用中，可能会由于操作不当导致控制电路的电流过大，存在烧毁安全激光雷达控制电路的情况，从而造成安全事故的发生。

目前现有的电路的过流处理方法，一般采用自恢复保险丝或者是通过采样电阻结合软件上的AD采样处理来判断电路的过流情况，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种过流自保护安全输出电路及其使用方法、激光雷达，以至少解决现有的电路的过流处理方法，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种过流自保护安全输出电路，包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路；上述主控电路，用于向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路，与上述主控电路相连接，用于根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路，与上述推挽输出电路相连接，用于实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。

进一步地，上述主控电路包括：光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管和第二三极管；上述第一电阻的第一端与信号输入端相连接，上述第一电阻的第二端与上述光电耦合器的发光二极管的正极相连接；上述光电耦合器的三极管的发射极通过上述第二电阻接地，上述光电耦合器的三极管的集电极与电源相连接；上述第一三极管的基极通过上述第三电阻与上述光电耦合器的三极管的发射极相连接，上述第一三极管的发射极接地，上述第一三极管的集电极通过上述第四电阻与上述电源相连接；上述第二三极管的基极通过上述第五电阻与上述光电耦合器的三极管的发射极相连接，上述第二三极管的发射极接地，上述第二三极管的集电极通过上述第六电阻与上述电源相连接。

进一步地，上述第一三极管和上述第二三极管均为NPN型三极管。

进一步地，上述推挽输出电路包括：第三三极管、第四三极管、第七电阻、第八电阻以及第九电阻；上述第三三极管的基极通过上述第八电阻与上述第二三极管的集电极相连接，上述第三三极管的发射极接地；上述第四三极管的基极通过上述第七电阻与上述第一三极管的集电极相连接，上述第四三极管的发射极通过上述第九电阻与电源相连接，上述第四三极管的集电极与上述第三三极管的集电极相连接。

进一步地，上述第三三极管为NPN型三极管，上述第四三极管为PNP型三极管。

进一步地，上述过流保护电路包括：上述第五三极管、第六三极管、第七三极管、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一二极管、第二二极管以及电容；上述第五三极管的发射极与电源相连接，上述第五三极管的集电极通过上述第十电阻和上述第十一电阻接地，上述第五三极管的基极与上述第四三极管的发射极相连接；上述第六三极管的基极与上述第一二极管的负极相连接，上述第一二极管的正极通过上述第十一电阻与上述第五三极管的集电极相连接并且还通过上述第十电阻接地，上述六三极管的发射极通过上述第二二极管、上述第十四电阻以及上述第十三电阻接地，上述第六三极管的集电极通过上述第十五电阻和上述第十六电阻与上述电源相连接；上述电容的正极与上述第六三极管的基极相连接，上述电容的负极接地；上述第七三极管的集电极通过上述第十二电阻与上述电容的正极相连接，上述第七三极管的基极通过上述第十五电阻与上述第六三极管的集电极相连接并且还通过上述第十六电阻与上述电源相连接，上述第七三极管的发射极与上述电源相连接；上述光电耦合器的发光二极管的负极通过上述第十三电阻R13 接地，并且还通过上述第十四电阻与上述第二二极管的负极相连接。

进一步地，上述第五三极管和上述第七三极管为PNP型三极管，上述第六三极管为NPN型三极管。

进一步地，上述主控电路和上述推挽输出电路中的接地点与上述过流保护电路中的接地点通过磁珠相连接。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种激光雷达，包括：任一项上述的过流自保护安全输出电路。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种过流自保护安全输出电路的使用方法，上述过流自保护安全输出电路包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路，上述推挽输出电路与上述主控电路相连接，上述过流保护电路与上述推挽输出电路相连接；上述方法包括：控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

在本发明实施例中，采用硬件结构防护的方式，通过主控电路，向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路，与上述主控电路相连接，根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路，与上述推挽输出电路相连接，实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。

由此，本申请达到了通过增加硬件过流保护电路实现安全输出电路的过流保护，过流保护反应快的目的，从而实现了提高过流自保护安全输出电路的安全性和抗干扰性的技术效果，进而解决了现有的电路的过流处理方法，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的一种可选的过流自保护安全输出电路的结构示意图；

