CN109449548A - 基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,包括第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器、第三阻抗谐振器、变容二极管D1、变容二极管D2、变容二极管D3、变容二极管D4、变容二极管D5、变容二极管D6、变容二极管D7、变容二极管D8、变容二极管D9、变容二极管D10、变容二极管D11、变容二极管D12、变容二极管D13、变容二极管D14、变容二极管D15、变容二极管D16、变容二极管D17、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、贴片电容C1、贴片电容C2和贴片电容C3。该可重构多功能滤波器可作为巴伦滤波器、功分滤波器和二端口带通滤波器使用。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信系统领域,尤其是基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器。
背景技术
随着现代无线通信系统的快速发展,频谱资源日益紧张,越来越多的环境都要求其所用的电子设备具备可调谐、多功能的特点,从而提高频谱资源的利用率。其中,巴伦滤波器是一种独立的微波无源器件,其借助于信号系统中平衡电路抗干扰的原理,同时巴伦滤波器也具有低成本、高集成度、小型化等优点,因此,巴伦滤波器成为开发抗电磁干扰的雷达通信系统的关键之一。
除此之外,功率分配器也是射频前端的重要器件,经常同滤波器被应用于射频前端的电路当中,通过级联的方式实现滤波与功率分配的功能,采用这种方式会使系统的体积比较庞大,同时系统的插入损耗也会比较大。功分器与滤波器通过集成化的方式实现滤波与功率分配的功能,这样就能缩小系统的整体体积,同时也能改善系统的整体损耗。目前,现有的巴伦滤波器的可调范围较低,且市面上并未涉及到中心频率与相对带宽均可控的巴伦滤波器。另外,市面上尚无关于巴伦滤波器与功分器滤波器在无附加电路的情况下相互转换的研究文献。如申请号为“201410210133.1”、名称为“带宽和工作频率独立可控的多层双模双通带巴伦滤波器”的中国专利,其包括第一微波介质基片,第二微波介质基片,第一微波介质基片朝向第二微波介质基片的一面设有作为公共地的第一金属层,第一金属层上设有两条正交且长度不相等的第一缝隙,第一微波介质基片的远离第二微波介质基片的一面设有第一贴片谐振器,第一贴片谐振器设置有两条正交且长度不相等的第二缝隙,第一贴片谐振器设有一输入端,第二微波介质基片的远离第一微波介质基片的一面设有第二贴片谐振器,第二贴片谐振器上设有两条正交且长度不等的第三缝隙,以及第二贴片谐振器在与输入端正交的两端设有两个输出端。该专利通过分别控制两条第一缝隙的长度,可以分别控制对应通带的带宽,通过控制两条第二缝隙以及第三缝隙的长度,可以分别控制对应通带的中心频率,利用新型的拓扑结构实现了独立控制两个通带带宽和中心频率。但是该专利也存在以下不足之处:第一,加载变容二极管较多,增加了电路的插入损耗与应用难度。第二,中心频率调节范围约为26%,仍有进一步的提升空间。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,本发明采用的技术方案如下:
基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器:
包括均贴覆于介质基板上、且呈C型结构的第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器,阳极与第一阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D4,一端与变容二极管D4的阴极连接的贴片电容C2,与贴片电容C2的另一端连接的第三端口Port3,阳极与第二阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D1,一端与变容二极管D1的阴极连接的贴片电容C1,与贴片电容C1的另一端连接的第一端口Port1,阳极与第三阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D15,一端与变容二极管D15的阴极连接的贴片电容C3,与贴片电容C3的另一端连接的第二端口Port2,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D7和变容二极管D8,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D9和变容二极管D10,采用阴极相对、且阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D13和变容二极管D14,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘上部、第二阻抗谐振器的侧边缘上部一一对应连接的变容二极管D11和变容二极管D12,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘下部、第二阻抗谐振器的侧边缘下部一一对应连接的变容二极管D5和变容二极管D6,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘顶部、第三阻抗谐振器的侧边缘顶部一一对应连接的变容二极管D16和变容二极管D17,以及采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘底部、第三阻抗谐振器的侧边缘底部一一对应连接的变容二极管D2和变容二极管D3;所述第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器均为二分之一波长的阶梯阻抗谐振器;
所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器相对位置布设,第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器相背位置布设,且第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的顶部和底板均保持齐平;
所述变容二极管D1、变容二极管D2、变容二极管D4、变容二极管D5、变容二极管D7、变容二极管D9、变容二极管D11、变容二极管D13和变容二极管D16的阴极均与反向偏置电源连接。
优选地,所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器的间距为2mm,所述第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器的间距为1mm;所述C型结构的开口间距l5为1.8mm。
进一步地,所述第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的结构相同,均包括一体成型的第一低阻抗带、第二低阻抗带、第三低阻抗带、第四低阻抗带和第五低阻抗带;所述第二低阻抗带和第三低阻抗带与第一低阻抗带的两端一一对应连接;所述第四低阻抗带与第二低阻抗带连接,且第五低阻抗带与第三低阻抗带连接。所述变容二极管D4与第一阻抗谐振器的第五低阻抗带的底部连接,变容二极管D1与第二阻抗谐振器的第五低阻抗带的底部连接,且变容二极管D15与第三阻抗谐振器的第五低阻抗带的底部连接。
更进一步地,所述可重构多功能滤波器,还包括连接在变容二极管D4的阴极与反向偏置电源之间的电阻R3,连接在变容二极管D1的阴极与反向偏置电源之间的电阻R1,连接在变容二极管D15的阴极与反向偏置电源之间的电阻R13,一端分别与变容二极管D7和变容二极管D8的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R5,一端分别与变容二极管D9和变容二极管D10的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R6,一端分别与变容二极管D13和变容二极管D14的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R12,一端分别与变容二极管D11和变容二极管D12的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R7,一端分别与变容二极管D5和变容二极管D6的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R4,一端分别与变容二极管D16和变容二极管D17的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R10,以及一端分别与变容二极管D2和变容二极管D3的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R2。
更进一步地,所述可重构多功能滤波器,还包括一端与第一阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部连接、且另一端接地的电阻R8,一端与第二阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部连接、且另一端接地的电阻R9,以及一端与第三阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部连接、且另一端接地的电阻R11。
优选地,所述介质基板的厚度为25mil,且相对介电常数为10.2。
更进一步地,所述第四低阻抗带与第五低阻抗带的侧边沿纵向方向齐平,且第四低阻抗带与第五低阻抗带的结构尺寸相同;所述第四低阻抗带的长度l3为4mm,宽度w1为2mm。所述第二低阻抗带与第三低阻抗带的结构尺寸相同,所述第二低阻抗带的长度l2为4mm,宽度w2为2mm。所述第一低阻抗带的长度l1为4mm,宽度为2mm。
更进一步地,所述变容二极管D11的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘;所述变容二极管D12的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘。
更进一步地,所述变容二极管D5的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第五低阻抗带的底部距离l4为2.2mm的侧边缘。所述变容二极管D6的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第五低阻抗带的底部距离l4为2.2mm的侧边缘。
优选地,所述变容二极管D7和变容二极管D8的阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,变容二极管D9和变容二极管D10的阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,且变容二极管D13和变容二极管D14的阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口外侧一一对应连接。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
(1)本发明中的第一阻抗谐振器与第三阻抗谐振器共用第二阻抗谐振器,并且分别通过电场耦合与磁场耦合的方式传递信号,使两路输出信号相位分别超前与滞后90°,从何形成巴伦信号输出。
(2)本发明通过第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器之间的电容使磁场耦合转变为电场耦合,从而实现相位一致,由巴伦转变为功分器。
(3)本发明通过对输入输出端口与谐振器之间电容值大小的调节,谐振器与谐振器之间电容值大小的调节以及二分之一波长谐振器高阻抗微带线端串联的接地电容值大小的调节,从而控制外部品质因素,电磁耦合系数以及谐振器电长度,从而达到实现对中心频率,带宽的调节以及巴伦滤波器与功分滤波器之间的相互转换。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需使用的附图作简单介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对保护范围的限定,对于本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明作为结构尺寸示意图。
图2为本发明作为实物图。
图3为本发明作为巴伦滤波器的S11参数仿真图。
图4为本发明作为巴伦滤波器的S21参数仿真图。
图5为本发明作为巴伦滤波器的S31参数仿真图。
图6为本发明作为巴伦滤波器的带宽调节测试S21参数仿真图。
图7为本发明作为巴伦滤波器的带宽调节测试S31参数仿真图(一)。
图8为本发明作为巴伦滤波器的带宽调节测试S21参数仿真图。
图9为本发明作为巴伦滤波器的带宽调节测试S31参数仿真图(二)。
图10为本发明作为功分滤波器的S11参数仿真图。
图11为本发明作为功分滤波器的S21参数仿真图。
图12为本发明作为功分滤波器的S31参数仿真图。
图13为本发明作为功分滤波器的带宽调节测试S21参数仿真图(一)。
图14为本发明作为功分滤波器的带宽调节测试S31参数仿真图(一)。
图15为本发明作为功分滤波器的带宽调节测试S21参数仿真图(二)。
图16为本发明作为功分滤波器的带宽调节测试S31参数仿真图(三)。
图17为本发明作为二端口带通滤波器的S11参数仿真图。
图18为本发明作为二端口带通滤波器的S31参数仿真图。
图19为本发明作为二端口带通滤波器的S21参数仿真图。
上述附图中,附图标记对应的部件名称如下:
1-第一低阻抗带,2-第二低阻抗带,3-第三低阻抗带,4-第四低阻抗带,5-第五低阻抗带。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更为清楚,下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明,本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
实施例
如图1至图2所示,本实施例提供了一种基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,该多功能滤波器包括巴伦滤波器、功分滤波器和双端口可重构滤波器。其中,本实施例中的介质基板的厚度为25mil,且相对介电常数为10.2,另外,变容二极管选用SMV123系列。需要说明的是,本实施例中所述的“第一”、“第二”等序号用语仅用于区分同类部件,不能理解成对保护范围的特定限定。另外,本实施例中所述的“底部”、“顶部”、“边缘”等方位性用语是基于附图来说明的。
具体来说,该可重构多功能滤波器,包括均贴覆于介质基板上、呈C型结构、且为二分之一波长的阶梯的第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器,阳极与第一阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D4,一端与变容二极管D4的阴极连接的贴片电容C2,与贴片电容C2的另一端连接的第三端口Port3,阳极与第二阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D1,一端与变容二极管D1的阴极连接的贴片电容C1,与贴片电容C1的另一端连接的第一端口Port1,阳极与第三阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D15,一端与变容二极管D15的阴极连接的贴片电容C3,与贴片电容C3的另一端连接的第二端口Port2,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D7和变容二极管D8,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D9和变容二极管D10,采用阴极相对、且阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D13和变容二极管D14,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘上部、第二阻抗谐振器的侧边缘上部一一对应连接的变容二极管D11和变容二极管D12,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘下部、第二阻抗谐振器的侧边缘下部一一对应连接的变容二极管D5和变容二极管D6,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘顶部、第三阻抗谐振器的侧边缘顶部一一对应连接的变容二极管D16和变容二极管D17,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘底部、第三阻抗谐振器的侧边缘底部一一对应连接的变容二极管D2和变容二极管D3,连接在变容二极管D4的阴极与反向偏置电源之间的电阻R3,连接在变容二极管D1的阴极与反向偏置电源之间的电阻R1,连接在变容二极管D15的阴极与反向偏置电源之间的电阻R13,一端分别与变容二极管D7和变容二极管D8的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R5,一端分别与变容二极管D9和变容二极管D10的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R6,一端分别与变容二极管D13和变容二极管D14的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R12,一端分别与变容二极管D11和变容二极管D12的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R7,一端分别与变容二极管D5和变容二极管D6的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R4,一端分别与变容二极管D16和变容二极管D17的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R10,一端分别与变容二极管D2和变容二极管D3的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R2,一端与第一阻抗谐振器的顶部连接、且另一端接地的电阻R8,一端与第二阻抗谐振器的顶部连接、且另一端接地的电阻R9,以及一端与第三阻抗谐振器的顶部连接、且另一端接地的电阻R11。需要说明的是,变容二极管D7和变容二极管D8的阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,变容二极管D9和变容二极管D10的阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,且变容二极管D13和变容二极管D14的阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口外侧一一对应连接。
在本实施例中,所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器相对位置布设,第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器相背位置布设,且第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的顶部和底板均保持齐平。另外,第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的结构相同,均包括一体成型的第一低阻抗带1、第二低阻抗带2、第三低阻抗带3、第四低阻抗带4和第五低阻抗带5。其中,所述第二低阻抗带2和第三低阻抗带3与第一低阻抗带1的两端一一对应连接。所述第四低阻抗带4与第二低阻抗带2连接,且第五低阻抗带5与第三低阻抗带3连接。在本实施例中,所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器的间距为2mm,所述第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器的间距为1mm;所述C型结构的开口间距l5为1.8mm。另外,所述第四低阻抗带4与第五低阻抗带5的侧边沿纵向方向齐平,且第四低阻抗带4与第五低阻抗带5的结构尺寸相同,具体地,其长度l3为4mm,宽度w3为2mm。所述第二低阻抗带2与第三低阻抗带3的结构尺寸相同,其的长度l2为4mm,宽度w2为2mm。所述第一低阻抗带1的长度l1为4mm,宽度为2mm。
在本实施例中,该变容二极管D11的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘。所述变容二极管D12的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第四低阻抗带的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘。变容二极管D5的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第五低阻抗带5的底部距离l4为2.2mm的侧边缘。所述变容二极管D6的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第五低阻抗带5的底部距离l4为2.2mm的侧边缘。
为了验证多种功能滤波器的参数特性,特进行中心频率调节仿真测试、S11参数测试、S21参数测试和S31参数测试。具体来说,如图3至图9所示,本实施例作为巴伦滤波器使用,在电磁仿真软件HFSS.15中建模仿真的,并进行了完善了实物加工测试。从图3至图9中可以看出,该巴伦滤波器中心调节范围覆盖0.98-1.44GHz,1-dB带宽调节范围约为30-60MHz,通带内回波损耗优于-15dB。
另外,本实施也可作为功分滤波器使用,其性能参数测试曲线如图10至图16所示,从图中可以看出,该功分滤波器中心调节范围覆盖1.05-1.35GHz,1-dB带宽调节范围约为40-90MHz,通带内回波损耗优于-10dB。
不仅如此,本实施例还可以作为二端口带通滤波器使用,其性能参数测试曲线如图17至图19所示,从图中可以看出,该二端口带通滤波器中心调节范围覆盖0.96-1.38GHz,1-dB带宽调节范围约为40-90MHz,通带内回波损耗优于-10dB。此外,端口2的信号抑制度优于-25dB。
上述实施例仅为本发明的优选实施例,并非对本发明保护范围的限制,但凡采用本发明的设计原理,以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化,均应属于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于:
包括均贴覆于介质基板上、且呈C型结构的第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器,阳极与第一阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D4,一端与变容二极管D4的阴极连接的贴片电容C2,与贴片电容C2的另一端连接的第三端口Port3,阳极与第二阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D1,一端与变容二极管D1的阴极连接的贴片电容C1,与贴片电容C1的另一端连接的第一端口Port1,阳极与第三阻抗谐振器的底部连接的变容二极管D15,一端与变容二极管D15的阴极连接的贴片电容C3,与贴片电容C3的另一端连接的第二端口Port2,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D7和变容二极管D8,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D9和变容二极管D10,采用阴极相对、且阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口一一对应连接的变容二极管D13和变容二极管D14,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘上部、第二阻抗谐振器的侧边缘上部一一对应连接的变容二极管D11和变容二极管D12,采用阴极相对、且阳极与第一阻抗谐振器的侧边缘下部、第二阻抗谐振器的侧边缘下部一一对应连接的变容二极管D5和变容二极管D6,采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘顶部、第三阻抗谐振器的侧边缘顶部一一对应连接的变容二极管D16和变容二极管D17,以及采用阴极相对、且阳极与第二阻抗谐振器的侧边缘底部、第三阻抗谐振器的侧边缘底部一一对应连接的变容二极管D2和变容二极管D3;所述第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器均为二分之一波长的阶梯阻抗谐振器;
