CN109416506B - 用于表面微观纹理化的光学掩模的制造系统和方法，以及表面微观纹理化的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于表面微观纹理化的光学掩模(35)的制造系统(2)，所述系统(2)包括：具有待纹理化的表面(11)的基板(10)；覆盖基板(10)表面(11)并具有暴露于外部环境的外表面(21)的材料层(20)；生成和沉积装置，用于在所述材料层(20)的外表面(21)上生成和沉积液滴(30)，所述液滴通过冷凝形成特定的排列(31)，从而在所述材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)。本发明还涉及包括所述类型的系统(2)的处理装置。本发明还涉及制备掩模的方法以及表面微观纹理化方法。

Description

用于表面微观纹理化的光学掩模的制造系统和方法，以及表 面微观纹理化的装置和方法
本发明涉及一种用于表面微观纹理化的光学掩模的制造系统和方法。本发明还涉及一种用于表面微观纹理化的装置和方法。
在本发明中，所述光学掩模由沉积在一种暴露于外部环境的表面上的液滴构成。根据第一实施例，所述液滴被用作聚焦光学器件，以将光通量会聚在表面上。根据第二实施例，所述液滴被用作掩蔽光学器件，以阻挡取向到表面上的光通量。
本发明的领域是掩蔽方法，以及表面微观纹理化方法，特别是通过光刻和激光蚀刻。
目前，存在使表面纹理化的多种方法。这些方法可以分为两类，即一方面是直接方法，另一方面是涉及使用掩模的间接方法。在这种情况下，得到的结构对应于掩模的负面。
直接纹理化方法可以采用UV光束、电子束(“e束”)、激光束、快原子轰击(FAB)、反应离子束蚀刻(RIBE)。这些方法可以通过直接烧蚀表面来获得复杂和多样化的形状，但是不适合于构造大的表面区域和非平面的基板。此外，这些方法通常具有高成本。以下出版物[1]和[2]涉及这些方法。
间接纹理化方法可以采用振幅掩模、相位掩模、纳米珠、干涉光刻、脱湿。然而，这些方法也有其固有的缺点。
振幅掩模和相位掩模的原理在于表面的光照存在对比，从而在光敏材料层中获得周期性图案(衍射光栅)。它们对于小周期定制可能是昂贵的，它们是微米级或亚微米级(通过电子束制造)，并且所制得的结构的尺寸和形状方面缺乏灵活性。结构的尺寸取决于掩模的尺寸。得到的结构是高度相干的，即它们具有相关波长的规则周期。然而，这些方法难以处理大表面。以下出版物[3]涉及这些方法。
全息术使用激光束，所述激光束被分成两束，然后在覆盖有光敏树脂的样本的表面上重新合并。然后形成的干涉图(周期强度条纹)决定了所得到的衍射光栅。全息术可以在所得结构的周期内起作用，但需要使用激光和复杂的光学组件。虽然这需要大量的设备，但可以处理大的表面。以下出版物[4]涉及这种方法。
使用聚焦光或用作掩模的纳米珠(胶体刻蚀)，可进行具有周期性结构的大表面的纹理化。然而，珠子的尺寸被预先设定。该方法需要具有用于沉积 Langmuir-Blodgett型薄膜的机器。在这种情况下，图案是由珠子的尺寸赋予的。以下出版物[5]涉及这种方法。
脱湿法通过作用于贵金属层的表面张力而形成金属纳米颗粒。通过物理气相沉积(PVD)，用贵金属(例如金、银)纳米层覆盖表面。在高温下，所述沉积层形成贵金属纳米颗粒，以使其表面能最小化。因此，脱湿法不适用于对高温或真空敏感的表面的纹理化。此外，形成的颗粒的测量值仅为几十纳米。以下出版物[6]涉及这种方法。
纳米压印光刻(NIL)使用一个器具(或模具)通过在可延展树脂层上施加压力来印制形状。接下来通过在紫外线灯泡下曝光或通过缓慢冷却树脂层来稳定所印制的形状。该步骤通过聚合物链的交联促进树脂的硬化。纳米压印光刻具有廉价的优点，但是在一定次数的使用之后可以观察到器具的损坏。去除步骤也是敏感的，并且可能在结构中留下缺陷。以下出版物[7]涉及这种方法。
前文提及的出版物的参考书目如下：
[1]飞秒激光诱导的硅表面介孔结构，Xianhua Wang,Feng Chen,Hewei Liu,Weiwei Liang,Qing Yang,Jinhai Si,Xun Hou,Optics Communications 284(2011) 317–321.
