CN109521645A - 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机 - Google Patents

一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机 Download PDF

Info

Publication number
CN109521645A
CN109521645A CN201710845330.4A CN201710845330A CN109521645A CN 109521645 A CN109521645 A CN 109521645A CN 201710845330 A CN201710845330 A CN 201710845330A CN 109521645 A CN109521645 A CN 109521645A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
micro
exposure machine
ultraviolet exposure
scanning formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710845330.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109521645B (zh
Inventor
孙雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Digital Optical Core Technology Co ltd
Original Assignee
Beijing Derui Trade Ltd Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Derui Trade Ltd Co filed Critical Beijing Derui Trade Ltd Co
Priority to CN201710845330.4A priority Critical patent/CN109521645B/zh
Publication of CN109521645A publication Critical patent/CN109521645A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109521645B publication Critical patent/CN109521645B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于Micro‑LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，包括Micro‑LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。为使Micro‑LED像素尺寸符合实际曝光需求，本发明使用放大或缩小镜头用于放大或缩小曝光像素的尺寸。再用计算机及控制软件控制Micro‑LED每个或若干个刷新周期刷新下一位置的图形，使各图形连续拼接成所需要的曝光图形。本发明一种基于Micro‑LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，无复杂的光机损耗，可以实现更高的能量利用效率、更高的曝光强度、更快的加工速度。并且结构小巧，易于和机器人相结合接入自动化流水线。

Description

一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机
技术领域
本发明涉及一种紫外曝光机，尤其涉及一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机。
背景技术
在微电子、光学、线路板等微加工领域，紫外曝光机具有非常重要的应用。传统掩模式曝光机使用的是大尺寸平行紫外光源加掩模的曝光形式。而目前现有无掩模曝光机采用的是光源、光源准直系统、DMD芯片以及投影镜头的复杂结构，导致光源能量到工作表面能量损失过高，同时由于光源功率和DMD芯片最大承受功率受限，无法达到足够的曝光强度。
发明内容
本发明要解决的问题是：
现有传统掩模式曝光机和无掩模紫外曝光机，系统效率低，曝光强度不足等问题。
而本发明采用一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列，并保证每一个LED像素可定址，并单独驱动点亮。底层用CMOS集成电路工艺制成驱动电路。CMOS集成电路工艺主要包括硅基CMOS电路工艺和玻璃基CMOS电路工艺。Micro-LED发出的光通过放大或缩小镜头作用到待曝光工件表面，没有经过复杂光学系统的损耗，因此本发明所述曝光机可以实现更高的能量利用效率、更高的曝光强度、更快的加工速度。
本发明提供一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，该系统包括Micro-LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。
所述Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列，并保证每一个LED像素可定址，并单独驱动点亮的一种微型显示芯片及其各种封装产品。
所述Micro-LED用作光源及图形投影，光波长为190～420nm，每个LED像素尺寸为：长≥2μm，宽≥2μm。LED阵列的行数M≥2，列数N≥2。
所述计算机及控制软件包括运动控制和图形控制，运动控制是指在X、Y轴上的运动控制，图形控制是指图形分切，瞬时图形数据向Micro-LED传输。
所述用计算机及控制软件控制Micro-LED每个或若干个刷新周期刷新下一位置的图形，使各图形连续拼接成所需曝光图形。
所述放大或缩小镜头是为使Micro-LED像素尺寸符合实际曝光需求，用于放大或缩小曝光像素尺寸的镜头。
所述待曝光工件表面是Micro-LED通过放大或缩小镜头成像所投射到待曝光工件表面所形成的工作面。
所述工作台用于放置待曝光工件表面，并固定Micro-LED的机械运动部件。
本发明所提供一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机的主要优点和积极效果如下：由于无复杂的光机损耗，可以实现更高的能量利用效率、更高的曝光强度、更快的加工速度。并且结构小巧，易于和机器人相结合接入自动化流水线。
附图说明
为进一步说明本发明的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
请参阅图1所示，本发明提供一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，包括：
-Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列，并保证每一个LED像素可定址，并单独驱动点亮的一种微型显示芯片及其各种封装产品；
-Micro-LED用作光源及图形投影，光波长为190～420nm，每个LED像素尺寸为：长≥2μm，宽≥2μm。LED阵列的行数M≥2，列数N≥2；
-计算机及控制软件包括运动控制和图形控制，运动控制是指在X、Y轴上的运动控制，图形控制是指图形分切，瞬时图形数据向Micro-LED传输；
-用计算机及控制软件控制Micro-LED每个或若干个刷新周期刷新下一位置的图形，使各图形连续拼接成所需曝光图形；
-所述放大或缩小镜头是为使Micro-LED像素尺寸符合实际曝光需求，用于放大或缩小曝光像素尺寸的镜头；
-待曝光工件表面是Micro-LED通过放大或缩小镜头成像所投射到待曝光工件表面所形成的工作面；
-工作台用于放置待曝光工件表面，并固定Micro-LED的机械运动部件；
以上所述的具体实施例，对于本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不局限于本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，包括Micro-LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。
2.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列，并保证每一个LED像素可定址，并单独驱动点亮的一种微型显示芯片及其各种封装产品。
3.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述Micro-LED用作光源及图形投影，光波长为190～420nm，每个LED像素尺寸为：长≥2μm，宽≥2μm。LED阵列的行数M≥2，列数N≥2。
4.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述计算机及控制软件包括运动控制和图形控制，运动控制是指在X、Y轴上的运动控制，图形控制是指图形分切，瞬时图形数据向Micro-LED传输。
5.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述用计算机及控制软件控制Micro-LED每个或若干个刷新周期刷新下一位置的图形，使各图形连续拼接成所需曝光图形。
6.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述放大或缩小镜头是为使Micro-LED像素尺寸符合实际曝光需求，用于放大或缩小曝光像素尺寸的镜头。
7.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述待曝光工件表面是Micro-LED通过放大或缩小镜头成像所投射到待曝光工件表面所形成的工作面。
8.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机，其特征在于，所述工作台用于放置待曝光工件表面，并固定Micro-LED的机械运动部件。
CN201710845330.4A 2017-09-18 2017-09-18 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机 Active CN109521645B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710845330.4A CN109521645B (zh) 2017-09-18 2017-09-18 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710845330.4A CN109521645B (zh) 2017-09-18 2017-09-18 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109521645A true CN109521645A (zh) 2019-03-26
CN109521645B CN109521645B (zh) 2024-04-26