图3是根据本发明实施例的一种可选的过流自保护安全输出电路的结构示意图；

图4是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的使用方法的流程图；以及

图5是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的使用装置的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

实施例1

根据本发明实施例，提供了一种过流自保护安全输出电路的实施例，图1是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的结构示意图，如图1所示，上述过流自保护安全输出电路，包括：主控电路100、推挽输出电路101和过流保护电路102；其中：

上述主控电路100，用于向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路101，与上述主控电路100相连接，用于根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路102，与上述推挽输出电路101相连接，用于实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。

在本发明实施例中，采用硬件结构防护的方式，通过主控电路，向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路，与上述主控电路相连接，根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路，与上述推挽输出电路相连接，实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。

由此，本申请达到了通过增加硬件过流保护电路实现安全输出电路的过流保护，过流保护反应快的目的，从而实现了提高过流自保护安全输出电路的安全性和抗干扰性的技术效果，进而解决了现有的电路的过流处理方法，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低的技术问题。

在一种可选的实施例中，上述主控电路和上述推挽输出电路101中的接地点与上述过流保护电路102中的接地点通过磁珠相连接。

可选的，上述磁珠可以等同于一个随频率变化的电阻，所表现的是电阻特性，可以但不限于应用于快速小电流波动的弱信号的地与地之间。

在一种可选的实施例中，图2是根据本发明实施例的一种可选的过流自保护安全输出电路的结构示意图，如图2所示，上述主控电路包括：光电耦合器U1、第一电阻 R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一三极管Q1和第二三极管Q2，其中：

如图2所示，上述第一电阻R1的第一端与信号输入端INPUT相连接，上述第一电阻R1的第二端与上述光电耦合器U1的发光二极管的正极相连接；上述光电耦合器 U1的三极管的发射极通过上述第二电阻R2接地GND，上述光电耦合器U1的三极管的集电极与电源VCC相连接；上述第一三极管Q1的基极通过上述第三电阻R3与上述光电耦合器U1的三极管的发射极相连接，上述第一三极管Q1的发射极接地GND，上述第一三极管Q1的集电极通过上述第四电阻R4与上述电源VCC相连接；上述第二三极管Q2的基极通过上述第五电阻R5与上述光电耦合器U1的三极管的发射极相连接，上述第二三极管Q2的发射极接地GND，上述第二三极管Q2的集电极通过上述第六电阻R6与上述电源VCC相连接。

作为一种可选的实施方式，上述信号输入端INPUT可以为程控器的端口，其中，程控器即程序控制器，例如，可以为一种可以完成某种特定功能的电脑，可广泛应用于各个领域。

在一种可选的实施例中，上述第一三极管Q1和上述第二三极管Q2均为NPN型三极管。

其中，上述NPN型三极管为一种控制元件，可以用于控制电流的大小，由三块半导体构成，其中，两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。

在一种可选的实施例中，仍如图2所示，上述推挽输出电路101包括：第三三极管Q3、第四三极管Q4、第七电阻R7、第八电阻R8以及第九电阻R9；

上述第三三极管Q3的基极通过上述第八电阻R8与上述第二三极管Q2的集电极相连接，上述第三三极管Q3的发射极接地GND；上述第四三极管Q4的基极通过上述第七电阻R7与上述第一三极管Q1的集电极相连接，上述第四三极管Q4的发射极通过上述第九电阻R9与电源VCC相连接，上述第四三极管Q4的集电极与上述第三三极管Q3的集电极相连接，并且，上述第四三极管Q4的集电极与上述第三三极管 Q3的集电极之间还连接有信号输出端OUTPUT。

在上述可选的实施例中，上述第三三极管Q3为NPN型三极管，上述第四三极管 Q4为PNP型三极管。

其中，上述PNP型三极管为由两块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，PNP型三极管的发射极的电位最高，集电极的电位最低。

需要说明的是，三极管按结构分，可以分为上述PNP型三极管和上述NPN型三极管，其中，PNP型三极管与NPN型三极管的电流方向和电压正负不同，即，PNP 型三极管与NPN型三极管的极性不同。

作为一种可选的实施例，仍如图2所示，上述过流保护电路102包括：上述第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第一二极管D1、第二二极管D2以及电容C1，其中：

如图2所示，上述第五三极管Q5的发射极与电源VCC相连接，上述第五三极管 Q5的集电极通过上述第十电阻R10和上述第十一电阻R11接地GND，上述第五三极管Q5的基极与上述第四三极管Q4的发射极相连接；上述第六三极管Q6的基极与上述第一二极管D1的负极相连接；上述第一二极管D1的正极通过上述第十一电阻R11 与上述第五三极管Q5的集电极相连接并且还通过上述第十电阻R10接地GND，上述六三极管的发射极通过上述第二二极管D2、上述第十四电阻R14以及上述第十三电阻R13接地GND，上述第六三极管Q6的集电极通过上述第十五电阻R15和上述第十六电阻R16与上述电源VCC相连接。

仍如图2所示，上述电容C1的正极与上述第六三极管Q6的基极相连接，上述电容C1的负极接地GND；上述第七三极管Q7的集电极通过上述第十二电阻R12与上述电容C1的正极相连接，上述第七三极管Q7的基极通过上述第十五电阻R15与上述第六三极管Q6的集电极相连接并且还通过上述第十六电阻R16与上述电源VCC相连接，上述第七三极管Q7的发射极与上述电源VCC相连接；上述光电耦合器U1的发光二极管的负极通过上述第十三电阻R13接地GND，并且还通过上述第十四电阻R14 与上述第二二极管D2的负极相连接。

在上述可选的实施例中，上述第五三极管Q5和上述第七三极管Q7为PNP型三极管，上述第六三极管Q6为NPN型三极管。

以下通过一种如图2示出的一种过流自保护安全输出电路的可选实施例，对本申请实施例所提供的过流自保护安全输出电路进行解释说明，在图2所示的过流自保护安全输出电路中，主控电路100受程控器(即，信号输入端INPUT)的控制，当程控器输出高电平信号时，光电隔离器U1导通，此时光电隔离器U1的三极管的发射极输出高电平VCC，输出的高电平VCC使第一三极管Q1和第二三极管Q2导通，此时，推挽输出电路101中的第四三极管Q4处于导通状态，第三三极管Q3处于截止状态，过流自保护安全输出电路的输出信号为高电平，高电平的值与电源VCC保持一致；当负载电流较小时，第九电阻R9两端的电压降不足0.8V，此时过流保护电路102中的第五三极管Q5处于截止状态，第五三极管Q5的集电极输出低电平，此时，过流自保护安全输出电路随着程控器输出的高低电平进入ON和OFF状态；当过流自保护安全输出电路处于ON状态时，由于操作失误可能导致负载的电流瞬间变大，流过负载的电流为I，当电流I满足公式(1)：时；上述过流保护电路102中的第五三极管Q5导通，使得第五三极管Q5的集电极为高电平，第一二极管D1的正极为高电平，导致第六三极管Q6导通，一旦过流保护电路102中的第六三极管Q6导通后，第七三极管Q7也处于导通状态，二者组成一个自锁电路，只有整个电路重新上电，自锁才可以解除，此时第十三电阻R13的压降变大，促使光电耦合器U1的发光二极管关断，起到保护安全输出电路的作用。

图3是根据本发明实施例的一种可选的过流自保护安全输出电路的结构示意图，以下通过一种如图3示出的一种过流自保护安全输出电路的可选实施例，对本申请实施例所提供的过流自保护安全输出电路进行解释说明，在图3所示的过流自保护安全输出电路中，主控电路100受程控器(即，信号输入端INPUT)的控制，当程控器输出高电平信号时，光电隔离器U1导通，此时光电隔离器U1的三极管的发射极输出高电平VCC，输出的高电平VCC使第一三极管Q1和第二三极管Q2导通，此时，推挽输出电路101中的第四三极管Q4处于导通状态，第三三极管Q3处于截止状态，过流自保护安全输出电路的输出信号为高电平，高电平的值与电源VCC保持一致。

当负载电流较小时，第九电阻R9两端的电压降不足0.8V，此时过流保护电路102中的第五三极管Q5处于截止状态，第五三极管Q5的集电极输出低电平，此时，过流自保护安全输出电路随着程控器输出的高低电平进入ON和OFF状态；当过流自保护安全输出电路处于ON状态时，由于操作失误可能导致负载的电流瞬间变大，流过负载的电流为I，当电流I满足上述公式(1)：时，第五三极管Q5导通，使得第五三极管Q5的集电极为高电平，经过第十一电阻R11和第十电阻R10分压后，第十电阻R10的电压反馈到主控电路100中的光电耦合器U1的发光二极管的负极，促使光电耦合器U1的发光二极管关断，起到保护安全输出电路的作用。

根据本发明实施例，还提供了一种激光雷达的实施例，包括：任一项上述的过流自保护安全输出电路。

需要说明的是，本申请中的图1至图3中所示的过流自保护安全输出电路的具体结构仅是示意，在具体应用时，本申请中的过流自保护安全输出电路可以比图1至图 3所示的过流自保护安全输出电路具有多或少的结构。

实施例2

根据本发明实施例，提供了一种过流自保护安全输出电路的使用方法的实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

需要说明的是，上述过流自保护安全输出电路包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路，上述推挽输出电路与上述主控电路相连接，上述过流保护电路与上述推挽输出电路相连接。图4是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的使用方法的流程图，如图4所示，该方法包括如下步骤：

步骤S402，控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小。

步骤S404，当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

在本发明实施例中，采用硬件结构防护的方式，通过主控电路，向上述推挽输出电路输出控制信号；上述推挽输出电路，与上述主控电路相连接，根据上述控制信号向控制设备输出高电平信号；上述过流保护电路，与上述推挽输出电路相连接，实时监测负载电流的大小，当上述负载电流大于预设阈值时，对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护。

由此，本申请达到了通过增加硬件过流保护电路实现安全输出电路的过流保护，过流保护反应快的目的，从而实现了提高过流自保护安全输出电路的安全性和抗干扰性的技术效果，进而解决了现有的电路的过流处理方法，过流保护的响应时间较长，安全性和抗干扰性较低的技术问题。

需要说明的是，本申请实施例2中的任意一种可选的或优选的过流自保护安全输出电路的使用方法，均可以在本申请实施例1所提供的过流自保护安全输出电路中执行或实现。

此外，仍需要说明的是，本实施例的可选或优选实施方式可以参见实施例1中的相关描述，此处不再赘述。

实施例3

根据本发明实施例，还提供了一种用于实施上述过流自保护安全输出电路的使用方法的装置实施例，需要说明的是，上述过流自保护安全输出电路包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路，上述推挽输出电路与上述主控电路相连接，上述过流保护电路与上述推挽输出电路相连接。

图5是根据本发明实施例的一种过流自保护安全输出电路的使用装置的结构示意图，如图5所示，上述过流自保护安全输出电路的使用装置，包括：控制模块50和过流保护模块52，其中：

控制模块50，用于控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；过流保护模块52，用于当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

需要说明的是，上述各个模块是可以通过软件或硬件来实现的，例如，对于后者，可以通过以下方式实现：上述各个模块可以位于同一处理器中；或者，上述各个模块以任意组合的方式位于不同的处理器中。

此处需要说明的是，上述控制模块50和过流保护模块52对应于实施例2中的步骤S102至步骤S104，上述模块与对应的步骤所实现的实例和应用场景相同，但不限于上述实施例2所公开的内容。需要说明的是，上述模块作为装置的一部分可以运行在计算机终端中。

需要说明的是，本实施例的可选或优选实施方式可以参见实施例1和2中的相关描述，此处不再赘述。

上述的过流自保护安全输出电路的使用装置还可以包括处理器和存储器，上述控制模块50和过流保护模块52等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元，上述内核可以设置一个或以上。存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

根据本申请实施例，还提供了一种存储介质实施例。可选地，在本实施例中，上述存储介质包括存储的程序，其中，在上述程序运行时控制上述存储介质所在设备执行上述任意一种过流自保护安全输出电路的使用方法。

可选地，在本实施例中，上述存储介质可以位于计算机网络中计算机终端群中的任意一个计算机终端中，或者位于移动终端群中的任意一个移动终端中，上述存储介质包括存储的程序。

可选地，在程序运行时控制存储介质所在设备执行以下功能：控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

根据本申请实施例，还提供了一种处理器实施例。可选地，在本实施例中，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述任意一种过流自保护安全输出电路的使用方法。

本申请实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现以下步骤：控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有如下方法步骤的程序：控制上述过流保护电路实时监测上述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；当上述负载电流大于预设阈值时，通过上述过流保护电路对上述主控电路和上述推挽输出电路进行过流保护，以使由上述主控电路控制的上述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种过流自保护安全输出电路，其特征在于，包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路；

所述主控电路，用于向所述推挽输出电路输出控制信号；

所述推挽输出电路，与所述主控电路相连接，用于根据所述控制信号向控制设备输出高电平信号；

所述过流保护电路，与所述推挽输出电路相连接，用于实时监测负载电流的大小，当所述负载电流大于预设阈值时，对所述主控电路和所述推挽输出电路进行过流保护。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主控电路包括：光电耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管和第二三极管；

所述第一电阻的第一端与信号输入端相连接，所述第一电阻的第二端与所述光电耦合器的发光二极管的正极相连接；

所述光电耦合器的三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述光电耦合器的三极管的集电极与电源相连接；

所述第一三极管的基极通过所述第三电阻与所述光电耦合器的三极管的发射极相连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极通过所述第四电阻与所述电源相连接；

所述第二三极管的基极通过所述第五电阻与所述光电耦合器的三极管的发射极相连接，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的集电极通过所述第六电阻与所述电源相连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一三极管和所述第二三极管均为NPN型三极管。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述推挽输出电路包括：第三三极管、第四三极管、第七电阻、第八电阻以及第九电阻；

所述第三三极管的基极通过所述第八电阻与所述第二三极管的集电极相连接，所述第三三极管的发射极接地；

所述第四三极管的基极通过所述第七电阻与所述第一三极管的集电极相连接，所述第四三极管的发射极通过所述第九电阻与电源相连接，所述第四三极管的集电极与所述第三三极管的集电极相连接。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第三三极管为NPN型三极管，所述第四三极管为PNP型三极管。

6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述过流保护电路包括：第五三极管、第六三极管、第七三极管、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一二极管、第二二极管以及电容；

所述第五三极管的发射极与电源相连接，所述第五三极管的集电极通过所述第十电阻和所述第十一电阻接地，所述第五三极管的基极与所述第四三极管的发射极相连接；

所述第六三极管的基极与所述第一二极管的负极相连接，所述第一二极管的正极通过所述第十一电阻与所述第五三极管的集电极相连接并且还通过所述第十电阻接地，所述六三极管的发射极通过所述第二二极管、所述第十四电阻以及所述第十三电阻接地，所述第六三极管的集电极通过所述第十五电阻和所述第十六电阻与所述电源相连接；

所述电容的正极与所述第六三极管的基极相连接，所述电容的负极接地；

所述第七三极管的集电极通过所述第十二电阻与所述电容的正极相连接，所述第七三极管的基极通过所述第十五电阻与所述第六三极管的集电极相连接并且还通过所述第十六电阻与所述电源相连接，所述第七三极管的发射极与所述电源相连接；

所述光电耦合器的发光二极管的负极通过所述第十三电阻R13接地，并且还通过所述第十四电阻与所述第二二极管的负极相连接。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第五三极管和所述第七三极管为PNP型三极管，所述第六三极管为NPN型三极管。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主控电路和所述推挽输出电路中的接地点与所述过流保护电路中的接地点通过磁珠相连接。

9.一种激光雷达，其特征在于，包括：权利要求1至8中任一项所述的过流自保护安全输出电路。

10.一种过流自保护安全输出电路的使用方法，其特征在于，所述过流自保护安全输出电路包括：主控电路、推挽输出电路和过流保护电路，所述推挽输出电路与所述主控电路相连接，所述过流保护电路与所述推挽输出电路相连接；所述方法包括：

控制所述过流保护电路实时监测所述过流自保护安全输出电路中负载电流的大小；

当所述负载电流大于预设阈值时，通过所述过流保护电路对所述主控电路和所述推挽输出电路进行过流保护，以使由所述主控电路控制的所述推挽输出电路向控制设备输出的信号由高电平信号转变为低电平信号。