所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器相对位置布设,第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器相背位置布设,且第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的顶部和底板均保持齐平;
所述变容二极管D1、变容二极管D2、变容二极管D4、变容二极管D5、变容二极管D7、变容二极管D9、变容二极管D11、变容二极管D13和变容二极管D16的阴极均与反向偏置电源连接。
2.根据权利要求1所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述第一阻抗谐振器与第二阻抗谐振器的间距为2mm,所述第二阻抗谐振器与第三阻抗谐振器的间距为1mm;所述C型结构的开口间距l5为1.8mm。
3.根据权利要求1所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述第一阻抗谐振器、第二阻抗谐振器和第三阻抗谐振器的结构相同,均包括一体成型的第一低阻抗带(1)、第二低阻抗带(2)、第三低阻抗带(3)、第四低阻抗带(4)和第五低阻抗带(5);所述第二低阻抗带(2)和第三低阻抗带(3)与第一低阻抗带(1)的两端一一对应连接;所述第四低阻抗带(4)与第二低阻抗带(2)连接,且第五低阻抗带(5)与第三低阻抗带(3)连接。
4.根据权利要求1或2或3所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,还包括连接在变容二极管D4的阴极与反向偏置电源之间的电阻R3,连接在变容二极管D1的阴极与反向偏置电源之间的电阻R1,连接在变容二极管D15的阴极与反向偏置电源之间的电阻R13,一端分别与变容二极管D7和变容二极管D8的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R5,一端分别与变容二极管D9和变容二极管D10的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R6,一端分别与变容二极管D13和变容二极管D14的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R12,一端分别与变容二极管D11和变容二极管D12的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R7,一端分别与变容二极管D5和变容二极管D6的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R4,一端分别与变容二极管D16和变容二极管D17的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R10,以及一端分别与变容二极管D2和变容二极管D3的阴极连接、且另一端与反向偏置电源之间的电阻R2。
5.根据权利要求3所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,还包括一端与第一阻抗谐振器的第四低阻抗带(4)的顶部连接、且另一端接地的电阻R8,一端与第二阻抗谐振器的第四低阻抗带(4)的顶部连接、且另一端接地的电阻R9,以及一端与第三阻抗谐振器的第四低阻抗带(4)的顶部连接、且另一端接地的电阻R11。
6.根据权利要求4所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述介质基板的厚度为25mil,且相对介电常数为10.2。
7.根据权利要求3所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述第四低阻抗带(4)与第五低阻抗带(5)的侧边沿纵向方向齐平,且第四低阻抗带(4)与第五低阻抗带(5)的结构尺寸相同;所述第四低阻抗带(4)的长度l3为4mm,宽度w1为2mm;所述第二低阻抗带(2)与第三低阻抗带(3)的结构尺寸相同,所述第二低阻抗带(2)的长度l2为4mm,宽度w2为2mm;所述第一低阻抗带(1)的长度l1为4mm,宽度为2mm。
8.根据权利要求3所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述变容二极管D11的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第四低阻抗带(4)的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘;所述变容二极管D12的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第四低阻抗带(4)的顶部距离l4为2.2mm的侧边缘。
9.根据权利要求3所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述变容二极管D5的阳极连接在距第一阻抗谐振器的第五低阻抗带(5)的底部距离l4为2.2mm的侧边缘;所述变容二极管D6的阳极连接在距第二阻抗谐振器的第五低阻抗带(5)的底部距离l4为2.2mm的侧边缘。
10.根据权利要求4所述的基于半波长谐振器的可重构多功能滤波器,其特征在于,所述变容二极管D7和变容二极管D8的阳极与第一阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,变容二极管D9和变容二极管D10的阳极与第二阻抗谐振器的C型结构的开口内侧一一对应连接,且变容二极管D13和变容二极管D14的阳极与第三阻抗谐振器的C型结构的开口外侧一一对应连接。
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