Family

ID=65768024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710845330.4A Active CN109521645B (zh) 2017-09-18 2017-09-18 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109521645B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112083632A (zh) * 2020-09-22 2020-12-15 深圳市先地图像科技有限公司 一种基于led阵列的数字投影无掩模曝光装置及方法
WO2021048746A1 (zh) * 2019-09-10 2021-03-18 默司科技股份有限公司 智慧光罩及其曝光设备、曝光方法和曝光图案形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105659165A (zh) * 2013-10-25 2016-06-08 Asml荷兰有限公司 光刻设备、图案形成装置和光刻方法
CN106502059A (zh) * 2016-12-30 2017-03-15 俞庆平 一种适用于曲面手机玻璃的直写曝光系统及方法
CN207301622U (zh) * 2017-09-18 2018-05-01 北京德瑞工贸有限公司 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105659165A (zh) * 2013-10-25 2016-06-08 Asml荷兰有限公司 光刻设备、图案形成装置和光刻方法
CN106502059A (zh) * 2016-12-30 2017-03-15 俞庆平 一种适用于曲面手机玻璃的直写曝光系统及方法
CN207301622U (zh) * 2017-09-18 2018-05-01 北京德瑞工贸有限公司 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021048746A1 (zh) * 2019-09-10 2021-03-18 默司科技股份有限公司 智慧光罩及其曝光设备、曝光方法和曝光图案形成方法
CN112083632A (zh) * 2020-09-22 2020-12-15 深圳市先地图像科技有限公司 一种基于led阵列的数字投影无掩模曝光装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109521645B (zh) 2024-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207301622U (zh) 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机
CN103679108B (zh) 具有多个图像传感器的光学标记读取装置
CN103591968B (zh) 一种基于可见光目标模拟器的真实目标景象模拟系统
CN109031899A (zh) 一种高分辨率高效率投影光刻成像系统及曝光方法
CN102708767B (zh) 基于中央计算机的全息多维广告动静结合展示系统
CN109521645A (zh) 一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机
CN104007620B (zh) 一种新型高速数字扫描直写光刻装置
CN104375384B (zh) 一种曝光方法及其曝光装置
CN102890430B (zh) 一种直写曝光机调整曝光面功率均匀性的装置及方法
CN107065441A (zh) 一种激光直写数据处理系统及处理方法
JP6668004B2 (ja) 回路パターン製造装置、回路パターン製造方法および回路パターン製造プログラム
CN102445861A (zh) 一种位置触发扫描方式的光刻机系统及方法
CN109521646A (zh) 一种基于Micro-LED无掩模投影固定式紫外曝光机
CN207301623U (zh) 一种基于Micro-LED无掩模固定式紫外曝光机
CN207301624U (zh) 一种基于Micro-LED无掩模投影固定式紫外曝光机
CN106647178A (zh) 光直写成像设备以及系统
CN101937173B (zh) 曝光机的曝光方法
CN202257030U (zh) 大视场直接投影式激光光刻光学系统
CN109521644A (zh) 一种基于Micro-LED无掩模固定式紫外曝光机
CN204945617U (zh) 一种用于直写曝光机的uvled阵列光源收集利用装置
CN206557518U (zh) 一种用于3d快速打印的紫外投影系统
CN207301625U (zh) 一种基于Micro-LED无掩模扫描式紫外曝光机
CN207799332U (zh) 一种用于直写光刻设备图形的实时观测装置
CN103226294A (zh) 一种提高曝光图形位置精度的光刻系统及方法
CN209606761U (zh) 一种光源直接成像光学投影装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210727

Address after: 100000 No. a2079, floor 2, building 2, No. 14, Zhonghe street, Beijing Economic and Technological Development Zone (centralized office area)

Applicant after: Beijing digital optical core technology Co.,Ltd.

Address before: 100083 block a, building 5, Jiulong garden, Shuangjing, Chaoyang District, Beijing

Applicant before: BEIJING DERUI INDUSTRY AND TRADE Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant