CN109490421A - 适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法 - Google Patents

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梁晓辉
王胜男
温茂萍
付涛
田昕
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    • H01R13/6591—Specific features or arrangements of connection of shield to conductive members

Abstract

本发明公开了适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，包括声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法及声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，其中，所述压电陶瓷型声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层与信号传输线组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层具有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线的屏蔽层与正极面屏蔽层导通从而共同实现对噪声与干扰的抑制功能。本发明的方法可实现为超薄化、阵列化、抗强噪声干扰与高灵敏度的声发射传感器的研制提供抗干扰降噪技术方案。

Description

适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法
技术领域
本发明涉及特种传感器技术领域，特别涉及一种适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法。
背景技术
材料受到机械载荷与热载荷等外因素作用下会由于内应力平衡破坏，在重新建立内应力平衡时会以应力波的方式释放内应力，产生的应力波称为声发射波。材料在受到任何载荷作用下，均会产生声发射波。载荷形式包括静力载荷、动态载荷、高低温载荷、摩擦、撞击与敲击等，这些载荷加载下材料均会产生声发射波。另外流体泄露、燃烧、放电、化学反应等物理或化学变化过程也会产生声发射波。
因此，声发射技术在工程领域应用比较广泛而且有广阔的应用前景。声发射信号的特点是：瞬态型，其持续时间一般在1微秒左右；动态型，信号只能在发生瞬间可监测到；高抗干扰要求，动态监测特性决定其在全时间域强抗干扰要求。
声发射监测系统一般由声发射传感器、声发射信号放大与采集系统、声发射分析软件。目前市面上已经有成品型的声发射传感器，但该类传感器的不足之处是：厚度大，在5mm～20mm不等；谐振频率通用，只满足常见的150KHz等频率要求；使用方式固定，大多为独立通道、粘贴式传感器；导线较硬、较粗，无法满足扁平化、小型化的狭小空间的测量需求。
随着材料部件结构健康监测需求不断扩大，现有通用声发射传感器技术无法满足应用需求，急需研究阵列式、超薄化、高灵敏度、激发与接收双重功能的声发射传感器阵列技术。
声发射信号是一种不连续、突发型、低幅值的瞬态信号，测量环境中的噪声与干扰极易和声发射信号混合在一起，对测量声发射信号造成困难，急需研究声发射传感器的抗干扰降噪技术。现有的电磁屏蔽技术只是在提出了一种金属外壳屏蔽的理论，针对突发型的声发射信号的抗干扰降噪需求无法提供高效的降噪技术方案。
发明内容
本发明的目的是为满足超薄型、阵列化、抗强噪声与强干扰的声发射传感器研制需求，提供一种适用于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，实现为超薄化、阵列化、抗强噪声干扰与高灵敏度的声发射传感器的研制提供抗干扰降噪技术方案，通过本方案设计的该传感器不仅适用于声发射传感器的抗干扰降噪应用，还特别适用于满足动态型、突发型、强噪声与干扰环境应用等特征的传感器的抗干扰降噪设计。
为了达到上述的技术效果，本发明采取以下技术方案：
首先，本发明公开了一种声发射监测传感器的高效屏蔽降噪设计方法，该方法通过设计传感器敏感单元的屏蔽技术和信号传输线的抗噪声抗干扰技术，与声发射信号放大采集模块的抗噪声抗干扰设计配合，构成声发射信号全监测路径的抗噪声抗干扰设计方法，共同实现声发射信号监测中的抗噪声抗干扰设计。
其中，本发明的声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层与信号传输线组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层需有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线的屏蔽层与正极面屏蔽层需导通共同实现对噪声与干扰的抑制功能。
具体的，声发射监测传感器的高效屏蔽降噪设计方法是通过正极面屏蔽层与信号传输线共同实现；信号传输线保证信号传输过程的抗噪声与抗干扰性能，正极面屏蔽层保证传感器敏感单元的抗噪声与抗干扰性能；正极面屏蔽层与信号传输线共同实现声发射传感器的屏蔽降噪设计功能。
具体的，本发明的技术方案还公开了声发射监测传感器的高效屏蔽降噪设计方法中对正极面屏蔽层的设计要求，具体为：
1)正极面屏蔽层应为金属层屏蔽材料，可以为硬质金属外壳型、软质屏蔽导电布型、屏蔽涂层型或者蒸镀溅射型等屏蔽材料；
2)正极面屏蔽层中间为金属粒子导电屏蔽层，导电层上下层镀有绝缘层，确保正极面屏蔽层与其它功能层电学绝缘；
3)正极面屏蔽层与压电陶瓷敏感单元的连接配合要求为：正极面屏蔽层应完全包覆压电陶瓷的正电极面，确保压电陶瓷的正极面完全受到屏蔽防护；
4)正极面屏蔽层的导电层应通过信号传输线连接到声发射采集系统公共端，将正极面屏蔽层的感应电荷及时导出确保正极面屏蔽层零电位。
同时，本发明的技术方案还公开了声发射监测传感器的高效屏蔽降噪设计方法中对信号传输线的设计要求，具体为：
1)信号传输线一方面将声发射信号的正电极和负电极电荷信号传输到声发射信号放大与采集系统，另一方面还承担将正极面屏蔽层的屏蔽电荷导出到放大采集系统的公共端；常见的声发射信号传输线均采用同轴电缆型传输线，与声发射传感器连接的放大器的接口类型也为同轴连接器，一般为BNC接口；声发射信号传输线需实现将声发射的正负电荷信号线、屏蔽层导线连接到BNC接口；
2)本方案中的信号传输线包括同轴线缆与双芯屏蔽导线两种形式，或者采用两种原理设计的其它形式的信号传输导线；信号传输线组成上分为压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分与信号传输线主体，压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分分别位于信号传输线主体的两端，连接声发射放大器侧部分与声发射放大器采用BNC等同轴型接头方式；
其中，当信号传输线采取同轴型信号传输线时，对同轴型信号传输线抗噪声抗干扰设计要求具体为：压电陶瓷侧部分的同轴线缆线芯接压电陶瓷正极，同轴线缆屏蔽层(即同轴型信号传输线的屏蔽层)通过压电信号负极导线接压电陶瓷负极；连接声发射放大器侧部分的同轴线缆线芯接BNC接头等同轴连接器的线芯，同轴线缆屏蔽层接同轴连接器的屏蔽层外壳，正极面屏蔽层的导电层连接到同轴线缆屏蔽层；
当信号传输线采取双芯屏蔽信号传输线时，对双芯屏蔽信号传输线抗噪声抗干扰设计要求具体为：压电陶瓷侧部分的双芯分别接压电陶瓷的正极与负极，双芯屏蔽电缆屏蔽层(即双芯屏蔽信号传输线的屏蔽层)屏蔽保护正负极线芯；连接声发射放大器侧部分的正极线芯接同轴连接器的线芯、负极线芯接同轴连接器的屏蔽层外壳；正极面屏蔽层的导电层连通到双芯屏蔽电缆屏蔽层。
同时，本发明还提供了一种声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，具体为：通过实验获得目标声发射信号的频带特性与声发射测试环境噪声信号的频带特性，设目标声发射信号频带范围为：[ωael ωaeh]，其中ωael为声发射信号频带低限，ωaeh为声发射信号频带高限；噪声信号频带范围为：[ωnl ωnh]，其中ωnl为噪声信号频带低限，ωnh为噪声信号频带高限；设计一个带通滤波器记为[ωpl ωph]，使得滤波器频带范围尽可能多地囊括[ωael ωaeh]的频带范围又能排除[ωnl ωnh]的范围，这样就获得了带通滤波器；在声发射采集器中的信号带通频带范围内，选择一个频带范围使得声发射信号采集频率刚囊括了[ωpl ωph]的范围，即实现声发射信号的高效监测；
其中，声发射信号的频带特性测试方法为：从系统学角度考虑，声发射信号采集过程实际上是声发射信号经过了传输介质、声耦合层、声发射传感器、放大器到达声发射采集器的过程，可以看做声发射信号通过了一系列不同频带特性的滤波器的过程，而整个采集过程中传输介质与声耦合层的影响非线性且影响较小、声发射放大器一般为理想无限宽频环节，若采用在声发射信号频带范围内选择频带幅频特性恒值的传感器，则信号测量部分获得的信号将直接表征声发射信号的特性。频带幅频特性恒值的传感器是一种理想特性，工业上一般为频带为近似恒值的宽频声发射传感器，该传感器组成的声发射采集系统需具备高抗噪声特性，以抑制噪声或干扰对声发射测量过程的影响。声发射信号类型与被测材料的强度、硬度以及所处环境温度有关，一般温度越低、硬度越大，发生材料强度损伤时产生的声发射信号幅值越大；不同材料或者相同材料在不同温度下，发生材料强度损伤时候产生的声发射信号的频谱特性不同。根据被测材料的声发射信号特性，选择合适的宽频型、高抗噪声的声发射传感器作为监测元件，布置在被测对象的表面，确保声发射信号可高效耦合采集；采用高采样率的声发射采集系统采集声发射信号，所谓高采样率的声发射采集系统即采样率应不低于声发射信号频率的十倍；按照被测材料类型预设声发射信号的通频带，确保通频带包含了声发射信号的频率；获得声发射信号的波形数据后采用傅里叶变换方法获得其信号频率特征曲线，选择其峰值频率的-3db带宽为其目标声发射信号的频带范围；
具体的，声发射测试环境噪声信号的频带特性测试方法为：采用宽频型声发射传感器作为传感元件，宽频型声发射传感器基本要求为：在10KHz～2MHz的宽频带范围里的幅频响应幅度波动值不大于±3db；人为制造声发射监测中可能出现的各种噪声，依次采用声发射系统采集后对噪声信号进行频谱分析，获得各种噪声的频谱特性；
具体的，本发明中还公开了声发射降噪信号处理系统的通频带设计方法为：根据目标声发射信号、各种噪声信号的频谱特性，采用基于宽频型声发射传感器补偿对测量得到的信号频谱特性进行修正的优化测量信号通频带的方法，计算得到补偿后的声发射信号、各种噪声信号频谱特性，按照修正后的目标信号与噪声信号的频谱特性选择声发射测试系统通频带。
本发明与现有技术相比，具有以下的有益效果：
本发明的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法满足超薄型、阵列化、抗强噪声与强干扰的声发射传感器研制需求，可实现为超薄化、阵列化、抗强噪声干扰与高灵敏度的声发射传感器的研制提供抗干扰降噪技术方案，通过本方案设计的该传感器不仅适用于声发射传感器的抗干扰降噪应用，还特别适用于满足动态型、突发型、强噪声与干扰环境应用等特征的传感器的抗干扰降噪设计。
附图说明
图1是本发明的一个实施例中信号传输线为同轴型信号传输线时压电陶瓷型声发射监测传感器结构组成示意图。
图2是图1的压电陶瓷型声发射监测传感器的分解示意图。
图3是本发明的一个实施例中信号传输线为双芯屏蔽信号传输线时压电陶瓷型声发射监测传感器结构组成示意图。
图4是图3的压电陶瓷型声发射监测传感器的分解示意图。
附图标记：1-压电陶瓷正极；2—压电陶瓷负极；3—信号传输线；4-同轴连接器；5-正极面屏蔽层；6-双芯屏蔽电缆屏蔽层；7-同轴线缆屏蔽层。
具体实施方式
下面结合本发明的实施例对本发明作进一步的阐述和说明。
实施例：
一种适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，包括声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法及声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，其中，如图1至图4所示，所述压电陶瓷型声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层5与信号传输线3组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层5具有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线3是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线3的屏蔽层与正极面屏蔽层5导通从而共同实现对噪声与干扰的抑制功能。
具体的，所述声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法是通过正极面屏蔽层5与信号传输线3共同实现，其中，信号传输线3保证信号传输过程的抗噪声与抗干扰性能，正极面屏蔽层5保证传感器敏感单元的抗噪声与抗干扰性能；正极面屏蔽层5与信号传输线3共同实现声发射传感器的屏蔽降噪设计功能。
作为优选，正极面屏蔽层5由金属层屏蔽材料制成，同时，屏蔽材料具体可以为硬质金属外壳型、软质屏蔽导电布型、屏蔽涂层型或者蒸镀溅射型等屏蔽材料，正极面屏蔽层中间为金属粒子导电屏蔽层，且在正极面屏蔽层上下部位分别镀有绝缘层确保正极面屏蔽层5与其它功能层电学绝缘，其中，正极面屏蔽层5完全包覆压电陶瓷的正电极面，确保压电陶瓷的正极面完全受到屏蔽防护，正极面屏蔽层5的导电层通过信号传输线3连接到声发射采集系统公共端，从而将正极面屏蔽层5的感应电荷及时导出。
信号传输线3一方面将声发射信号的正电极和负电极电荷信号传输到声发射信号放大与采集系统，另一方面还承担将正极面屏蔽层5的屏蔽电荷导出到放大采集系统的公共端；常见的声发射信号传输线均采用同轴电缆型传输线，与声发射传感器连接的放大器的接口类型也为同轴连接器，一般为BNC接口；声发射信号传输线需实现将声发射的正负电荷信号线、屏蔽层导线连接到BNC接口。
本实施例中，信号传输线3可采用同轴型信号传输线或双芯屏蔽信号传输线，也可采用两种原理设计的其它形式的信号传输导线，信号传输线3组成上分为压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分与信号传输线主体，压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分分别位于信号传输线主体的两端，连接声发射放大器侧部分与声发射放大器采用同轴型接头连接。
如图1及图2所示，所述信号传输线为同轴型信号传输线时，同轴型信号传输线的压电陶瓷侧部分的同轴线缆线芯接压电陶瓷正极1，同轴型信号传输线的屏蔽层即同轴线缆屏蔽层7通过压电信号负极导线接压电陶瓷负极2；同轴型信号传输线的连接声发射放大器侧部分的同轴线缆线芯接同轴连接器4的线芯，同轴线缆屏蔽层7的底端接同轴连接器4的屏蔽层外壳，正极面屏蔽层5的导电层连接到同轴线缆屏蔽层7。
如图3及图4所示，当所述信号传输线为双芯屏蔽信号传输线时，双芯屏蔽信号传输线的压电陶瓷侧部分的正负极线芯分别接压电陶瓷的正极与负极，双芯屏蔽信号传输线的屏蔽层即双芯屏蔽电缆屏蔽层6屏蔽保护正负极线芯；双芯屏蔽信号传输线的连接声发射放大器侧部分的正极线芯接同轴连接器4的线芯，双芯屏蔽信号传输线的连接声发射放大器侧部分的负极线芯接同轴连接器4的屏蔽层外壳；正极面屏蔽层5的导电层连通到双芯屏蔽电缆屏蔽层6。
同时，本实施例的所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法具体包括：通过实验获得目标声发射信号的频带特性与声发射测试环境噪声信号的频带特性，设目标声发射信号频带范围为：[ωael ωaeh]，其中ωael为声发射信号频带低限，ωaeh为声发射信号频带高限；噪声信号频带范围为：[ωnl ωnh]，其中ωnl为噪声信号频带低限，ωnh为噪声信号频带高限；设计一个带通滤波器记为[ωpl ωph]，使得滤波器频带范围尽可能多地囊括[ωael ωaeh]的频带范围又能排除[ωnl ωnh]的范围，这样就获得了带通滤波器；同时，在声发射采集器的信号带通频带范围内，选择一个频带范围使得声发射信号采集频率囊括了[ωpl ωph]的范围，从而实现声发射信号的高效监测。
作为优选，所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法中还包括声发射信号的频带特性测试方法、声发射测试环境噪声信号的频带特性测试方法及声发射降噪信号处理系统的通频带设计方法，其中，所述声发射信号的频带特性测试方法包括：
根据被测材料的声发射信号特性，选择合适的宽频型、高抗噪声的声发射传感器作为监测元件并布置在被测对象的表面，确保声发射信号可高效耦合采集；采用高采样率的声发射采集系统采集声发射信号，其中，所述高采样率的声发射采集系统即采样率应不低于声发射信号频率的十倍；按照被测材料类型预设声发射信号的通频带，确保通频带包含声发射信号的频率；获得声发射信号的波形数据后采用傅里叶变换方法获得其信号频率特征曲线，选择其峰值频率的-3db带宽为其目标声发射信号的频带范围。
声发射测试环境噪声信号的频带特性测试方法具体为：采用宽频型声发射传感器作为传感元件，宽频型声发射传感器基本要求为：在10KHz～2MHz的宽频带范围里的幅频响应幅度波动值不大于±3db；人为制造声发射监测中可能出现的各种噪声，依次采用声发射系统采集噪声信号后对噪声信号进行频谱分析，获得各种噪声的频谱特性。
声发射降噪信号处理系统的通频带设计方法具体为：根据目标声发射信号、各种噪声信号的频谱特性，采用基于宽频型声发射传感器补偿对测量得到的信号频谱特性进行修正的优化测量信号通频带的方法，计算得到补偿后的声发射信号、各种噪声信号频谱特性，并按照修正后的目标信号与噪声信号的频谱特性选择声发射测试系统通频带。
实际中，采用本发明的方法已经成功研制了四个不同系列的声发射传感器，成功应用于炸药强度试验，极大拓展了声发射传感器在炸药材料的试验、库存、运输与长寿命监测中的应用，取得了较好的应用效益。且该屏蔽技术还可应用于其他脉冲型信号监测、强干扰环境下信号监测的屏蔽技术要求。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，包括声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法及声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法，其中，所述压电陶瓷型声发射监测传感器结构上至少由压电陶瓷、正极面屏蔽层与信号传输线组成，压电陶瓷的正电极面与正极面屏蔽层具有良好的绝缘性能；压电陶瓷的正负电极与信号传输线是电极导通且对其它部件绝缘；信号传输线的屏蔽层与正极面屏蔽层导通从而共同实现对噪声与干扰的抑制功能。
2.根据权利要求1所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述声发射监测传感器的高效屏蔽降噪方法是通过正极面屏蔽层与信号传输线共同实现，其中，信号传输线保证信号传输过程的抗噪声与抗干扰性能，正极面屏蔽层保证传感器敏感单元的抗噪声与抗干扰性能。
3.根据权利要求2所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述正极面屏蔽层由金属层屏蔽材料制成，正极面屏蔽层中间为金属粒子导电屏蔽层，且在正极面屏蔽层上下部位分别镀有绝缘层确保正极面屏蔽层与其它功能层电学绝缘，其中，正极面屏蔽层完全包覆压电陶瓷的正电极面，正极面屏蔽层的导电层通过信号传输线连接到声发射采集系统公共端，将正极面屏蔽层的感应电荷及时导出。
4.根据权利要求2或3所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述信号传输线为同轴型信号传输线或双芯屏蔽信号传输线，信号传输线组成上分为压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分与信号传输线主体，压电陶瓷侧部分、连接声发射放大器侧部分分别位于信号传输线主体的两端，连接声发射放大器侧部分与声发射放大器采用同轴型接头连接。
5.根据权利要求4所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述信号传输线为同轴型信号传输线，同轴型信号传输线的压电陶瓷侧部分的同轴线缆线芯接压电陶瓷正极，同轴型信号传输线的屏蔽层通过压电信号负极导线接压电陶瓷负极；同轴型信号传输线的连接声发射放大器侧部分的同轴线缆线芯接同轴连接器的线芯，同轴型信号传输线的屏蔽层的底端接同轴连接器的屏蔽层外壳，正极面屏蔽层的导电层连接到同轴型信号传输线的屏蔽层。
6.根据权利要求4所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述信号传输线为双芯屏蔽信号传输线，双芯屏蔽信号传输线的压电陶瓷侧部分的正负极线芯分别接压电陶瓷的正极与负极，双芯屏蔽信号传输线的屏蔽层屏蔽保护正负极线芯；双芯屏蔽信号传输线的连接声发射放大器侧部分的正极线芯接同轴连接器的线芯，双芯屏蔽信号传输线的连接声发射放大器侧部分的负极线芯接同轴连接器的屏蔽层外壳；正极面屏蔽层的导电层连通到双芯屏蔽信号传输线的屏蔽层。
7.根据权利要求1所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法包括：
通过实验获得目标声发射信号的频带特性与声发射测试环境噪声信号的频带特性，设目标声发射信号频带范围为：[ωael ωaeh]，其中ωael为声发射信号频带低限，ωaeh为声发射信号频带高限；噪声信号频带范围为：[ωnl ωnh]，其中ωnl为噪声信号频带低限，ωnh为噪声信号频带高限；
设计一个带通滤波器记为[ωpl ωph]，使得滤波器频带范围尽可能多地囊括[ωaelωaeh]的频带范围又能排除[ωnl ωnh]的范围，这样就获得了带通滤波器；同时，在声发射采集器的信号带通频带范围内，选择一个频带范围使得声发射信号采集频率囊括了[ωplωph]的范围，从而实现声发射信号的高效监测。
8.根据权利要求7所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法中还包括声发射信号的频带特性测试方法，所述声发射信号的频带特性测试方法包括：
根据被测材料的声发射信号特性，选择合适的宽频型、高抗噪声的声发射传感器作为监测元件并布置在被测对象的表面，确保声发射信号可高效耦合采集；
采用高采样率的声发射采集系统采集声发射信号，其中，所述高采样率的声发射采集系统即采样率应不低于声发射信号频率的十倍；
按照被测材料类型预设声发射信号的通频带，确保通频带包含声发射信号的频率；
获得声发射信号的波形数据后采用傅里叶变换方法获得其信号频率特征曲线，选择其峰值频率的-3db带宽为其目标声发射信号的频带范围。
9.根据权利要求7或8所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法中还包括声发射测试环境噪声信号的频带特性测试方法，具体为：采用宽频型声发射传感器作为传感元件，宽频型声发射传感器基本要求为：在10KHz～2MHz的宽频带范围里的幅频响应幅度波动值不大于±3db；人为制造声发射监测中可能出现的各种噪声，依次采用声发射系统采集噪声信号后对噪声信号进行频谱分析，获得各种噪声的频谱特性。
10.根据权利要求9所述的适于压电陶瓷型声发射监测传感器的抗干扰降噪设计方法，其特征在于，所述声发射监测传感器的声发射信号处理降噪方法中还包括声发射降噪信号处理系统的通频带设计方法，具体为：
根据目标声发射信号、各种噪声信号的频谱特性，采用基于宽频型声发射传感器补偿对测量得到的信号频谱特性进行修正的优化测量信号通频带的方法，计算得到补偿后的声发射信号、各种噪声信号频谱特性，并按照修正后的目标信号与噪声信号的频谱特性选择声发射测试系统通频带。
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