一种铅酸蓄电池组修复仪
技术领域
本发明涉及铅酸蓄电池修复领域,特别是一种铅酸蓄电池组修复仪。
背景技术
铅酸蓄电池由于其成本低、可靠性高、稳定性好、能快速充电等优点,尽管已经问世100多年了,但是到目前为止,依旧在社会的各个领域发挥了重要作用,随着这几年国内外关于绿色清洁能源的需求越来越大,铅酸蓄电池的应用已逐步进入到社会各个行业的各个层面,在公路交通、工程机械、物流运输、电力供应、通信传输等方面都发挥着越来越重要的作用。
铅酸蓄电池自大规模应用以来,虽然优点很多,但是它的寿命短、能量转化效率低、容易失效等问题并没有得到充分解决,同时,当蓄电池废弃时,对它进行回收或处理等又存在较大的污染和浪费,这些问题一直困扰着业界相关人士,为延长蓄电池的使用寿命,使早期失效的电池容量恢复,近年来,针对蓄电池容量恢复,业界提出了许多相关理论,有化学修复、活化剂修复、充分活化修复、脉冲修复等等。
同时,在公路交通、工程机械、通信传输等行业应用的铅酸蓄电池由于需求量越来越大,对能源的供给要求越来越高,这些行业的铅酸蓄电池,一般对铅酸蓄电池采用多块低压铅酸蓄电池进行串并联物理连接来加大储能容量。
由于这些行业的铅酸蓄电池容量较大,其体积和重量都比较大,一般是采用固定式的硬连接或采用固定场所的放置方式,这些方式都导致了蓄电池维护不便,损坏后没有有效的修复手段,既有的修复方案也不便于实施。
对于低压大容量串并联组合式的铅酸蓄电池组,由于不方便拆解和搬运,大多数都因为操作使用及储存保养等各种原因提前终止了寿命周期。在这些电池当中,很大一部分都是由于各外部原因导致的蓄电池极板不同程度的硫化而无法充电、容量下降等不能在正常使用,对这些电池,一般没有较好的维护设备来对这些电池组进行维护,既有的设备一般是用大电流充放电的原理对这种电池进行维护,这样做的效果较差,另外也存在不少不利因素。
在现有的维护技术当中,还有采用高频脉冲谐振技术的产品,由于其效果显著,对蓄电池的容量有明显提升效果,同时输出无损修复技术,环保无污染,因此,受到广泛的欢迎。
目前,高频脉冲谐振技术的铅酸蓄电池修复设备一般包括一个恒流源,由该恒流流源产生恒流电流流入铅酸蓄电池,在恒流源与铅酸蓄电池的回路中设置一个开关管,利用修复装置的智能控制电路产生一个PWM信号,利用PWM信号控制这个开关管高速通-断,产生谐振脉冲电流加入到铅酸蓄电池两端对铅酸蓄电池进行修复,当然,为了保证加入到铅酸蓄电池的脉冲信号陡峭,在控制电路的PWM输出端还设置一些PWM信号波形整形电路和对开关管的驱动电路等。
但是这类修复设备不能对低压大容量串并联电池的进行维护修复。对于大容量的串联的电池需要拆解以后对单个铅酸蓄电池进行修复。在动力牵引型电池的修复维护当中就需要拆解极柱焊接的铅连接条,在后备电池的修复维护中需要拆解极板螺丝。
拆解铅连接条就存在铅金属加工的问题,铅本身是重金属、对生物具有毒性,所以无特殊保护的铅加工就容易造成职业病、人体伤害以及环境污染。
拆解铅连接条耗时耗力,容易导致修复效率低下,一个电池组往往由12节、24节或40节构成,拆解时需要充分用钢锯切割和焊接,耗费人力和时间非常不利于修复效率的提高。
当修复完毕后铅连接条要恢复原状,所以焊接铅条需要动用明火,这样火灾风险较大,操作也困难,相关修复维护服务网点很难建立,往往一个市的市区内的中心区域都不能动用明火,场地问题很难解决。
即使可以拆焊,这些操作成本也很高,并且造成很大浪费。
而对于应用软连接条连接的电池组,要充分拧紧极板螺丝,由于人为扭力不均匀可能会影响整组电池放电性能,同时由于螺丝和铅条具有极好的导电性,操作不当易非常造成单体短路、人体安全危害大。
发明内容
本发明针对现有的铅酸蓄电池修复仪在不能对铅酸蓄电池组直接进行修复,而需要将铅酸蓄电池组进行拆解以后,对单体铅酸电池分别进行修复所带来的不足,提供一种铅酸蓄电池组修复仪,通过本发明的铅酸蓄电池组修复仪可以直接对串联地一起的铅酸蓄电池组进行修复。
本发明的技术方案是:一种铅酸蓄电池组修复仪,包括由微处理器控制电路控制的修复单元,所述的修复单元与铅酸蓄电池组中单体铅酸蓄电池数量一致,包括恒流电源、设置在恒流电源对待测单体铅酸蓄电池充电回路中的受第一控电子开关、在微处理器控制电路控制下驱动第一受控电子开关以形成谐振脉冲电流对单体铅酸蓄电池进行修复的修复驱动电路;
本发明提供了一种对铅酸蓄电池组充电时可以不拆解铅酸蓄电池直接修复的修复仪。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:所述的修复单元中还包括由微处理器控制电路控制第二受控制电子开关和放电电阻RL1,所述的第二受控制电子开关设置在放电电阻RL1两端与待测单体铅酸蓄电池两极相连形成的放电回路上。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:所述的第二受控制电子开关为MOS管Q3,在微处理器控制电路与MOS管Q3的栅极之间还设置有放电驱动电路,所述的放电驱动电路包括放大芯片U4,光耦U5、三极管Q2、三极管Q4、电阻R15、电阻R4、电阻R16和电容C7;所述的放大芯片U4为达林顿阵列芯片ULN2003,其3B引脚接微处理器控制电路中放电控制信号端,其3C引脚接光耦U5源边输出端,光耦U5源边输入端经过电阻R15接12V工作电源端;光耦U5的副边输入端分别接三极管Q2和三极管Q4的基极,光耦U5的副边输出端接三极管Q4的发射极,三极管Q2的集电极接地,发射极与三极管Q4的集电极相连,三极管Q2的发射极与三极管Q4的集电极的公共端通过电阻R16接MOS管Q3的栅极;光耦U5的副边输入端通过电阻R14接地,光耦U5的副边输出端通过电容C7接地。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:所述的第一受控电子开关为MOS管Q1,所述的修复驱动电路产生驱动信号接MOS管Q1的栅极;所述的修复驱动电路包括放大芯片U4、光耦U3、施密特触发器U2、电阻R13、电阻R11、电阻R12、电阻R9、电阻R10、电容C6、电容C5;
所述的放大芯片U4为达林顿阵列芯片ULN2003,其1B引脚接微处理器控制电路中PWM信号输出端,其1C引脚接光耦U3源边输出端,光耦U3源边输入端经过电阻R10接12V工作电源端;
光耦U3副边输入端通过电阻R12接施密特触发器U2的输入端,施密特触发器U2的输出端经电阻R11接MOS管Q1的栅极;
光耦U3的副边输入端通过电阻R9接地,光耦U3的副边输出端通过电容C5接地,在电阻R12的两端还并联有电解电容C6,电解电容C6的阳极接光耦U3源边输入端;
电阻R13设置在MOS管Q1的栅极与源极之间。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:在所述的修复单元中还包括检测待测单体铅酸蓄电池两极间电压的电压检测电路,所述的电压检测电路采用对应多块待测单体铅酸蓄电池的检测起到隔离采样作用差动放电电路和后级放大电路。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:所述的差动放电电路包括运算放大器U1A、电阻3、电阻R5、电阻R2、电阻R7、电容C1和电容C3;所述的待测的单体铅酸蓄电池的正负极分别通过电阻R3和电阻R5接运算放大器U1A的异相输入端和同相输入端,在运算放大器U1A的异相输入端与输出端之间并联有电阻R2和电容C1;在运算放大器U1A的同相输入端与地之间连接的由电阻R7和电容C3组成的并联电路。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:所述的后级放大电路为反相放大电路,包括运算放大器U1B、电阻R4、电阻R8、电阻R1、电阻R6、电容C1和可调电位器W1;所述的差动放电电路的输出经由电阻R4接运算放大器U1B的异相输入端,运算放大器U1B的同相输入端经电阻R8接地,电容C2设置在运算放大器U1B的异相输入端与输出端之间,电阻R1设置在运算放大器U1B的异相输入端与可调电位器W1的可调端,可调电位器W1另一端接运算放大器U1B的输出端,运算放大器U1B的输出端接电阻R6的一端,电阻R6另一端形成反相放大电路的输出。
进一步的,上述的铅酸蓄电池组修复仪中:在所述的电压检测电路中还包括AD输入保护电路,所述的AD输入保护电路包括二极管D1、二极管D2和电容C4;工作电源VCC接二极管D1的N极、二极管D1的P极接二极管D2的N极,二极管D2的P极接地,二极管D1的P极和二极管D2的N极相连的公共端接所述的反相放大电路的输出,在二极管D2的两端并联电容C4,二极管D1的P极和二极管D2的N极相连的公共端接微处理器控制电路中AD输入端。
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的说明。
附图说明
附图1为本发明实施例1修复连接图。
附图2为本发明实施例1原理框图。
附图3为本发明实施例1电压检测电路图。
附图4为本发明实施例1脉冲修复和放电输出驱动电路。
具体实施方式
实施例1,本实施例的铅酸蓄电池组修复仪主要用于通信、电力、数据机房、轨道交通等等行业的2V大容量动力或后备铅酸蓄电池的离网修复。这种铅酸电池修复仪是采用高频脉冲开关谐振技术对多块离网单体的铅酸蓄电池进行隔离修复,同时具备脉冲放电功能,有效提高电池组的修复效率,有效提升电池的容量。
如图1所示,本实施例是一种对12节2V大容量铅酸蓄电池组成的蓄电池组进行修复的接线图。
修复仪采用多模块组合的方式,电池修复模块1~4可以单独工作也可以组合为修复设备,每个电池修复模块的原理框图见附图2,每个电池修复模块由三路修复控制单元电路构成。
在图1中,每个修复控制单元的电子开关使用隔离供电的直流电源电路1~3,修复控制单元的输入信号通过光电隔离和来自微处理器的控制信号相隔离,每一路修复同时采用独立的5V恒流开关电源,这样就实现了输出修复的隔离,
每个电池修复模块使用了三路的电压检测电路(见附图3),当电池修复模块接入三块串联的电池时,电压检测电路的接入信号共模电压不超过7.5V,由于电压检测电路采用了差分放大电路作为采样的前端,对检测精度的影响可以忽略不计。
如上所述,每个电池修复模块可以对串联的三块电池同时进行修复。
修复仪系统基本的组合是采用4个修复控制模块构成一个多路的蓄电池修复仪,每一个修复控制模块可以修复三块单体电池,三块单体电池可以同时修复,不用拆解物理连接,不干扰相互工作,这样多个修复控制模块可以构成多块串联电池的修复系统,如图所述,附图二是24V串联蓄电池组的修复仪系统组成框图,24V电池由12块单体电池构成,正负极首尾相连,修复时可以并行独立控制修复,不互相干扰。
如图2所示是附图1中修复模块电路框图,电路原理及框图说明如下:
铅酸蓄电池修复仪采用微处理器程序智能控制的方法控制运行,5V恒流电源1、受控电子开关1-1、受控电子开关1-2、信号放大电路、接入控制电路、电池、电压检测电路1、反接检测电路1组成了单体修复控制单元,三个修复控制单元由一个微处理器控制电路集中控制,结合电源电路等构成一个修复模块。
在一个修复模块中,微处理器控制电路分别连接到三路单元的信号放大电路、受控电子开关1-1、电压检测电路、接入控制电路、受控电子开关1-2、显示电路和按键控制电路,在程序控制下通过电压检测电路随时监控蓄电池的接入,通过接入控制电路打开接入控制电路接通受控电子开关1-1与电池的正极,微处理器通过对蓄电池电压和各技术参数进行计算而判定输出合适的PWM修复脉冲控制信号,PWM信号输出到信号放大电路后传输到受控电子开关1-1,受控电子开关1-1器件受信号控通断,来自DC5V20A恒流电源的电流经由受控电子开关1-1器件和接入控制电路流向蓄电池的正极进行脉冲修复,在脉冲修复期间,微处理器驱动控制受控电子开关1-2打开放电开关器件1对蓄电池进行脉冲放电,脉冲放电具有适当的去极化作用,同时在一段时间后受控电子开关1-2进行多次测试性放电,用于测试当前电池性能。
附图2中,5V恒流电源用于给蓄电池修复时提供恒定的电流,其正极通过受控电子开关1-1和接入控制电路连接到电池正极,恒流电源的负极连接到蓄电池负极。
受控电子开关1-1是修复脉冲的驱动输出电路,其输入端接入来自信号放大电路放大后的占空比PWM方波,信号放大电路经过波形的整形放大后控制受控电子开关1-1,当蓄电池正极的继电器接通的条件下对来自恒流电源的电流进行开关控制,形成高频上升沿陡峭的脉冲电流,脉冲电流通过电池正极板后参与电化学反应并形成对大硫酸铅结晶的谐振并使大硫酸铅晶体逐步转化为微小颗粒,这样就达到了修复的目的。
受控电子开关1-2由光电隔离电路和开关驱动电路组成,受控电子开关1-2接收来自信号放大电路的放电信号,打开开关S2,经由放电电阻RL1,按规定的时间周期进行放电,在本方案中,一是在修复脉冲周期中加入放电脉冲,可以增加修复电路的修复效果减小电池内部由于修复电流进入后产生的各种极化现象,有利于电池内部电化学反应的进行。
图2中接入控制电路连接到微处理器和信号放大电路,在设备中起安全保护的作用,当微处理器检测到电池正常接入后才输出控制信号给信号放大电路,信号放大电路驱动接入控制电路接通受控开关S1、S2和蓄电池正极的连接。
电压检测电路采用差分放电电路和后级放大调理电路组成,采样放大电路在设备上电以后一直处于工作状态,随时监控检测端的电压输入变化并经过放大滤波整形后将模拟信号输入到微处理器的AD端口,微处理器经过模数转换以后得到采样端的电压变化值作为产品控制的主要参数,这个电路当中,由于采用了差分放大电路,对应多块2V电池的检测可以起到隔离采样作用。
图2中,显示电路和按键控制电路连接到微处理器,并作为人机接口提供给操作人员进行处理。显示电路采用数码管驱动电路,可以直观的显示当前各电池的电压值,按键控制电路可以输入修复控制工作方式,实现高阻电池的强力修复。
图2中,市电经降压整流电路隔离降压转换后输出到四个直流电源电路,分别给主控制电路、第一路修复控制单元、第二路修复控制单元、第三路修复控制单元供电,这样给修复仪内部各单元控制电路提供隔离稳定的电能,降压整流电路采用变压器不同绕组独立输出的方式实现主控制电路的直流电源0和三路修复控制单元电路的直流电源1~3互相隔离工作。
图2中,微处理器由微处理器及其复位电路、晶体振荡电路、程序下载端口等电路元件组成,微处理器内部预先固化了修复器的控制程序,当直流供电电路上电给复位电路后,微处理器启动开始运行程序,完成蓄电池的修复及各控制过程。
附图3是修复仪的电压检测电路的原理图,电路由差动放电电路和反向放大电路构成,电阻R3、R5、R2、R7、电容C1、C3、运放U1A组成差动放大电路、电阻R4、R8、R1、R6、电容C2、可调电位器W1、运放U1B组成了反相放大电路,二极管D1、D2、电容C4构成AD输入保护电路,当修复仪工作时,电压检测电路随时检测输出电池连接的电压状态,当接入电池时,电池电压通过R3、R5输入差动放大电路的运放U1A,电压经U1A放大后通过R4输入到运放U1B的反相端,经过U1B等组成的反相运放电路后输出到AD输入保护电路,D1、D2和电容C4用来保护微处理器的AD端口防止脉冲过压干扰,提高输入稳定性。
具体的,差动放电电路包括运算放大器U1A、电阻3、电阻R5、电阻R2、电阻R7、电容C1和电容C3;所述的待测的单体铅酸蓄电池的正负极分别通过电阻R3和电阻R5接运算放大器U1A的异相输入端和同相输入端,在运算放大器U1A的异相输入端与输出端之间并联有电阻R2和电容C1;在运算放大器U1A的同相输入端与地之间连接的由电阻R7和电容C3组成的并联电路。
后级放大电路为反相放大电路,包括运算放大器U1B、电阻R4、电阻R8、电阻R1、电阻R6、电容C1和可调电位器W1;所述的差动放电电路的输出经由电阻R4接运算放大器U1B的异相输入端,运算放大器U1B的同相输入端经电阻R8接地,电容C2设置在运算放大器U1B的异相输入端与输出端之间,电阻R1设置在运算放大器U1B的异相输入端与可调电位器W1的可调端,可调电位器W1另一端接运算放大器U1B的输出端,运算放大器U1B的输出端接电阻R6的一端,电阻R6另一端形成反相放大电路的输出。
在电压检测电路中还包括AD输入保护电路,所述的AD输入保护电路包括二极管D1、二极管D2和电容C4;工作电源VCC接二极管D1的N极、二极管D1的P极接二极管D2的N极,二极管D2的P极接地,二极管D1的P极和二极管D2的N极相连的公共端接所述的反相放大电路的输出,在二极管D2的两端并联电容C4,二极管D1的P极和二极管D2的N极相连的公共端接微处理器控制电路中AD输入端。
附图4为脉冲修复和放电输出驱动电路的电路图,此部分电路包括信号放大电路、接入控制电路电路、两路的受控电子开关,第一受控电子开关包含脉冲修复开关、脉冲整形、光电隔离电路,第二受控电子开关包含放电开关、放电驱动、光电隔离电路。
图4中的信号放大电路由达林顿阵列芯片ULN2003的U4构成,用于把来自微处理器的信号转化为驱动信号,其具有反向放大的作用,可以直接驱动继电器作为接入控制电路的驱动,其中U4的15脚直接接继电器线圈的一端,当U4输入高电平时,15脚输出低电平驱动继电器K1导通,接通蓄电池正极到两个电子开关场效应管Q1、Q2的连接。
接入控制电路由继电器K1和二极管D3构成,D3是续流二极管,在继电器导通瞬间形成线圈电感电流释放通路。
第一电子开关电路用于进行脉冲修复,由电阻R13、R11、R12、R9、R10、电容C6、C5、场效应管Q1、光耦U3、施密特触发器U2组成,施密特触发器U2、电阻R12、C6是脉冲整形电路,可以把光耦U3输出的PWM信号的上下沿变为更为陡峭的上下沿电平脉冲,光耦U3、电阻R9、R10、电容C5是光电隔离电路用于对输出控制信号进行隔离,使得不同电池的修复信号没有干扰。
具体的,第一受控电子开关为MOS管Q1,所述的修复驱动电路产生驱动信号接MOS管Q1的栅极;修复驱动电路包括放大芯片U4、光耦U3、施密特触发器U2、电阻R13、电阻R11、电阻R12、电阻R9、电阻R10、电容C6、电容C5。
放大芯片U4为达林顿阵列芯片ULN2003,其1B引脚接微处理器控制电路中PWM信号输出端,其1C引脚接光耦U3源边输出端,光耦U3源边输入端经过电阻R10接12V工作电源端。
光耦U3副边输入端通过电阻R12接施密特触发器U2的输入端,施密特触发器U2的输出端经电阻R11接MOS管Q1的栅极。施密特触发器并联可以提高输出能力,一个触发器的输出特性是几个mA,并联以后可以减小输出阻抗,提高输出电流大小,对驱动MOS管的栅极比较有利,有利于提高MOS管的开关速度。实践上本实施例中,施密特触发器U2采用的是三个施密特触发器并联,事实上可以根据需要采用施密特触发器并联的数量。
光耦U3的副边输入端通过电阻R9接地,光耦U3的副边输出端通过电容C5接地,在电阻R12的两端还并联有电解电容C6,电解电容C6的阳极接光耦U3源边输入端。
电阻R13设置在MOS管Q1的栅极与源极之间。
第二电子开关电路用于进行脉冲放电,由电阻R16、R14、电容C7、三极管Q2、Q4、场效应管Q3、光耦U5组成,R16、Q2、Q4组成了图腾柱驱动电路,用于驱动场效应管Q3,C7、R14、U5、R15组成了光电隔离电路,对输出放电脉冲信号进行隔离。
具体的,第二受控制电子开关为MOS管Q3,在微处理器控制电路与MOS管Q3的栅极之间还设置有放电驱动电路,放电驱动电路包括放大芯片U4,光耦U5、三极管Q2、三极管Q4、电阻R15、电阻R4、电阻R16和电容C7;所述的放大芯片U4为达林顿阵列芯片ULN2003,其3B引脚接微处理器控制电路中放电控制信号端,其3C引脚接光耦U5源边输出端,光耦U5源边输入端经过电阻R15接12V工作电源端;光耦U5的副边输入端分别接三极管Q2和三极管Q4的基极,光耦U5的副边输出端接三极管Q4的发射极,三极管Q2的集电极接地,发射极与三极管Q4的集电极相连,三极管Q2的发射极与三极管Q4的集电极的公共端通过电阻R16接MOS管Q3的栅极;光耦U5的副边输入端通过电阻R14接地,光耦U5的副边输出端通过电容C7接地。