[2]用电子束光刻技术处理大高宽比SU-8柱型材的研究进展，Yaqi Ma, YifanXia,Jianpeng Liu,Sichao Zhang,Jinhai Shao,Bing-Rui Lu,Yifang Chen,Microelectronic Engineering 149(2016)141–144.
[3]EUV和软X射线波长的干涉光刻：原理、方法和应用，Nassir Mojarad, JensGobrecht,Yasin Ekinci,Microelectronic Engineering 143(2015)55–63.
[4]光学和干涉光刻-纳米技术推动者，S.R.J.BRUECK,FELLOW, PROCEEDINGS OFTHE IEEE，卷93，10号，2005年10月。
[5]基于胶体刻蚀的等离子体薄膜，Bin Ai,Ye Yu,Helmuth
Figure BDA0001914103440000031
GangZhang,Bai Yang,Advances in Colloid and Interface Science 206(2014)5–16.
[6]通过脱湿、脱合金和粗化制备中空金纳米粒子，Anna Kosinova,Dong Wang,Peter Schaaf,Oleg Kovalenko,Leonid Klinger,Eugen Rabkin,Acta Materialia 102(2016)108-115.
[7]纳米图案和纳米压印光刻技术的生物应用的最新进展，N.Vigneswaran,Fahmi Samsuri,Balu Ranganathan,Padmapriya,Procedia Engineering 97(2014) 1387–1398.
上述纹理化方法具有多种缺点。这些方法相对昂贵和/或不适合于三维基板和/或执行复杂。此外，这些方法通常用于需要规则的微观纹理化轮廓的应用场合，其具有非常精确的周期性和对准度。但是，这种规则性并非对所有应用都至关重要。因此，由这些方法引起的过高质量和过高成本可能妨碍它们被用于新应用中。此外，一些应用反而需要非常大的空间分布(尺寸和周期性)。
本发明的目的是提供用于制造掩模以及表面的微观纹理化的改进的系统和方法。
为此，本发明涉及一种用于表面微观纹理化的光学掩模的制造系统，所述系统包括：具有待纹理化的表面的基板；覆盖基板表面并具有暴露于外部环境的外表面的材料层；以及生成和沉积装置，用于在所述材料层的外表面上生成和沉积液滴，所述液滴通过冷凝形成特定的排列，从而在所述材料层的外表面上形成光学掩模。
因此，通过使用液滴作为用于会聚或掩蔽的光学器件，与大多数现有方法相比，本发明可以以非常低的成本生产掩模。所述液滴易于形成，然后清洁。本发明不需要安装使用具有亚微米精度的用于定位光学系统的装置，或使用 Langmuir-Blodgett机器。本发明还可以避免纳米压印光刻技术固有的模具劣化的问题。与脱湿不同，本发明不需要对高温敏感型材料进行有问题的退火。
此外，本发明可以处理大表面以及不同形状的基板：弯曲的、球形的、抛物线形的、圆柱形-圆形或任何其他复杂的几何形状。
本发明可适用于许多技术领域：光刻、光学、力学、电磁学、摩擦学、化学、生物学等。在光学中，这些应用特别涉及光学捕获、光漫射、黑体的产生、抗反射涂层。在流体力学中，这些应用特别涉及流体动力学、鲨鱼皮效应、高尔夫球效应、湍流边界层。在摩擦学中，一个应用涉及接触界面的润滑化。在化学中，一种应用涉及在催化的环境中增加比表面，或产生SERS(表面增强拉曼散射)效应传感器。其他应用涉及表面的润湿性、疏水性等。
根据本发明的光学掩模的制造系统的其他有利特征，可单独或组合地采用：
-生成和沉积装置，包括一个封闭室，所述封闭室具有受控温度和湿度的气态环境，使得液滴以控制方式冷凝在材料层的外表面上。
-所述生成和沉积装置包括一个用于冷却材料层的下表面的单元。
-所述生成和沉积装置包括一个通过成像监测材料层的外表面上的液滴排列的单元。
-所述液滴由水、水性溶液、油、液体聚合物(例如硅树脂)或金属组成。
本发明还涉及用于表面微观纹理化的装置。
根据一个具体实施方式，所述微观纹理化的装置包括：如上所述的用于制造光学掩模的系统；用于局部去除的局部去除装置，其基于用于在外表面上形成光学掩模的液滴排列，并且所述材料层包括去除区域和在基板上形成第二掩模的材料区域；和微观纹理化装置，用于通过由基板上的材料层形成的掩模对所述基板表面进行微观纹理化。
去除的位置取决于形成光学掩模的液滴的排列。所述去除是通过所述光学掩模完成的。
根据本发明的微观纹理化的装置的其他有利特征，可单独或组合地采用：
-所述材料层由光敏材料制成，并且用于材料层的局部去除装置一方面包括发射光通量的曝光单元，所述光通量穿过液滴并到达材料层的外表面，另一方面包括用于在暴露于所述光通量之后显影材料层的单元。
-所述材料层由正光敏材料制成，使得材料层的去除区域直接位于液滴下方。
-所述材料层由负光敏材料制成，使得材料层的去除区域位于液滴周围和之间。
-局部去除装置是微观纹理化装置，例如包括反应离子蚀刻单元、化学蚀刻单元或光学蚀刻单元。
-曝光单元包括一光源，所述光源相对于材料层的外表面的法线方向是倾斜的，并且所述光通量穿过液滴并在倾斜入射下到达材料层的外表面。
-所述光源被安装在半球形轨道上。
-曝光单元包括平台，所述平台接收基板并可旋转，以相对于光通量转动材料层。
本发明还涉及一种用于表面微观纹理化的光学掩模的制造方法。所述方法包括以下步骤：提供具有待纹理化表面的基板的步骤；提供材料层的步骤，所述材料层覆盖所述基板的表面并具有暴露于外部环境的外表面；以及在材料层的外表面上生成和沉积液滴的步骤，所述液滴形成特定的排列，从而在所述材料层的外表面上形成光学掩模。
本发明还涉及一种表面微观纹理化的方法，包括以下连续步骤：
a)提供具有待纹理化表面的基板的步骤；
b)提供材料层的步骤，所述材料层覆盖基板的表面并具有暴露于外部环境的外表面；
c)在材料层的外表面上生成和沉积液滴的步骤，所述液滴通过冷凝形成特定的排列，从而在材料层的外表面上形成光学掩模；
d)基于用于在外表面上形成光学掩模的液滴排列，局部去除材料层的步骤，于是所述材料层包括去除区域和在基板上形成第二掩模的材料区域；和
e)通过在基板上的材料层形成的第二掩模，对基板表面进行微观纹理化的步骤。
如果需要，在执行局部去除材料层的步骤d)之前，重复步骤c)几次，以改变形成光学掩模的液滴的排列。
根据本发明的方法的其他有利特征，可单独或组合地采用：
-在提供步骤中，材料层位于封闭室中，所述封闭室具有受控的温度和湿度的气态环境，并且在生成和沉积步骤中，液滴在材料层的外表面上冷凝。
-所述材料层由光敏材料制成，并且局部去除材料层的步骤首先执行通过液滴对材料层进行曝光的子步骤，然后，执行安装后对材料层进行显影的子步骤。
-所述材料层由正光敏材料制成，使得材料层的局部去除区域直接位于液滴下方。
-所述材料层由负光敏材料制成，使得材料层的局部去除区域位于液滴周围和之间。
-在局部去除材料层的步骤期间，光通量穿过液滴并在倾斜入射下到达材料层的外表面。根据一个具体实施方式，材料层在两次曝光之间相对于光通量枢转，从而使得材料层在不同的倾斜入射下曝光。
通过阅读仅作为非限制性示例给出的以下描述，并且参考附图进行阅读，将更好地理解本发明，其中：
-图1也是根据本发明的具有纹理化的表面的基板的顶视图；
-图2是显示本发明在热太阳能应用中的优势的图表；
-图3至9是显示根据本发明的表面微观纹理化装置的不同组成元件的截面图，其中采用正光敏树脂，并且聚焦具有可变形状和尺寸以及不规则空间分布的液滴；
-图10是类似于图6的更大比例的截面图，其中关注于单个液滴；
-图11是说明作为空气/水界面处入射角的函数的反射率的演变情况的图；
-图12是类似于图7的更大比例的截面图，示出了显影后的图10的树脂；
-图13是图12的树脂的透视图；
-图14是根据本发明的包括纹理化的表面的另一示例性基板的顶视图；
-图15是在图14的纹理表面上形成的空腔的横截面；
-图16和17分别类似于图14和15，是包括根据本发明的纹理化的表面的另一示例性基板；
-图18是使用触觉表面光度仪获得的根据本发明的具有纹理化的表面的另一示例性基板的透视图；
-图19至22是分别类似于图6至9的截面图，是使用负光敏树脂的本发明的替代方案；
-图23和24分别是类似于图6和7的截面图，是使用倾斜光束的本发明的替代方案；
-图25是类似于图23的更大比例的截面图；
-图26和27是分别类似于图23和24的截面图，是使用倾斜光束的本发明的替代方案，所述光束在180°的两个相反方向上倾斜；
-图28是显影后沿图27中箭头XXVIII显示的树脂层的顶视图；
-图29是类似于图23的更小比例的视图，示出了示例性的曝光单元；和
-图30显示了通过扫描电子显微镜拍摄的不同照片，显示了在倾斜光束下曝光后然后显影的树脂层的不同实例。
图1显示了一基板10，其具有通过实施本发明而微观纹理化的表面11。
基板10具有可变形状和尺寸的、开口于表面11的空腔13。空腔13具有限定平行于表面11的宽度，大约几十微米，例如对于图1中所示的一个空腔13为 25.9μm。
空腔13一起在基板10的表面11上形成不规则的微观纹理化轮廓14。在下文中概述了对表面11进行微观纹理化的方法，它包括在基板10中布置空腔13，从而在表面11上形成微观纹理化轮廓14。
图2示出了包括不规则微观纹理化轮廓14的基板10的示例性用途，即制造用于热太阳能应用的光谱选择性吸收器。
在图2的曲线图中，x轴表示以纳米为单位的波长WL，而y轴表示以百分比表示的反射率R。曲线C1对应于放置在平坦表面上的太阳能吸收器，而曲线C2 对应于放置在具有图1中所示的不规则微观纹理轮廓14的表面11上的相同的太阳能吸收器。在该示例中，吸收器由TiAlN(钛-铝的氮化物)制成。
与平面吸收器相比，将会注意到纹理化吸收器在可见光(380-700nm)和近红外(700-2500nm)波长中具有更好的太阳光谱吸收。所述吸收被定义为在上述 (380-2500nm)波长范围内吸光度的积分。
图3至9示出了根据本发明的微观纹理化装置1的不同组成元件，其被使用以使基板10的表面11纹理化。装置1包括各种不同装置40、50和60。
在装置1内，本发明特别涉及一种用于制造光学掩模35的系统2，该光学掩模35由液滴30的排列31构成，如下文所述。所述系统2包括装置40。
在图3至8的示例中，基板10具有平行六面体形状。基板10具有上表面11和下表面12，它们是平坦的并且彼此平行。
或者，基板10可具有适合于目标应用的任何形状，例如管状形状。
举例来说，基板10可以由硅、玻璃、聚合物、金属等制成。
基板10还具有覆盖待纹理化的表面11的材料层20。这种用层20覆盖表面11 可以是完全的或部分的。可以使用任何合适的方法，例如通过旋转涂布，将层 20沉积在基板10的表面11上。层20优选由光敏材料制成，例如由相对疏水的聚合物如S1805树脂制成。层20的材料的疏水性质可影响液滴30的形成。
作为示例，基板10具有约1至2mm的厚度，而层20具有约100nm至500nm的厚度。在附图中，出于简化的原因，这些厚度以相同的数量级示出。
层20具有上表面21和下表面22。表面21可以被描述为外表面，因为它暴露于外部环境，而表面22可以被描述为内表面，因为它靠着表面11，因此被布置在层20和基板10之间。
表面21可以接受化学预处理以全部或部分地改变其润湿性，例如通过使用等离子体方法或湿法。
图3至图5示出了位于生成和沉积装置40中的基板10，装置40被用于生成液滴30，然后将它们沉积在层20的表面21上。
装置40包括封闭腔室41和布置在腔室41中的冷却单元42。被层20覆盖的基板10最初布置在单元42上，使得表面11和21朝上。腔室41具有受控的温度和湿度的气态环境46。
单元42使得可以通过热传导冷却基板10的下表面12，然后冷却表面21。如果腔室41中的该气体的分压足够，那么通过作用于腔室41的环境46和表面21之间的温度差，则可以从存在于环境46中的气体产生冷凝。通常，存在于环境46 中的气体是水蒸气，但也可以使用其他气体，例如油或有机硅(silicone)蒸气。
单元42包括支架43和可伸缩的支脚44。支架43是金属板，具有受控温度的冷水流45可通过该金属板。例如，水流45的温度约为5℃。或者，水流45可以由适合于目的应用的另一种流体组成，例如乙二醇水或液氮。通过抛光支架43 和/或在表面12和支架43之间布置水膜，可以改善热交换。可以驱动支脚44以使基板10的表面12与支架43接触(如图4所示)，或者使该表面12移动从而远离支架 43(如图5所示)。
当表面12被置于靠着支架43时，基板10的温度降低，然后是层20的温度降低。表面21的冷却增加了液滴30的冷凝。当液滴30的排列31符合要求时，支脚 44被驱动以使基板10移动并远离支架43并使冷凝停止。因此，单元42使得可以控制液滴30在表面21上的冷凝。当液滴30的形状、尺寸和分布符合根据目的应用的预设标准时，排列31被认为是令人满意的。例如，在图1和2中所示的热太阳能应用的情况下，获得具有大约几十微米的尺寸的液滴30和每mm2约50至150 个液滴的分布，构成了两个要满足的标准。每个应用都可根据具体情况定义其标准。
装置40还包括用于监测表面21上液滴30的排列31的单元48。单元48例如包括激光相机49、显微镜、立体显微镜或任何其他成像系统。单元48使得可以直接在腔室41中原位监测液滴30的冷凝。因此，当排列31符合液滴30的形状、尺寸和分布的期望结果时，使得液滴30冷凝的停止更加容易。
液滴30根据不规则且随机的空间排列31在表面21上冷凝。更具体地，液滴 30具有可变的形状和尺寸，以及不规则的空间分布。
液滴30的排列31可以通过作用于各种因素来改变，例如表面21和环境46之间的温度差的幅度、水蒸气的分压以及由此腔室41中的相对湿度、冷凝的持续时间、在沉积液滴30之前对于表面21上的预处理等。
在沉积和冷凝之后，根据排列31而被分布的液滴30在层20的表面21上形成光学掩模35。然后可以从腔室41移除具有层20和液滴30的基板10。
图6和7示出了用于局部去除材料层20的装置50，其基于表面21上的液滴30 的排列31，从而在基板10上形成掩模25。更具体地，局部去除层20的步骤包括图6中所示的曝光子步骤，以及图7中所示的显影子步骤。装置50包括曝光单元 51和显影单元54。
图6示出了曝光单元51，它包括光源52，例如紫外线辐射灯泡。光源52发射光通量53，光通量53穿过液滴30到达表面21。在该阶段，每个液滴30构成凸起的非球面透镜，其局部地会聚光通量53。每个透镜的焦距取决于液滴30的形状。光敏树脂的材料层20受到由液滴30聚焦的光束53的影响，这局部地增加了接收的曝光量。
在图6至9的示例中，层20由正光敏树脂制成，并且液滴30执行会聚光通量 53的光学功能。暴露于光束53的层20的区域变得可溶于显影剂，而暴露很少或根本不暴露的层20的区域保持不溶。
曝光后，用氮气干燥基板10和层20，然后转移到显影单元54。显影技术取决于层20的材料。例如，如果层20由S1805树脂制成，则显影包括将所述层浸入MF319溶液中，所述溶液包含约97至98％的水和2.45％的氢氧化四甲基铵。
为了在表面11上获得具有更高图案密度的轮廓14，可以在显影之前进行数次冷凝、曝光和干燥循环。
图7示出了在用单元54显影之后的材料层20。然后，层20包括材料去除区域23和剩余材料区域24。因此，层20形成掩模25，所述掩模25被布置在基板10 上。区域23和24具有可变尺寸，这是由图6中液滴30的不规则排列31产生的。
在图7的示例中，层20由正光敏树脂制成。区域23以孔的形式直接位于图6 的液滴30下方，而区域24位于图6的液滴30周围和之间。
图8示出了用于通过掩模25对表面11进行微观纹理化的装置60。空腔13的排列以及因此在表面11上形成的微观纹理化轮廓14取决于形成掩模25的层20 的区域23和24的排列。微观纹理化可以使用湿法、干法或激光烧蚀来完成，特别是取决于基板10的材料和目的应用。
在图8的示例中，装置60具有反应离子蚀刻单元61。或者，该装置可具有化学蚀刻单元、光学蚀刻单元(烧蚀)或适合于目的应用的任何其他蚀刻单元。例如，当基板10由铝制成时，可以通过浸入磷酸和硝酸的混合物(Transene Aluminium Etchant Type
Figure BDA0001914103440000111
)来蚀刻表面11。
在蚀刻之后，可以使用不同的方法去除层20的树脂残余物，例如通过浸入丙酮中，或通过超声搅拌。所选择的方法尤其取决于基板10和层20的材料。
图9示出了最终基板10，其具有根据微观纹理化轮廓14分布的空腔13。由于液滴30的排列31是不规则的，因此空腔13具有不规则的形状和尺寸以及不规则的分布。
下面定义本发明的一个实际实施例。该实例涉及用于热太阳能应用的光谱选择性吸收器的制造。
图1和图2的结果是通过采用图3至图9的装置1获得的，所述装置1具有以下参数：
-基板10由304L不锈钢制成，并且具有平行六面体形状，厚度为1mm，长度为50mm，宽度为50mm。
-层20由S1805光敏树脂制成，厚度为300nm。
-通过旋涂将层20沉积在基板10的表面11上。
-层20的表面21不进行预处理。
-腔室41的高度为300mm，长度为200mm，宽度为200mm。
-支架43由钢制成。其上表面未被抛光，并且在接收基板10之前不接收水膜。
-冷水流45在支架中以5℃温度下循环。
-腔室41中的环境46最初具有25℃的温度和50％的湿度。
-通过在腔室41中的冷凝在层20的表面21上形成的液滴30由水构成，折射率大约为1.33。这些液滴30具有半椭圆形状，尺寸在10μm和50μm之间，并且每1mm2分布160至400个液滴30。
-光源52是紫外线辐射灯泡，发射波长在365和435nm之间。灯泡的功率为 100W。层20的曝光持续时间为10秒。
-显影单元54采用MF319溶液，所述MF319溶液包含97至98％水和2.45％氢氧化四甲基铵，层20在通过光通量53曝光之后浸于其中。显影持续几秒钟。
-微观纹理化装置60包括反应离子蚀刻单元61。
-蚀刻后，通过浸入丙酮，将层20的树脂残留物从基板10上除去。
-形成在基板10的表面11上的空腔13的宽度和深度约为几十微米。
在不超出本发明的范围，用于微观纹理化表面11的装置1和用于制造光学掩模35的系统2可以有不同于图3至9的配置。
取决于构成液滴30的液体(所述液体为通过腔室41中的气体冷凝获得)，液滴30可以用作用于会聚或掩蔽装置50中的光通量53的光学器件。
液滴30可以由水、水性溶液、油、液态聚合物(例如硅油)、金属等组成。
液滴30的成分改变了它们的光学折射率，使得在聚光光学情况下可以改变焦点。另外，液滴30的成分改变了它们在层20上的表面张力，允许液滴30的形状、尺寸和空间分布发生改变。
下表显示了液滴30的不同组成和相应的折射率：
液体 折射率
水 1.33
丙酮 1.36
甘油 1.47
苯 1.5
硅油 1.33-1.58
氯化钠 1.54
乙醇 1.36
10％葡萄糖水溶液 1.348
20％葡萄糖水溶液 1.363
30％葡萄糖水溶液 1.439
图10至13提供了关注于单个液滴30的、关于图6中所示的曝光子步骤和图7 中所示的显影子步骤的更详细的图示。
图10示出了以准直光束的形式到达液滴30表面的光通量53。在入射光线与液滴弯曲表面的交汇点之后，光线在空气/液滴界面处形成不同的入射角。因此，光线入射位置越接近液滴端部，入射角越大。然而，空气/液滴界面处的反射率取决于入射角。
图11中的曲线图示出了作为空气/水界面处的入射角(在x轴上)的函数的反射率(在y轴上)的变化。应注意，当入射角超过60°时，反射率大大增加。因此，由于与边缘入射相关的高反射率，层20在液滴30的边缘上接收的光量是少的。液滴30将光聚焦在其中心，但是在其边缘上保护和掩蔽层20。
图12和13示出了在液滴30下方显影之后的光敏材料层20。结果是获得具有管状几何形状的结构。
图14至18示出了通过实施本发明而获得的表面11的其他示例。
在图14和15中，空腔13具有凹坑形状，具有比表面11更深的空心15和高于表面11的边缘16。如上面参照图10至13所解释的那样，每个液滴30将光束53聚焦在其中心，并且在其边缘由于高入射角而将光遮掩。用于层20的S1805光敏树脂被认为是正性的。因此，在显影期间(使用MF319碱性显影剂)去除UV线曝光最多的层20的区域是显著的，这解释了所得到的表面11的结构。
在图16和17中，空腔13具有另一个凹坑形状，具有空心15，所述空心15的底部位于表面11的高度处，而边缘16高于表面11。由于不同的冷却时间，液滴 30的形状与图14和15的示例中的形状不同。这种不同的液滴形状使得可以改变光束53在层20上的焦点。因此，可变液滴形状30引起树脂的可变曝光。
图18以透视图示出了基板10，这使得可以更好地看到凹坑的形状。该图18 是通过使用触觉表面光度仪扫描图14中所示的表面11而获得的。
图19至30示出了本发明的不同替代实施例。出于简化的目的，与上述第一实施例类似的元件具有相同的附图标记。
在图19至22所示的实施方式中，层20由负光敏树脂制成，并且液滴30执行会聚光通量53的光学功能。
在图19中，在单元51的曝光期间，暴露于光束53的层20的区域变得不可溶于显影剂，而暴露很少或根本不暴露的层20的区域保持可溶。
图20示出了在由单元54显影之后的材料层20。因此，层20形成掩模25，所述掩模25被布置在基板10上。移除区域23位于图19的液滴30周围和之间，而区域24以材料柱的形式位于图19的液滴30下方。
图21示出了通过掩模25对表面11进行的微观纹理化。空腔13的排列以及因此在表面11上形成的微观纹理化轮廓14，取决于形成掩模25的层20的区域23和 24的排列。蚀刻后，将层20的树脂残留物从基板10上除去。
图22示出了最终基板10，其具有根据微观纹理化轮廓14分布的空腔13。由于液滴30的排列31是不规则的，因此空腔13具有不规则的形状和尺寸以及不规则的分布。
在图23至25所示的实施方式中，光束53在相对于层20的表面21的法线方向，以倾斜入射角定向入射液滴30。在这些条件下，形成掩模25的图案也是倾斜的。
如图26所示，该图案相对于液滴30的中心平移了距离“d”，所述距离是光束53的入射角的函数。
在图26至28所示的实施方式中，层20在具有倾斜入射角的光束53下经受多次曝光，并配合基板10的旋转。
如图26所示，层20暴露于具有倾斜入射角的光束53，然后基板10围绕表面21的法线的轴枢转180°，然后层20再次暴露于具有倾斜入射角的光束53。
如图27和28所示，在不同于法线的入射角下的曝光期间，由于所得图案相对于液滴30的中心的平移，可以获得除圆柱形之外的图案几何形状。
图29示出了被设计用于将液滴30和层20暴露于倾斜光束53的示例曝光单元51。
单元51包括半球形轨道55，光源52安装在半球形轨道55上，所述光源例如准直的UV光。沿着轨道55移动光源52使得可以改变用于曝光光敏层20的光束53 的入射角。
单元51还包括可旋转的平台56，其接收基板10。平台56使得可以在光敏层 20的每次曝光操作之间旋转基板10和层20。
图30显示了在倾斜光束下曝光然后显影后的树脂层20的不同实例。
在左边，用正光敏树脂得到实例A、B和C，而在右边，用负光敏树脂得到实例D、E和F。
实例A、C、D和E各自示出了在倾斜入射下经历两次连续曝光的层20，在每次曝光之间旋转180°，使得可以获得“蝴蝶结”图案。
实例B和F各自示出了在倾斜入射下经历四次连续曝光的层20，在每次曝光之间旋转90°，使得可以获得“四叶草”图案。
这些图案例如适用于化学分析(场浓度，等离子体效应)和微生物学。
本说明书中提及的各种实施方案和变化形式的技术特征可以整体地组合，或者它们中的一些可以彼此组合。因此，装置1和系统2可以根据成本、功能和性能进行调整。

Claims (12)

1.一种用于表面微观纹理化的掩模(25)的制造系统(2)，其特征在于，所述系统(2)包括：
- 具有待纹理化表面(11)的基板(10)；
-由感光材料制成的材料层(20)，所述材料层(20)覆盖基板(10)的表面(11)并具有暴露于外部环境的外表面(21)；
- 生成和沉积液滴的装置(40)，所述生成和沉积液滴的装置(40)在材料层(20)的外表面(21)上生成和沉积液滴(30)，所述液滴通过冷凝形成特定的排列(31)，从而在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)，和
-局部去除装置(50)，所述局部去除装置(50)基于在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)的液滴(30)的排列(31)，局部去除材料层(20)，所述材料层(20)于是包括去除区域(23)和在基板(10)上形成第二掩模(25)的材料区域(24)，
用于材料层(20)的局部去除装置(50)一方面包括发射光通量(53)的曝光单元(51)，所述光通量(53)穿过液滴(30)并到达材料层(20)的外表面(21)，另一方面包括用于在暴露于所述光通量(53)之后显影材料层(20)的单元(54)，
其特征在于，所述曝光单元(51)包括相对于材料层(20)的外表面(21)的法线方向倾斜的光源(52)，并且所述光通量(53)穿过液滴(30)并在倾斜入射下到达材料层(20)的外表面(21)。
2.如权利要求1所述的系统(2)，其特征在于，所述生成和沉积装置(40)包括一个封闭室(41)，所述封闭室(41)具有受控的温度和湿度的气态环境(46)，使得液滴(30)以受控方式冷凝在材料层(20)的外表面(21)上。
3.如权利要求1所述的系统(2)，其特征在于，所述生成和沉积装置(40)包括一个用于冷却材料层(20)的下表面(22)的单元(43)。
4.如权利要求1所述的系统(2)，其特征在于，所述生成和沉积装置(40)包括一个单元(30)，所述单元(30)通过成像监测材料层(20)的外表面(21)上的液滴(30)的排列(31)。
5.如权利要求1-4中任一项所述的系统(2)，其特征在于，所述材料层(20)由正光敏材料制成，使得材料层(20)的去除区域(23)直接位于液滴(30)下方。
6.如权利要求1-4中任一项所述的系统(2)，其特征在于，所述材料层(20)由负光敏材料制成，使得材料层(20)的去除区域(23)位于液滴(30)周围和之间。
7.如权利要求1-4中任一项所述的系统(2)，其特征在于，所述光源(52)被安装在半球形轨道(55)上。
8.如权利要求1-4中任一项所述的系统(2)，其特征在于，所述曝光单元(51)包括平台(56)，所述平台(56)接收基板(10)并可旋转，以相对于光通量(53)转动材料层(20)。
9.一种表面处理的装置(1)，其特征在于，包括：
- 如权利要求1所述的用于在基板10上制造掩模(25)的系统(2)；
- 微观纹理化装置(60)，所述微观纹理化装置(60)通过由基板(10)上的材料层(20)形成的掩模(25)，对基板(10)表面(11)进行微观纹理化。
10.一种制造用于表面微观纹理化的掩模(25)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
- 提供一具有待纹理化表面(11)的基板(10)的步骤；
- 提供一材料层(20)的步骤，所述材料层(20)覆盖基板(10)的表面(11)并具有暴露于外部环境的外表面(21)；和
-在材料层(20)的外表面(21)上生成和沉积液滴(30)的步骤，所述液滴(30)以特定的排列(31)，从而在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)，和
-基于在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)的液滴(30)的排列(31)，局部去除材料层(20)的步骤，所述材料层(20)于是包括去除区域(23)和在基板(10)上形成第二掩模(25)的材料区域(24)，
其特征在于，在局部去除材料层(20)的步骤期间，光通量(53)穿过液滴(30)并在倾斜入射下到达材料层(20)的外表面(21)。
11.一种表面处理方法，其特征在于，所述方法包括以下连续步骤：
a)提供具有待纹理化表面(11)的基板(10)的步骤；
b)提供一材料层(20)的步骤，所述材料层(20)覆盖基板(10)的表面(11)并具有暴露于外部环境的外表面(21)；
c)在材料层(20)的外表面(21)上生成和沉积液滴(30)的步骤，所述液滴(30)通过冷凝形成特定的排列(31)，从而在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)；和
d)基于在材料层(20)的外表面(21)上形成光学掩模(35)的液滴(30)的排列(31)，局部去除材料层(20)的步骤，所述材料层(20)于是包括去除区域(23)和在基板(10)上形成第二掩模(25)的材料区域(24)；和
e)通过由基板(10)上的材料层(20)形成的第二掩模(25)，对基板(10)表面(11)进行微观纹理化的步骤，
其特征在于，在局部去除材料层(20)的步骤期间，光通量(53)穿过液滴(30)并在倾斜入射下到达材料层(20)的外表面(21)。
12.如权利要求11所述的表面处理方法，其特征在于，在局部去除材料层(20)的步骤期间，光通量(53)的倾斜入射后，材料层(20)相对于光通量(53)枢转，然后材料层(20)在不同的倾斜入射下曝光。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9104132D0 (en) * 1991-02-27 1991-04-17 Popovici Dan Photolithographical method of producing pinholes
FR2737928B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'insolation de zones micrometriques et/ou submicrometriques dans une couche photosensible et procede de realisation de motifs dans une telle couche
JP3540174B2 (ja) * 1998-10-12 2004-07-07 ウシオ電機株式会社 斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法
GB2350321A (en) * 1999-05-27 2000-11-29 Patterning Technologies Ltd Method of forming a masking or spacer pattern on a substrate using inkjet droplet deposition
CA2375365A1 (en) * 1999-05-27 2001-02-15 Patterning Technologies Limited Method of forming a masking pattern on a surface
FR2858694B1 (fr) * 2003-08-07 2006-08-18 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de motifs a flancs inclines par photolithographie
JP4758200B2 (ja) * 2005-10-28 2011-08-24 京セラキンセキ株式会社 露光装置、及び露光方法
JP2010201560A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Fujifilm Corp 球状構造体の製造方法及び装置

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